JPS5951139B2 - 樹脂封止型半導体装置の製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路（ＩＣ）、トランジスタ、ダイオード
等の半導体装置、特にレジンモールド型の半導体装置の
製造方法およびその方法において用いるリードフレーム
に関する。

従来の半導体装置は、その実装コストを低減しコンパク
トなものにするために、半導体ペレットおよび外部導出
用リード等の金属体の一部をレジンで封止（モールド）
するものが多い。

しかし、この種のレジンモールド型半導体装置は、耐湿
性に弱く、経時劣化する欠点がある。

その主たる原因としては、モールド用レジンそのものの
性質によるが、外部導出用リード等の金属体とモールド
部のレジンとの密着性が悪いことから、これらの界面に
伝わつて外部から水分やイオン性の物質が侵入し、半導
体装置の信頼性を低下させていることがあげられる。本
発明は上記の欠点にもとづきなされたものであり、その
目的とするところは、金属体とレジンとの密着性をよく
して耐湿性の良好なレジンモールド型半導体装置を製造
することにある。

つぎに、本発明によるレジンモールド型半導体装置の製
造方法の一実施例について説明する。

第１図は本発明に用いるリードフレームを示す。このリ
ードフレーム１は、平行に延びるｌ対の外枠２、３と、
この外枠２、３に直交する方向に延び、それぞれの両端
を前記外枠２、３に連結する１対の内枠４、５これら内
枠４、５および外枠２、３によつて形成される矩形枠の
中央に四角のタブ６を有しその両端は前記内枠４の中央
に連結するタブリード７と、外枠２、３の内側からタブ
６に向かつて延びる複数のリード８と、各リード８およ
び内枠４、５を連結するとともに、レジンモールド時に
レジンの流出を阻止する役割を果すダム９とからなつて
いる。つぎに、第２図ａ−ｄに基づいて製造法について
説明する。

まず、前記形状のリードフレーム１’を用意するととも
に、このリードフレーム１のタブ６およびタブ６に臨む
リード８の先端部上面に同図ａで示すように金めつき層
１０を形成する。この金めつきが施こされる領域は第１
図で示すハッチシダ領域である。つぎに、図示しないが
、酸素雰囲気中のベルジヤ内にリードフレームを入れて
酸素プラズマ処理、方法によつてリードフレーム表面を
酸化し酸化物１１を形成する。

この際、金めつき層１０は酸化されない。その後、タブ
６の金めつき層１０上に、回路素子を形成した半導体ペ
レツト１２を固定するとともに、このペレツト１２上の
電極とリード８の先端の金めつき層１０との間をワイヤ
１３で接続し、これらペレツト１２，ワイヤ１３お，よ
びリード先端部をレジンでモールドしてモールド部１４
を形成する （第２図ｂ）。つぎに、同図ｃで示すよう
に、このモールド製品をエツチング液中に浸漬させてリ
ード８の表面．の酸化物１１を取り除くとともに、不要
なダム９や内枠４，５および外枠１，２等の連結片を切
断除去し、フラツトなレジンモールド型半導体装置１５
を製造する。

また、必要ならば、同図ｄで示すように、リード８を一
方向に曲げ、デユアルインライン形のレジンモールド型
半導体装置１６を製造する。このような実施例によれば
、レジンと密着してモールドされるリードフレーム部分
の多くは酸化物で被われていることから、レジンとリー
ドとの−密着性が良好となる。

このため、レジンとリードとの界面からの水分等の侵入
が防止でき、耐湿性の優れた半導体装置を製造すること
ができる。また、この実施例によれば、リードフレーム
を酸化させるときには金めつき層がマスクとなり、リー
ド表面の酸化物をエツチングで取り除くときにはモール
ド部がマスクとなる。また、金めつきを施こしたりリー
ドフレームは一般に市販されているものを手に入れるこ
とができるから、この製造方法では部分的な処理におい
てマスキング作業が不要となり、極めて作業が簡単とな
る。なお、一般に、金めつきを行なつた後、それをマス
クとして他の部分を酸化する場合、金の下地金属が金め
つき層表面にジッターし、表面に酸化膜を形成し、半導
体ペレツトおよび金ワイヤのボンデイング特性を悪くす
る恐れがあるので、金めつき層部の酸化膜を除去し、金
めつき層のないところの酸化膜を残すようにマスクのエ
ツチングが必要とされた。

しかしながら、本発明のように酸素プラズム法によつて
酸化膜を形成すれば、金めつき層部には酸化膜が形成さ
れず、上記のような複雑な工程を必要とすることなく、
上記のボンデイング特性の悪化を防止できる。なお、前
記実施例でに集積回路装置に本発明を適用した場合につ
いて説明したが、本発明はトランジスタ、その他の樹脂
封止型半導体装置に適用することができる。

高電力用のＩＣ等では半導体ペレツトはリードフレーム
とは別の部材から形成されたヒートシンクに取付けられ
、この一部モールドされるが、このモールドされるヒー
トシンクの一部を酸化してもよいことは勿論である。ま
た、実施例ではリードフレームの酸化方法は酸素プラズ
マ処理方法を示したがこれに限らず、その他の酸化処理
方法を用いてもよい。以上のように、本発明によれば、
レジンと密着してモールドされる金属体部分にレジンと
密着性の良好な酸化物を設けてあるので耐湿性の良好な
製品が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いるリードフレームの平面図、第２
図ａ−ｄは本発明のレジンールド型半導体装置の一実施
例を示す工程図である。 １・・リードフレーム、２，３・・外枠、４，５・・内
枠、６ ・・タブ、７・・タブリード、８ ・・リード
、９ ・・ダム、１０・・金めつき層、１１・・酸化物
、１２・・ペレツト、１３・・ワイヤ、１４・・モール
ド部、１５・・フラツトなレジンモールド型半導体装置
、１６・・デユアルインライン形のレジンモールド型半
導体装置。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ リードフレームの半導体ペレットおよびワイヤを接
   続すべき部分に金めつき層を形成する工程、上記金めつ
   き層をマスクとして利用し、酸素プラズム処理により金
   めつきされていないリードフレーム部の表面を酸化する
   工程、上記リードフレームの金めつき層に半導体ペレッ
   トおよびワイヤを接続する工程、上記酸化膜に密着し、
   かつ上記半導体ペレットおよびワイヤを包囲するように
   レジンで樹脂封止する工程、および上記封止レジンをマ
   スクとして、上記封止レジンから露出したリードフレー
   ム部の酸化膜を除去する工程から成る樹脂封止型半導体
   装置の製法。