JPS63218660A - 2―オキサイソセフェム誘導体の製造方法 - Google Patents

2―オキサイソセフェム誘導体の製造方法

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JPS63218660A
JPS63218660A JP62053871A JP5387187A JPS63218660A JP S63218660 A JPS63218660 A JP S63218660A JP 62053871 A JP62053871 A JP 62053871A JP 5387187 A JP5387187 A JP 5387187A JP S63218660 A JPS63218660 A JP S63218660A
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多田 信仁
Shinji Nishitani
西谷 新二
Junichi Namikawa
南川 純一
Michiaki Tominaga
道明 富永
Yoshiaki Manabe
真鍋 義曄
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  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明はアゼチジノン誘導体に関する。さらに詳細に
は、この発明は、抗菌剤として用いられる2−オキサイ
ソセフェム誘導体を製造する際の合成中間体として有用
なアゼチジノン誘導体に関する。
〈発明の開示〉 2−オキサイソセフェム誘導体は強い抗菌作用を有して
おり、例えば、特開昭57−192387号公報等に記
載の化合物が知られている。この2−オキサイソセフェ
ム系抗菌剤の基本骨格である2−オキサイソセフェム骨
格の合成中間体であるアゼチジノン誘導体としては、例
えば、特開昭51−41385号公報、Can、 J、
 Chew、 58 ppt335(1987)等に記
載の化合物が知られているが、本発明のアゼチジノン誘
導体は文献未記載の新規化合物であり、下記一般式(1
)で表される。
[式中、R1はハロゲン原子、ハロゲン原子で置換され
ていてもよい低級アルカンスルホニルオキシ基または低
級アルキル基、ハロゲン原子もしくはニトロ基で置換さ
れていてもよいアリールスルホニルオキシ基; (上記式中、XlおよびXlはそれぞれ同一または異な
ってハロゲン原子、R4はエステル化されたカルボキシ
基を示す。); R3はアジド基、フタルイミド基または基:NH−15 (式中、R5はアミノ保護基を示す。)]なお、上記一
般式(1)において、基:は、それぞれケト−エノール
互変異性をとりえることが広く知られており、−例を挙
げれば下記式%式% 本明細書においては、このようなケト−エノール互変異
性体を、便宜上、前記一般式(1)の定義に示される構
造式で表すものとする。
上記一般式(1)で示される本発明のアゼチジノン誘導
体は、簡便な方法にて収率よく7−置換または非置換ア
ミノ−3−ハロゲン化メチル−2−オキサイソセフェム
骨格に変換でき、さらに得られた2−オキサイソセフェ
ム骨格は7位および/または3位を適宜修飾することに
より、有用な2−オキサイソセフェム系抗菌剤に導くこ
とができる。
上記の一般式(1)において示される各基は、より具体
的にはそれぞれ次のとおりである。
ハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素およびフッ
素を例示できる。
ハロゲン原子で置換されていてもよい低級アルカンスル
ホニルオキシ基としては、メタンスルホニルオキシ、エ
タンスルホニルオキシ、プロパンスルホニルオキシ、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシ等が挙げられる。
低級アルキル基、ハロゲン原子もしくはニトロ基で置換
されていてもよいアリールスルホニルオキシ基としては
、ベンゼンスルホニルオキシ、トルエンスルホニルオキ
シ、p−クロロベンゼンスルホニルオキシ、p−ニトロ
ベンゼンスルホニルオキシ等が挙げられる。
エステル化されたカルボキシ基におけるエステル残基と
しては、通常のエステル残基、例えば、メチル、エチル
、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第三
級ブチル、ペンチル、ヘキシル等の炭素数1〜6のアル
キル基;ベンジル、ベンズヒドリル、α−フェネチル、
β−フェネチル、α、β−ジフェニルエチル、3−フェ
ニルプロピル、4−フェニルブチル、5−フェニルペン
チル、6−フェニルヘキシル等のアルキル部分の炭素数
が1〜6の(モノまたはジ)フェニル低級アルキル基等
が例示できる。
前記−のエステル残基の(モノまたはジ)フェニル低級
アルキル基におけるフェニル部分には、置換基として、
例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子
等のハロゲン原子;メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、イソブチル、第三級ブチル、ペンチル
、ヘキシル等の炭素数1〜6の低級アルキル基;メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ
、第三級ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等
の炭素数1〜6の低級アルコキシ基;ニトロ基を有して
いてもよい。
アミノ保護基としては、例えば、ベンジル、α−フェネ
チル、β−フェネチル、3−フェニルプロピル、ベンズ
ヒドリル、トリチル等のフェニル基を1〜3個有し、か
つアルキル部分の炭素数が1〜6のフェニル(低級)ア
ルキル基:ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリ
ル、イソブチリル、ペンタノイル、ピバロイル、ヘキサ
ノイル等の炭素数1〜6の低級アルカノイル基;モノク
ロロアセチル、モノフルオロアセチル、モノブロモアセ
チル、モノヨードアセチル、ジクロロアセチル、トリク
ロロアセチル、トリブロモアセチル、3−クロロプロピ
オニル、2.3−ジクロロプロピオニル、3,3.3−
トリクロロプロピオニル、4−クロロブチリル、5−ク
ロロペンタノイル、6−クロロヘキサノイル、3−フル
オロプロピオニル、4−フルオロブチリル等の、ハロゲ
ン原子が1〜3個置換した炭素数2〜6の低級アルカノ
イル基;1−フェニルエトキシカルボニル、2−フェニ
ルエトキシカルボニル、3−フェニルプロポキシカルボ
ニル、4−フェニルブトキシカルボニル、5−フェニル
ペンチルオキシカルボニル、6−フェニルへキシルオキ
シカルボニル等のアルコキシ部分の炭素数が1〜6のフ
ェニル(低級)アルコキシカルボニル基;メトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、
イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、第3
級ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘ
キシルオキシカルボニル等のアルコキシ部分の炭素数が
1〜6の低級アルコキシカルボニル基;フェニルアセチ
ル、3−フェニルプロピオニル、4−フェニルブチリル
、5−フェニルペンタノイル、6−フェニルヘキサノイ
ル、3−フェニル−2−メチルプロピオニル、4−ニト
ロフェニルアセチル、4−メチルフェニルアセチル、4
−クロロフェニルアセチル、3−ニトロアセチル、3.
4−ジメチルフェニルアセチル、2−メチルフェニルア
セチル等の、フェニル環上の置換基としてニトロ、低級
アルキル基およびハロゲン原子からなる群より選ばれた
置換基を1〜3個有することのあるフェニル(低級)ア
ルカノイル基など例示できる。
本発明の化合物は、種々の方法で製造することができる
が、例えば、下記反応式−1に示す方法で得られる。
反応式−1 (1−b) [式中、R’ 、R’ 、R’ 、X’およびX2は前
記に同じ。コ 上記反応式において、一般式■の化合物から一般式(1
−a)の化合物を製造する反応(a)は、一般式■の化
合物に、溶媒の存在下または非存在下に、ハロゲン化剤
を反応させることにより行われる。
使用されるハロゲン化剤としては、塩素、臭素、ヨウ素
等のハロゲン、N−クロロスクシンイミド、N−ヨード
スクシンイミド、N−ブロモスクシンイミド等のN−ハ
ロゲン化スクシンイミド、スルフリルクロリド、スルフ
リルプロミド等のスルフリルハライド、ピリジン ハイ
ドロプロミド パープロミド、ピリジン ハイドロクロ
リド パークロリド等のピリジン ハイドロハライド 
バーハライド、次亜塩素酸、t−ブチルハイポクロリド
、クロラミンB1クロラミンT等が挙げられる。
また使用される溶媒としては、塩化メチレン、1゜2−
ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル等のエーテル類、メタノール、エタノール、プロパツ
ール等のアルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、アセトニト
リル等、およびこれらの混合溶媒が挙げられる。該反応
は、好ましくは塩基性化合物の存在下に行われ、塩基性
化合物としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が挙げら
れる。
一般式(2)の化合物に対するハロゲン化剤の使用割合
は、少なくとも等モル量、好ましく1〜2倍モル量用い
るのがよい。また、ハロゲン化剤に対する塩基性化合物
の使用割合は、少なくとも等モル量、好ましくは1〜3
倍モル量用いるのがよい。
該反応は、通常0〜50℃、好ましくは室温にて行われ
、一般に30分〜10時間程度で終了する。
一般式(2)の化合物から一般式(t−b)の化合物を
製造する反応(b)は、一般式■の化合物に、溶媒の存
在下または非存在下に、ハロゲン化剤を加熱条件下で反
応させることにより行われる。この反応に使用されるハ
ロゲン化剤および溶媒としては、前記反応工程(a)で
例示されたハロゲン化剤および溶媒が挙げられる。また
、この反応は塩基性化合物の存在下に行なうのが好まし
く、塩基性化合物としては、前記反応工程(a)で挙げ
られた塩基性化合物を用いることができる。該反応は、
通常50〜100℃、好ましくは60〜80℃にて行わ
れ、一般的に1〜10時間程時間路了する。
一般式(1−a)の化合物から一般式(i−b)の化合
物を製造する反応(C)は、酸性化合物の存在下、一般
式(1−a)の化合物を、加熱処理することにより行わ
れる。このに反応に使用される酸性化合物としては、例
えば、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン化
水素酸、硫酸、リン酸等の鉱酸、p−1ルエンスルホン
酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸
を例示することができる。なお、ハロゲン化水素酸を使
用する場合には、一般式(1−a)の化合物のX2と同
種のハロゲンからなるハロゲン化水素酸を用いるのが好
ましい。該反応は溶媒の存在下に行なうのが好ましく、
溶媒としては前記反応工程(a)で挙げられた溶媒を用
いることができる。また、該反応は、必要に応じて、塩
基性化合物を反応系に添加してもよく、この塩基性化合
物としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム等の無機塩基、ピリジン
、トリエチルアミン、N−メチルモルホリン等の有機塩
基等が挙げられる。一般式(1−a)の化合物に対する
酸性化合物の使用割合は、少なくとも等モル量、好まし
くは1〜2倍モル量程度用いられる。該反応は、通常5
0〜100℃、好ましくは60〜80℃にて行われ、一
般に30分〜6時間程度で終了する。 上記反応式−1
で得られた一般式(1−b)の化合物は、下記反応式−
2に示される工程により、容易に2−オキサ−イソセフ
ェム誘導体に導くことができる。
(以下余白) 反応式−2 (式中、R1、R3、R4およびXlは前記と同じ、R
6は窒素原子および硫黄原子からなる群より選ばれたヘ
テロ原子を1〜4個をする不飽和へテロ環基を示し、該
へテロ環基は、低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルコキシカルボニル基、カルボキシ基、フェニル基
を1〜3個をするフェニル低級アルコキシカルボニル低
級アルキル基、カルボキシ低級アルキル基、ヒドロキシ
低級アルキル基、水酸基、オキソ基、アミノ基、カルバ
モイル基、シアノ基、低級アルキル置換アミノ低級アル
キル基、ピペリジニル低級アルキル基。
ピロリジニル低級アルキル基、カルバモイル低級アルキ
ル基およびシアノ低級アルキル基からなる群より選ばれ
た置換基を1〜3個または4−低級アルキルー1−ピペ
ラジニル低級アルキル基を有していてもよい、 R7は基’       OR9 [式中、R8は水素原子、アミノ基、低級アルカノイル
アミノ基、ハロゲン置換低級アルカノイルアミノ基、フ
ェニル基を1〜3個存するフェニル低級アルキルアミノ
基、フェニル低級アルコキシカルボニルアミノ基または
低級アルコキシカルボニルアミノ基; R9は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、
低級アルキニル基、シクロアルキル基、テトラヒドロピ
ラニル基または基: A−RIO (式中、Aは低級アルキレン基、RIOはシアノ基、カ
ルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、ハロゲン置
換低級アルキル基、低級アルキルチオ基、チアゾリル基
、イミダゾリル基、シクロアルキル基、フェニル基、テ
トラヒドロフラニル基、オキサシリル基、4−低級アル
キルー2,3−ジオキソ−1−ピペラジニルカルボニル
基、トリチル基を有することあるピラゾリル基、または
低級アルキル基を有することあるピリジル基を示す)] をそれぞれ示す。) 一般式(1−b)の合物から一般式(3)の化合物を製
造する反応(a)は、溶媒の存在下または非存在下に、
一般式(1−b)の化合物に塩基性化合物を反応させる
ことにより行なわれる。この反応で使用される溶媒とし
ては、例えば、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素
類、エチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル
類、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等の
ハロゲン化炭化水素類、メタノール、エタノール等のア
ルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘ
キサメチルリン酸トリアミド等の非プロトン性極性溶媒
、アセトニトリルなどが例示できる。また、使用される
塩基性化合物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩
または炭酸水素塩などの無機塩基、トリエチルアミン、
ピリジン、N、N−ジメチルアニリン、1,5−ジアザ
ビシクロ[4,3,0]ノネン−5(DBN)、1.4
−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン(DABCO
) 、1.8−ジアザビシクロ[5゜4.0]ウンデセ
ン−7(DBU)等の有機塩基が挙げられ、有機塩基が
好ましい。一般式(1−b)で表される化合物に対する
上記の塩基性化合物の使用割合は、少なくとも等モル量
、通常はやや過剰量用いられる。該反応は、0〜100
℃、好ましくは20〜80℃程度で行なわれ、1〜20
時間、好ましくは1〜10時間程時間路了する。
一般式(3)の化合物から一般式(5)の化合物を製造
する反応(b)は、適当な不活性溶媒中、一般式(3)
の化合物と一般式(4)のチオール化合物とを塩基性化
合物の存在下に反応させることにより行われる。
上記の反応で用いられる塩基性化合物としては、トリエ
チルアミン、ピリジン等の第3級アミン類などの有機塩
基性化合物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機
塩基性化合物を例示できる。
不活性溶媒としては、この反応に悪影響を与えない溶媒
であれば、いずれの溶媒も使用でき、例えば、ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテ
ル類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム
、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ピリジン、ピ
ペリジン、トリエチルアミン等のアミン類、ヘキサン、
ヘプタン等の脂肪族炭化水素類、メタノール、エタノー
ル、プロパツール等のアルコール類、ジメチルホルムア
ミド(DMF) 、ヘキサメチルリン酸トリアミド(H
MPA) 、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の非
プロトン性極性溶媒、二硫化炭素等が例示できる。
一般式(3)の化合物に対する一般式(4)の化合物の
使用割合は、少なくとも等モル量、好ましくは1〜2倍
モル量とするのがよく、一般式(4)の化合物に対する
塩基性化合物の使用割合は、少なくとも等モル量、好ま
しくは等モル−2倍モル量とするのがよい。反応温度は
一10℃〜100℃、好ましくは0〜50℃で行われ、
一般に30分〜10時間程度で終了する。
一般式(1−b)の化合物から一般式(5)の化合物を
製造する反応(c)は、適当な不活性溶媒中、一般式(
1−b)の化合物と一般式(4)で表されるチオール化
合物とを塩基性化合物の存在下に反応させることにより
行われる。この反応で使用される不活性溶媒、塩基性化
合物およびチオール化合物(4)としては、前記反応工
程(a)および(b)で例示されたのが挙げられる。ま
た、一般式(1−b)の化合物に対する塩基性化合物お
よびチオール化合物(4)の使用割合も前記反応工程(
a)および(b)の説明を参照することができる。該反
応は、通常0℃〜100℃、好ましくは室温〜80℃に
て行われ、一般に30分〜10時間程度で終了する。
一般式(5)の化合物から一般式(6)の化合物を製造
する反応(d)は、一般式(5)の化合物を、その置換
基であるR3の種類に応じて、還元反応、加水分解反応
またはヒドラジン分解反応に付すことにより行われる。
上記の反応工程において、基R3がアジド基の場合、一
般式(6)の化合物は一般式(5)の化合物を無溶媒ま
たは適当な不活性溶媒の存在下に還元剤を作用させて、
一般式(6)のアミン化合物を得ることができる。
この反応において用いられる溶媒としては、例えば、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、トリエ
チルアミン、ピリジン等のアミン類を例示できる。
還元剤としては、硫化水素等が例示できる。硫化水素等
を使用する場合には、トリエチルアミン、ピリジン等の
アミン類を添加するとよい。
一般式(5)の化合物に対する還元剤の使用割合は等モ
ル−100倍モル量、好ましくは3〜50倍モル量とす
るのがよく、また該反応は通常−30℃〜50℃、好ま
しくは一10℃〜10℃にて行なわれ、30分〜10時
間程度で終了する。
また、基R3が基: −NH−R5(式中、R5は前記
と同じ)の場合には、無溶媒または不活性溶媒中、一般
式(5)の化合物をR5のアミノ保護基基脱離反応に付
すことにより一般式(6)のアミン化合物が得られる。
該反応は、一般式(5)の化合物に酸性化合物または塩
基性化合物を反応させる方法、一般式(5)の化合物を
接触還元反応に付す方法などにより行なわれる。
上記反応に用いられる不活性溶媒としては、例えば、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルエーテル、ジ
エチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ア
ニソール等のエーテル類、ニトロメタン、ニトロベンゼ
ン等のニトロ化合物、メタノール、エタノール等のアル
コール類、酢酸エチル、酢酸メチル等の酢酸エステル類
、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類
、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類
、ピリジン、ピペリジン等のアミン類、ジメチルホルム
アミド(DMF) 、ヘキサメチルリン酸トリアミド(
HMPA) 、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の
非プロトン性極性溶媒、二硫化炭素、水または水と上記
のを機溶媒との混合溶媒などを例示できる。
使用される酸性化合物としては、無水塩化アルミニウム
、塩化第2スズ、四塩化チタン、三塩化ホウ素、三フッ
化ホウ素−エチルエーテル錯体、塩化亜鉛等のルイス酸
、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、トリクロロ酢酸、トリ
フルオロ酢酸、メタンスルホン酸、酢酸等の有機酸、酸
型イオン交換樹脂などの酸類が挙げられ、また塩基性化
合物としてはトリエチルアミン、トリブチルアミン等の
トリアルキルアミン、ピリジン、ピコリン、DBUSD
BN、DABGOなどの有機塩基、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水
素塩等の無機塩基などの塩基類が例示できる。
上記の反応を接触還元法で行なう場合、用いられる接触
還元触媒としては、例えば、プラチナ触媒(例えば、酸
化白金、白金黒、白金線、白金板、スポンジ状白金、コ
ロイド状白金等)、パラジウム触媒(例えば、パラジウ
ム黒、塩化パラジウム、酸化パラジウム、パラジウム−
炭素、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−炭酸バ
リウム、スポンジ状パラジウム等)、ニッケル触媒(例
えば、還元ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッケル等
)、コバルト触媒(例えば、還元コバルト、ラネーコバ
ルト等)、鉄触媒(例えば、還元鉄、ラネー鉄等)、銅
触媒(例えば、還元銅、ラネー銅等)などを例示できる
上記の反応で、酸性化合物または塩基性化合物を使用す
る場合には、一般式(5)の化合物に対する酸性化合物
または塩基性化合物の使用割合は、1〜100倍モル量
、好ましくは1〜20倍モル量とするのがよい。また、
該反応は、−20℃〜80℃、好ましくは一10℃〜5
0℃の温度条件下で行なわれ、30分〜48時間、好ま
しくは1〜24時間程時間路了する。
また、接触還元法を適用する場合には、一般式■の化合
物に対する接触還元触媒の使用割合は、061〜10倍
モル量、好ましくは0.1〜1倍モル量とするのがよい
。また、該反応は0〜200℃、好ましくは0〜100
℃の温度条件下で行なわれ、30分〜48時間、好まし
くは30分〜6時間程度で終了する。
基R3がフタルイミド基の場合には、無溶媒または不活
性溶媒中、一般式(5)の化合物をヒドラジンまたはヒ
ドラジン誘導体と反応させるヒドラジン分解反応に付す
ことにより一般式(6)のアミン化合物が得られる。
この反応に用いられる不活性溶媒としては、例えば、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、メタルール、エタノー
ル等のアルコール類などが挙げられる。また、ヒドラジ
ン誘導体としては、メチルヒドラジン、エチルヒドラジ
ン等の低級アルキル置換ヒドラジン、フェニルヒドラジ
ン等のアリール置換ヒドラジンなどを例示できる。
一般式(5)の化合物に対するヒドラジンまたはヒドラ
ジン誘導体の使用割合は、少なくとも等モル量、好まし
くは1〜2倍モル量用いられ、また該反応は通常0〜1
00℃、好ましくは0〜80℃にて行なわれ、1〜40
時間程度で反応は終了する。
一般式(6)の化合物から一般式(8)の化合物を製造
する反応(8)は、一般式(6)のアミン化合物と、一
般式(7)のカルボン酸化合物またはそのカルボキシ基
が活性化された化合物とを通常のアミド結合生成反応に
て反応させることにより製造することができる。
アミド結合生成反応としては、公知のアミド結合生成反
応の条件がいずれも適用できる。例えば、a)縮合剤を
用いる方法:すなわち、カルボン酸化合物(7)とアミ
ン化合物(6)とを縮合剤の存在下に反応させる方法; b)混合酸無水物法:すなわち、カルボン酸化合物(7
)にアルキルハロカルボン酸を反応させて混合酸無水物
とし、これにアミン化合物(6)を反応させる方法: C)活性エステル化法:すなわち、カルボン酸化合物(
7)をp−ニトロフェニルエステル、N−ヒドロキシコ
ハク酸イミドエステル、1−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ールエステル等の活性エステルとし、これにアミン化合
物(6)を反応させる方法;d)カルボン酸化合物■を
無水酢酸等の脱水剤によりカルボン酸無水物とし、これ
にアミン化合物(6)を反応させる方法; e)カルボン酸化合物(7)の低級アルコールエステル
とアミン化合物(6)とを高温、高圧下に反応させる方
法; f)カルボン酸化合物(7)を酸ハロゲン化物、すなわ
ちカルボン酸ハライドとし、これにアミン化合物(6)
を反応させる方法などが例示できる。
次に、アミド結合生成反応の一例をより具体的に説明す
る。
一般式(8)の化合物は、縮合剤の存在下、一般式(6
)のアミン化合物に一般式(7)のカルボン酸化合物を
、蕪溶媒または不活性溶媒の存在下に反応させることに
より得られる。
該反応において用いられる縮合剤としては、チオニルク
ロリド、オキシ塩化リン、五塩化リン、例えば、ジメチ
ルホルムアミドと塩化チオニル、オキシ塩化リン、ホス
ゲン等との反応により合成される(クロロメチレン)ジ
メチルアンモニウムクロライド等のビルスマイヤー(V
ilsmθ1e「)試薬、ジシクロへキシルカルボジイ
ミド(DCC) 、2゜2゛−ピリジニルジスルフィド
−トリフェニルホスフィン等の縮合剤が例示される。
溶媒としては、この反応・に悪影響を与えない溶媒であ
れば、いずれの溶媒も使用でき、例えば、ジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類
、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四
塩化炭素等のハロケン化炭化水素類、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ピリジン、ピペリ
ジン、トリエチルアミン等のアミン類、ヘキサン、ヘプ
タン等の脂肪族炭化水素類、メタノール、エタノール、
プロパツール等のアルコール類、ジメチルホルムアミド
(DMF) 、ヘキサメチルリン酸トリアミド(HMP
A) 、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の非プロ
トン性極性溶媒、二硫化炭素等が例示できる。
上記の反応は、塩基性化合物の存在下に行なうのがより
好ましい。該塩基性化合物としては、例えば、トリエチ
ルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、
ピリジン、ピコリン、DBU、DBN、DABGOなど
の有機塩基、モノトリメチルシリルアセトアミド、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化
物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭
酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアル
カリ金属炭酸水素塩などの無機塩基が例示できる。
また、上記の反応において、一般式(6)のアミン化合
物に対する一般式■のカルボン酸化合物の使用割合は、
1〜10倍モル量、好ましくは1〜3倍モル量とするの
がよい。一般式(6)のアミン化合物に対する塩基性化
合物の使用割合は、等モル−40倍モル量、好ましくは
5〜20倍モル量とするのがよい。
上記の反応は、−20℃〜100℃、好ましくは一20
℃〜50℃の温度条件下に30分〜24時間、好ましく
は30分〜10時間程度で行なわれる。
上記で得られた一般式S)の化合物は、さらに、酸性化
合物もしくは塩基性化合物を用いる加水分解反応まは接
触還元反応に付すことにより、R4のエステル化された
カルボキシ基を脱エステル化し、一般式B)の化合物に
おいて、2−オキサイソセフェム環の4位がカルボキシ
基の化合物に導くことができる。またR7のチアゾリル
基の2位が保護されたアミノ基の場合、該アミノ保護基
の脱離反応に付すことにより、チアゾリル基の2位がア
ミノ基の化合物に導くことができる。上記加水分解反応
、接触還元反応および脱保護基反応は、前記反応式−2
の(d)工程と実質的に同様に行なうことができ、反応
条件、反応試薬等は該反応工程の説明を参照することが
できる。
このようにして得られた一般式(8)の化合物、その4
位の脱エステル化合物およびアミノ保護基の脱離した化
合物は、優れた抗菌作用を有する。以下に、その抗菌作
用の一例を示す。
[抗菌試験] 試験方法 下記の供試化合物について、種々の菌に対する抗菌作用
を調べるため、寒天希釈平板法により最小増殖阻止濃度
CMIC)を求めた。
[CHEMOTHERAPY、22.1126〜112
8 (1974)参照] なお、各種菌はlX106菌数/ml (0,D。
600mμ、0.07〜0.16)に調整した。
試験結果を下記表に示す。
供試化合物 7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2
−シアノメトキシイミノアセトアミド]−3−[(1,
3,4−チアジアゾール−2−イル)チオメチル〕−Δ
3−0−2−イソセフェム−4−カルボン酸 トリフル
オロ酢酸塩(シン異性体) 試験結果 表 〈実施例〉 以下、実施例および参考例に基づいて詳細に説明する。
実施例1 ベンジル 2−(2°−8−メシルオキシメチル−3°
−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジニル−3
−オキソブチレート2.00rをジオキサン201!に
溶解後、炭酸水素ナトリウム1、oogを加えた。上記
混液に臭素0.3xlを添加し、室温にて1時間攪拌を
行なった。酢酸エチル201!で希釈後、水洗(20y
l x 4回)し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、溶媒を留去して、ベンジル 2−(2°−8−メ
シルオキシメチル−3゛−8−フタルイミド−4゛−オ
キソ)アゼチジニル−2−ブロモ−3−オキソブチレー
ト2.44.を黄色無定形物を得た。
NMR(CDCj? s )δ: 2.42 (1,8H,s) 、2.54 (1,2H
s)、2.86 (1,2H,s) 、2.87(1,
8H,s) 、4.46〜4.95 (3H。
m)  、 5. 30  (1,2H,s)  、5
、 34  (0,8H,s)  、 5. 51  
(0,4H。
d、  J−5Hz)  、 5. 56  (0,6
H,d。
J−5Hz)  、 7. 38  (5H)  、 
7. 84(4H,m) 実施例2 ベンジル 2−(2°−S−メシルオキシメチル−3°
−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジニル−3
−オキソブチレート20.0gをジオキサン200 x
iに溶解後、炭酸水素ナトリウム3.6gを加えて60
℃にて攪拌する。この溶液に臭素2.2xlを添加し、
同温度にて2.5時間攪拌した。冷却後酢酸エチル20
0 xiで希釈し、水洗(200yl x 3回)した
後、有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、溶媒を
留去して、ベンジル 2−(2°−8−メシルオキシメ
チル−3’−S−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチ
ジニル−3−オキソ−4−ブロモブチレート23.11
gを黄色無定形物として得た。
NMR(CDCl2 s )δ: 2.85 (3H,s) 、4.12および4.52(
2H,q、  J−80Hz)  、4. 65〜4.
70 (3H,m) 、5.29および5.36(2H
,q、  J=14Hz)  、 5. 55  (I
H。
d、  J=6. 7Hz)  、 7. 41  (
5H。
brs)  、 7. 85  (4H,m)  、 
12. 2(IH,brs) 実施例3 ベンジル 2− (2” −S−メシルオキシメチル−
3゛−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジニル
−12−ブロモ−3−オキソブチレート0.58g−を
ジオキサン101!に溶解後、炭酸水素ナトリウム10
0■を加え60℃に加熱する。
この溶液に臭化水素酸の酢酸溶液(30%)0.26y
fを加えて1.5時間攪拌した。酢酸エチルにて希釈後
水洗を行ない、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留
去して、ベンジル 2−(2°−8−メシルオキシメチ
ル−3°−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジ
ニル−3−オキソ−4−ブロモブチレートを0.4g得
た。
参考例1 ベンジル 2−(2°−S−メシルオキシメチル−3゛
−8−フタルゴミイド−4°−オキソ)アゼチジニル−
3−オキソ−4−ブロモブチレート23.11gをジメ
チルホルムアミド200 xlに溶解後、トルエチルア
ミン5.4ylを加え室温にて30分間攪拌した。酢酸
エチル200ν!と水200 ’IIにて希釈後、有機
層を分離し、さらに水層より酢酸エチル501ノにて抽
出する。有機層を合わせて水洗(200xl x 3回
)を行ない、無水硫酸マグネシウムで乾燥、活性炭で脱
色後、溶媒を留去すると結晶化し、酢酸エチルで洗浄す
ることにより、ベンジル 7β−フタルイミド−3−ブ
ロモメチル−Δ3−0−2−イソセフ、エム−4−カル
ボキシレートの白色結晶を11.6g得た。
さらに、母液を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで処理した後、結晶化させ、ベンジル 7β−フタ
ルイミド−3−プロモンチルーΔ3−0−2−イソセフ
ェム−4−カルボキシレートを1.2g得た。
NMR(CDCfI s  )  δ :3、 91〜
4. 00  (IH,m)  、4. 37〜4.5
5 (2H,m) 、4.42および4.64(2H,
Q、J=44Hz) 、5.30および5、 34  
(2H,q、  J−6,5Hz)  、5、 89 
 (LH,d、  J=5. 4Hz)  、7、 2
9〜7. 54  (5H,m)7. 84  (4H
m) mp:173〜174℃ (褐色発泡分解)質量分析:
M”−498、M−−496旋光度: (ff〕D2o
−40,875′(クロロホルム、C−1,008) 元素分析 N%   0%   N% 計算値    3.45   55.55  5.63
実測値    3.3g    55.29  5.2
5参考例2 ベンジル 7β−フタルイミド−3−ブロモメチル−Δ
3−0−2−イソセフェム−4−カルボキシレート1g
14−メルカプトピリジン240■および塩化メチレン
1011の混合物にトリエチルアミン0.3xlを加え
、室温にて1時間攪拌した。反応液を水洗(200xi
 x 2回)後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒
を留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製し、エチルアルコールより結晶化すると、ベン
ジル7β−フタルイミド−3−(4−ピリジルチオメチ
ル)−△3−0−2−イソセフェム−4−カルボキシレ
ートを0.83g得た。
NMR(CDCjJ 3)δ: 3.86〜3.95 (IH,m) 、4.19および
4.44 (2H,Q、J=4.9Hz)、4.34〜
4.51 (2H,m) 、5.29および5.31 
(2H,Q、J=5.4Hz)、5.87 (IH,d
、J−5,2Hz)、7、19 (2H,dd、 J=
1.4Hz、 4.8Hz)、7.30〜7.52 (
5H,m)、7.83 (4H,m) 、8.36 (
2H,dd。
J=1.4Hz、4.8Hz) mp:119〜120℃ 質量分析:M−527 旋光度:【α] D20−92.157゜(クロロホル
ム、C−1,020) 元素分析 H%   0%   N% 計算値     4.01    B3.75  7.
97実測値     4.01   83.91  7
.83参考例3 ベンジル 2−(2°−S−メシルオキシメチル−3′
−8−フタルイミド−4゛−オキソ)アゼチジニル−3
−オキソ−4−ブロモブチレート1.71gをジメチル
ホルムアミド20 xlに溶解する。別途に4−メルカ
プトピリジン0.32gとトリエチルアミン0.4ジノ
のジメチルホルムアミド511溶液を調整し、上記混液
に加え、室温にて1.5時間攪拌後、さらにトリエチル
アミン0.4xlを加え30分攪拌を行なう。反応液を
酢酸エチル201!と水201!中に注ぎ有機層を分離
する。水層はさらに酢酸エチル101!にて抽出する。
有機層を合わせ水洗(200’11 X 3回)を行な
う。無水硫酸マグネシウムで乾燥、活性炭で脱色し、溶
媒を留去しエタノールより結晶化すると、ベンジル 7
β−フタルイミド−3−(4−ピリジルチオメチル)−
Δ3−0−2−イソセフェム−4−カルボキレートを0
.84s−得た。母液を濃縮後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで処理しエチルアルコールより結晶化し
て、2成品を0.15.得た。 mp:119〜120
”C参考例4 ベンジル 2−(2°−8−メシルオキシメチル−3′
−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジニル−3
−オキソブチレート50gをジオキサン500 xlに
溶解し、炭酸水素ナトリウム9gを加え60℃に加熱す
る。同温度にて臭素5゜51!を添加し、2.5時間攪
拌する。酢酸エチル500 vlにて希釈後、水洗(5
00’II X 3回)し、無水硫酸マグネシウム10
gにて乾燥を行ない、溶媒を留去し、ベンジル 2−(
2′−8−メシルオキシメチル−3’−S−フタルイミ
ド−4′−オキソ)アゼチジニル−3−オキソ−4−ブ
ロムブチレート62.14gを油状物として得た。
得られたベンジル 2− (2’ −3−メシルオキシ
メチル−3°−8−フタルイミド−4゛−オキソ)アゼ
チジニル−3−オキソ−4−ブロモブチレートをジメチ
ルホルムアミド40011に溶解する。別途に4−メル
カプトピリジン10.81g1 トリエチルアミン13
.6xl、ジメチルホルムアミド溶液100ν!を調整
し、上記溶液に加えて室温にて1.5時間攪拌後さらに
トリエチルアミン13.61Fを加え30分間攪拌した
。酢酸エチル(40C1fx1回、100 xl x 
2回)にて抽出を行ない、有機層を合わせ、水洗および
ブライン(30C1f)で洗浄を行ない、無水硫酸マグ
ネシウム(10K)で乾燥、活性炭(2,5g)で脱色
し、溶媒留去後、エタノール(50011)より結晶化
すると、ベンジル 7β−フタルイミド−3−(4−ピ
リジルチオメチル)−Δ3−0−2−イソセフェムー4
−カルボキシレートを25゜05g得た。さらに母液を
濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで処理し
、エタノール(300yf)より結晶化して、2成品9
.97gを得た。
mp:119〜120℃ 参考例5 ベンジル 7β−アジド−3−クロロメチル−Δ3−0
−2−イソセフェム−4−カルボキシレート4,5gを
塩化メチレン100 xlに溶解し、これに1.3.4
−チアジアゾール−2−チオール1.35g、  トリ
エチルアミンL6xlを加え、室温で1時間半撹拌する
。反応液を5%炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、水
で2回洗浄する。
さらに減圧下で溶媒を除去し、赤茶色の油状物質を得る
。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出岐
;酢酸エチル:ヘキサン−1:1)で精製し、ベンジル
 7β−アジド−3−[(1゜3.4−チアジアゾール
−2−イル)チオメチル]−Δ3−0−2−イソセフェ
ム−4−カルボキシレート3.03gを淡褐色の粉末と
して得る。
20−−147.68° (’c−1,クロロ[α〕D ホルム) NMR(CDCN  2  )  δ :3.53〜4
.08(2H,m)  、 4. 40  (IH,d
、  J=14Hz)  、 4. 55  (IH,
dd、  J=11Hz。
3Hz)  、4、77  (IH,d、  J−14
Hz)  、5、 17  (IH,d、  J=5H
z)  、 5. 24(2H,s)  、 6. 8
8〜7. 53  (5H,m)  、8、 92  
(IH,s) 参考例6 a) ベンジル 7β−アジド−3−[(1,3゜4−
チアジアゾール−2−イル)チオメチル]−Δ3−0−
2−イソセフェム−4−カルボキシル−10,8g、)
リエチルアミン0.34111および塩化メチレン10
0 xlの混合溶液に水冷下で硫化水素ガスを導入する
。1時間後、薄層クロマトグラフィーで原料スポットの
消失を確認し、反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、飽和食塩水の順に洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥
する。
溶媒を濃縮し、残渣を塩化メチレン100 xlに溶解
する。2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル
)−2−シアノメトキシイミノ酢酸(シン異性体)1.
04gを加え水冷下撹拌し、これにジシクロへキシルカ
ルボジイミド(DCC)0゜46gを加えて一夜反応さ
せる。析出物を濾去し、濾液を水、希塩酸、炭酸水素ナ
トリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を減圧留去し、残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液:クロロホル
ム)で分離精製し、ベンジル 7β−[2−(2−トリ
チルアミノチアゾール−4−イル)−2−シアノメトキ
シイミノアセトアミド]−3−[(1,3,4−チアジ
アゾール−2−イル)チオメチル]−△3−0−2−イ
ソセフェム−4−カルボキシレート(シン異性体)0.
85gを得る。
b) 上記で得られたトリチル体0.40gおよびアニ
ソール0.4xlの混合物に、水冷下でトリフルオロ酢
酸5ν!を加え10分間反応させる。次いでジエチルエ
ーテルを加えると結晶が析出するので、これを濾取し、
ジエチルエーテルで洗浄、減圧乾燥して、7β−[2−
(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−シアノメト
キシイミノアセトアミド] −3−[(1,3,4−チ
アジアゾール−2−イル)チオメチル]−Δ3−0−2
−イソセフェム−4−カルボン酸 トリフルオロ酢酸塩
(シン異性体)0.2gを得る。
淡黄色粉末 mp:113℃より変色 [αコ  −+111° (C−1,メタノール)NM
R(DMSO−d6)δ: 3.57〜4.20 (2H,m)、

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1はハロゲン原子、ハロゲン原子で置換さ
    れていてもよい低級アルカンスルホニルオキシ基または
    低級アルキル基、ハロゲン原子もしくはニトロ基で置換
    されていてもよいアリールスルホニルオキシ基; R^2は基: ▲数式、化学式、表等があります▼ または基: ▲数式、化学式、表等があります▼ (上記式中、X^1およびX^2はそれぞれ同一または
    異なってハロゲン原子、R^4はエステル化されたカル
    ボキシ基を示す。); R^3はアジド基、フタルイミド基または基:−NH−
    R^5 (式中、R^5はアミノ保護基を示す。)]で表される
    アゼチジノン誘導体。
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