JPS63218660A - 2―オキサイソセフェム誘導体の製造方法 - Google Patents
2―オキサイソセフェム誘導体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明はアゼチジノン誘導体に関する。さらに詳細に
は、この発明は、抗菌剤として用いられる2−オキサイ
ソセフェム誘導体を製造する際の合成中間体として有用
なアゼチジノン誘導体に関する。
は、この発明は、抗菌剤として用いられる2−オキサイ
ソセフェム誘導体を製造する際の合成中間体として有用
なアゼチジノン誘導体に関する。
〈発明の開示〉
2−オキサイソセフェム誘導体は強い抗菌作用を有して
おり、例えば、特開昭57−192387号公報等に記
載の化合物が知られている。この2−オキサイソセフェ
ム系抗菌剤の基本骨格である2−オキサイソセフェム骨
格の合成中間体であるアゼチジノン誘導体としては、例
えば、特開昭51−41385号公報、Can、 J、
Chew、 58 ppt335(1987)等に記
載の化合物が知られているが、本発明のアゼチジノン誘
導体は文献未記載の新規化合物であり、下記一般式(1
)で表される。
おり、例えば、特開昭57−192387号公報等に記
載の化合物が知られている。この2−オキサイソセフェ
ム系抗菌剤の基本骨格である2−オキサイソセフェム骨
格の合成中間体であるアゼチジノン誘導体としては、例
えば、特開昭51−41385号公報、Can、 J、
Chew、 58 ppt335(1987)等に記
載の化合物が知られているが、本発明のアゼチジノン誘
導体は文献未記載の新規化合物であり、下記一般式(1
)で表される。
[式中、R1はハロゲン原子、ハロゲン原子で置換され
ていてもよい低級アルカンスルホニルオキシ基または低
級アルキル基、ハロゲン原子もしくはニトロ基で置換さ
れていてもよいアリールスルホニルオキシ基; (上記式中、XlおよびXlはそれぞれ同一または異な
ってハロゲン原子、R4はエステル化されたカルボキシ
基を示す。); R3はアジド基、フタルイミド基または基:NH−15 (式中、R5はアミノ保護基を示す。)]なお、上記一
般式(1)において、基:は、それぞれケト−エノール
互変異性をとりえることが広く知られており、−例を挙
げれば下記式%式% 本明細書においては、このようなケト−エノール互変異
性体を、便宜上、前記一般式(1)の定義に示される構
造式で表すものとする。
ていてもよい低級アルカンスルホニルオキシ基または低
級アルキル基、ハロゲン原子もしくはニトロ基で置換さ
れていてもよいアリールスルホニルオキシ基; (上記式中、XlおよびXlはそれぞれ同一または異な
ってハロゲン原子、R4はエステル化されたカルボキシ
基を示す。); R3はアジド基、フタルイミド基または基:NH−15 (式中、R5はアミノ保護基を示す。)]なお、上記一
般式(1)において、基:は、それぞれケト−エノール
互変異性をとりえることが広く知られており、−例を挙
げれば下記式%式% 本明細書においては、このようなケト−エノール互変異
性体を、便宜上、前記一般式(1)の定義に示される構
造式で表すものとする。
上記一般式(1)で示される本発明のアゼチジノン誘導
体は、簡便な方法にて収率よく7−置換または非置換ア
ミノ−3−ハロゲン化メチル−2−オキサイソセフェム
骨格に変換でき、さらに得られた2−オキサイソセフェ
ム骨格は7位および/または3位を適宜修飾することに
より、有用な2−オキサイソセフェム系抗菌剤に導くこ
とができる。
体は、簡便な方法にて収率よく7−置換または非置換ア
ミノ−3−ハロゲン化メチル−2−オキサイソセフェム
骨格に変換でき、さらに得られた2−オキサイソセフェ
ム骨格は7位および/または3位を適宜修飾することに
より、有用な2−オキサイソセフェム系抗菌剤に導くこ
とができる。
上記の一般式(1)において示される各基は、より具体
的にはそれぞれ次のとおりである。
的にはそれぞれ次のとおりである。
ハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素およびフッ
素を例示できる。
素を例示できる。
ハロゲン原子で置換されていてもよい低級アルカンスル
ホニルオキシ基としては、メタンスルホニルオキシ、エ
タンスルホニルオキシ、プロパンスルホニルオキシ、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシ等が挙げられる。
ホニルオキシ基としては、メタンスルホニルオキシ、エ
タンスルホニルオキシ、プロパンスルホニルオキシ、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシ等が挙げられる。
低級アルキル基、ハロゲン原子もしくはニトロ基で置換
されていてもよいアリールスルホニルオキシ基としては
、ベンゼンスルホニルオキシ、トルエンスルホニルオキ
シ、p−クロロベンゼンスルホニルオキシ、p−ニトロ
ベンゼンスルホニルオキシ等が挙げられる。
されていてもよいアリールスルホニルオキシ基としては
、ベンゼンスルホニルオキシ、トルエンスルホニルオキ
シ、p−クロロベンゼンスルホニルオキシ、p−ニトロ
ベンゼンスルホニルオキシ等が挙げられる。
エステル化されたカルボキシ基におけるエステル残基と
しては、通常のエステル残基、例えば、メチル、エチル
、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第三
級ブチル、ペンチル、ヘキシル等の炭素数1〜6のアル
キル基;ベンジル、ベンズヒドリル、α−フェネチル、
β−フェネチル、α、β−ジフェニルエチル、3−フェ
ニルプロピル、4−フェニルブチル、5−フェニルペン
チル、6−フェニルヘキシル等のアルキル部分の炭素数
が1〜6の(モノまたはジ)フェニル低級アルキル基等
が例示できる。
しては、通常のエステル残基、例えば、メチル、エチル
、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第三
級ブチル、ペンチル、ヘキシル等の炭素数1〜6のアル
キル基;ベンジル、ベンズヒドリル、α−フェネチル、
β−フェネチル、α、β−ジフェニルエチル、3−フェ
ニルプロピル、4−フェニルブチル、5−フェニルペン
チル、6−フェニルヘキシル等のアルキル部分の炭素数
が1〜6の(モノまたはジ)フェニル低級アルキル基等
が例示できる。
前記−のエステル残基の(モノまたはジ)フェニル低級
アルキル基におけるフェニル部分には、置換基として、
例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子
等のハロゲン原子;メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、イソブチル、第三級ブチル、ペンチル
、ヘキシル等の炭素数1〜6の低級アルキル基;メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ
、第三級ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等
の炭素数1〜6の低級アルコキシ基;ニトロ基を有して
いてもよい。
アルキル基におけるフェニル部分には、置換基として、
例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子
等のハロゲン原子;メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、イソブチル、第三級ブチル、ペンチル
、ヘキシル等の炭素数1〜6の低級アルキル基;メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ
、第三級ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等
の炭素数1〜6の低級アルコキシ基;ニトロ基を有して
いてもよい。
アミノ保護基としては、例えば、ベンジル、α−フェネ
チル、β−フェネチル、3−フェニルプロピル、ベンズ
ヒドリル、トリチル等のフェニル基を1〜3個有し、か
つアルキル部分の炭素数が1〜6のフェニル(低級)ア
ルキル基:ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリ
ル、イソブチリル、ペンタノイル、ピバロイル、ヘキサ
ノイル等の炭素数1〜6の低級アルカノイル基;モノク
ロロアセチル、モノフルオロアセチル、モノブロモアセ
チル、モノヨードアセチル、ジクロロアセチル、トリク
ロロアセチル、トリブロモアセチル、3−クロロプロピ
オニル、2.3−ジクロロプロピオニル、3,3.3−
トリクロロプロピオニル、4−クロロブチリル、5−ク
ロロペンタノイル、6−クロロヘキサノイル、3−フル
オロプロピオニル、4−フルオロブチリル等の、ハロゲ
ン原子が1〜3個置換した炭素数2〜6の低級アルカノ
イル基;1−フェニルエトキシカルボニル、2−フェニ
ルエトキシカルボニル、3−フェニルプロポキシカルボ
ニル、4−フェニルブトキシカルボニル、5−フェニル
ペンチルオキシカルボニル、6−フェニルへキシルオキ
シカルボニル等のアルコキシ部分の炭素数が1〜6のフ
ェニル(低級)アルコキシカルボニル基;メトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、
イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、第3
級ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘ
キシルオキシカルボニル等のアルコキシ部分の炭素数が
1〜6の低級アルコキシカルボニル基;フェニルアセチ
ル、3−フェニルプロピオニル、4−フェニルブチリル
、5−フェニルペンタノイル、6−フェニルヘキサノイ
ル、3−フェニル−2−メチルプロピオニル、4−ニト
ロフェニルアセチル、4−メチルフェニルアセチル、4
−クロロフェニルアセチル、3−ニトロアセチル、3.
4−ジメチルフェニルアセチル、2−メチルフェニルア
セチル等の、フェニル環上の置換基としてニトロ、低級
アルキル基およびハロゲン原子からなる群より選ばれた
置換基を1〜3個有することのあるフェニル(低級)ア
ルカノイル基など例示できる。
チル、β−フェネチル、3−フェニルプロピル、ベンズ
ヒドリル、トリチル等のフェニル基を1〜3個有し、か
つアルキル部分の炭素数が1〜6のフェニル(低級)ア
ルキル基:ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリ
ル、イソブチリル、ペンタノイル、ピバロイル、ヘキサ
ノイル等の炭素数1〜6の低級アルカノイル基;モノク
ロロアセチル、モノフルオロアセチル、モノブロモアセ
チル、モノヨードアセチル、ジクロロアセチル、トリク
ロロアセチル、トリブロモアセチル、3−クロロプロピ
オニル、2.3−ジクロロプロピオニル、3,3.3−
トリクロロプロピオニル、4−クロロブチリル、5−ク
ロロペンタノイル、6−クロロヘキサノイル、3−フル
オロプロピオニル、4−フルオロブチリル等の、ハロゲ
ン原子が1〜3個置換した炭素数2〜6の低級アルカノ
イル基;1−フェニルエトキシカルボニル、2−フェニ
ルエトキシカルボニル、3−フェニルプロポキシカルボ
ニル、4−フェニルブトキシカルボニル、5−フェニル
ペンチルオキシカルボニル、6−フェニルへキシルオキ
シカルボニル等のアルコキシ部分の炭素数が1〜6のフ
ェニル(低級)アルコキシカルボニル基;メトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、
イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、第3
級ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘ
キシルオキシカルボニル等のアルコキシ部分の炭素数が
1〜6の低級アルコキシカルボニル基;フェニルアセチ
ル、3−フェニルプロピオニル、4−フェニルブチリル
、5−フェニルペンタノイル、6−フェニルヘキサノイ
ル、3−フェニル−2−メチルプロピオニル、4−ニト
ロフェニルアセチル、4−メチルフェニルアセチル、4
−クロロフェニルアセチル、3−ニトロアセチル、3.
4−ジメチルフェニルアセチル、2−メチルフェニルア
セチル等の、フェニル環上の置換基としてニトロ、低級
アルキル基およびハロゲン原子からなる群より選ばれた
置換基を1〜3個有することのあるフェニル(低級)ア
ルカノイル基など例示できる。
本発明の化合物は、種々の方法で製造することができる
が、例えば、下記反応式−1に示す方法で得られる。
が、例えば、下記反応式−1に示す方法で得られる。
反応式−1
(1−b)
[式中、R’ 、R’ 、R’ 、X’およびX2は前
記に同じ。コ 上記反応式において、一般式■の化合物から一般式(1
−a)の化合物を製造する反応(a)は、一般式■の化
合物に、溶媒の存在下または非存在下に、ハロゲン化剤
を反応させることにより行われる。
記に同じ。コ 上記反応式において、一般式■の化合物から一般式(1
−a)の化合物を製造する反応(a)は、一般式■の化
合物に、溶媒の存在下または非存在下に、ハロゲン化剤
を反応させることにより行われる。
使用されるハロゲン化剤としては、塩素、臭素、ヨウ素
等のハロゲン、N−クロロスクシンイミド、N−ヨード
スクシンイミド、N−ブロモスクシンイミド等のN−ハ
ロゲン化スクシンイミド、スルフリルクロリド、スルフ
リルプロミド等のスルフリルハライド、ピリジン ハイ
ドロプロミド パープロミド、ピリジン ハイドロクロ
リド パークロリド等のピリジン ハイドロハライド
バーハライド、次亜塩素酸、t−ブチルハイポクロリド
、クロラミンB1クロラミンT等が挙げられる。
等のハロゲン、N−クロロスクシンイミド、N−ヨード
スクシンイミド、N−ブロモスクシンイミド等のN−ハ
ロゲン化スクシンイミド、スルフリルクロリド、スルフ
リルプロミド等のスルフリルハライド、ピリジン ハイ
ドロプロミド パープロミド、ピリジン ハイドロクロ
リド パークロリド等のピリジン ハイドロハライド
バーハライド、次亜塩素酸、t−ブチルハイポクロリド
、クロラミンB1クロラミンT等が挙げられる。
また使用される溶媒としては、塩化メチレン、1゜2−
ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル等のエーテル類、メタノール、エタノール、プロパツ
ール等のアルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、アセトニト
リル等、およびこれらの混合溶媒が挙げられる。該反応
は、好ましくは塩基性化合物の存在下に行われ、塩基性
化合物としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が挙げら
れる。
ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル等のエーテル類、メタノール、エタノール、プロパツ
ール等のアルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、アセトニト
リル等、およびこれらの混合溶媒が挙げられる。該反応
は、好ましくは塩基性化合物の存在下に行われ、塩基性
化合物としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が挙げら
れる。
一般式(2)の化合物に対するハロゲン化剤の使用割合
は、少なくとも等モル量、好ましく1〜2倍モル量用い
るのがよい。また、ハロゲン化剤に対する塩基性化合物
の使用割合は、少なくとも等モル量、好ましくは1〜3
倍モル量用いるのがよい。
は、少なくとも等モル量、好ましく1〜2倍モル量用い
るのがよい。また、ハロゲン化剤に対する塩基性化合物
の使用割合は、少なくとも等モル量、好ましくは1〜3
倍モル量用いるのがよい。
該反応は、通常0〜50℃、好ましくは室温にて行われ
、一般に30分〜10時間程度で終了する。
、一般に30分〜10時間程度で終了する。
一般式(2)の化合物から一般式(t−b)の化合物を
製造する反応(b)は、一般式■の化合物に、溶媒の存
在下または非存在下に、ハロゲン化剤を加熱条件下で反
応させることにより行われる。この反応に使用されるハ
ロゲン化剤および溶媒としては、前記反応工程(a)で
例示されたハロゲン化剤および溶媒が挙げられる。また
、この反応は塩基性化合物の存在下に行なうのが好まし
く、塩基性化合物としては、前記反応工程(a)で挙げ
られた塩基性化合物を用いることができる。該反応は、
通常50〜100℃、好ましくは60〜80℃にて行わ
れ、一般的に1〜10時間程時間路了する。
製造する反応(b)は、一般式■の化合物に、溶媒の存
在下または非存在下に、ハロゲン化剤を加熱条件下で反
応させることにより行われる。この反応に使用されるハ
ロゲン化剤および溶媒としては、前記反応工程(a)で
例示されたハロゲン化剤および溶媒が挙げられる。また
、この反応は塩基性化合物の存在下に行なうのが好まし
く、塩基性化合物としては、前記反応工程(a)で挙げ
られた塩基性化合物を用いることができる。該反応は、
通常50〜100℃、好ましくは60〜80℃にて行わ
れ、一般的に1〜10時間程時間路了する。
一般式(1−a)の化合物から一般式(i−b)の化合
物を製造する反応(C)は、酸性化合物の存在下、一般
式(1−a)の化合物を、加熱処理することにより行わ
れる。このに反応に使用される酸性化合物としては、例
えば、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン化
水素酸、硫酸、リン酸等の鉱酸、p−1ルエンスルホン
酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸
を例示することができる。なお、ハロゲン化水素酸を使
用する場合には、一般式(1−a)の化合物のX2と同
種のハロゲンからなるハロゲン化水素酸を用いるのが好
ましい。該反応は溶媒の存在下に行なうのが好ましく、
溶媒としては前記反応工程(a)で挙げられた溶媒を用
いることができる。また、該反応は、必要に応じて、塩
基性化合物を反応系に添加してもよく、この塩基性化合
物としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム等の無機塩基、ピリジン
、トリエチルアミン、N−メチルモルホリン等の有機塩
基等が挙げられる。一般式(1−a)の化合物に対する
酸性化合物の使用割合は、少なくとも等モル量、好まし
くは1〜2倍モル量程度用いられる。該反応は、通常5
0〜100℃、好ましくは60〜80℃にて行われ、一
般に30分〜6時間程度で終了する。 上記反応式−1
で得られた一般式(1−b)の化合物は、下記反応式−
2に示される工程により、容易に2−オキサ−イソセフ
ェム誘導体に導くことができる。
物を製造する反応(C)は、酸性化合物の存在下、一般
式(1−a)の化合物を、加熱処理することにより行わ
れる。このに反応に使用される酸性化合物としては、例
えば、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸等のハロゲン化
水素酸、硫酸、リン酸等の鉱酸、p−1ルエンスルホン
酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸
を例示することができる。なお、ハロゲン化水素酸を使
用する場合には、一般式(1−a)の化合物のX2と同
種のハロゲンからなるハロゲン化水素酸を用いるのが好
ましい。該反応は溶媒の存在下に行なうのが好ましく、
溶媒としては前記反応工程(a)で挙げられた溶媒を用
いることができる。また、該反応は、必要に応じて、塩
基性化合物を反応系に添加してもよく、この塩基性化合
物としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム等の無機塩基、ピリジン
、トリエチルアミン、N−メチルモルホリン等の有機塩
基等が挙げられる。一般式(1−a)の化合物に対する
酸性化合物の使用割合は、少なくとも等モル量、好まし
くは1〜2倍モル量程度用いられる。該反応は、通常5
0〜100℃、好ましくは60〜80℃にて行われ、一
般に30分〜6時間程度で終了する。 上記反応式−1
で得られた一般式(1−b)の化合物は、下記反応式−
2に示される工程により、容易に2−オキサ−イソセフ
ェム誘導体に導くことができる。
(以下余白)
反応式−2
(式中、R1、R3、R4およびXlは前記と同じ、R
6は窒素原子および硫黄原子からなる群より選ばれたヘ
テロ原子を1〜4個をする不飽和へテロ環基を示し、該
へテロ環基は、低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルコキシカルボニル基、カルボキシ基、フェニル基
を1〜3個をするフェニル低級アルコキシカルボニル低
級アルキル基、カルボキシ低級アルキル基、ヒドロキシ
低級アルキル基、水酸基、オキソ基、アミノ基、カルバ
モイル基、シアノ基、低級アルキル置換アミノ低級アル
キル基、ピペリジニル低級アルキル基。
6は窒素原子および硫黄原子からなる群より選ばれたヘ
テロ原子を1〜4個をする不飽和へテロ環基を示し、該
へテロ環基は、低級アルキル基、低級アルケニル基、低
級アルコキシカルボニル基、カルボキシ基、フェニル基
を1〜3個をするフェニル低級アルコキシカルボニル低
級アルキル基、カルボキシ低級アルキル基、ヒドロキシ
低級アルキル基、水酸基、オキソ基、アミノ基、カルバ
モイル基、シアノ基、低級アルキル置換アミノ低級アル
キル基、ピペリジニル低級アルキル基。
ピロリジニル低級アルキル基、カルバモイル低級アルキ
ル基およびシアノ低級アルキル基からなる群より選ばれ
た置換基を1〜3個または4−低級アルキルー1−ピペ
ラジニル低級アルキル基を有していてもよい、 R7は基’ OR9 [式中、R8は水素原子、アミノ基、低級アルカノイル
アミノ基、ハロゲン置換低級アルカノイルアミノ基、フ
ェニル基を1〜3個存するフェニル低級アルキルアミノ
基、フェニル低級アルコキシカルボニルアミノ基または
低級アルコキシカルボニルアミノ基; R9は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、
低級アルキニル基、シクロアルキル基、テトラヒドロピ
ラニル基または基: A−RIO (式中、Aは低級アルキレン基、RIOはシアノ基、カ
ルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、ハロゲン置
換低級アルキル基、低級アルキルチオ基、チアゾリル基
、イミダゾリル基、シクロアルキル基、フェニル基、テ
トラヒドロフラニル基、オキサシリル基、4−低級アル
キルー2,3−ジオキソ−1−ピペラジニルカルボニル
基、トリチル基を有することあるピラゾリル基、または
低級アルキル基を有することあるピリジル基を示す)] をそれぞれ示す。) 一般式(1−b)の合物から一般式(3)の化合物を製
造する反応(a)は、溶媒の存在下または非存在下に、
一般式(1−b)の化合物に塩基性化合物を反応させる
ことにより行なわれる。この反応で使用される溶媒とし
ては、例えば、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素
類、エチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル
類、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等の
ハロゲン化炭化水素類、メタノール、エタノール等のア
ルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘ
キサメチルリン酸トリアミド等の非プロトン性極性溶媒
、アセトニトリルなどが例示できる。また、使用される
塩基性化合物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩
または炭酸水素塩などの無機塩基、トリエチルアミン、
ピリジン、N、N−ジメチルアニリン、1,5−ジアザ
ビシクロ[4,3,0]ノネン−5(DBN)、1.4
−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン(DABCO
) 、1.8−ジアザビシクロ[5゜4.0]ウンデセ
ン−7(DBU)等の有機塩基が挙げられ、有機塩基が
好ましい。一般式(1−b)で表される化合物に対する
上記の塩基性化合物の使用割合は、少なくとも等モル量
、通常はやや過剰量用いられる。該反応は、0〜100
℃、好ましくは20〜80℃程度で行なわれ、1〜20
時間、好ましくは1〜10時間程時間路了する。
ル基およびシアノ低級アルキル基からなる群より選ばれ
た置換基を1〜3個または4−低級アルキルー1−ピペ
ラジニル低級アルキル基を有していてもよい、 R7は基’ OR9 [式中、R8は水素原子、アミノ基、低級アルカノイル
アミノ基、ハロゲン置換低級アルカノイルアミノ基、フ
ェニル基を1〜3個存するフェニル低級アルキルアミノ
基、フェニル低級アルコキシカルボニルアミノ基または
低級アルコキシカルボニルアミノ基; R9は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、
低級アルキニル基、シクロアルキル基、テトラヒドロピ
ラニル基または基: A−RIO (式中、Aは低級アルキレン基、RIOはシアノ基、カ
ルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、ハロゲン置
換低級アルキル基、低級アルキルチオ基、チアゾリル基
、イミダゾリル基、シクロアルキル基、フェニル基、テ
トラヒドロフラニル基、オキサシリル基、4−低級アル
キルー2,3−ジオキソ−1−ピペラジニルカルボニル
基、トリチル基を有することあるピラゾリル基、または
低級アルキル基を有することあるピリジル基を示す)] をそれぞれ示す。) 一般式(1−b)の合物から一般式(3)の化合物を製
造する反応(a)は、溶媒の存在下または非存在下に、
一般式(1−b)の化合物に塩基性化合物を反応させる
ことにより行なわれる。この反応で使用される溶媒とし
ては、例えば、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素
類、エチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル
類、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等の
ハロゲン化炭化水素類、メタノール、エタノール等のア
ルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘ
キサメチルリン酸トリアミド等の非プロトン性極性溶媒
、アセトニトリルなどが例示できる。また、使用される
塩基性化合物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩
または炭酸水素塩などの無機塩基、トリエチルアミン、
ピリジン、N、N−ジメチルアニリン、1,5−ジアザ
ビシクロ[4,3,0]ノネン−5(DBN)、1.4
−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン(DABCO
) 、1.8−ジアザビシクロ[5゜4.0]ウンデセ
ン−7(DBU)等の有機塩基が挙げられ、有機塩基が
好ましい。一般式(1−b)で表される化合物に対する
上記の塩基性化合物の使用割合は、少なくとも等モル量
、通常はやや過剰量用いられる。該反応は、0〜100
℃、好ましくは20〜80℃程度で行なわれ、1〜20
時間、好ましくは1〜10時間程時間路了する。
一般式(3)の化合物から一般式(5)の化合物を製造
する反応(b)は、適当な不活性溶媒中、一般式(3)
の化合物と一般式(4)のチオール化合物とを塩基性化
合物の存在下に反応させることにより行われる。
する反応(b)は、適当な不活性溶媒中、一般式(3)
の化合物と一般式(4)のチオール化合物とを塩基性化
合物の存在下に反応させることにより行われる。
上記の反応で用いられる塩基性化合物としては、トリエ
チルアミン、ピリジン等の第3級アミン類などの有機塩
基性化合物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機
塩基性化合物を例示できる。
チルアミン、ピリジン等の第3級アミン類などの有機塩
基性化合物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機
塩基性化合物を例示できる。
不活性溶媒としては、この反応に悪影響を与えない溶媒
であれば、いずれの溶媒も使用でき、例えば、ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテ
ル類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム
、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ピリジン、ピ
ペリジン、トリエチルアミン等のアミン類、ヘキサン、
ヘプタン等の脂肪族炭化水素類、メタノール、エタノー
ル、プロパツール等のアルコール類、ジメチルホルムア
ミド(DMF) 、ヘキサメチルリン酸トリアミド(H
MPA) 、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の非
プロトン性極性溶媒、二硫化炭素等が例示できる。
であれば、いずれの溶媒も使用でき、例えば、ジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテ
ル類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム
、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ピリジン、ピ
ペリジン、トリエチルアミン等のアミン類、ヘキサン、
ヘプタン等の脂肪族炭化水素類、メタノール、エタノー
ル、プロパツール等のアルコール類、ジメチルホルムア
ミド(DMF) 、ヘキサメチルリン酸トリアミド(H
MPA) 、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の非
プロトン性極性溶媒、二硫化炭素等が例示できる。
一般式(3)の化合物に対する一般式(4)の化合物の
使用割合は、少なくとも等モル量、好ましくは1〜2倍
モル量とするのがよく、一般式(4)の化合物に対する
塩基性化合物の使用割合は、少なくとも等モル量、好ま
しくは等モル−2倍モル量とするのがよい。反応温度は
一10℃〜100℃、好ましくは0〜50℃で行われ、
一般に30分〜10時間程度で終了する。
使用割合は、少なくとも等モル量、好ましくは1〜2倍
モル量とするのがよく、一般式(4)の化合物に対する
塩基性化合物の使用割合は、少なくとも等モル量、好ま
しくは等モル−2倍モル量とするのがよい。反応温度は
一10℃〜100℃、好ましくは0〜50℃で行われ、
一般に30分〜10時間程度で終了する。
一般式(1−b)の化合物から一般式(5)の化合物を
製造する反応(c)は、適当な不活性溶媒中、一般式(
1−b)の化合物と一般式(4)で表されるチオール化
合物とを塩基性化合物の存在下に反応させることにより
行われる。この反応で使用される不活性溶媒、塩基性化
合物およびチオール化合物(4)としては、前記反応工
程(a)および(b)で例示されたのが挙げられる。ま
た、一般式(1−b)の化合物に対する塩基性化合物お
よびチオール化合物(4)の使用割合も前記反応工程(
a)および(b)の説明を参照することができる。該反
応は、通常0℃〜100℃、好ましくは室温〜80℃に
て行われ、一般に30分〜10時間程度で終了する。
製造する反応(c)は、適当な不活性溶媒中、一般式(
1−b)の化合物と一般式(4)で表されるチオール化
合物とを塩基性化合物の存在下に反応させることにより
行われる。この反応で使用される不活性溶媒、塩基性化
合物およびチオール化合物(4)としては、前記反応工
程(a)および(b)で例示されたのが挙げられる。ま
た、一般式(1−b)の化合物に対する塩基性化合物お
よびチオール化合物(4)の使用割合も前記反応工程(
a)および(b)の説明を参照することができる。該反
応は、通常0℃〜100℃、好ましくは室温〜80℃に
て行われ、一般に30分〜10時間程度で終了する。
一般式(5)の化合物から一般式(6)の化合物を製造
する反応(d)は、一般式(5)の化合物を、その置換
基であるR3の種類に応じて、還元反応、加水分解反応
またはヒドラジン分解反応に付すことにより行われる。
する反応(d)は、一般式(5)の化合物を、その置換
基であるR3の種類に応じて、還元反応、加水分解反応
またはヒドラジン分解反応に付すことにより行われる。
上記の反応工程において、基R3がアジド基の場合、一
般式(6)の化合物は一般式(5)の化合物を無溶媒ま
たは適当な不活性溶媒の存在下に還元剤を作用させて、
一般式(6)のアミン化合物を得ることができる。
般式(6)の化合物は一般式(5)の化合物を無溶媒ま
たは適当な不活性溶媒の存在下に還元剤を作用させて、
一般式(6)のアミン化合物を得ることができる。
この反応において用いられる溶媒としては、例えば、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、トリエ
チルアミン、ピリジン等のアミン類を例示できる。
クロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、トリエ
チルアミン、ピリジン等のアミン類を例示できる。
還元剤としては、硫化水素等が例示できる。硫化水素等
を使用する場合には、トリエチルアミン、ピリジン等の
アミン類を添加するとよい。
を使用する場合には、トリエチルアミン、ピリジン等の
アミン類を添加するとよい。
一般式(5)の化合物に対する還元剤の使用割合は等モ
ル−100倍モル量、好ましくは3〜50倍モル量とす
るのがよく、また該反応は通常−30℃〜50℃、好ま
しくは一10℃〜10℃にて行なわれ、30分〜10時
間程度で終了する。
ル−100倍モル量、好ましくは3〜50倍モル量とす
るのがよく、また該反応は通常−30℃〜50℃、好ま
しくは一10℃〜10℃にて行なわれ、30分〜10時
間程度で終了する。
また、基R3が基: −NH−R5(式中、R5は前記
と同じ)の場合には、無溶媒または不活性溶媒中、一般
式(5)の化合物をR5のアミノ保護基基脱離反応に付
すことにより一般式(6)のアミン化合物が得られる。
と同じ)の場合には、無溶媒または不活性溶媒中、一般
式(5)の化合物をR5のアミノ保護基基脱離反応に付
すことにより一般式(6)のアミン化合物が得られる。
該反応は、一般式(5)の化合物に酸性化合物または塩
基性化合物を反応させる方法、一般式(5)の化合物を
接触還元反応に付す方法などにより行なわれる。
基性化合物を反応させる方法、一般式(5)の化合物を
接触還元反応に付す方法などにより行なわれる。
上記反応に用いられる不活性溶媒としては、例えば、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルエーテル、ジ
エチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ア
ニソール等のエーテル類、ニトロメタン、ニトロベンゼ
ン等のニトロ化合物、メタノール、エタノール等のアル
コール類、酢酸エチル、酢酸メチル等の酢酸エステル類
、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類
、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類
、ピリジン、ピペリジン等のアミン類、ジメチルホルム
アミド(DMF) 、ヘキサメチルリン酸トリアミド(
HMPA) 、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の
非プロトン性極性溶媒、二硫化炭素、水または水と上記
のを機溶媒との混合溶媒などを例示できる。
クロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルエーテル、ジ
エチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ア
ニソール等のエーテル類、ニトロメタン、ニトロベンゼ
ン等のニトロ化合物、メタノール、エタノール等のアル
コール類、酢酸エチル、酢酸メチル等の酢酸エステル類
、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類
、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類
、ピリジン、ピペリジン等のアミン類、ジメチルホルム
アミド(DMF) 、ヘキサメチルリン酸トリアミド(
HMPA) 、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の
非プロトン性極性溶媒、二硫化炭素、水または水と上記
のを機溶媒との混合溶媒などを例示できる。
使用される酸性化合物としては、無水塩化アルミニウム
、塩化第2スズ、四塩化チタン、三塩化ホウ素、三フッ
化ホウ素−エチルエーテル錯体、塩化亜鉛等のルイス酸
、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、トリクロロ酢酸、トリ
フルオロ酢酸、メタンスルホン酸、酢酸等の有機酸、酸
型イオン交換樹脂などの酸類が挙げられ、また塩基性化
合物としてはトリエチルアミン、トリブチルアミン等の
トリアルキルアミン、ピリジン、ピコリン、DBUSD
BN、DABGOなどの有機塩基、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水
素塩等の無機塩基などの塩基類が例示できる。
、塩化第2スズ、四塩化チタン、三塩化ホウ素、三フッ
化ホウ素−エチルエーテル錯体、塩化亜鉛等のルイス酸
、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、トリクロロ酢酸、トリ
フルオロ酢酸、メタンスルホン酸、酢酸等の有機酸、酸
型イオン交換樹脂などの酸類が挙げられ、また塩基性化
合物としてはトリエチルアミン、トリブチルアミン等の
トリアルキルアミン、ピリジン、ピコリン、DBUSD
BN、DABGOなどの有機塩基、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水
素塩等の無機塩基などの塩基類が例示できる。
上記の反応を接触還元法で行なう場合、用いられる接触
還元触媒としては、例えば、プラチナ触媒(例えば、酸
化白金、白金黒、白金線、白金板、スポンジ状白金、コ
ロイド状白金等)、パラジウム触媒(例えば、パラジウ
ム黒、塩化パラジウム、酸化パラジウム、パラジウム−
炭素、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−炭酸バ
リウム、スポンジ状パラジウム等)、ニッケル触媒(例
えば、還元ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッケル等
)、コバルト触媒(例えば、還元コバルト、ラネーコバ
ルト等)、鉄触媒(例えば、還元鉄、ラネー鉄等)、銅
触媒(例えば、還元銅、ラネー銅等)などを例示できる
。
還元触媒としては、例えば、プラチナ触媒(例えば、酸
化白金、白金黒、白金線、白金板、スポンジ状白金、コ
ロイド状白金等)、パラジウム触媒(例えば、パラジウ
ム黒、塩化パラジウム、酸化パラジウム、パラジウム−
炭素、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−炭酸バ
リウム、スポンジ状パラジウム等)、ニッケル触媒(例
えば、還元ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッケル等
)、コバルト触媒(例えば、還元コバルト、ラネーコバ
ルト等)、鉄触媒(例えば、還元鉄、ラネー鉄等)、銅
触媒(例えば、還元銅、ラネー銅等)などを例示できる
。
上記の反応で、酸性化合物または塩基性化合物を使用す
る場合には、一般式(5)の化合物に対する酸性化合物
または塩基性化合物の使用割合は、1〜100倍モル量
、好ましくは1〜20倍モル量とするのがよい。また、
該反応は、−20℃〜80℃、好ましくは一10℃〜5
0℃の温度条件下で行なわれ、30分〜48時間、好ま
しくは1〜24時間程時間路了する。
る場合には、一般式(5)の化合物に対する酸性化合物
または塩基性化合物の使用割合は、1〜100倍モル量
、好ましくは1〜20倍モル量とするのがよい。また、
該反応は、−20℃〜80℃、好ましくは一10℃〜5
0℃の温度条件下で行なわれ、30分〜48時間、好ま
しくは1〜24時間程時間路了する。
また、接触還元法を適用する場合には、一般式■の化合
物に対する接触還元触媒の使用割合は、061〜10倍
モル量、好ましくは0.1〜1倍モル量とするのがよい
。また、該反応は0〜200℃、好ましくは0〜100
℃の温度条件下で行なわれ、30分〜48時間、好まし
くは30分〜6時間程度で終了する。
物に対する接触還元触媒の使用割合は、061〜10倍
モル量、好ましくは0.1〜1倍モル量とするのがよい
。また、該反応は0〜200℃、好ましくは0〜100
℃の温度条件下で行なわれ、30分〜48時間、好まし
くは30分〜6時間程度で終了する。
基R3がフタルイミド基の場合には、無溶媒または不活
性溶媒中、一般式(5)の化合物をヒドラジンまたはヒ
ドラジン誘導体と反応させるヒドラジン分解反応に付す
ことにより一般式(6)のアミン化合物が得られる。
性溶媒中、一般式(5)の化合物をヒドラジンまたはヒ
ドラジン誘導体と反応させるヒドラジン分解反応に付す
ことにより一般式(6)のアミン化合物が得られる。
この反応に用いられる不活性溶媒としては、例えば、ジ
クロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、メタルール、エタノー
ル等のアルコール類などが挙げられる。また、ヒドラジ
ン誘導体としては、メチルヒドラジン、エチルヒドラジ
ン等の低級アルキル置換ヒドラジン、フェニルヒドラジ
ン等のアリール置換ヒドラジンなどを例示できる。
クロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類、メタルール、エタノー
ル等のアルコール類などが挙げられる。また、ヒドラジ
ン誘導体としては、メチルヒドラジン、エチルヒドラジ
ン等の低級アルキル置換ヒドラジン、フェニルヒドラジ
ン等のアリール置換ヒドラジンなどを例示できる。
一般式(5)の化合物に対するヒドラジンまたはヒドラ
ジン誘導体の使用割合は、少なくとも等モル量、好まし
くは1〜2倍モル量用いられ、また該反応は通常0〜1
00℃、好ましくは0〜80℃にて行なわれ、1〜40
時間程度で反応は終了する。
ジン誘導体の使用割合は、少なくとも等モル量、好まし
くは1〜2倍モル量用いられ、また該反応は通常0〜1
00℃、好ましくは0〜80℃にて行なわれ、1〜40
時間程度で反応は終了する。
一般式(6)の化合物から一般式(8)の化合物を製造
する反応(8)は、一般式(6)のアミン化合物と、一
般式(7)のカルボン酸化合物またはそのカルボキシ基
が活性化された化合物とを通常のアミド結合生成反応に
て反応させることにより製造することができる。
する反応(8)は、一般式(6)のアミン化合物と、一
般式(7)のカルボン酸化合物またはそのカルボキシ基
が活性化された化合物とを通常のアミド結合生成反応に
て反応させることにより製造することができる。
アミド結合生成反応としては、公知のアミド結合生成反
応の条件がいずれも適用できる。例えば、a)縮合剤を
用いる方法:すなわち、カルボン酸化合物(7)とアミ
ン化合物(6)とを縮合剤の存在下に反応させる方法; b)混合酸無水物法:すなわち、カルボン酸化合物(7
)にアルキルハロカルボン酸を反応させて混合酸無水物
とし、これにアミン化合物(6)を反応させる方法: C)活性エステル化法:すなわち、カルボン酸化合物(
7)をp−ニトロフェニルエステル、N−ヒドロキシコ
ハク酸イミドエステル、1−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ールエステル等の活性エステルとし、これにアミン化合
物(6)を反応させる方法;d)カルボン酸化合物■を
無水酢酸等の脱水剤によりカルボン酸無水物とし、これ
にアミン化合物(6)を反応させる方法; e)カルボン酸化合物(7)の低級アルコールエステル
とアミン化合物(6)とを高温、高圧下に反応させる方
法; f)カルボン酸化合物(7)を酸ハロゲン化物、すなわ
ちカルボン酸ハライドとし、これにアミン化合物(6)
を反応させる方法などが例示できる。
応の条件がいずれも適用できる。例えば、a)縮合剤を
用いる方法:すなわち、カルボン酸化合物(7)とアミ
ン化合物(6)とを縮合剤の存在下に反応させる方法; b)混合酸無水物法:すなわち、カルボン酸化合物(7
)にアルキルハロカルボン酸を反応させて混合酸無水物
とし、これにアミン化合物(6)を反応させる方法: C)活性エステル化法:すなわち、カルボン酸化合物(
7)をp−ニトロフェニルエステル、N−ヒドロキシコ
ハク酸イミドエステル、1−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ールエステル等の活性エステルとし、これにアミン化合
物(6)を反応させる方法;d)カルボン酸化合物■を
無水酢酸等の脱水剤によりカルボン酸無水物とし、これ
にアミン化合物(6)を反応させる方法; e)カルボン酸化合物(7)の低級アルコールエステル
とアミン化合物(6)とを高温、高圧下に反応させる方
法; f)カルボン酸化合物(7)を酸ハロゲン化物、すなわ
ちカルボン酸ハライドとし、これにアミン化合物(6)
を反応させる方法などが例示できる。
次に、アミド結合生成反応の一例をより具体的に説明す
る。
る。
一般式(8)の化合物は、縮合剤の存在下、一般式(6
)のアミン化合物に一般式(7)のカルボン酸化合物を
、蕪溶媒または不活性溶媒の存在下に反応させることに
より得られる。
)のアミン化合物に一般式(7)のカルボン酸化合物を
、蕪溶媒または不活性溶媒の存在下に反応させることに
より得られる。
該反応において用いられる縮合剤としては、チオニルク
ロリド、オキシ塩化リン、五塩化リン、例えば、ジメチ
ルホルムアミドと塩化チオニル、オキシ塩化リン、ホス
ゲン等との反応により合成される(クロロメチレン)ジ
メチルアンモニウムクロライド等のビルスマイヤー(V
ilsmθ1e「)試薬、ジシクロへキシルカルボジイ
ミド(DCC) 、2゜2゛−ピリジニルジスルフィド
−トリフェニルホスフィン等の縮合剤が例示される。
ロリド、オキシ塩化リン、五塩化リン、例えば、ジメチ
ルホルムアミドと塩化チオニル、オキシ塩化リン、ホス
ゲン等との反応により合成される(クロロメチレン)ジ
メチルアンモニウムクロライド等のビルスマイヤー(V
ilsmθ1e「)試薬、ジシクロへキシルカルボジイ
ミド(DCC) 、2゜2゛−ピリジニルジスルフィド
−トリフェニルホスフィン等の縮合剤が例示される。
溶媒としては、この反応・に悪影響を与えない溶媒であ
れば、いずれの溶媒も使用でき、例えば、ジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類
、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四
塩化炭素等のハロケン化炭化水素類、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ピリジン、ピペリ
ジン、トリエチルアミン等のアミン類、ヘキサン、ヘプ
タン等の脂肪族炭化水素類、メタノール、エタノール、
プロパツール等のアルコール類、ジメチルホルムアミド
(DMF) 、ヘキサメチルリン酸トリアミド(HMP
A) 、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の非プロ
トン性極性溶媒、二硫化炭素等が例示できる。
れば、いずれの溶媒も使用でき、例えば、ジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類
、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四
塩化炭素等のハロケン化炭化水素類、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ピリジン、ピペリ
ジン、トリエチルアミン等のアミン類、ヘキサン、ヘプ
タン等の脂肪族炭化水素類、メタノール、エタノール、
プロパツール等のアルコール類、ジメチルホルムアミド
(DMF) 、ヘキサメチルリン酸トリアミド(HMP
A) 、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の非プロ
トン性極性溶媒、二硫化炭素等が例示できる。
上記の反応は、塩基性化合物の存在下に行なうのがより
好ましい。該塩基性化合物としては、例えば、トリエチ
ルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、
ピリジン、ピコリン、DBU、DBN、DABGOなど
の有機塩基、モノトリメチルシリルアセトアミド、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化
物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭
酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアル
カリ金属炭酸水素塩などの無機塩基が例示できる。
好ましい。該塩基性化合物としては、例えば、トリエチ
ルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、
ピリジン、ピコリン、DBU、DBN、DABGOなど
の有機塩基、モノトリメチルシリルアセトアミド、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化
物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭
酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアル
カリ金属炭酸水素塩などの無機塩基が例示できる。
また、上記の反応において、一般式(6)のアミン化合
物に対する一般式■のカルボン酸化合物の使用割合は、
1〜10倍モル量、好ましくは1〜3倍モル量とするの
がよい。一般式(6)のアミン化合物に対する塩基性化
合物の使用割合は、等モル−40倍モル量、好ましくは
5〜20倍モル量とするのがよい。
物に対する一般式■のカルボン酸化合物の使用割合は、
1〜10倍モル量、好ましくは1〜3倍モル量とするの
がよい。一般式(6)のアミン化合物に対する塩基性化
合物の使用割合は、等モル−40倍モル量、好ましくは
5〜20倍モル量とするのがよい。
上記の反応は、−20℃〜100℃、好ましくは一20
℃〜50℃の温度条件下に30分〜24時間、好ましく
は30分〜10時間程度で行なわれる。
℃〜50℃の温度条件下に30分〜24時間、好ましく
は30分〜10時間程度で行なわれる。
上記で得られた一般式S)の化合物は、さらに、酸性化
合物もしくは塩基性化合物を用いる加水分解反応まは接
触還元反応に付すことにより、R4のエステル化された
カルボキシ基を脱エステル化し、一般式B)の化合物に
おいて、2−オキサイソセフェム環の4位がカルボキシ
基の化合物に導くことができる。またR7のチアゾリル
基の2位が保護されたアミノ基の場合、該アミノ保護基
の脱離反応に付すことにより、チアゾリル基の2位がア
ミノ基の化合物に導くことができる。上記加水分解反応
、接触還元反応および脱保護基反応は、前記反応式−2
の(d)工程と実質的に同様に行なうことができ、反応
条件、反応試薬等は該反応工程の説明を参照することが
できる。
合物もしくは塩基性化合物を用いる加水分解反応まは接
触還元反応に付すことにより、R4のエステル化された
カルボキシ基を脱エステル化し、一般式B)の化合物に
おいて、2−オキサイソセフェム環の4位がカルボキシ
基の化合物に導くことができる。またR7のチアゾリル
基の2位が保護されたアミノ基の場合、該アミノ保護基
の脱離反応に付すことにより、チアゾリル基の2位がア
ミノ基の化合物に導くことができる。上記加水分解反応
、接触還元反応および脱保護基反応は、前記反応式−2
の(d)工程と実質的に同様に行なうことができ、反応
条件、反応試薬等は該反応工程の説明を参照することが
できる。
このようにして得られた一般式(8)の化合物、その4
位の脱エステル化合物およびアミノ保護基の脱離した化
合物は、優れた抗菌作用を有する。以下に、その抗菌作
用の一例を示す。
位の脱エステル化合物およびアミノ保護基の脱離した化
合物は、優れた抗菌作用を有する。以下に、その抗菌作
用の一例を示す。
[抗菌試験]
試験方法
下記の供試化合物について、種々の菌に対する抗菌作用
を調べるため、寒天希釈平板法により最小増殖阻止濃度
CMIC)を求めた。
を調べるため、寒天希釈平板法により最小増殖阻止濃度
CMIC)を求めた。
[CHEMOTHERAPY、22.1126〜112
8 (1974)参照] なお、各種菌はlX106菌数/ml (0,D。
8 (1974)参照] なお、各種菌はlX106菌数/ml (0,D。
600mμ、0.07〜0.16)に調整した。
試験結果を下記表に示す。
供試化合物
7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2
−シアノメトキシイミノアセトアミド]−3−[(1,
3,4−チアジアゾール−2−イル)チオメチル〕−Δ
3−0−2−イソセフェム−4−カルボン酸 トリフル
オロ酢酸塩(シン異性体) 試験結果 表 〈実施例〉 以下、実施例および参考例に基づいて詳細に説明する。
−シアノメトキシイミノアセトアミド]−3−[(1,
3,4−チアジアゾール−2−イル)チオメチル〕−Δ
3−0−2−イソセフェム−4−カルボン酸 トリフル
オロ酢酸塩(シン異性体) 試験結果 表 〈実施例〉 以下、実施例および参考例に基づいて詳細に説明する。
実施例1
ベンジル 2−(2°−8−メシルオキシメチル−3°
−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジニル−3
−オキソブチレート2.00rをジオキサン201!に
溶解後、炭酸水素ナトリウム1、oogを加えた。上記
混液に臭素0.3xlを添加し、室温にて1時間攪拌を
行なった。酢酸エチル201!で希釈後、水洗(20y
l x 4回)し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、溶媒を留去して、ベンジル 2−(2°−8−メ
シルオキシメチル−3゛−8−フタルイミド−4゛−オ
キソ)アゼチジニル−2−ブロモ−3−オキソブチレー
ト2.44.を黄色無定形物を得た。
−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジニル−3
−オキソブチレート2.00rをジオキサン201!に
溶解後、炭酸水素ナトリウム1、oogを加えた。上記
混液に臭素0.3xlを添加し、室温にて1時間攪拌を
行なった。酢酸エチル201!で希釈後、水洗(20y
l x 4回)し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、溶媒を留去して、ベンジル 2−(2°−8−メ
シルオキシメチル−3゛−8−フタルイミド−4゛−オ
キソ)アゼチジニル−2−ブロモ−3−オキソブチレー
ト2.44.を黄色無定形物を得た。
NMR(CDCj? s )δ:
2.42 (1,8H,s) 、2.54 (1,2H
。
。
s)、2.86 (1,2H,s) 、2.87(1,
8H,s) 、4.46〜4.95 (3H。
8H,s) 、4.46〜4.95 (3H。
m) 、 5. 30 (1,2H,s) 、5
、 34 (0,8H,s) 、 5. 51
(0,4H。
、 34 (0,8H,s) 、 5. 51
(0,4H。
d、 J−5Hz) 、 5. 56 (0,6
H,d。
H,d。
J−5Hz) 、 7. 38 (5H) 、
7. 84(4H,m) 実施例2 ベンジル 2−(2°−S−メシルオキシメチル−3°
−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジニル−3
−オキソブチレート20.0gをジオキサン200 x
iに溶解後、炭酸水素ナトリウム3.6gを加えて60
℃にて攪拌する。この溶液に臭素2.2xlを添加し、
同温度にて2.5時間攪拌した。冷却後酢酸エチル20
0 xiで希釈し、水洗(200yl x 3回)した
後、有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、溶媒を
留去して、ベンジル 2−(2°−8−メシルオキシメ
チル−3’−S−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチ
ジニル−3−オキソ−4−ブロモブチレート23.11
gを黄色無定形物として得た。
7. 84(4H,m) 実施例2 ベンジル 2−(2°−S−メシルオキシメチル−3°
−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジニル−3
−オキソブチレート20.0gをジオキサン200 x
iに溶解後、炭酸水素ナトリウム3.6gを加えて60
℃にて攪拌する。この溶液に臭素2.2xlを添加し、
同温度にて2.5時間攪拌した。冷却後酢酸エチル20
0 xiで希釈し、水洗(200yl x 3回)した
後、有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、溶媒を
留去して、ベンジル 2−(2°−8−メシルオキシメ
チル−3’−S−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチ
ジニル−3−オキソ−4−ブロモブチレート23.11
gを黄色無定形物として得た。
NMR(CDCl2 s )δ:
2.85 (3H,s) 、4.12および4.52(
2H,q、 J−80Hz) 、4. 65〜4.
70 (3H,m) 、5.29および5.36(2H
,q、 J=14Hz) 、 5. 55 (I
H。
2H,q、 J−80Hz) 、4. 65〜4.
70 (3H,m) 、5.29および5.36(2H
,q、 J=14Hz) 、 5. 55 (I
H。
d、 J=6. 7Hz) 、 7. 41 (
5H。
5H。
brs) 、 7. 85 (4H,m) 、
12. 2(IH,brs) 実施例3 ベンジル 2− (2” −S−メシルオキシメチル−
3゛−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジニル
−12−ブロモ−3−オキソブチレート0.58g−を
ジオキサン101!に溶解後、炭酸水素ナトリウム10
0■を加え60℃に加熱する。
12. 2(IH,brs) 実施例3 ベンジル 2− (2” −S−メシルオキシメチル−
3゛−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジニル
−12−ブロモ−3−オキソブチレート0.58g−を
ジオキサン101!に溶解後、炭酸水素ナトリウム10
0■を加え60℃に加熱する。
この溶液に臭化水素酸の酢酸溶液(30%)0.26y
fを加えて1.5時間攪拌した。酢酸エチルにて希釈後
水洗を行ない、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留
去して、ベンジル 2−(2°−8−メシルオキシメチ
ル−3°−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジ
ニル−3−オキソ−4−ブロモブチレートを0.4g得
た。
fを加えて1.5時間攪拌した。酢酸エチルにて希釈後
水洗を行ない、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留
去して、ベンジル 2−(2°−8−メシルオキシメチ
ル−3°−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジ
ニル−3−オキソ−4−ブロモブチレートを0.4g得
た。
参考例1
ベンジル 2−(2°−S−メシルオキシメチル−3゛
−8−フタルゴミイド−4°−オキソ)アゼチジニル−
3−オキソ−4−ブロモブチレート23.11gをジメ
チルホルムアミド200 xlに溶解後、トルエチルア
ミン5.4ylを加え室温にて30分間攪拌した。酢酸
エチル200ν!と水200 ’IIにて希釈後、有機
層を分離し、さらに水層より酢酸エチル501ノにて抽
出する。有機層を合わせて水洗(200xl x 3回
)を行ない、無水硫酸マグネシウムで乾燥、活性炭で脱
色後、溶媒を留去すると結晶化し、酢酸エチルで洗浄す
ることにより、ベンジル 7β−フタルイミド−3−ブ
ロモメチル−Δ3−0−2−イソセフ、エム−4−カル
ボキシレートの白色結晶を11.6g得た。
−8−フタルゴミイド−4°−オキソ)アゼチジニル−
3−オキソ−4−ブロモブチレート23.11gをジメ
チルホルムアミド200 xlに溶解後、トルエチルア
ミン5.4ylを加え室温にて30分間攪拌した。酢酸
エチル200ν!と水200 ’IIにて希釈後、有機
層を分離し、さらに水層より酢酸エチル501ノにて抽
出する。有機層を合わせて水洗(200xl x 3回
)を行ない、無水硫酸マグネシウムで乾燥、活性炭で脱
色後、溶媒を留去すると結晶化し、酢酸エチルで洗浄す
ることにより、ベンジル 7β−フタルイミド−3−ブ
ロモメチル−Δ3−0−2−イソセフ、エム−4−カル
ボキシレートの白色結晶を11.6g得た。
さらに、母液を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで処理した後、結晶化させ、ベンジル 7β−フタ
ルイミド−3−プロモンチルーΔ3−0−2−イソセフ
ェム−4−カルボキシレートを1.2g得た。
ィーで処理した後、結晶化させ、ベンジル 7β−フタ
ルイミド−3−プロモンチルーΔ3−0−2−イソセフ
ェム−4−カルボキシレートを1.2g得た。
NMR(CDCfI s ) δ :3、 91〜
4. 00 (IH,m) 、4. 37〜4.5
5 (2H,m) 、4.42および4.64(2H,
Q、J=44Hz) 、5.30および5、 34
(2H,q、 J−6,5Hz) 、5、 89
(LH,d、 J=5. 4Hz) 、7、 2
9〜7. 54 (5H,m)7. 84 (4H
。
4. 00 (IH,m) 、4. 37〜4.5
5 (2H,m) 、4.42および4.64(2H,
Q、J=44Hz) 、5.30および5、 34
(2H,q、 J−6,5Hz) 、5、 89
(LH,d、 J=5. 4Hz) 、7、 2
9〜7. 54 (5H,m)7. 84 (4H
。
m)
mp:173〜174℃ (褐色発泡分解)質量分析:
M”−498、M−−496旋光度: (ff〕D2o
−40,875′(クロロホルム、C−1,008) 元素分析 N% 0% N% 計算値 3.45 55.55 5.63
実測値 3.3g 55.29 5.2
5参考例2 ベンジル 7β−フタルイミド−3−ブロモメチル−Δ
3−0−2−イソセフェム−4−カルボキシレート1g
14−メルカプトピリジン240■および塩化メチレン
1011の混合物にトリエチルアミン0.3xlを加え
、室温にて1時間攪拌した。反応液を水洗(200xi
x 2回)後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒
を留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製し、エチルアルコールより結晶化すると、ベン
ジル7β−フタルイミド−3−(4−ピリジルチオメチ
ル)−△3−0−2−イソセフェム−4−カルボキシレ
ートを0.83g得た。
M”−498、M−−496旋光度: (ff〕D2o
−40,875′(クロロホルム、C−1,008) 元素分析 N% 0% N% 計算値 3.45 55.55 5.63
実測値 3.3g 55.29 5.2
5参考例2 ベンジル 7β−フタルイミド−3−ブロモメチル−Δ
3−0−2−イソセフェム−4−カルボキシレート1g
14−メルカプトピリジン240■および塩化メチレン
1011の混合物にトリエチルアミン0.3xlを加え
、室温にて1時間攪拌した。反応液を水洗(200xi
x 2回)後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒
を留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製し、エチルアルコールより結晶化すると、ベン
ジル7β−フタルイミド−3−(4−ピリジルチオメチ
ル)−△3−0−2−イソセフェム−4−カルボキシレ
ートを0.83g得た。
NMR(CDCjJ 3)δ:
3.86〜3.95 (IH,m) 、4.19および
4.44 (2H,Q、J=4.9Hz)、4.34〜
4.51 (2H,m) 、5.29および5.31
(2H,Q、J=5.4Hz)、5.87 (IH,d
、J−5,2Hz)、7、19 (2H,dd、 J=
1.4Hz、 4.8Hz)、7.30〜7.52 (
5H,m)、7.83 (4H,m) 、8.36 (
2H,dd。
4.44 (2H,Q、J=4.9Hz)、4.34〜
4.51 (2H,m) 、5.29および5.31
(2H,Q、J=5.4Hz)、5.87 (IH,d
、J−5,2Hz)、7、19 (2H,dd、 J=
1.4Hz、 4.8Hz)、7.30〜7.52 (
5H,m)、7.83 (4H,m) 、8.36 (
2H,dd。
J=1.4Hz、4.8Hz)
mp:119〜120℃
質量分析:M−527
旋光度:【α] D20−92.157゜(クロロホル
ム、C−1,020) 元素分析 H% 0% N% 計算値 4.01 B3.75 7.
97実測値 4.01 83.91 7
.83参考例3 ベンジル 2−(2°−S−メシルオキシメチル−3′
−8−フタルイミド−4゛−オキソ)アゼチジニル−3
−オキソ−4−ブロモブチレート1.71gをジメチル
ホルムアミド20 xlに溶解する。別途に4−メルカ
プトピリジン0.32gとトリエチルアミン0.4ジノ
のジメチルホルムアミド511溶液を調整し、上記混液
に加え、室温にて1.5時間攪拌後、さらにトリエチル
アミン0.4xlを加え30分攪拌を行なう。反応液を
酢酸エチル201!と水201!中に注ぎ有機層を分離
する。水層はさらに酢酸エチル101!にて抽出する。
ム、C−1,020) 元素分析 H% 0% N% 計算値 4.01 B3.75 7.
97実測値 4.01 83.91 7
.83参考例3 ベンジル 2−(2°−S−メシルオキシメチル−3′
−8−フタルイミド−4゛−オキソ)アゼチジニル−3
−オキソ−4−ブロモブチレート1.71gをジメチル
ホルムアミド20 xlに溶解する。別途に4−メルカ
プトピリジン0.32gとトリエチルアミン0.4ジノ
のジメチルホルムアミド511溶液を調整し、上記混液
に加え、室温にて1.5時間攪拌後、さらにトリエチル
アミン0.4xlを加え30分攪拌を行なう。反応液を
酢酸エチル201!と水201!中に注ぎ有機層を分離
する。水層はさらに酢酸エチル101!にて抽出する。
有機層を合わせ水洗(200’11 X 3回)を行な
う。無水硫酸マグネシウムで乾燥、活性炭で脱色し、溶
媒を留去しエタノールより結晶化すると、ベンジル 7
β−フタルイミド−3−(4−ピリジルチオメチル)−
Δ3−0−2−イソセフェム−4−カルボキレートを0
.84s−得た。母液を濃縮後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで処理しエチルアルコールより結晶化し
て、2成品を0.15.得た。 mp:119〜120
”C参考例4 ベンジル 2−(2°−8−メシルオキシメチル−3′
−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジニル−3
−オキソブチレート50gをジオキサン500 xlに
溶解し、炭酸水素ナトリウム9gを加え60℃に加熱す
る。同温度にて臭素5゜51!を添加し、2.5時間攪
拌する。酢酸エチル500 vlにて希釈後、水洗(5
00’II X 3回)し、無水硫酸マグネシウム10
gにて乾燥を行ない、溶媒を留去し、ベンジル 2−(
2′−8−メシルオキシメチル−3’−S−フタルイミ
ド−4′−オキソ)アゼチジニル−3−オキソ−4−ブ
ロムブチレート62.14gを油状物として得た。
う。無水硫酸マグネシウムで乾燥、活性炭で脱色し、溶
媒を留去しエタノールより結晶化すると、ベンジル 7
β−フタルイミド−3−(4−ピリジルチオメチル)−
Δ3−0−2−イソセフェム−4−カルボキレートを0
.84s−得た。母液を濃縮後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで処理しエチルアルコールより結晶化し
て、2成品を0.15.得た。 mp:119〜120
”C参考例4 ベンジル 2−(2°−8−メシルオキシメチル−3′
−8−フタルイミド−4°−オキソ)アゼチジニル−3
−オキソブチレート50gをジオキサン500 xlに
溶解し、炭酸水素ナトリウム9gを加え60℃に加熱す
る。同温度にて臭素5゜51!を添加し、2.5時間攪
拌する。酢酸エチル500 vlにて希釈後、水洗(5
00’II X 3回)し、無水硫酸マグネシウム10
gにて乾燥を行ない、溶媒を留去し、ベンジル 2−(
2′−8−メシルオキシメチル−3’−S−フタルイミ
ド−4′−オキソ)アゼチジニル−3−オキソ−4−ブ
ロムブチレート62.14gを油状物として得た。
得られたベンジル 2− (2’ −3−メシルオキシ
メチル−3°−8−フタルイミド−4゛−オキソ)アゼ
チジニル−3−オキソ−4−ブロモブチレートをジメチ
ルホルムアミド40011に溶解する。別途に4−メル
カプトピリジン10.81g1 トリエチルアミン13
.6xl、ジメチルホルムアミド溶液100ν!を調整
し、上記溶液に加えて室温にて1.5時間攪拌後さらに
トリエチルアミン13.61Fを加え30分間攪拌した
。酢酸エチル(40C1fx1回、100 xl x
2回)にて抽出を行ない、有機層を合わせ、水洗および
ブライン(30C1f)で洗浄を行ない、無水硫酸マグ
ネシウム(10K)で乾燥、活性炭(2,5g)で脱色
し、溶媒留去後、エタノール(50011)より結晶化
すると、ベンジル 7β−フタルイミド−3−(4−ピ
リジルチオメチル)−Δ3−0−2−イソセフェムー4
−カルボキシレートを25゜05g得た。さらに母液を
濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで処理し
、エタノール(300yf)より結晶化して、2成品9
.97gを得た。
メチル−3°−8−フタルイミド−4゛−オキソ)アゼ
チジニル−3−オキソ−4−ブロモブチレートをジメチ
ルホルムアミド40011に溶解する。別途に4−メル
カプトピリジン10.81g1 トリエチルアミン13
.6xl、ジメチルホルムアミド溶液100ν!を調整
し、上記溶液に加えて室温にて1.5時間攪拌後さらに
トリエチルアミン13.61Fを加え30分間攪拌した
。酢酸エチル(40C1fx1回、100 xl x
2回)にて抽出を行ない、有機層を合わせ、水洗および
ブライン(30C1f)で洗浄を行ない、無水硫酸マグ
ネシウム(10K)で乾燥、活性炭(2,5g)で脱色
し、溶媒留去後、エタノール(50011)より結晶化
すると、ベンジル 7β−フタルイミド−3−(4−ピ
リジルチオメチル)−Δ3−0−2−イソセフェムー4
−カルボキシレートを25゜05g得た。さらに母液を
濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで処理し
、エタノール(300yf)より結晶化して、2成品9
.97gを得た。
mp:119〜120℃
参考例5
ベンジル 7β−アジド−3−クロロメチル−Δ3−0
−2−イソセフェム−4−カルボキシレート4,5gを
塩化メチレン100 xlに溶解し、これに1.3.4
−チアジアゾール−2−チオール1.35g、 トリ
エチルアミンL6xlを加え、室温で1時間半撹拌する
。反応液を5%炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、水
で2回洗浄する。
−2−イソセフェム−4−カルボキシレート4,5gを
塩化メチレン100 xlに溶解し、これに1.3.4
−チアジアゾール−2−チオール1.35g、 トリ
エチルアミンL6xlを加え、室温で1時間半撹拌する
。反応液を5%炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、水
で2回洗浄する。
さらに減圧下で溶媒を除去し、赤茶色の油状物質を得る
。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出岐
;酢酸エチル:ヘキサン−1:1)で精製し、ベンジル
7β−アジド−3−[(1゜3.4−チアジアゾール
−2−イル)チオメチル]−Δ3−0−2−イソセフェ
ム−4−カルボキシレート3.03gを淡褐色の粉末と
して得る。
。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出岐
;酢酸エチル:ヘキサン−1:1)で精製し、ベンジル
7β−アジド−3−[(1゜3.4−チアジアゾール
−2−イル)チオメチル]−Δ3−0−2−イソセフェ
ム−4−カルボキシレート3.03gを淡褐色の粉末と
して得る。
20−−147.68° (’c−1,クロロ[α〕D
ホルム)
NMR(CDCN 2 ) δ :3.53〜4
.08(2H,m) 、 4. 40 (IH,d
、 J=14Hz) 、 4. 55 (IH,
dd、 J=11Hz。
.08(2H,m) 、 4. 40 (IH,d
、 J=14Hz) 、 4. 55 (IH,
dd、 J=11Hz。
3Hz) 、4、77 (IH,d、 J−14
Hz) 、5、 17 (IH,d、 J=5H
z) 、 5. 24(2H,s) 、 6. 8
8〜7. 53 (5H,m) 、8、 92
(IH,s) 参考例6 a) ベンジル 7β−アジド−3−[(1,3゜4−
チアジアゾール−2−イル)チオメチル]−Δ3−0−
2−イソセフェム−4−カルボキシル−10,8g、)
リエチルアミン0.34111および塩化メチレン10
0 xlの混合溶液に水冷下で硫化水素ガスを導入する
。1時間後、薄層クロマトグラフィーで原料スポットの
消失を確認し、反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、飽和食塩水の順に洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥
する。
Hz) 、5、 17 (IH,d、 J=5H
z) 、 5. 24(2H,s) 、 6. 8
8〜7. 53 (5H,m) 、8、 92
(IH,s) 参考例6 a) ベンジル 7β−アジド−3−[(1,3゜4−
チアジアゾール−2−イル)チオメチル]−Δ3−0−
2−イソセフェム−4−カルボキシル−10,8g、)
リエチルアミン0.34111および塩化メチレン10
0 xlの混合溶液に水冷下で硫化水素ガスを導入する
。1時間後、薄層クロマトグラフィーで原料スポットの
消失を確認し、反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、飽和食塩水の順に洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥
する。
溶媒を濃縮し、残渣を塩化メチレン100 xlに溶解
する。2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル
)−2−シアノメトキシイミノ酢酸(シン異性体)1.
04gを加え水冷下撹拌し、これにジシクロへキシルカ
ルボジイミド(DCC)0゜46gを加えて一夜反応さ
せる。析出物を濾去し、濾液を水、希塩酸、炭酸水素ナ
トリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を減圧留去し、残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液:クロロホル
ム)で分離精製し、ベンジル 7β−[2−(2−トリ
チルアミノチアゾール−4−イル)−2−シアノメトキ
シイミノアセトアミド]−3−[(1,3,4−チアジ
アゾール−2−イル)チオメチル]−△3−0−2−イ
ソセフェム−4−カルボキシレート(シン異性体)0.
85gを得る。
する。2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル
)−2−シアノメトキシイミノ酢酸(シン異性体)1.
04gを加え水冷下撹拌し、これにジシクロへキシルカ
ルボジイミド(DCC)0゜46gを加えて一夜反応さ
せる。析出物を濾去し、濾液を水、希塩酸、炭酸水素ナ
トリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥する。溶媒を減圧留去し、残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液:クロロホル
ム)で分離精製し、ベンジル 7β−[2−(2−トリ
チルアミノチアゾール−4−イル)−2−シアノメトキ
シイミノアセトアミド]−3−[(1,3,4−チアジ
アゾール−2−イル)チオメチル]−△3−0−2−イ
ソセフェム−4−カルボキシレート(シン異性体)0.
85gを得る。
b) 上記で得られたトリチル体0.40gおよびアニ
ソール0.4xlの混合物に、水冷下でトリフルオロ酢
酸5ν!を加え10分間反応させる。次いでジエチルエ
ーテルを加えると結晶が析出するので、これを濾取し、
ジエチルエーテルで洗浄、減圧乾燥して、7β−[2−
(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−シアノメト
キシイミノアセトアミド] −3−[(1,3,4−チ
アジアゾール−2−イル)チオメチル]−Δ3−0−2
−イソセフェム−4−カルボン酸 トリフルオロ酢酸塩
(シン異性体)0.2gを得る。
ソール0.4xlの混合物に、水冷下でトリフルオロ酢
酸5ν!を加え10分間反応させる。次いでジエチルエ
ーテルを加えると結晶が析出するので、これを濾取し、
ジエチルエーテルで洗浄、減圧乾燥して、7β−[2−
(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−シアノメト
キシイミノアセトアミド] −3−[(1,3,4−チ
アジアゾール−2−イル)チオメチル]−Δ3−0−2
−イソセフェム−4−カルボン酸 トリフルオロ酢酸塩
(シン異性体)0.2gを得る。
淡黄色粉末
mp:113℃より変色
[αコ −+111° (C−1,メタノール)NM
R(DMSO−d6)δ: 3.57〜4.20 (2H,m)、
R(DMSO−d6)δ: 3.57〜4.20 (2H,m)、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R^1はハロゲン原子、ハロゲン原子で置換さ
れていてもよい低級アルカンスルホニルオキシ基または
低級アルキル基、ハロゲン原子もしくはニトロ基で置換
されていてもよいアリールスルホニルオキシ基; R^2は基: ▲数式、化学式、表等があります▼ または基: ▲数式、化学式、表等があります▼ (上記式中、X^1およびX^2はそれぞれ同一または
異なってハロゲン原子、R^4はエステル化されたカル
ボキシ基を示す。); R^3はアジド基、フタルイミド基または基:−NH−
R^5 (式中、R^5はアミノ保護基を示す。)]で表される
アゼチジノン誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62053871A JP2525170B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 2―オキサイソセフェム誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62053871A JP2525170B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 2―オキサイソセフェム誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63218660A true JPS63218660A (ja) | 1988-09-12 |
| JP2525170B2 JP2525170B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=12954813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62053871A Expired - Lifetime JP2525170B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 2―オキサイソセフェム誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2525170B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0759437A4 (en) * | 1995-03-10 | 1997-06-11 | Otsuka Kagaku Kk | PROCESSES FOR PRODUCING 2-ISOCEPHEM DERIVATIVES |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5141385A (en) * | 1974-08-06 | 1976-04-07 | Univ Kingston | 11 okisasefuemu oyobi sonochukanbutsunokewaninoshitsuno seiho |
| JPS5191293A (ja) * | 1975-01-02 | 1976-08-10 |
-
1987
- 1987-03-09 JP JP62053871A patent/JP2525170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5141385A (en) * | 1974-08-06 | 1976-04-07 | Univ Kingston | 11 okisasefuemu oyobi sonochukanbutsunokewaninoshitsuno seiho |
| JPS5191293A (ja) * | 1975-01-02 | 1976-08-10 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0759437A4 (en) * | 1995-03-10 | 1997-06-11 | Otsuka Kagaku Kk | PROCESSES FOR PRODUCING 2-ISOCEPHEM DERIVATIVES |
| EP1201670A3 (en) * | 1995-03-10 | 2002-05-08 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Process for preparing 2-oxaisocephem derivatives |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2525170B2 (ja) | 1996-08-14 |
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