JPS5821682A - セファロスポリン誘導体 - Google Patents

セファロスポリン誘導体

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JPS5821682A
JPS5821682A JP56120487A JP12048781A JPS5821682A JP S5821682 A JPS5821682 A JP S5821682A JP 56120487 A JP56120487 A JP 56120487A JP 12048781 A JP12048781 A JP 12048781A JP S5821682 A JPS5821682 A JP S5821682A
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Hideo Nakao
中尾 英雄
Koichi Fujimoto
光一 藤本
Sadao Ishihara
石原 貞夫
Shinichi Sugawara
真一 菅原
Isamu Igarashi
勇 五十嵐
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

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  • Cephalosporin Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発1jll祉式 〔式中、R5はアミノ基tXは保護されたアi)基を、
Yは7タリジル基または式−CH0COR2基1 (式中、R1は水素原子またはメチル基をR2は低級ア
ルキル基または低級アルコキシ基を表わす、)〕で示さ
れるセファロスポリン誘導体と式%式%) (式中、R4は低級アルキル基を表わす、)で示される
ア、ルコキシアミンとを反応させ、R5が保1i1され
たアミノ基の場合にはその保護基を除去することを特徴
とする式、 (式中、I14およびYは前記と同意義を示す、)で表
わされるセファロスポリン誘導体(シン異性体)の製造
法に関する。
本発明者らは先に上記成層で示される化合物が経口投与
用抗菌剤として極めて有用な化合物であること倉見出し
特許出願した(特願昭55−136449号)、その後
、上記化合物の製造法に関して種々研究を重ねた結、果
、新規な製法として本発明を完成した。
すなわち、式(転) (式中の記号は前記と同意@を示す、)で表わされる2
−アミノ(または保護されたアミノ)チアゾール−4−
イルグリオキシル酸またはその反応性誘導体と式(イ) (式中の記号は前記と同意義を示す。)で表わされる7
−アミノ−3−メトキシメチルセファロスIリン誘導体
又はその塩とを常法によって反応させて得られた新規な
化合物(1)にアルコキシアミンω)又はその塩を反応
させると容易に式1′)(式中の記号は前記と同意義金
示す、)で示されるシン型アルコキシム体が得られ、R
5が保護されたアミノ基の場合にはその保護基を常法に
よって除去することによって目的の化合物(転)が製造
されることを見出した・ 弐〇においてR4およびYの説明における低級アルキ羨
基とは、メチル、エチル、ゾロビル、イソプロピル、n
−ブチル、イソブチル、ターシャリブチル、■−ペンチ
ル基のような炭素数1乃至50直鎖状または分岐し九ア
ルキル基を示す。
式(1)のR□における保護されたアミノ基の保膜基と
しては、容易に除去されてアミノ基に復元されるものが
好ましく、それ自体公知の保饅基、例えば酸処理で除去
しうるトリチル基、ホルミル基、t−ブトキシカルがニ
ル基、t−ペンチルオキシカル−ニル基、還元的に除去
しうる2゜2.2− ) 1310ルエトキシカルダニ
ル基、アルカリ処理で除去てきる2−メチルスルホニル
エチルオキシカルlニル基、チオ尿素処理で除去しうる
クロルアセチル基などが使用されるが、これらに限定さ
れるものではない。
本方法はダリオキシル体(1)のアルコキシム化反応と
必要な場合に祉脱保鰻反応の2工程からなるが、ダリオ
キシル体(1)が新規な化合物のため、その製法につい
ても簡単に説明する。
ダリオキシル体(1)は式(ロ)を有する7−アきノセ
ファロス′Iリン体を弐〇を有するチアゾリル′グリオ
キシル酸でアシル化することによって製造される0反応
は常法に従って実施される。すなわち式1を有するカル
がし酸社遊離o’tt或いはその反応性誘導体として使
用されるが、遊離のまま使用する場合には適当な縮合剤
を用いる。縮合剤としてはジシクロヘキシル′カルがジ
イミドのようなジ置換カルがジイミド、カルが二ルジイ
ミグゾー−ル、チオニルジイミダゾールのようなイミダ
ゾライド、N−エトキシカルがニル−2−エトキシ−1
,2−−/ヒドロキノリン或いはジメチルホルムアミド
とオキシ塩化リン、塩化チオニルなどから調整されるビ
ルスマイヤー試薬などがあげられる。弐粕を有する化合
物の反応性誘導体としては、Ii/%ライド、駿無水物
、混合酸無水物、活性エステル、活性アミド、酸アジド
等があげられる。混合酸無水物として重炭酸モノメチル
エステルや炭酸モノイソブチ゛ルエステルなどの炭酸モ
ノ低級アルキルエステルとの混合無水物や、ピパリン識
やトリクロル酢酸などの低級アルカン酸との混合酸無水
物が使用され、活性エステルとしてはp−ニトロフェニ
ルエステル、(ンタクロルフェニルエステル、N−ヒド
ロキシ7!ルイミドエステル、N−ヒドロキシベンズト
リアゾールエステルナトがあけられる。
本工程は通常溶媒中で行なうのが好ましく、使用される
#I厳は本反応に悪影響を与えないものであれば限定な
く、例えばアセトン、メチルエチルケトン、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、酢酸エチル、クロロホルム、ジ
クロルメタン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシドなどの不活性有機溶媒或いは水
との混合溶媒などが使用される。使用されゐ反応性誘導
体の種類によっては必l!に応じ塩基を存在させること
がある。塩基の例として・はアルカリ金属化合物例えば
重炭酸す)9ウム、重IR@カリウム、炭酸ナトリウム
、炭酸カリウムなど、脂肪族、芳香族、含窒素複素環塩
基例えばトリエチルアミン、ジメチルホルム/、″N−
メチルピペリジン、N−メチルピロリジン、ビリノン、
コリジン、ルチジンがあげられる。
反応温度に特に限定はないが通常反応は室温又は冷却下
で行なわれる0反応に要する時間は主としてアシル化方
法の種類、反応温fIIIによっても異なるが通常数十
分乃至数十時間である。
反応終了後、式(1)を有する化合物は常法によって反
応混合物から採取される0例えば反応溶媒が水混和性の
場合には一旦減圧で留去した後゛水不混和性溶媒に代え
、溶媒が水不混和性の場合はそのtま鐵および塩基で洗
い、乾燥した後溶媒を留去することによって得られる。
必要に応じ常法例えば各種クロマトグラフィー等によっ
て精製することができる。
次に式(1)で示される化合物と式0)で示されるアル
コキシアミンとの反応は、通常ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセドアきド、アセトニトリル、アルコール、
または反応に悪影響を及ぼさない他の溶媒またはそれら
と水との混合物等の溶媒中で行なわれる0通常弐〇)で
示されるアルコキシアオン社塩鐵、硝酸、R@など無機
酸との塩また社酢酸、安息香酸などのような有機酸との
塩として使用される0反応に要する時間社通霊士数分乃
至数時間である0反応温[は特に限定されないが、通常
室温ないし60℃の間で行うのが好ましい0反応終了後
式(I′)を有する化合物は常法によって反応混合物か
ら採取される0例えば反応液に酢酸エチルのような水不
混和性溶媒と水を加え、水層が微アルカリ性の状態で有
機層を分赦し、有機溶媒を留去することによって得られ
る。必要に応じて再結晶、クロマトグラフィー等によっ
て精製することができる。
式(■りで示される化合物においてE、が保饅されたア
ンノ基の場合、保護基を除去することによって式釦で示
される目的化合物が得られるが、その脱保護工程社先に
述べたように、各保護基の特性に基いて常法によってそ
れらの基を除去し、粗生成物を精製して式(2)を有す
る化合物を得ることができる。
次に実施例をあげて鵠記式(2)を有する本発明の化合
物の製造方法を具体的に説明するが、本発明はこれによ
って限定されるものではない。
実施例1゜ 7−(2−(2−ホルムアミドチアゾール−4−イル)
ダリオキシアミド〕−3−メトキシメチル−3−セフェ
ム−4−カルがン酸 ピパロイルオキシメチルエステル N、N−ジメチルホルムアミド(0,544mg)に氷
冷下、オキシ塩化リン(0,582mg)を加え、混合
物を40〜45℃で1時間攪拌した後、真空下5分間放
置し、低沸点物を除去する。これに室温で酢酸エチル(
10sd)、(2−ホルムア建rチアゾールー4−イル
)ダリオキシル歇(1,25?)、N、N−ジメチルホ
ルムアミド(3−)を順次加え、混合物を40分間攪拌
する。この反応i[を7−アミノ−3−メトキシメチル
−3−七7エムー4−カルぎン駿ヒバロイルオキシメチ
ルエステル・p−)ルエンス羨ホン酸塩(2,9F)と
N、N−ジエチルアニリン(2,9m)のジクロルメタ
ン(30mg)溶液に−20〜−30℃で加え、ついで
混合物tθ℃で30分間攪拌する0反応atクロロホル
ムでうすめ、重硫酸カリ水溶液、重1水で洗浄後、無水
硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、残留物を
酢酸エチル−クロロホルム(2:1)を展開SSとする
シリカゲル・カラムクロマトに付して、表題化合物を(
無定形粉末として1.22(s、9B) 3.320s、3B) 3.57(brs、2B) 4.32 (brs * 2 B ) 5.07(s、1B) 5.7−6.0(3H,m) &03 (I n −brd eコニ9Hz)8.97
(In、g) 9.05(In、brm) 実施例2゜ 7−(2−(2−ホルムアミトチアゾール−4−イル)
−2−(シ/)−メトキシイミノアセトアミド〕−3−
メトキシメチル−3−セフェム−4−カルダン酸 ピパ
ロイルオキシメチルエステル 7−(2−(2−ホルムアミドチアゾール−4−イル)
ダリオキシアさド〕−3−メトキシメチ〃−3−セフェ
ム−4−力′ルlン酸ビ/考ロイルオ中ジメチルエステ
ル0.25 Fとメトキシ7電ン(0−メチルヒドロキ
シルアミン)塩酸塩55877、N、N−ジメチルアセ
トアミド2−の1iiiを40℃で2時間20分攪拌す
る0反応液に酢酸エチルを加え、飽和食塩水で洗浄、硫
@−eダネシウムで乾燥後溶媒を留去する。残留物を酢
置エチルーハlホルム(2:1)を展開溶媒とするシリ
カrルクロマトダラフイーで精製すると、7−(2−(
2−ホルムアミドチアゾ−に−4−イル)−2−(シン
)−メシキシインノアセトア<1’)−3−メトキシメ
チル−3−セフェム−4−カルーン酸ビパ諺イルオキシ
メチルエステル0.2tt得り。
更に酢酸エチル1−から再結晶すると、融点172℃(
分解)の結晶として17011qiを得た・核磁気共鳴
ス(クトル(DM80−d、) j ppm1.18(
9E#畠、 C(CB、)l)3.22(311,易、
3位ocn、)3.58(211,br、、 2位 0
H2)3.88 (3H、s −−N −0CRs )
4.14(2H,s、3位 −CH2−)&19(1B
、d、J=5Hz、6位H)&、82(3H,tm、C
00CH2−、及び7位 H)7.37(1B、s、チ
アゾール 5位 B)&47 (I H−a a nc
o−)9.66(111,d、コ=9Hz、7位 −〇
〇NH−)12.58 (1B 、 br、 、 HC
ONB−)実施例λ 7−[2−(2−アミノチアゾールー4−イル)−2−
(シン)−メトキシインノアセトア電ド〕−3−メトキ
シメチル−3−セフェム−4−カルがン酸ヒバロイルオ
キシメチルエステル 7−(2−(2−ホルムアきトチアゾール−4−イル)
−2−(シン)−メトキシイはノアセトアミド〕−3−
メトキシメチル−3−セフェム−4−カルダン酸ピパロ
イルオキシメチルエステルλ6)t−メタノール72−
にとかし、水冷攪拌下に濃塩酸0.7−を加え、室温で
2.5時間攪拌後メタノールを減圧で留去し、残留物に
酢酸エチルと水を各20−加え飽和重炭酸水嵩す)17
ウム水溶液で中和後分液する。有機層を飽和食塩水で洗
浄後、乾燥、濃縮する。残淑をクロロホルム13mgK
とかしイソゾロビルエーテル10〇−中に攪拌下滴加し
生じた沈殿を炉取すると、無色粉末として7−(2−(
2−アマフチアゾール−4−イル)−2−(シン)−メ
トキシイミノアセトアミド〕−3−メトキシメチル−3
−セフェム−4−カル&711ピパロイルオキシメチル
エステル22ttlNt・被磁気共鳴スペクトル(重ク
ロロホルム) J ppmt、22 (9n 、 m 
、 c(cH,)、 )3.30(3H,s、3位OC
R,) 3.53(2H,s、2位cH2) 4−00 (3B −# −厘N−0CHs )4.3
0(211,虐、3位 Cl2− )5.05(111
,d、J=5Hz、6位H)5、7〜6.3 (3H−
ra −C00CH2−及び7位)6.63 (1日5
111mチアゾール5位 H)6.6〜?、i (2H
−br−Na3)8.01 (1B 、 d 、 J−
9Hz 、 7位C0N)1 )実施例4゜ 7−(2−(2−ホルムアミドチアゾール−4−イル)
−2−(シン)−エトキシイミノアセトアミP〕−3−
メトキシメチル−3−セフェム−4−カルがン酸 ピバ
ロイルオキシメチルエステル 実施例2の方法に従ってエトキシアミン塩酸塩65Mg
の代シにエトキシアミン塩酸塩75■を反応させ同様に
処理して、融点153℃の結晶として7−(2−(2−
ホ峯ムアミドチア!−ルー4−イル)−2−(シン)−
エトキシイミノアセトア建ド〕−3−メトキシメチル−
3−セフェム−4−カルIン酸ヒバロイルオキシメチル
エステル150ダを得た。
核磁気共鳴x (pトル(oMso−a4) J pp
m1.i 8 (9)! 1m −c(cH,)、 )
1.28 (3B 、 t 、 QC)12C)I、 
)3.21 (3H−m −3位QC)ig )3.5
8 (2H、br−e 2位 CB、)4.15(2B
、易、3位 Cl2) 4.19 (2H、q 、 0C3CH,)5.19(
IH,d、J=5Hz、6位B)5、71〜5.95 
(3)1− m −C00CH2−及び7位H)7.3
8(IH,a、チアゾール5位11)8.48(1B、
畠、 HCO−) 9.64 (IH、d 、 J =8BK 、 7位 
−〇〇NB )12.60(IH,br、 、HCON
!!−)実施例5゜ ?−(2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
(シン)−エトキシイミノアセトア書、ド〕−3−メト
キシメチル−3−セフェム−4−カルIン酸ピパロイル
オキシメチルエステル 実施例3の方法に準じて7−(2−(2−ホルムアZト
チアゾールー4−イル)−2−(シン)−メトキシイミ
ノアセトアンド〕−3−メトキシメチル−3−セフェム
−4−カルダン酸ピパロイルオキシメチルエステル9.
65f、メタノール170m、濃塩酸2−を室温3時間
反応させ、無色粉末として7−(2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−(シン)−メトキシイミノア
セトアンド〕−3−メトキシメチル−3−セフェム−4
−カルIy酸ピパロイルオキシメチルエステル8.71
を得九。
核磁気共鳴スペクトル(CDCA、 )δppm1.2
2(9H,s、C(C1l、)、)1.31 (3B 
、 t 、 0CII2CB、 )3.30(3H,s
、3位ocH5) 3.53(2H,m、2位CH2) 4.28 (2H、q 、 OCH,CH,)4.30
(2B、易、3位 −co2−)5.01(IH,d、
J=5Hz、6位 H)5.7〜6.2 (511、m
 、 C00CH2−、NH2及び7位B)6.76(
IH,s、チアゾール5位 H)7.70 (IH、d
 、 J=9Hz 、 C0NH−)実施例6゜ 7−(2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−
(シン)−メトキシイミノアセトアンド〕−3−メトキ
シメチル−3−セフェム−4−カルlン醗 1−エトキ
シカルがニルオキシエチルエステル 実施例1の方法に従って7−アきノー3−メトキシメチ
ル−3−セフェム−4−カルダン酸1−.!)−?シカ
ルlニルオキシエチルエステルp−)ルエンスルホン酸
塩2.8ft<2−ホルムアミドチアゾール−4−イル
)ダリオキシル111.25)でアシル化し、7−(2
−(2−ホルムアミドチアゾール−4−イル)ダリオキ
シアミド〕−3−メトキシメチル−3−セフェム−4−
カルg7@1−エトキシカルがニルオキシエチルエステ
ル1.57を得た* 本品(0,25))を実施例2の
方法に従ってメトキシアZノ塩酸塩65ダと反応させ、
?−(2−(2−ホルムアiyチアゾールー4−イル)
!!−(シン)−メトキシイミノアセトアンド〕−3−
メトキシメチル−3−セフェム−4−カルst:/歇1
−エト今シカルfエルオキシエチルエステル180Wv
を得た・ついで、本品を実施例3の方法に従ってメタノ
ール5−と濃塩酸0.05−で脱ホルミル化を行ない、
淡黄色粉末として7−(2−(2−アミ°ノチアゾール
ー4−イル)−2−(シン)−メトキシイミノアセトア
ンド〕−3−)トキシメチルー3−セフェムー4−カル
がン酸l−エトキシカルがニルオキシエチルエステル1
20ダを得た。
核磁気共鳴スペクトル(cDczs) −pPIXll
、30 (311、t 、 cH,cH,o )1.6
1 (311、d 、 CH,CH心3.32(3H,
s、3位CB、O) 3.57(2H,s、2位CH2) 4、03 (3)j −s −CHsON−)4.21
(2H,q、CH,竺20) 4.30(2H,s、3位Cl2) 5.10(IH,d、6位H) 5.6〜6.2 (3H、rm 、 7位H及びNH,
)6.70(IH,s、チアゾール5位H)6−92 
(I B −01−CHiCg。)8.20(IH,d
、C0N)i) 特許出願人三共株式会社 代理人 弁理士 樫 出 庄 治

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  一般式 〔式中、R3はアミノ基または保護されたアi)基を、
    y#iフタリジル基または式−CHoCOR,基1 (式中、E、は水素原子また社メチル基を、R2は低級
    アルキル基または低級アルコキシ基を表わす、)〕で示
    される化合物を一般式 %式% (式中、R4は低級アルキル基を表わす。)で示される
    アルコキシアミンと反応させ、一般式(式中、町、R4
    およびYは前述したものと同意義を有する。)を有する
    化合物を製造し、E。 が保護されたアミノ基である場合にはその保護基を除去
    することを特徴とする一般式 (式中、R4およびY#′i、前述したものと同意義を
    有する。)で示されるセファロスポリン化合物(シン異
    性体)およびその薬学的に許容し得る塩の製造法。
  2. (2)゛・・一般式 ・  ・ (式中、R3は水素原子またはメチル基を、R2は低級
    アルキル基または低級アルコキシ基を表わす、)〕で示
    される化合物を一般式 (式中% B、はアミノ基または保護されたアミノ基を
    表わす、)で示されるカルがン酸またはその反応性誘導
    体と反応させ、一般式 (式中、R1およびYは前述したものと同意義を有する
    。)を有する化合物を製造し、つぎKこれに一般式 %式% (式中、R4は低級アルキル基を示す、)で表わされる
    アルコキシアミンを反応させ、一般式(式中% B@ 
    e 14およびY#i前述したものと同意義含有する。 )含有する化合物を製逸し、R6が保護されたアきノ基
    である場合に紘その保護基を除去することを特徴とする
    一般式 (式中、R4およびYは前述したものと同意義を有する
    。)で示されるセファロスIりン化合物(シン異性体)
    およびその薬学的に許容し得る塩の製造法。、
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