JPS63218960A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は新規な光導電性材料を用いた電子写真感光体に
かんする。

〔従来の技術〕

従来よシ、光導電性を示す顔料や染料については、数多
くの文献等で発表されている。例えば、ＲＣＡ　Ｒｅｖ
ｉｅｗ　”　Ｖｏｌ、　２３　、　Ｐ、　４１３〜Ｐ、
　４１９（１９６２，９）では７タロシアニン顔料の光
導電性についての発表がなされておシ、又この７タロシ
アニン顔料を用いた電子写真感光体が米国特許第３３９
７０８６号公報や米国特許第３８１６１１８号公報等に
示されている。その他に、電子写真感光体に用いる有機
半導体としては、例えば米国特許第４３１５９８３号公
報、米国特許第４３２７１６９号公報や”　Ｒａ５ｅａ
ａｈ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ”２０５１７　（１９８１
，５）に示されているピリリウム系染料、米国特許第３
８２４０９９号公報に示されているスクエアリンク酸メ
チン染料、米国特許第３８９８０８４号公報、米国特許
第４２５１６１３号公報等に示されたジスアゾ顔料等が
あげられる。

この様な有機半導体は、無機半導体に比べて合成が容易
で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をもつ
様な化合物として合成することができ、この様な有機半
導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感光体は
、感色性が良くなるという利点を有しているが、感度お
よび耐久性において実用できるものは、ごく僅かである
。

〔発明の解決すべき問題点〕

本発明は、従来の問題点を解決し、高感度でしかも耐久
性に優れた電子写真感光体を提供すべくなされたもので
ある。

〔問題点を′解決するための手段〕

本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に下記一般式
ＣＩ）で示されるジスアゾ顔料を含有する感光層を有す
ることを特徴とするものである。

〔記〕

一般式ＣＩ） 一般式ＣＩ）中のＲ１及びＲ２は夫々水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、置換基を有していてもよいアルキル
基、アリール基、アラルキル基又はアルコキシ基を表わ
す。ハロダン原子としては、フッ素、塩素、ヨウ素、臭
素の各原子が挙げられる。

アルキル基としては、炭素数１〜４の直鎖状又は分枝状
のアルキル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、　　１ｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、５ｅａ−’ブチル基、ｔａｒｔ−ブチル基等が挙げ
られる。アリール基としては、例えばフェニル基が挙げ
られる。アラルキル基としては、Ｎ、ｔばｐ　−）シイ
ル基、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等
が挙げられる。アルコキシ基としては、例えばメトキシ
基、エトキシ基、ゾロボキシ基等が挙げられる。

Ｒ１がアルキル基、了り−ル基、アラルキル基、アルコ
キシ基又はアリールオキシ基である場合に有することの
できる置換基としては、例えばフッ素、塩素、ヨウ素、
臭素等のハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル等のアルキル基（Ｒ４がアルキル基
である場合を除く。）、メトキシ、エトキシ、グロポキ
シ、フェノキシ等のアルコキシ基（Ｒ１がアルコキシ基
である場合を除く。）、ニトロ基、シアノ基、ジメチル
アミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホ
リノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換基を有していて
もよいアミン基等が挙げられる。

一般式（１）中のＡ、Ａ’は夫々フェノール性ＯＨ基を
有するカプラー残基を示しＡ、Ａ’は同一であっても異
なっていてもよい。Ａ、Ａ’の示すカプラー残基のよシ
好ましい具体例としては下記一般式（ＩＩ）〜備〕で示
される。

一般式（ｆｆ） 一般式（ＩＩ）中Ｘ、は式中べ／ゼン環と縮合している
、例えばす７タレン猿、アントラセン環等の多環芳香環
、又はカルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジベン
ゾフラン環、ジペンゾナフトフラン環、ジフェニレンサ
ルファイド環等のへテロ環を形成するに必要な原子群を
示す。

ベンゼン環と縮合した状態でＸ、が形成する環はナフタ
レン環、アントラセン環、カルバゾール環又はベンズカ
ルバゾール環とすることがよシ好ましい。

Ｒ２及びＲ３は夫々水素原子、置換基を有していてもよ
いアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環
基を表わし、あるいはＲ２及びＲ３と結合する窒素原子
とともに環状アミノ基を形成するのに必要な原子群を表
わす。

アルキル基の具体例としては例えばメチル基、エチル基
、グロビル基、ブチル基等が、アラルキル基の具体例と
しては例えばベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチ
ル基等が、アリール基の具体例としては例えばフェニル
基、ジフェニル基、ナフチル基、アンスリル基等が、ヘ
テロ環基の具体例としてはカルバゾール、ジベンゾフラ
ン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール、チアゾー
ル、ピリジン等のへテロ環から水素原子１個を除いた基
が挙げられる・ 一般式〔■〕 Ｈ 一般式ＣＭ’） 一般式（ＩＩＩ）　、　（Ｉｔ／）中のＲ４，Ｒ５は夫
々水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、ア
リール基、アラルキル基を示す。アルキル基、アリール
基、アラルキル基及びとれらへの置換基の具体例として
は前記Ｒ２，Ｒ３の場合と同じ例が挙げられる。

式（ＩＩ）〜〔■〕中の置換基Ｒ２，Ｒ５，Ｒ４，Ｒ５
の示すアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコ
キシ基乃至ヘテロ環基は更に他の置換基、例えばフッ素
、塩素、ヨウ素、臭素等のハロダン原子、メチル基、エ
チル基、グロビル基、イングロビル基、ブチル基等のア
ルキル基（Ｒ２等がアルキｂ基ｏｓ合を除く。）、メト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、フェノキシ基等の
アルコキシ基（Ｒ２等がアルコキシ基の場合を除く。）
、ニトロ基、シアノ基、ツメチルアミノ基、ゾペ／ノル
アミノ基、ジフェニルアミノ基、モルホリノ基、ピペリ
ジノ基、ピロリジノ基等の置換基を有していてもよいア
ミノ基によ多置換されていてもよい。

一般式（Ｖ） Ｈ 一般式（■） ５Ｙ２、 Ｙｌ及びＹ２は夫々芳香族炭化水素の２価の基ないしは
窒素原子（式中の２つの窒素原子のこと）を環内に含む
ヘテｃ！環の２価の基を示す。

芳香族炭化水素の２価の基としては０−７エニレン等の
単環式芳香族炭化水素の２価の基、ｏ−ナフチレン、イ
リナフチレン、１，２−アンスリレン、９．ｌｏ−７エ
ナンスリレｙ等の縮合多環式芳香族炭化水素の２価の基
が挙げられる。また窒素原子を環内に含むペテロ項の２
価の基としては、３．４−ピラゾールジイル基、２，３
−ピリジンジイル基、４，５−ピリミジンジイル基、６
，７−インダゾールジイル基、６，７−キラリンジイル
基等の２価の基が挙げられる。

一般式〔■〕 Ｒ６は置換基を有していてもよいアリール基又はヘテロ
環基を示し、具体的にはフェニル基、ナフチル基等のア
リール基、アンスリル基、ピレニル基、ピリジル基、チ
ェニル基、フリル基、カルバゾリル基等のへテロ環基を
示す。

Ｒ６の示すアリール基、ヘテロ環基が置換基を有する場
合の置換基としてはフッ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハ
ロダン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基等のアルキル基、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、フェノキシ基等のアルコキシ基
、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジベンジル
アミノ基、ジフェニルアミノ基、モルホリノ基、ピペリ
ジノ基、ピロリジノ基等の置換基を有していてもよいア
ミン基が挙げられる。

Ｘ２は一般式（ＩＩ）中のＸ２と同じ意味を有する。

Ｘ３′ 式〔電〕中のＲ７，Ｒ８は置換基を有していてもよいア
ルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を
示す。具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基等のアルキル基、ベンジル基、フェネチル基、ナ
フチルメチル基等のアラルキル基、フェニル基、ナフチ
ル基、アンスリル、ジフェニル基等の７リール基、カル
バゾール、ジベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベン
ズチアゾール、チアゾール、ピリジン等のへテロ環から
水素原子１個を除いたヘテロ環基を示す。

式〔■〕中のＲ，、Ｒ８の示すアルキル基、アリール基
、アラルキル基、ヘテロ環基が置換基を有する場合の置
換基としてはフッ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン
原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基等のアルキル基（Ｒ，等がアルキル基の場
合を除く。）、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基
等のアルコキシ基、ニトロ基、７７ノ基、ジメチルアミ
ノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、モル
ホリノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基等の置換基を有
していてもよいアミン基が挙げられる。

一般式ＣＩ）中のＡｒは置換基を有していてもよい炭素
環式芳香族環基または複素環式芳香族環基金示し、具体
的にはベンゼン、ナフタレン、アントラ七ン等の炭素環
式芳香族環から水素原子２つを除いた基またはフラン、
ビロールカルゲン酸、チオフェン、ピリジン、ピラジン
等の複素環式芳香族環から水素原子２個を除いた基を示
し、Ａｒ１　＋Ａｒ　２の示す炭素環式芳香族環基また
は複素環式芳香族環基が置換基を有する場合、この置換
基としてはフッ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン原
子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基
、ブチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基等のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、
ジメチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルア
ミノ基、モルホリノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基等
の置換基を有していてもよいアミノ基が挙げられる。

一般式（１）中の２は単結合または置換基を有していて
もよいメチレン基、エチレン基、酸素、黄硫原子、置換
アミノ基を示し、メチレン基、エチレン基の置換基とし
てフッ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、メチル
、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル等のアルキ
ル基、メトキシ、エトキシ、プロプキシ、フェノキシ等
のアルコキシ基、シアノ基等があげられ、置換アミン基
の置換基としてはメチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、グチル等のアルキル基、フェニル、ナフチルアン
スリル等のアリール基があげられる。

次に本発明に用いられる一般式（１）のトリスアゾ顔料
の一般的な製法について述べる。一般式ＣＩ）で示され
るトリスアゾ顔料は一般式（９）で示されるトリスアミ
ン ｈ２貨 を亜硝酸ソーダ又はニトロシル硫酸等の常法によるヘキ
サゾニウム塩とし、カブラ−成分であるＡと水系カッブ
リングを行なうか若しくは得られたテトラゾニウム塩を
ホウフッ化塩等の安定な塩として取シ出したのちＤＭＦ
’等の有機溶剤中でカップリング反応を行なうことで得
ることができる。

次に本発明で用いる一般式（１）のトリスアゾ顔料の具
体例を以下に列挙する。ただし、以下の具体例で示され
るトリスアゾ顔料は本発明を限定するものではない。

−＠　　　　　　　　　　　　　　　　　門ｇ　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　互円 互　　　　　　　　　　　　　　利 互 前述の一般式（１〕のトリスアゾ顔料を含有する被膜は
光導電性を示し、従って下述する電子写真感光体の感光
層に用いることができる。

すなわち、本発明の具体例では導電性基体の上に一般式
（１）のトリスアゾ顔料を真空蒸着法によシ被膜形成す
るか、あるいは適当なバインダー中に分散含有させて被
膜形成することにより！子写真感光体を構成することが
できる。

本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性を示す被
膜を適用することができる。

電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限シ
多くの前述の光導電性を示す化合物を含有し、且つ発生
した電荷キャリアの飛程を短かくするために薄膜層、例
えば５μｍ以下、好ましくは０．０１〜１μｍの膜厚を
もつ薄膜層とすることが好ましい。このことは、入射光
量の大部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キャ
リアを生成すること、さらに発生した電荷キャリアを再
結合や捕獲（トラフｆ）によシ失活することなく電荷輸
送層に注入する必要があるととに帰因している。

電荷発生層は、前述した様Ｋ、例えば、一般式（１）の
トリスアゾ顔料を適当なバインダーに分散させ、これを
基体の上に塗工することによって形成でき、また真空蒸
着装置によシ蒸着膜を形成することによって得ることが
できる。電荷発生層を塗工によって形成する際に用いう
るバインダーとしては広範なＰ３緑性樹脂から選択でき
、またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、＆リビニルアン
トラセンやポリビニルピレンなどの有機光導電性Ｉリマ
ーから選択できる。好ましくは、ポリビニルブチラール
、ボリアリレート（ビスフェノールＡとフタル酸の縮重
合体など。）ぼりカーゴネート、？リエステル、フェノ
キシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリ
ルアミド樹脂、？リアミド、ポリビニルピリジン、セル
ロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポヤシ樹脂、カゼイン
、？リビニルアルコール、？リピニルピロリト９ンナト
の絶縁性樹脂を挙げることができる。電荷発生層中に含
有する樹脂は、８０重量％以下、好ましくは４０重量％
以下が適している。

これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なシ、また下述の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機溶剤として
は、メタノール、エタノール、イソプロパツールなどの
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノンなどのケトン類、　Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類
、ジメチルスルホキシドなどのスルホ中シト類、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメ
チルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチ
ルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジ
クロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなど
の脂肪族ハロダン化炭化水５ＨＥｌルいはペンゼ／、ト
ルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、
ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用いることがで
きる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ピードコーティング法、
マイヤーパーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。乾燥
は、室温における指斂乾燥後、加熱乾燥する方法が好ま
しい。加熱乾燥は、３０６Ｃ〜２００℃の温度で５分〜
２時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうこと
ができる。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、との電荷
輸送層は、導電性基体よシみて電荷発生層よシ遠い側に
位置していてもよくまたその電荷発生層との間に位置し
ていてもよい。

電荷輸送層が電荷発生層より遠い側に形成される場合、
電荷輸送層における電荷キャリアを輸送する物質（以下
、単に電荷輸送物質という）は、前述の電荷発生層が感
応する電磁波の波長域に実質的に非感応性であることが
好ましい。ここで言う「電磁波」とは、ｒ線、Ｘ線、紫
外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包
含する広義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の
光感応性波長域が電荷発生層のそれと一致また社オーバ
ーラッグする時には、両者で発生した電荷キャリアが相
互に捕獲し合い、結果的には感度の低下の原因となる。

電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があシ、電子輸送性物質としては、クロルアニル、ブロ
モアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、２，４．７−　）ジニトロ−９−フルオレノン
、２，４，５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン、
２，４．７−　）ジニトロ−９−ジシアノメチレンフル
オレノン、２，４，５，７−ケトンニトロキサントン、
　２，４．８−　トリニドロチオキサントン等の電子吸
引性物質やこれら電子吸引性物質を高分子化したもの等
がある。

正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチルカルバソ
ール、Ｎ−ｆソプロピルカル／４ゾール、Ｎ−メチル−
Ｎ−フェニルヒドラジノ−３−メチリテン−９−エチル
カルバソール、　Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−
メチリデン−９−エテルカルノぐゾール、Ｎ、Ｎ　−・
ジフェニルヒドラシノー３−メチリデン−１０−二チル
フエノチアジン、　Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３
−メチリデン−１０−エチルフェノキサジン、ｐ−ジエ
チルアミノベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニル上Ｐ
ｈシン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ−α
−ナフチル−Ｎ−フェニルヒドラゾン、ｐ−ピロリジノ
ベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、　
１．３＋３−　ト１，１メチルインドレニンーω−アル
デヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ノエチル
ペンズアルデヒドー３−メチルベンズチアゾリノン−２
−ヒドラゾン等のヒドラゾ７類、２．５−ビス（ｐ−ジ
エチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサゾアゾー
ル、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル
）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、
１−（’ｌ’／す＃（２））　−３−（ｐ−ジエチルア
ミノスｆ　！Ｊ　ル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２）　）　−３−
（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、１−〔６−メドキシーピ
リゾル（２）　）　−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ヒラゾリン
、１−〔ピリジル（３）　〕−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、１−〔レピジル（２）　）　−３−（ｐ−ジ
エチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２）　）−３−
（ｐ−ジエチルアミノスチリル−４−メチル−５−（ｐ
−ジエチルアミノフェニル）ヒラゾリン、１−（ピリツ
ル（２）　〕−３−（α−メチル−ｐ−ジエチルアミノ
スチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラ
ゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−４−メチル−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）ヒラゾリン、１−フェニル−３−（α−ベンジル−
ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルア
ミノフェニル）ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピ
ラゾリン類、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６
−ジニチルアミノペンズオ中すゾール、２−（ｐ−ジエ
チルアミノフェニル）−４−（ｐ−ツメチルアミノフェ
ニル）−５−（２−クロロフェニル）オキサゾール等の
オキサゾール系化合物、２−（ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−６−ジニチルアミノペンゾチアゾール等のチア
ゾール系化合物、ビス（４−ノエチルアミノー２−）ｆ
ルフェニル）−フェニルメタン等のトリアリールメタン
系化合物、１，１−ビス（４−Ｎ、Ｎ　−ジエチルアミ
ノ−２−メチルフェニル）ヘグタ／、１．１，２．２−
テトラキス（４−Ｎ、Ｎ−ツメチルアミノ−２−メチル
フェニル）エタン等のプリアリールアルカン類、トリフ
ェニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアク
リジン、ポリ−９−ビニルフェニルアント２セン、ビレ
／−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルム
アルデヒド樹脂等がある。

これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−テ
ルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。

また、これらの電荷輸送物質は、１種または２種以上組
合せて用いることができる。

電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーＩネート、ポ
リスチレン、アクリロニトリルースチレンコＩリマー、
アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁
性樹脂、あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光導
電性ポリマーを挙げることができる。

電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、５〜３０μｍであるが、好ましい範囲は８〜２０
μｍである。塗工によって電荷輸送層を形成する際には
、前述した様な適当なコーティング法を用いることがで
きる。

この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電性基体として例えば導電層を有する基体の
上に設けられる。導電層を有する基体としては、基体自
体が導電性をもつもの、例えばアルミニウム、アルミニ
ウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリブ
デン、クロム、チタン、ニッケル、インジウム、金や白
金などを用いることができ、その他にアルミニウム、ア
ルミニウム合金、酸化インジウム、酸化錫、酸化インジ
ウム−酸化錫合金などを真空蒸着法によって被膜形成さ
れた層を有するプラスチック（例えばポリエチレン、ポ
リゾロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタ
レート、アクリル樹脂、ポリスフ化エチレンなど）、導
電性粒子（例えば、カーデンブラック、銀粒子など）を
適当なバインダーとともにグラスチックの上に被覆した
基体、導電性粒子をプラスチックや紙に含浸した基体や
導電性／リマーを有するグラスチックなどを用いること
ができる。

導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層ハ、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリルＭ−：！、ｉＦ’）マー、ポリアミド（ナイロ
ン６、ナイロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロン
、アルコキシメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、
ゼラチン、酸化アルミニウムなどによって形成できる。

下引層の膜厚は、０．１〜５μｍ、好ましくは６．　ｓ
〜３μｍが適当である。

導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に位置した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あシ、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に
達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が得
られる。これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙
やプラスチックフィルム等に転写後、現像し定着するこ
とができる。

また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
しても良く、特定のものに限定されるものではない。

一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があシ、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和し
、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。

現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に正電荷
性トナーを用いる必枳がある。

導電層・電荷輸送層・電荷発生層の順に位置した感光体
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必要
があシ帯電後露光すると、露光部では電荷発生層におい
て生成した電子は電荷輸送層に注入されそのあと導電性
基体に達する。

一方電荷発生層において生成した正孔は表面に達し表面
電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラストが
生じる。この様にしてできた静電潜像を正荷電性のトナ
ーで現像すれば可視像が得られる。これを直接定着する
か、あるいはトナー像をｉやグラスチックフィルム等に
転写後現像し定着することができる。また、感光体上の
静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現像し、定着する
方法もとれる。現像剤の種類や現像方法、定着方法は公
知のものや公知の方法のいずれを採用してもよく、特定
のものに限定されるものではない。

一方、電荷発生層が正孔輸送性物質からなるときは、電
荷発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入されその後導電性基体に達する。一方電荷
発生層において生成した電子は表面に達し表面電位の減
衰が生じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。

現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負電荷
性トナーを用いる必要がある。

また、本発明の別の具体例では、前述のヒＰラゾン類、
ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリア
リールメタン類、ポリアリールアルカン類、トリフェニ
ルアミン、ポリ＋Ｎ−ビニルカルバゾール類など有機光
導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの
無機光導電性物質の増感剤として前述の一般式ＣＩ）の
トリスアゾ顔料を含有させた感光被膜とすることができ
る。

この感光被膜は、これらの光導電性費質と前述の一般式
ＣＩ）のトリスアゾ顔料をバインダーとともに塗工によ
って被膜形成される。

本発明の別の具体例としては前述の一般式ＣＩ）のトリ
スアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含有させた
電子写真感光体を挙げることができる。この際前述の電
荷輸送物質の他にポリ＋　Ｎ　＋ビニルカルバゾールと
トリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯体化合物を
用いることができる。

この例の電子写真感光体は前述の一般式ＣＩ）のトリス
アゾ顔料と電荷移動錯体化合物をテトラヒドロフランに
溶解されたポリエステルの溶液中に分散させた後、被膜
形成させて調製できる。

いずれの感光体においても用いる顔料は一般式（１）で
示されるトリスアゾ顔料から選ばれる少なくとも一種類
の顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても結晶質
であってもよい。又必要に応じて光吸収の異なる顔料を
組合せて使用し感光体の感度を高めたシ、ノ！ンクロマ
チックな感光体を得るなどの目的で一般式ＣＩ）で示さ
れるジスアゾ顔料を２種類以上組合せたシ、または公知
の染料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合せて使用
することも可能である。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、レーザープリンターやＣＲＴグリンター、Ｌ
ＥＤプリンター、液晶プリンター、レーデ−製版等の電
子写真応用分野にも広く用いる事ができる。

〔実施例〕

以下本発明を実施例によって説明する。

実施例１〜２５ アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液ｃカゼイｙ１
１．２ｅｓ、アンモニア水１？、水２２２ｍ／）をマイ
ヤーパーで乾燥後の膜厚が１．０μとなる様に塗布し乾
燥した。

次に前記例示のトリスアゾ顔料４１５ｉＰをエタノール
９５ｄにブチラール樹脂（ブチラール化度６３モル％）
２ｉＰを溶かした液に加えサンドミルで２時間分散した
。この分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥後の
膜厚が０．５μとなる様にマイヤーパーで塗布し乾燥し
て電荷発生層を形成した。次いで構造式 のヒドラゾン化合物５ｉＰとポリメチルメタクリレート
樹脂（数平均分子量１０００００　’）　５ｙ−をベン
ゼン７０ゴに溶解しこれを電荷発生層の上に乾燥後の膜
厚が１２μｍとなる様にマイヤーパーで塗布し乾燥して
電荷輸送層を形成し実施例１の感光体を作成した。トリ
スアゾ顔料Ｓ１に代えて８ｇ１〜３表に示す他の例示顔
料を用い実施例２〜２５に対応する感光体を全く同様に
して作成した。

この様にして作成した電子写真感光体を川口電機（株）
製静電複写紙試験装置Ｍｏｄｅ　Ｉ　ＳＰ　−４２８を
用いてスタティック方式で−５ｋＶでコロナ帯電し暗所
で１秒間保持した後照度２Ｌｕｘで露光し帯電特性を調
べた。帯電特性としては表面電位（ＶＯ）と１秒間暗減
衰させた時の電位を強に減衰するに必要な露光ｆ０４）
を測定した。この結果を第１表に示す。

第　　１　　表 実施例２６〜２９ 実施例２，１４．１６．２２に用いた感光体を用い繰シ
返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測定した。方
法としては−５，６ｋＶのコロナ帯電器、露光光学系、
現像器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリーナー
を備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼シ付
けたこの複写機はシリンダーの駆動に伴い、転写紙上に
画像が得られる構成になっている。この複写機を用いて
初期の明部電位（Ｖｔ、）と暗部電位（ｖｎ）をそれぞ
れ−ｉ　ｏ　ｏｖ、−６００Ｖ付近に設定し５０００回
使用した後の明部電位（ＭＬ）、暗部電位（Ｖｏ）を測
定した。この結果を第２表に示す。

実施例３０ 実施例２で作製した電荷発生層の上に、２，４．７−ド
リニトロー９−フルオレノン４Ｍ’と、ＩｅｌＪ−４，
４′−ジオキシジフェニル−２，２′−グロノクンカー
ボネート（分子量３００，０００　）５／−をテトラヒ
ロフラン７０ゴに溶解して作製した塗布液を乾ｉ後の塗
工量が１０７７ｍ２となる様に塗布し、乾燥した。

こうして作成した電子写真感光体を実施例１と同様の方
法で帯電測定を行なった。この時、帯電極性は十とした
。この結果を以下に示す。

ｖｏ　　：　■　６００　Ｍルト Ｅ％　　：　　３．５　　ｔｕｘ−ｓｅｃ実施例３１ アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚０．５μのポリビニルアルコールの被膜を
形成した。次に実施例２で用いたトリスアゾ顔料の分散
液を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥後
の膜厚が０．５μとなる様にマイヤーパーで塗布し乾燥
して電荷発生層を形成した。次いで構造式 のピラゾリン化合物５ｉＰとボリアリレート樹脂（ビス
フェノールＡとテレフタル酸−イソ７タル酸の縮重合体
）５ｉＰをテトラヒドロ７ラン７０ｒＩＬｌに溶かした
液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が１０μとなる様に
塗布し乾燥して電荷輸送層を形成した。こうしてＰＪ４
製した感光体の帯電特性および耐久特性を実施例２６と
同様の方法によって測定した。この結果を第３表に示す Ｖｏ　　　：　　Ｃ）６５５　　ｚｈトＥＶ２：　２．
８　　ｔｕｘ、ｓｅａ 第　３　表　（耐久特性） 第３表の結果よシ感度も良く耐久使用時の電位安定性も
良好である。

実施例３２ 厚さ１００μのアルミ板上にカゼインのアンモニア水溶
液を塗布し乾燥してＭ淳０．５μの下引層を形成し友。

次に２．４．７−　）ジニトロ−９−フルオレノン５ノ
とポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分子量３００
０００　）　ｓ　ｐ−をテトラヒドロフラン７０ｄに溶
かして電荷移動値体化合物を形成した。この電荷移動錯
体化合物と前記例示のトリスアゾ顔料Ａ２２．１？をポ
リエステル樹脂（）々イロン：東洋紡製＞ｓｒをテトラ
ヒドロ７ラン７０Ｍ１に溶かした液に加え分散した。こ
の分散液を下引層の上に塗布し乾燥して１２μの感光体
を作成した。

こうして調製した感光体の帯電特性と耐久特性を実施側
光と同様の方法によって測定した。この結果を以下に示
す。但し帯電極性は■とした。

Ｖｏ　　：　（Ｅ）　　６１５　　Ｖ Ｅ％　　：　３．５　　ｔｕｘ、ｓ＠ｃ実施例３３ 実施例３２で用いたカゼイン層を施したアルミ基体のカ
ゼイン層上に実施例２の電荷輸送層、電荷発生層を順次
積層し、層構成を異にする以外は実施例１と全く同様に
して感光体を形成し、実施例１と同様に帯電特性を測定
した。但し帯電極性を■とした。この結果を以下に示す
。

ｖｏ：■　６０５　ｖ ＥｌＡ：　　４．Ｏｔｕｘ、ｓｅｃ 〔発明の効果〕 本発明によれば、特定のトリスアゾ顔料を感光層に用い
る事によシ轟該のアゾ顔料を含む感光層内部に於けるキ
ャリアー発生効率ないしはキャリアー輸送効率のいずれ
の一方ないしは双方が良くなる事が推察され、結果的に
高感度で耐久性、とシわけ耐久使用時に於ける電位安定
性のすぐれた電子写真感光体が構成される。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 導電性基体上に下記一般式［ I ］で示されるトリスア
   ゾ顔料を含有する感光層を有することを特徴とする電子
   写真感光体。 ［記］ 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１及びＲ＿２は夫々水素原子、ハロゲン原
   子、シアノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、
   アリール基、アラルキル基又はアルコキシ基を示しＡは
   フェノール性水酸基を有するカプラー残基を示しＡｒは
   置換基を有していてもよい炭素環式芳香族基又は複素環
   式芳香族基を示し、Ｚは単結合を示すか、又は置換基を
   有していてもよいメチレン基、エチレン基、酸素、硫黄
   もしくは置換アミノ基を示す） （２）一般式［ I ］のＡ＿１、Ａ＿２又は及びＡ＿３
   が下記一般式［II］、一般式［III］、一般式［IV］、
   一般式［Ｖ］、一般式［VI］、一般式［VII］又は一般
   式［VIII］で示されるカプラー残基である特許請求の範
   囲第（１）項記載の電子写真感光体。 ［記］ 一般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｘ＿１は式中のベンゼン環と縮合している多環芳
   香環又はヘテロ環を形成するのに必要な原子群を示す。 Ｒ＿２及びＲ＿３は、夫々水素原子、置換基を有してい
   てもよいアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘ
   テロ環基を表わし、あるいはＲ＿２及びＲ＿３と結合す
   る窒素原子とともで環状アミノ基を形成するのに必要な
   原子群を表わす。 一般式［III］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ＿４は置換基を有していてもよいアルキル基、
   アリール基又はアラルキル基を示す。 一般式［IV］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ＿５は置換基を有していてもよいアルキル基、
   アリール基又はアラルキル基を示す。 一般式［Ｖ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｙ＿１は芳香族炭化水素の２価の基ないしは式中
   の２つの窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示
   す。 一般式［VI］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中のＹ＿２は芳香族炭化水素の２価の基ないしは窒素
   原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。 一般式［VII］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ＿６は置換基を有していてもよいアリール基又
   はヘテロ環基を示しＸ＿２は一般式［II］中のＸ＿２と
   同じ意味を有する。 一般式［VIII］ ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中のＲ＿７、Ｒ＿８は置換基を有していてもよいアル
   キル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を示
   す。Ｘ＿３は一般式［II］中のＸ＿１と同じ意味を表わ
   す。