JPS63224254A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に係り、特に半導体基板上にバイポ
ーラトランジスタを形成した半導体集積回路装置に関す
る。

〔従来の技術〕

従来の半導体集積回路装置では、バイポーラトランジス
タを形成する際１分離島内の半導体基板中にベース層お
よびエミッタ層を拡散形成し、エミッタ層形成と同時に
コレクタ・コンタクト用の高濃度不純物領域を形成して
いた。しかし、同一基板内に種々の耐圧のバイポーラト
ランジスタを形成するため、基板濃度は高耐圧素子に合
せて低くする必要があり、低耐圧素子のコレクタ抵抗を
低減する配慮はなされていなかった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術においては、基板濃度を低くする必要から
半導体集積回路装置内に形成された低耐圧バイポーラト
ランジスタのコレクタ抵抗低減についての配慮がなされ
ておらず、コレクタ電流および電流増幅率ｈｒｐが低い
という問題点があった。

本発明の目的は、この問題点を解決し、高性能のバイポ
ーラトランジスタを作り込んだ半導体集積回路装置を提
供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、分離島内に拡散形成されたベース層の周囲
に形成されたコレクタ層に対しイオン打込などの技術を
用いて選択的に高濃度不純物層を形成することにより達
成される。

〔作用〕

コレクタ層の表面に形成された高濃度不純物層は、コレ
クタ層の横方向抵抗を低下する作用をもつ。この作用に
よってコレクタ電流が増大し、電流増幅率ｈＦＥが向上
する。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第２図の従来例と対比させて
第１図により説明する。

半導体基板内にバイポーラトランジスタ１および１′を
形成するには、まず公知の誘電体分離島形成により半導
体基板内にＳｉＯ２膜からなるｎ型の分離層２１分離島
３および高濃度不純物層４を形成する。次いで分離層２
内にＰベース層５およびｎエミッタ層６を拡散形成する
（従来例ではｎ型オーミック・コンタクト層７をｎエミ
ッタ層６の拡散形成と同時に形成する）。最後に本実施
例ではｎ型不純物（例えばリン）を選択的にＰベース層
５の周囲にイオン打込し、ｎ型高濃度不純物層８を形成
する。

本実施例によればコレクタ抵抗Ｒ１を従来例によるコレ
クタ抵抗Ｒ２より低くすることができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、半導体集積回路装置内にコレクタ電流
が大きく電流増幅率ｈＦｇが大きいバイポーラトランジ
スタを形成することができ、高性能のバイポーラトラン
ジスタを作り込んだ半導体集積回路装置を提供すること
ができる４

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図、
第２図は従来例を示す半導体装置の断面図である。 １．１′・・・バイポーラトランジスタ、２・・・分離
層、３・・・分離島、４・・・高濃度不純物層、５・・
・ｐベース層、６・・・ｎエミッタ層、７・・・ｎ型オ
ーミック・コンタクト層、８・・・ｎ型高濃度不純物層
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、半導体基板中に形成した分離島内に半導体基板と反
   対導電型のベース層を形成し、該ベース層中に半導体基
   板と同一導電型のエミッタ層を形成し、該分離島内の該
   ベース層が形成されていない部分に半導体基板と同一導
   電型の高濃度不純物層を形成してなる半導体装置におい
   て、該分離島内の該ベース層が形成されていない部分に
   半導体基板と同一導電型の高濃度不純物層を形成したこ
   とを特徴とする半導体装置。