JPS632251B2

JPS632251B2 -

Info

Publication number: JPS632251B2
Application number: JP55087909A
Authority: JP
Inventors: Kenzo Watanabe; Takeshi Ju; Takeo Ooba; Toshio Tanaka; Noriaki Okamura; Kyoshi Sakauchi; Seiji Kurozumi
Original assignee: Teijin Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1980-06-30
Filing date: 1980-06-30
Publication date: 1988-01-18
Also published as: JPS5714560A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は新規シクロペンテン誘導体およびその
製造法に関する。更に詳しくはdl−４−ハイドロ
キシ−２−シクロペンテン−１−オンから得られ
る化合物であつて、プロスタグランジンの重要中
間体である光学活性な４−ハイドロキシ−２−シ
クロペンテン−１−オンに導びかれる新規なシク
ロペンテン誘導体およびその製造法に関する。

４−ハイドロキシ−２−シクロペンテン−１−
オン及びその誘導体は、本発明者等が既に示した
ように〔Tetrahedron Lett.、1535（1975）〕プロ
スタグランジン類の合成中間体として極めて有用
な化合物である。光学活性な４−ハイドロキシ−
２−シクロペンテン−１−オン誘導体の合成法と
しては、本発明者等が示した３・５−ジアセトキ
シシクロペンテンを酵素を用いて限定加水分解し
た後２行程を経る方法〔Tetrahedron、32、1713
（1976）〕、およびR.W.Rickards等が示した２・
３・５−トリクロロフエノールを出発原料とし、
Hantscha cidを光学分割した後４行程を経る方
法〔Tetrahedron Lett.、1539（1979）〕が知られ
ている。しかしながらこれらの方法は、出発原料
の合成、反応条件の設定等が困難である、重金属
化合物を用いる、反応収率が低い、等のうちのい
くつかの欠点を有することが知られており、工業
的に有利な方法とは言い難い。本発明者らはdl−
４−ハイドロキシ−２−シクロペンテン−１−オ
ンから、これを光学分割することによつて、光学
活性な４−ハイドロキシ−２−シクロペンテン−
１−オンを得ることについて鋭意研究した結果、
光学分割の工程において種々の新規なシクロペン
テン誘導体が得られることを見出し本発明に到達
したものである。

本発明で提供される新規シクロペンテン誘導体
は下記式〔〕〔式中、Ｒは水素原子、低級アルキル基又は光学
活性なアミンのアミニウムイオンを表わし、記号
＊はその炭素原子の絶体配位がＲ配位あるいはＳ
配位およびそれらが任意の比で混合されているこ
とを表わす。〕で表わされる。

上記式〔〕で表わされる新規なシクロペンテ
ン誘導体においてＲは水素原子、低級アルキル
基、光学活性なアミンのアミニウムイオンを表わ
す。かかる低級アルキル基としては炭素数１〜４
のアルキル基があげられ、さらに具体的にはメチ
ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、
ブチル基、ｔ−ブチル基等を挙げることが出来
る。光学活性なアミンのアミニウムイオンとは、
カルボキシル基と塩を形成することが出来る光学
活性アミンのプロトン付加陽イオンを表わし、カ
ルボキシラート陰イオンと一対を成すものであ
る。かかるアミニウム塩を形成する光学活性アミ
ンとしては、具体的にはシンコニン、シンコニジ
ン、ブルシン、ストリキニン、キニン、キニジ
ン、モルフイン等の天然アルカロイド、リジン、
フエニルアラニンメチルエステル、フエニルグリ
シンエチルエステル等の光学活性アミノ酸及びア
ミノ酸誘導体、（Ｒ）−α−フエニルエチルアミ
ン、（Ｓ）−α−フエニルエチルアミン等の合成分
割剤等を挙げることが出来る。

上記式〔〕中記号＊はその炭素原子の絶対配
位がＲ配位あるいはＳ配位およびそれらが任意の
比で混合されていることを表わす。具体的にはＳ
配位とＲ配位の化合物の比が１：０から０：１ま
でのいかなる混合比の混合物も含むことを表わ
す。

上記式〔〕で表わされる化合物をさらに詳し
く述べるならば、次の３種の化合物群として好ま
しく例示される。

下記式〔−ａ〕で表わされる新規シクロペンテン誘導体、下記式〔−ｂ〕〔式中、R¹は光学活性なアミンのアミニウムイ
オンを表わし、記号＊はその炭素原子がＲ配位又
はＳ配位あるいはそのどちらか一方を多く含むこ
とを表わす。〕で表わされる新規シクロペンテン誘導体、下記式〔−ｃ〕〔式中、R²は水素原子又は低級アルキル基を表
わし、記号＊はその炭素原子がＲ配位又はＳ配位
あるいはそのどちらか一方を多く含むことを表わ
す。〕で表わされる新規シクロペンテン誘導体である。

前記式〔〕で表わされる化合物としては、例
えば、 (1) ４−（ｏ−カルボキシベンゾイルオキシ）−２
−シクロペンテン−１−オン (2) ４−（ｏ−カルボキシベンゾイルオキシ）−２
−シクロペンテン−１−オンのシンコニン塩、
シンコニジン塩、ブルシン塩、ストリキニン
塩、キニン塩、キニジン塩、モルフイン塩、リ
ジン塩、（Ｒ）−α−フエネチルアミン塩、及び
（Ｓ）−α−フエネチルアミン塩 (3) ４−（ｏ−メトキシカルボニルベンゾイルオ
キシ）−２−シクロペンテン−１−オン (4) ４−（ｏ−エトキシカルボニルベンゾイルオ
キシ）−２−シクロペンテン−１−オン (5) ４−（ｏ−イソプロピルオキシカルボニルベ
ンゾイルオキシ）−２−シクロペンテン−１−
オン (6) ４−（ｏ−ｔ−ブチルオキシカルボニルベン
ゾイルオキシ）−２−シクロペンテン−１−オ
ン等を挙げることが出来る。これらの化合物は、前
記式〔〕における記号＊の炭素原子に関してＲ
配位の化合物、Ｓ配位の化合物及びそれらの任意
の比率の混合物を全て含むものである。

前記式〔〕で表わされる化合物、これらに含
まれる前記式〔−ａ〕、〔−ｂ〕、〔−ｃ〕で
表わされる化合物は、dl−４−ハイドロキシ−２
−シクロペンテン−１−オンを光学分割し、光学
活性な４−ハイドロキシ−２−シクロペンテン−
１−オンを得る行程において得られるものであ
り、これらの化合物の製造法をフローシートで示
せば次のようになる。

すなわち、第一工程としてdl−４−ハイドロキ
シ−２−シクロペンテン−１−オンを塩基の存在
下、無水フタル酸と反応せしめ、下記式〔−
ａ〕で表わされる新規シクロペンテン誘導体が得ら
れ、次いで第２工程としてこれを光学活性なアミ
ンと反応せしめた後、分別再結晶を行い下記式
〔−ｂ〕〔式中、R¹は光学活性なアミンのアミニウムイ
オンを表わし、記号＊はその炭素原子がＲ配位ま
たはＳ配位あるいはそのどちらか一方を多く含む
ことを表わす。〕で表わされる新規シクロペンテン誘導体が得ら
れ、次に第３工程で酸で処理して脱アミンし、必
要に応じてエステル化して下記式〔−ｃ〕〔式中、R²は水素原子または低級アルキル基を
表わし、記号＊はその炭素原子がＲ配位またはＳ
配位あるいはそのどちらか一方を多く含むことを
表わす。〕で表わされる新規シクロペンテン誘導体が得ら
れ、次に第４工程で還元し、必要に応じてエステ
ル化して下記式〔−ｄ〕〔式中、R²は水素原子または低級アルキル基を
表わし、X¹及びY¹はそのどちらか一方が水素原
子であり、他の一方が水酸基を表わし、記号＊は
その炭素原子がＲ配位またはＳ配位あるいはその
どちらか一方を多く含むことを表わす。〕で表わされる新規シクロペンテン誘導体が得られ
る。

次にこれを第５工程で保護し、第６工程で加水
分解して下記式〔〕〔式中、Ｚは保護基を表わし、シクロペンテン環
上の２つの置換基、OZ基及びOH基は互いにシ
ス又はトランスである。〕で表わされる光学活性なシクロペンテン誘導体と
しこれを第７工程で酸化することによつて光学活
性な４−ハイドロキシ−２−シクロペンテン−１
−オンの保護体、すなわち低級トリアルキルシリ
ル体あるいはテトラヒドロピラニル体を製造する
ことが出来る。

本発明の第１工程で用いられるdl−４−ハイド
ロキシ−２−シクロペンテン−１−オンは本発明
者等が別途提案した方法すなわち２−メチルフラ
ンを臭素化後、リン酸緩衝液にて処理する方法、あるいは３−シクロペンテン−１−オンをエポ
キシ化後パラジウム化合物を用いて異性化する方
法、などを用いて合成することが出来るが、他のいか
なる方法を用いてもかまわない。他方の原料であ
る無水フタル酸は公知化合物である。

また、第一工程において用いる塩基としては、
ピリジン、コリジン、ルチジン、４−ジメチルア
ミノピリジン、トリエチルアミン、トリプチルア
ミン、１・５−ジアザビシクロ〔５・４・０〕ウ
ンデカ−５−エン（DBU）、１・５−ジアザピシ
クロ〔４・３・０〕ノナ−５−エン等の有機塩基
及びその混合物が用いられ、特にピリジン、４−
ジメチルアミノピリジンが好ましく用いられる。
溶媒としては用いる塩基により異るが、塩基自体
を溶媒とする場合、四塩化炭素、クロロホルム、
塩化メチレンなどのハロゲン系溶媒、ジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶
媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン等
の炭化水素系溶媒あるいはこれらの混合物が好ま
しく用いられる。

無水フタル酸は４−ハイドロキシ−２−シクロ
ペンテン−２−オンに対し通常0.8倍〜４倍モル
好ましくは１倍〜２倍モル用い、塩基に４−ハイ
ドロキシ−２−シクロペンテン−２−オンに対し
て0.8倍〜10倍モル程度用いられるが、塩基が溶
媒も兼ねる場合には100倍モル程度用いてもかま
わない。

反応温度は−50℃〜60℃の範囲で行なわれるが
好ましくは−20℃〜40℃で行なわれる。反応時間
は反応温度と用いた塩基により異なるが通常１時
間〜４日間程度である。

このようにして第一工程の反応は行なわれる
が、生成物の単離は通常の抽出操作の後カラムク
ロマトグラフイー等の操作により行なわれる。

第二工程の光学分割に用いられる光学活性アミ
ンとしてはシンコニン、ジンコニジン、ブルシ
ン、ストリキニン、キニン、キニジン、モルフイ
ン等の天然アルカロイド、リジン、フエニルアラ
ニンメチルエステル、フエニルグリシンエチルエ
ステル等の光学活性アミノ酸及びアミノ酸誘導
体、（Ｒ）−α−フエニルエチルアミン、（Ｓ）−α
−フエニルエチルアミン等の合成分割剤等が用い
られるがこれらに限定されるものではない。

通常、光学活性アミンと前記式〔−ａ〕で表
わされる４−（ｏ−カルボキシベンゾイルオキシ）
−２−シクロペンテン−１−オンの塩の形成反応
は両者を適当な溶媒中で混合することによつて行
なわれる。用いられる溶媒としては例えば、クロ
ロホルム、塩化メチレン、四塩化炭素等のハロゲ
ン系溶媒、メタノール、エタノール等のアルコー
ル系溶媒あるいはアセトニトリル、アセトン等も
用いることが出来る。

かくして得られた塩は、溶媒を留去した後、適
当な溶媒より分別再結晶をくり返すことにより分
割が行なわれる。分割に用いられる再結晶溶媒
は、用いる光学活性アミンによつて異なり一概に
は言えないが、例えば、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、イソプロパノール等のアルコ
ール系溶媒、エーテル、テトラヒドロフラン等の
エーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケト
ン、酢酸、酢酸エチル等のカルボニル化合物、塩
化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロ
ゲン系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキサイド等が用いられる。

分別再結晶にて得られた化合物の絶対配位は用
いる光学活性アミンあるいは場合によつては再結
晶に用いる溶媒によつても異なり一概には言えな
いが、例えばブルシンを用いてメタノール中で分
別再結晶を行なつた場合には、（4S）−４−（ｏ−
カルボキシベンゾイルオキシ）−２−シクロペン
テン−１−オンのブルシン塩が得られる。また、
場合によつては、分別再結晶の母液より、絶対配
位が結晶とは逆の化合物が得られる場合もある。
また、分別再結晶の回数は用いる光学活性アミ
ン、再結晶溶媒により異なり、さらに必要とする
光学純度によつても異なり一概には言えないが、
通常１回〜30回程度である。

第３工程は前記式〔−ｂ〕で表わされる塩を
酸で処理することによつて行なわれる。例えば以
下のような方法が好ましく行なわれる。まず、前
記式〔−ｂ〕で表わされる塩を適当な溶媒、例
えば塩化メチレン、エーテルなどに溶解あるいは
懸濁しこれに１当量〜10当量の範囲内で希塩酸あ
るいは希硫酸等の鉱酸を加え抽出する。有機層を
水洗後、乾燥、濃縮して光学活性な４−（ｏ−カ
ルボキシベンゾイルオキシ）−２−シクロペンテ
ン−１−オンを得ることが出来る。

かくして得られた光学活性４−（ｏ−カルボキ
シベンゾイルオキシ）−２−シクロペンテン−１
−オンは水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の
強アルカリに対して不安定であるため、通常のア
ルカリ加水分解条件ではフタル酸残基を除去する
ことはできない。本発明者等は、このフタル酸残
基の除去方法を鋭意検討した結果、以下に述べる
反応によつてこれを除去出来ることを見い出すこ
とが出来た。

まず、第３工程、第４工程においては、カルボ
キシ基のエステル化とカルボニル基の選択的還元
の工程であるが、この２つの行程の反応は、どち
らを先に行なつてもかまわない。

エステル化反応は通常のエステル化条件、すな
わちジアゾメタン、ジアゾエタン等のジアゾ化合
物を用いる方法、硫酸、塩酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸、三フツ化ホウ素エーテラート等の酸触媒
を用いメタノール、エタノール、プロパノール、
イソプロパノール、ブタノール等の溶媒中で行な
う方法等が用いられるが特にジアゾメタンを用い
る方法が好しく用いられる。

選択的還元反応は分子内に存在する二重結合、
エステル基、カルボキシル基などの還元されやす
い官能基を損うことなく選択的にカルボニル基を
還元する反応である。このような選択的還元剤と
してはたとえばアルミニウムアマルガム／エーテ
ル−水、ジボラン−エチレンジアミン錯体、アル
ミニウムトリイソプロポキサイド／イソプロパノ
ール、水素化ホウ素ナトリウムとランタニド金属
塩等が用いられるが、特に水素化ホウ素ナトリウ
ムとランタニド金属塩を用いる方法が好ましく用
いられる。

水素化ホウ素ナトリウムとランタニド金属塩を
用いる還元反応に用いられるランタニド金属塩と
しては主に三塩化セリウム、三塩化ユーロピウ
ム、三塩化サマリウムが用いられる。水素化ホウ
素ナトリウムは原料に対して1.0〜3.0倍モル用
い、ランタニド金属塩は水素化ホウ素ナトリウム
に対して0.9倍〜1.1倍用いられる。反応溶媒はメ
タール、水、エタノール、テトラヒドロフラン、
クロロホルムあるいはこれらの混合溶媒が用いら
れ、反応温度は−50℃〜50℃、好ましくは−30℃
〜20℃であり、反応時間は５分から２時間、好ま
しくは10分から１時間である。

かくして得られた還元生成物は通常の方法、す
なわち抽出操作の後カラムクロマトグラフイー等
により精製することが出来る。

第５工程のアルコールの保護反応は、適当なシ
リル化剤あるいは、ジヒドロピランにより行なわ
れる。シリル化剤としては、トリメチルシリルク
ロライド、トリエチルシリルクロライド、ｔ−ブ
チルジメチルシリルクロライド等のトリアルキル
シリルクロライド、あるいは、トリメチルシリル
イミダゾール、ビス（トリメチルシリル）アセト
アミド等を挙げることが出来る。また、トリアル
キルシリルクロライドを用いる場合には適当な塩
基、例えば、イミダゾール、ピリジン、トリエチ
ルアミン等を加えるのが好ましい。反応溶媒とし
ては一般の非プロトン性溶媒、例えばジメチルホ
ルムアミド、エーテル、テトラヒドロフラン、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ベンゼンあるいは反
応試薬によつては無溶媒で行なわれる。反応温
度、反応時間は用いるシリル化剤によつて異なる
が通常−30℃〜40℃で１分から３日間である。シ
リル化剤は原料に対し１〜30当量であり、基を用
いる場合には１〜30当量を用いる。

アルコールをテトラヒドロプラニルエーテルで
保護する場合には、パラトルエンスルホン酸、塩
化水素、陽イオン交換樹脂等の酸触媒の存在下、
クロロホルム、エチルエーテル、ベンゼン、ジオ
キサン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミド等の
溶媒中あるいは無溶媒で反応させる。ジヒドロピ
ランは通常原料に対して１当量〜溶媒量用いる。
反応温度は−20℃〜40℃で、反応時間は30分〜５
日間である。

第６工程のエステルの加水分解反応は通常アル
カリ加水分解、あるいは還元的加水分解が用いら
れる。アルカリ加水分解は通常用いられる方法、
例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化リチウム等のアルカリ水溶液と適当な有機溶
媒の混合溶媒中で行なわれる。有機溶媒として
は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、アセトンあるいはこれらの混合
物等が用いられる。アルカリ水溶液は0.1規定〜
４規定程度の濃度のものが用いられ、通常原料に
対して１〜10当量用いられる。反応温度と反応時
間は通常−10〜80℃で、10分〜１日である。

また、還元的加水分解を行なう場合に用いられ
る還元剤としては例えば、水素化リチウムアルミ
ニウム、水素化トリエトキシリチウムアルミニウ
ム、水素化トリｔ−ブチルオキシリチウムアルミ
ニウム、水素化ビス（メトキシエトキシ）ナトリ
ウムアルミニウム、水素化ジイソブチルアルミニ
ウム等が用いられ、反応溶媒としては、ジエチル
エーテル、ジオキサン、ジグライル、テトラヒド
ロフラン、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、キシ
レン等が用いられる。還元剤は、原料に対して１
〜10当量用い、反応温度は−78〜40℃であり、反
応時間は５分〜２時間である。

かくして得られた加水分解生成物は第７工程で
アルコールの酸化反応に付すことによつて目的の
光学活性な４−ハイドロキシ−２−シクロペンテ
ン−１−オンに導びくことが出来る。この化合物
の酸化反応は、本発明者が既に示したように二酸
化マンガンを用いることによつて達成することが
出来るが、その他の酸化剤としては、ピリジニウ
ムジクロロクロメート（PDC）、三酸化クロム−
ピリジン錯体、ピリジニウムクロロクロメート
（PCC）、ジクロロジシアノキノン、炭素銀、ジ
メチルスルホキサイド−ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド、ジメチルスルホキサイド−無水酢酸、
ジメチルスルホキサイド−オギザリルクロライ
ド、ジメチルスルホキサイド−無水トリフルオロ
酢酸等を挙げることが出来る。参考例として
PDCを用いる酸化例を示した。

かくのごとくして得られた光学活性４−ハイド
ロキシ−２−シクロペンテン−１−オンはプロス
タグランジン類の合成中間体として極めて有用な
化合物である。以下具体例を挙げて本発明を詳述
するが、本発明はこれに限定されるものではな
い。

実施例１ dl−４−（ｏ−カルボキシベンゾイルオキシ）−
２−シクロペンテン−１−オン dl−４−ハイドロキシ−２−シクロペンテン−
１−オン5.42ｇを70mlの無水ピリジンに溶解し、
氷冷撹拌下無水フタル酸9.14ｇを加え、同温度で
一夜撹拌した。ピリジンを減圧下で留去した後、
酢酸エチルと一規定の塩酸を加えて抽出した。有
機層を２回水洗し、続いて飽和食塩水で洗つて芒
硝にて乾燥した。これを濃縮した後シリカゲルカ
ラムクロマトグラフイーに付し、クロロホルム−
メタノール（30：１）溶出部分より、dl−４−
（ｏ−カルボキシベンゾイルオキシ）−２−シクロ
ペンテン−１−オン6.16ｇを得た。

NMR（CDCl₃、δ値） 2.46（dd、1H、Ｊ＝2.5、19Hz） 2.96（dd、1H、Ｊ＝６、19Hz） 5.96〜6.25（ｍ、1H） 6.36（dd、1H、Ｊ＝1.5、5.5Hz） 7.3〜8.05（ｍ、5H） 11.8（ｓ、1H） IR（neat） 2000〜3600、1660〜1720 1585、1403、1348cm^-1 また、dl−４−ハイドロキシ−２−シクロペン
テン−１−オン490mgをピリジン６mlに溶解し、
４−ジメチルアミノピリジン50mgを加えた後氷冷
撹拌下無水フタル酸800mgを加え同温度で一夜撹
拌し、同様にして分離精製を行なつたところ479
mgのdl−４−（ｏ−カルボキシベンゾイルオキシ）
−２−シクロペンテン−１−オンが得られた。

実施例２ dl−４−（ｏ−カルボキシベンゾイルオキシ）−
２−シクロペンテン−１−オンのブルシンによ
る分割 dl−４−（ｏ−カルボキシベンゾイルオキシ）−
２−シクロペンテン−１−オン4.24ｇを40mlの塩
化メチレンに溶解し、ブルシン２水和物7.42ｇを
加えて完全に溶解するまで撹拌した。これを濃縮
した後、メタノールより分別再結晶を５回行ない
1.71ｇの４−（ｏ−カルボキシベンゾイルオキシ）
−２−シクロペンテン−１−オンのブルシン塩を
得た。

旋光度〔α〕²² _D＝17.3゜（Ｃ＝2.0、CH₂Cl₂）上記のブルシン塩1.18ｇを塩化メチレンに溶解
し、２規定の塩酸で４回洗い、水洗を２回行なつ
た後、飽和食塩水で洗つて無水硫酸マグネシウム
にて乾燥し、これを濃縮して415mgの光学活性な
４−（ｏ−カルボキシベンゾイルオキシ）−２−シ
クロペンテン−１−オンを得た。

旋光度〔α〕²⁴ _D＝−13.8゜（Ｃ＝1.6、CH₂Cl₂） NMRスペクトル及びIRスペクトルはdl体のそ
れと一致した。

参考例１４−（ｏ−メトキシカルボニルベンゾイルオキ
シ）−２−シクロペンテン−１−オール実施例２で得られた光学活性な４−（ｏ−カル
ボキシベンゾイルオキシ）−２−シクロペンテン
−１−オン152mgをメタノールに溶解し、ジアゾ
メタンのエーテル溶液を薄層クロマトグラフイー
にて原料のスポツトが消失するまで加えた。これ
を減圧にて濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフイーにて分離し、ベンゼン−酢酸エチル
（４：１）溶出部分より151mgの４−（ｏ−メトキ
シカルボニルベンゾイルオキシ）−２−シクロペ
ンテン−１−オンを得た。

NMR（CDCl₃、δ値） 2.40（dd、1H、Ｊ＝2.5、19Hz） 2.92（dd、1H、Ｊ＝６、19Hz） 3.83（ｓ、3H） 5.9〜6.2（ｍ、1H） 6.32（dd、1H、Ｊ＝1.5、5.5Hz） 7.4〜7.9（ｍ、4H）このものをメタノール２mlに溶解し、三塩化セ
リウム７水和物217mgを加えて溶解した後、氷冷
撹拌下水素化ホウ素ナトリウム22mgを４分間で加
えた。これをさらに15分間撹拌した後水と酢酸エ
チルを加えて抽出し、有機層を水洗後芒硝にて乾
燥濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフイーに付し、ヘキサン−酢酸エチル
（２：１）〜（１：１）溶出部分より（シス）−４
−（ｏ−メトキシカルボニルベンゾイルオキシ）−
２−シクロペンテン−１−オール92mgと（トラン
ス）−４−（ｏ−メトキシカルボニルベンゾイルオ
キシ）−２−シクロペン−１−オール35mgを得た。

（シス）−４−（ｏ−メトキシカルボニルベンゾ
イルオキシ）−２−シクロペンテン−１−オール NMR（CDCl₃、δ値） 1.74（dt、1H、Ｊ＝15、3.5Hz） 2.81（dt、1H、Ｊ＝15、7.5Hz） 3.0（br、ｓ、1H） 3.86（ｓ、3H） 4.4〜4.9（ｍ、1H） 5.52〜5.80（ｍ、1H） 5.89〜6.22（ｍ、2H） 7.39〜7.86（ｍ、4H） Massスペクトルｍ／l262（M⁺）（トランス）−４−（ｏ−メトキシカルボニルシ
ベンゾイルオキシ）−２−シクロペンテン−１−
オール NMR（CDCl₃、δ値） 2.0〜2.35（ｍ、2H） 2.4（br、ｓ、1H） 3.84（ｓ、3H） 4.8〜5.25（ｍ、1H） 5.88〜6.25（ｍ、3H） 7.39〜7.90（ｍ、4H） Massスペクトルｍ／l262（M⁺）参考例２４−（ｏ−メトキシカルボニルベンゾイルオキ
シ）−２−シクロペンテン−１−オール実施例２で得られた光学活性な４−（ｏ−カル
ボキシベンゾイルオキシ）−２−シクロペンテン
−１−オン220mgを３mlのメタノールに溶解し、
三塩化セリウム７水和物400mgを加えて溶解し、−
10℃に冷却した後、水素化ホウ素ナトリウム41mg
を９分間で添加した。添加終了後30分撹拌した後
0.5規定塩酸と酢酸エチルを加えて抽出し、水洗
し、さらに飽和食塩水で洗つた後無水硫酸マグネ
シウムで乾燥後濃縮した。濃縮残渣を少量のメタ
ノールに溶解しジアゾメタンのエーテル溶液を加
えてメチルエステル化し濃縮した。これをシリカ
ゲルカラムクロマトグラフイーに付し、（シス）−
４−（ｏ−メトキシカルボニルベンゾイルオキシ）
−２−シクロペンテン−１−オール129mgと（ト
ランス）−４−（ｏ−メトキシカルボニルベンゾイ
ルオキシ）−２−シクロペンテン−１−オール40
mgを得た。

これらの化合物は参考例１で得られた２つの化
合物とそれぞれ薄層クロマトグラフイーのR値
及びNMRスペクトルが全く一致した。

参考例３（シス）−１−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ）−２−シクロペンテン−４−オール参考例１及び参考例２で得られた（シス）−４
−（ｏ−メトキシカルボニルベンゾイルオキシ）−
２−シクロペンテン−１−オール142mgを２mlの
無水ジメチルホルムアミドに溶解し、イミダゾー
ル96mgとｔ−ブチルジメチルシリルクロリド106
mgを加えて室温で一夜撹拌した。これに水と酢酸
エチルを加えて抽出し、有機層を飽和食塩水で洗
い、無水硫酸マグネシウムにて乾燥、濃縮して
（シス）−１−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）
−４−（ｏ−メトキシカルボニルベンゾイルオキ
シ）−２−シクロペンテンの粗生成物214mgを得
た。

NMR 0.77（ｓ、9H） 1.67（dt、1H、Ｊ＝14、５Hz） 2.79（dt、1H、Ｊ＝14、７Hz） 3.74（ｓ、3H） 4.63（dd、1H、Ｊ＝５、７Hz） 5.56（dd、1H、Ｊ＝５、７Hz） 5.87（ｓ、2H） 7.62〜7.76（ｍ、4H）上記の（シス）−１−（ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシ）−４−（ｏ−メトキシカルボニルベンゾ
イルオキシ）−２−シクロペンテン214mgを、
THF4ml、メタノール２ml、１規定水酸化カリウ
ム２ml中で１時間撹拌し、反応液に酢酸エチルと
水を加えて抽出した。有機層を水洗後無水硫酸マ
グネシウムで乾燥、濃縮して120mgの（シス）−１
−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２−シク
ロペンテン−４−オールを得た。

NMR（CDCl₃、δ値） 0.09（ｓ、6H） 0.90（ｓ、9H） 1.72（br、ｓ、1H） 2.0（ｍ、2H） 4.7〜5.2（ｍ、2H） 5.92（ｓ、2H） Massスペクトル214（M⁺）参考例４（トランス）−１−（ｔ−ブチルジメチルシリル
オキシ）−２−シクロペンテン−４−オール参考例１及び参考例２実施例４で得られた（ト
ランス）−４−（ｏ−メトキシカルボニルベンゾイ
ルオキシ）−２−シクロペンテン−１−オール70
mgを参考例３と同様にしてｔ−ブチルジメチルシ
リル化して105mgの（トランス）−１−（ｔ−ブチ
ルジメチルシリルオキシ）−４−（ｏ−メトキシカ
ルボニルベンゾイルオキシ）−２−シクロペンテ
ンを得た。

NMR（CDCl₃、δ値） 0.09（ｓ、6H） 0.90（ｓ、9H） 2.0〜2.35（ｍ、2H） 3.85（ｓ、3H） 5.05（ｍ、1H） 5.8〜6.3（ｍ、3H） 7.4〜7.9（ｍ、5H）上記（トランス）−１−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）−４−（ｏ−メトキシカルボニルベン
ゾイルオキシ）−２−シクロペンテル105mgの３ml
無水エーテル溶液を水素化リチウムアルミニウム
40mgの１ml無水エーテル懸濁液中に氷冷下滴下し
1.5時間撹拌した。反応液に氷冷下飽和芒硝水を
滴下し、過剰の水素化リチウムアルミニウムを分
解しエーテルを用いて不溶物を過、洗浄した。
液と洗液を合せて無水硫酸マグネシウムで乾
燥、濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマト
グラフイーに付し、ベンゼン−酢酸エチル（４：
１）溶出部分より16mgの（トランス）−１−（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−２−シクロペン
テン−４−オールを得た。この化合物は本発明者
等が別途提案した方法により得た標品とNMRス
ペクトル、IRスペクトル、薄層クロマトグラフ
イーのR値が一致した。

参考例（Ｓ）−４−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ）−２−シクロペンテン−１−オン参考例３で得られた（シス）−１−（ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ）−２−シクロペンテン−
４−オール60mgを１mlの無水塩化メチレンに溶解
し、PDC180mgを加えて室温で50分撹拌した。反
応液にエーテルを加え不溶物を去し、液を濃
縮し、シリカゲル薄層クロマトグラフイーにて分
離（ベンゼン−酢酸エチル19：１展開）し、37.7
mgの（Ｓ）−４−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ）−２−シクロペンテン−１−オンを得た。

旋光度〔α〕²⁴ _D＝＋6.1゜（Ｃ＝0.75、MeOH）この化合物のNMRスペクトル、IRスペクトル
はdl体のそれと一致した。

Claims

【特許請求の範囲】１下記式〔〕〔式中、Ｒは水素原子、低級アルキル基又は光学
活性なアミンのアミニウムイオンを表わし、記号
＊はその炭素原子の絶体配位がＲ配位あるいはＳ
配位あるいはそれらが任位の比で混合されている
ことを表わす。〕で表わされる新規シクロペンテン誘導体。２下記式〔−ａ〕で表わされる特許請求の範囲第１項記載の規シク
ロペンテン誘導体。３下記式〔−ｂ〕〔式中、R¹は光学活性なアミンのアミニウムイ
オンを表わし、記号＊はその炭素原子がＲ配位又
はＳ配位あるいはそのどちらか一方を多く含むこ
とを表わす。〕で表わされる特許請求の範囲第１項記載の新規シ
クロペンテン誘導体。４下記式〔−ｃ〕〔式中、R²は水素原子又は低級アルキル基を表
わし、記号＊はその炭素原子がＲ配位またはＳ配
位あるいはそのどちらか一方を多く含むことを表
わす。〕で表わされる特許請求の範囲第１項記載の新規シ
クロペンテン誘導体。５ dl−４−ハイドロキシ−２−シクロペンテン
−１−オンを塩基の存在下、無水フタル酸と反応
させることを特徴とする下記式〔−ａ〕で表わされる新規シクロペンテン誘導体の製造
法。６下記式〔−ａ〕で表わされる新規シクロペンテン誘導体を光学活
性なアミンの塩とし、これを分別再結晶すること
を特徴とする下記式〔−ｂ〕〔式中、R¹は光学活性なアミンのアミニウムイ
オンを表わし、記号＊はその炭素原子がＲ配位ま
たはＳ配位あるいはそのどちらか一方を多く含む
ことを表わす。〕で表わされる新規シクロペンテン誘導体の製造
法。７下記式〔−ｂ〕〔式中、R¹及び記号＊は前記定義と同じ。〕で表わされる新規シクロペンテン誘導体を酸で処
理し、必要に応じてエステル化することを特徴と
する下記式〔−ｃ〕〔式中、R²は水素原子または、低級アルキル基
を表わし、記号＊はその炭素原子がＲ配位または
Ｓ配位あるいはどちらか一方を多く含むことを表
わす。〕で表わされる新規シクロペンテン誘導体の製造
法。