JPS6322577B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6322577B2 JPS6322577B2 JP59038131A JP3813184A JPS6322577B2 JP S6322577 B2 JPS6322577 B2 JP S6322577B2 JP 59038131 A JP59038131 A JP 59038131A JP 3813184 A JP3813184 A JP 3813184A JP S6322577 B2 JPS6322577 B2 JP S6322577B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic compound
- ion beam
- film
- torr
- patterned film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/947—Subphotolithographic processing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製作工程のなかで必要
とされるパターン膜形成方法に関し、例えばホト
マスクの修正方法に関するものである。
とされるパターン膜形成方法に関し、例えばホト
マスクの修正方法に関するものである。
半導体製造工程において使用されるマスクおよ
びレチクルはパターンを露光しエツチングするこ
とにより製造されるが、この際パターンに欠陥が
生じて問題となつている。この欠陥には２種類あ
り、１つは削られるべき個所が残つてしまつたも
ので黒点欠陥と呼び、もう１つは残るべき個所が
削られてしまつたもので白点欠陥と呼ぶ。この欠
陥のうち白点欠陥を有機化合物とイオンビーム照
射によつて修正する従来方法は大きく分けて２方
法が提案されている。１つの方法はマスクにホト
レジスト等の有機被膜を塗布した後。白点欠陥部
分に集束イオンビームを照射して照射領域にある
有機被膜をポリマー化または炭化する方法であ
る。このようにしてポリマー化または炭化した膜
は優れた遮光性と付着強度を持つており白点欠陥
を修正する材料として適している。ところでこの
方法では有機被膜を塗布する工程が必要で時間が
かかり、さらに照射する集束イオンビームは
100KeV以上の高エネルギーであるために装置が
大がかりになる等の問題点がある。
びレチクルはパターンを露光しエツチングするこ
とにより製造されるが、この際パターンに欠陥が
生じて問題となつている。この欠陥には２種類あ
り、１つは削られるべき個所が残つてしまつたも
ので黒点欠陥と呼び、もう１つは残るべき個所が
削られてしまつたもので白点欠陥と呼ぶ。この欠
陥のうち白点欠陥を有機化合物とイオンビーム照
射によつて修正する従来方法は大きく分けて２方
法が提案されている。１つの方法はマスクにホト
レジスト等の有機被膜を塗布した後。白点欠陥部
分に集束イオンビームを照射して照射領域にある
有機被膜をポリマー化または炭化する方法であ
る。このようにしてポリマー化または炭化した膜
は優れた遮光性と付着強度を持つており白点欠陥
を修正する材料として適している。ところでこの
方法では有機被膜を塗布する工程が必要で時間が
かかり、さらに照射する集束イオンビームは
100KeV以上の高エネルギーであるために装置が
大がかりになる等の問題点がある。
白点欠陥を有機化合物とイオンビーム照射によ
つて修正する２番目の方法として白点欠陥位置に
有機化合物蒸気の吹き付けと集束イオンビーム照
射を同時に行ない、有機化合物分子をポリマー化
または炭化させて白点欠陥個所に付着させる方法
がある。この方法は１番目の方法と比較すると、
有機被膜を塗布する工程がいらないことや、照射
するイオンの加速エネルギーが２番目の方法では
30KeV以下でできるために装置が簡単になる等
の長所がある。この方法に使用する有機化合物種
としては従来、真空ポンプオイルやトリメチルア
ルミ等の有機金属または〔Cr（C6H6）2〕等のビス
ベンゼン錯塩が提案されていた。ところで真空ポ
ンプオイルを用いて白点欠陥を修正する例では、
常温での真空ポンプオイルの蒸気圧は10-6Torr
以下と低いためにポリマー化または炭化して膜を
形成するための真空ポンプオイル構成物分子の供
給量が不充分で膜厚の成長速度が遅い。また膜厚
の成長速度を速めるために真空ポンプオイルを加
熱して蒸気圧を上げると、サンプル表面に真空ポ
ンプオイルが凝縮してしまう。このためイオンビ
ーム照射部分と非照射部分の境界において不完全
にポリマー化または炭化した部分ができて微細な
膜形成が困難になる等の不都合が生じている。ま
た有機金属やビスベンゼン錯塩を用いたパターン
膜形成方法では、サンプル近傍の蒸気圧が低いと
きには膜厚の成長速度が遅く、充分な膜厚の成長
速度が得られるまで蒸気圧を上げるとイオンビー
ムの散乱や排気系への負荷の増加およびイオン源
への悪影響等の不都合が生じてくる。また、金属
原子を含む有機化合物は毒性の高い物質や不安定
な物質が多く、取扱い上の問題もある。
つて修正する２番目の方法として白点欠陥位置に
有機化合物蒸気の吹き付けと集束イオンビーム照
射を同時に行ない、有機化合物分子をポリマー化
または炭化させて白点欠陥個所に付着させる方法
がある。この方法は１番目の方法と比較すると、
有機被膜を塗布する工程がいらないことや、照射
するイオンの加速エネルギーが２番目の方法では
30KeV以下でできるために装置が簡単になる等
の長所がある。この方法に使用する有機化合物種
としては従来、真空ポンプオイルやトリメチルア
ルミ等の有機金属または〔Cr（C6H6）2〕等のビス
ベンゼン錯塩が提案されていた。ところで真空ポ
ンプオイルを用いて白点欠陥を修正する例では、
常温での真空ポンプオイルの蒸気圧は10-6Torr
以下と低いためにポリマー化または炭化して膜を
形成するための真空ポンプオイル構成物分子の供
給量が不充分で膜厚の成長速度が遅い。また膜厚
の成長速度を速めるために真空ポンプオイルを加
熱して蒸気圧を上げると、サンプル表面に真空ポ
ンプオイルが凝縮してしまう。このためイオンビ
ーム照射部分と非照射部分の境界において不完全
にポリマー化または炭化した部分ができて微細な
膜形成が困難になる等の不都合が生じている。ま
た有機金属やビスベンゼン錯塩を用いたパターン
膜形成方法では、サンプル近傍の蒸気圧が低いと
きには膜厚の成長速度が遅く、充分な膜厚の成長
速度が得られるまで蒸気圧を上げるとイオンビー
ムの散乱や排気系への負荷の増加およびイオン源
への悪影響等の不都合が生じてくる。また、金属
原子を含む有機化合物は毒性の高い物質や不安定
な物質が多く、取扱い上の問題もある。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなく
し、幅が1μｍ以下のパターン膜形成をすみやか
に行なうことができ、しかも安定で毒性の極めて
小さな有機化合物を使用できる手段を提供するも
のである。
し、幅が1μｍ以下のパターン膜形成をすみやか
に行なうことができ、しかも安定で毒性の極めて
小さな有機化合物を使用できる手段を提供するも
のである。
即ち本発明は有機物質種として常温での蒸気圧
が１×10-4Torrから５×10-3Torrである有機化
合物を使用することを特徴とするものである。
が１×10-4Torrから５×10-3Torrである有機化
合物を使用することを特徴とするものである。
以下図面に従つて、本発明を詳細に説明する。
第１図は白点欠陥を有するホトマスクの部分平面
図、第２図は本発明によつてホトマスクの白点欠
陥を修正した例を説明するための断面図、第３図
は本発明に示す有機物種を使用してパターン膜形
成を行なつた例と常温での蒸気圧が１×
10-4Torr以下または５×10-3Torr以上の有機化
合物種を使用してパターン膜形成を行なつた例と
の違いを説明する図。第４図は本発明の方法によ
つて作成したパターン膜の実施例の写真である。
第１図は白点欠陥を有するホトマスクの部分平面
図、第２図は本発明によつてホトマスクの白点欠
陥を修正した例を説明するための断面図、第３図
は本発明に示す有機物種を使用してパターン膜形
成を行なつた例と常温での蒸気圧が１×
10-4Torr以下または５×10-3Torr以上の有機化
合物種を使用してパターン膜形成を行なつた例と
の違いを説明する図。第４図は本発明の方法によ
つて作成したパターン膜の実施例の写真である。
第１図において、１はガラス板等の支持板、２
はクロム等で支持板１上に描かれたパターン、３
１，３２，３３は代表的な白点欠陥でそれぞれ素
子脱落、断線、ピンホールを示しており、いずれ
も光が透過してしまうために修正する必要があ
る。すなわち、これらの光透過部分に何らかの加
工を施してパターン２と同様の遮光性を持たせる
ことが必要である。
はクロム等で支持板１上に描かれたパターン、３
１，３２，３３は代表的な白点欠陥でそれぞれ素
子脱落、断線、ピンホールを示しており、いずれ
も光が透過してしまうために修正する必要があ
る。すなわち、これらの光透過部分に何らかの加
工を施してパターン２と同様の遮光性を持たせる
ことが必要である。
第２図ａにおいて素子脱落３１は次のようにし
て修正される。４はイオンビーム発生源で、液体
金属イオン源等の高輝度イオン源と、イオン源で
発生したイオンを加熱、偏光、集束するイオン光
学系が含まれている。そしてイオンビーム発生源
より発生したイオンビーム５は素子脱落３１の領
域で走査されて均一なイオン量が照射される。ま
た６は有機化合物供給源である。有機化合物供給
源６には加熱ヒーターが含まれており有機化合物
供給源６の温度を調節することによつて素子脱落
に吹き付ける有機化合物の蒸気７の量を調節でき
る。ここで支持板１の温度は常温である。有機化
合物の種類については後述するが、この有機化合
物の蒸気７のうち多くは支持板１上に付着してお
り、集束イオンビーム５を照射することによつて
ポリマー化または炭化する。第２図ｂは上記の方
法によつて素子脱落３１上にパターン膜８を形成
したことを示す図である。
て修正される。４はイオンビーム発生源で、液体
金属イオン源等の高輝度イオン源と、イオン源で
発生したイオンを加熱、偏光、集束するイオン光
学系が含まれている。そしてイオンビーム発生源
より発生したイオンビーム５は素子脱落３１の領
域で走査されて均一なイオン量が照射される。ま
た６は有機化合物供給源である。有機化合物供給
源６には加熱ヒーターが含まれており有機化合物
供給源６の温度を調節することによつて素子脱落
に吹き付ける有機化合物の蒸気７の量を調節でき
る。ここで支持板１の温度は常温である。有機化
合物の種類については後述するが、この有機化合
物の蒸気７のうち多くは支持板１上に付着してお
り、集束イオンビーム５を照射することによつて
ポリマー化または炭化する。第２図ｂは上記の方
法によつて素子脱落３１上にパターン膜８を形成
したことを示す図である。
第３図ａは常温での蒸気圧が１×10-4Torr以
下である有機化合物を使用したパターン膜を形成
した例であり第３図ｂは常温での蒸気圧が本発明
で示す１×10-4Torrから５×10-3Torrである有
機化合物を使用してパターン膜を形成した例で、
照射する集束イオンビーム５の条件や支持台１の
条件は上記第３図ａと等しいものとする。また第
３図ａは常温で蒸気圧が５×10-3Torr以上の有
機化合物を使用したパターン膜を形成した例で照
射する集束イオンビーム５の条件や支持体１の条
件および吹きつける有機化合物の蒸気圧は上記第
３図ｂと等しいものとする。第３図ａの例では支
持板１上に付着した有機化合物は蒸発速度が遅い
ために有機化合物層９を形成する。有機化合物層
９のうち集束イオンビーム５を照射した部分は厚
さが薄くなつて有機化合物層９よりも低い位置に
凝り固まつてポリマー化または炭化してパターン
膜８となる。このとき有機化合物層９とパターン
膜８との境界近傍には有機化合物が不完全にポリ
マー化または炭化した層１０が生じ、微細加工が
困難になつたり、付着強度の弱い部分で脱落した
ものは半導体ウエハー上にパターンを選択露光さ
せる工程において影を落としてしまう等の不都合
が生じる。第３図ｂに示す例では本発明で示す常
温での蒸気圧が１×10-4Torrから５×10-3Torr
である有機化合物の蒸気７を吹き付けたものであ
る。本発明で示す有機化合物は支持板１に吹き付
けられて付着すると、ある時間付着位置に留まつ
た後に蒸発する。このため照射する集束イオンビ
ーム５を走査する間に適当量の有機化合物の蒸気
７が供給され、次の走査時にポリマー化または炭
化する。このようにしてパターン膜８の厚さは堆
積するように成長する。一方、集束イオンビーム
照射位置１１以外の有機化合物吹付け位置に生じ
る有機化合物層９はわずかしか生じない。そして
有機化合物の蒸気７の供給を止めると有機化合物
層９はすみやかに蒸発によつて消滅し、パターン
膜形成に何ら障害をもたらさない。第３図ｃの例
では支持板１上に付着した有機化合物は瞬時にし
て蒸発してしまう。このため集束イオンビーム５
を走査する間に集束イオンビーム照射位置１１上
に付着する有機化合物の量が少なく、パターン膜
８の厚さの充分な成長速度は得られない。第３図
ｃの実施例としてアセチレンを使用した場合には
有機化合物供給源内の圧力を0.7Torrまであげた
が20分のイオンビーム照射を行なつても充分な遮
光性は得られなかつた。
下である有機化合物を使用したパターン膜を形成
した例であり第３図ｂは常温での蒸気圧が本発明
で示す１×10-4Torrから５×10-3Torrである有
機化合物を使用してパターン膜を形成した例で、
照射する集束イオンビーム５の条件や支持台１の
条件は上記第３図ａと等しいものとする。また第
３図ａは常温で蒸気圧が５×10-3Torr以上の有
機化合物を使用したパターン膜を形成した例で照
射する集束イオンビーム５の条件や支持体１の条
件および吹きつける有機化合物の蒸気圧は上記第
３図ｂと等しいものとする。第３図ａの例では支
持板１上に付着した有機化合物は蒸発速度が遅い
ために有機化合物層９を形成する。有機化合物層
９のうち集束イオンビーム５を照射した部分は厚
さが薄くなつて有機化合物層９よりも低い位置に
凝り固まつてポリマー化または炭化してパターン
膜８となる。このとき有機化合物層９とパターン
膜８との境界近傍には有機化合物が不完全にポリ
マー化または炭化した層１０が生じ、微細加工が
困難になつたり、付着強度の弱い部分で脱落した
ものは半導体ウエハー上にパターンを選択露光さ
せる工程において影を落としてしまう等の不都合
が生じる。第３図ｂに示す例では本発明で示す常
温での蒸気圧が１×10-4Torrから５×10-3Torr
である有機化合物の蒸気７を吹き付けたものであ
る。本発明で示す有機化合物は支持板１に吹き付
けられて付着すると、ある時間付着位置に留まつ
た後に蒸発する。このため照射する集束イオンビ
ーム５を走査する間に適当量の有機化合物の蒸気
７が供給され、次の走査時にポリマー化または炭
化する。このようにしてパターン膜８の厚さは堆
積するように成長する。一方、集束イオンビーム
照射位置１１以外の有機化合物吹付け位置に生じ
る有機化合物層９はわずかしか生じない。そして
有機化合物の蒸気７の供給を止めると有機化合物
層９はすみやかに蒸発によつて消滅し、パターン
膜形成に何ら障害をもたらさない。第３図ｃの例
では支持板１上に付着した有機化合物は瞬時にし
て蒸発してしまう。このため集束イオンビーム５
を走査する間に集束イオンビーム照射位置１１上
に付着する有機化合物の量が少なく、パターン膜
８の厚さの充分な成長速度は得られない。第３図
ｃの実施例としてアセチレンを使用した場合には
有機化合物供給源内の圧力を0.7Torrまであげた
が20分のイオンビーム照射を行なつても充分な遮
光性は得られなかつた。
本発明で示した条件を持つ有機化合物の例とし
ては、例えばフエナントレン、ピレン、メチルフ
エナントレン、フルオランテン、アントロン、ト
リフエニルメタンなどの３環式芳香族化合物また
は４環式芳香族化合物が適当である。これらの有
機化合物は常温での蒸気圧が１×10-4Torrから
５×10-3Torrの間にあり、しかも金属を含まず
安定で毒性が少ないものである。また、３環式芳
香族化合物や４環式芳香族化合物以外の有機化合
物でも分子量が200から400間にあるものは常温で
の蒸気圧が１×10-4Torrから５×10-3Torrの間
にあり、適当である。
ては、例えばフエナントレン、ピレン、メチルフ
エナントレン、フルオランテン、アントロン、ト
リフエニルメタンなどの３環式芳香族化合物また
は４環式芳香族化合物が適当である。これらの有
機化合物は常温での蒸気圧が１×10-4Torrから
５×10-3Torrの間にあり、しかも金属を含まず
安定で毒性が少ないものである。また、３環式芳
香族化合物や４環式芳香族化合物以外の有機化合
物でも分子量が200から400間にあるものは常温で
の蒸気圧が１×10-4Torrから５×10-3Torrの間
にあり、適当である。
次に本発明で示した有機化合物種のうち、ピレ
ンを使用してパターン膜を形成した例を第４図に
示しながら説明する。第４図ａはパターン膜を形
成していないサンプルで支持板は透明なガラス
で、その上に約800Åのクロム膜でパターンが描
かれているものの透過光顕像である。第４図ｂは
第４図ａのなかで8μｍ×8μｍのガラス露出部分
に6.7μｍ×6.7μｍのパターン膜を本発明に示した
方法によつて形成している。すなわち、照射する
集束イオンビームはGa+で加速電圧20KV、プロ
ーブ電流0.13nAで、吹き付ける有機化合物はピ
レンを80℃に加熱したものである。形成したパタ
ーン膜の厚さは1400Åで充分な遮光性を持つてお
り、パターン膜のエツジはくつきりしている。さ
らに形成したパターン膜の厚さの成長速度は加速
電圧20KV、プローブ電流0.13nAのGa+を長さが
200μｍのラインスキヤンをしたときに69Å／sec
が得られ、パターン膜の幅もサブミクロンのもの
が得られた。
ンを使用してパターン膜を形成した例を第４図に
示しながら説明する。第４図ａはパターン膜を形
成していないサンプルで支持板は透明なガラス
で、その上に約800Åのクロム膜でパターンが描
かれているものの透過光顕像である。第４図ｂは
第４図ａのなかで8μｍ×8μｍのガラス露出部分
に6.7μｍ×6.7μｍのパターン膜を本発明に示した
方法によつて形成している。すなわち、照射する
集束イオンビームはGa+で加速電圧20KV、プロ
ーブ電流0.13nAで、吹き付ける有機化合物はピ
レンを80℃に加熱したものである。形成したパタ
ーン膜の厚さは1400Åで充分な遮光性を持つてお
り、パターン膜のエツジはくつきりしている。さ
らに形成したパターン膜の厚さの成長速度は加速
電圧20KV、プローブ電流0.13nAのGa+を長さが
200μｍのラインスキヤンをしたときに69Å／sec
が得られ、パターン膜の幅もサブミクロンのもの
が得られた。
このようにして得られたパターン膜の物理的お
よび化学的付着強度はクロム膜と同程度以上であ
ることは衆知のとうりであり、またオプテイカル
デンシテイが2.8となるパターン膜の厚さは、可
視光に対しては2000Å程度であり、遠視外光に対
しては1000Å以下であつた。従つて前記のパター
ン膜形成条件によれば遠視外光で露光する場合に
は20秒以内に長さ200μｍでサブミクロン幅のパ
ターン膜形成を行なうことができる。このように
して行なう本発明のパターン膜形成方法は特に微
細なパターン膜形成に適しているが、照射する集
束イオンビームの径を大きくしてプローブ電流を
増すことにより大面積のパターン膜形成もすみや
かに行なえることはいうまでもない。
よび化学的付着強度はクロム膜と同程度以上であ
ることは衆知のとうりであり、またオプテイカル
デンシテイが2.8となるパターン膜の厚さは、可
視光に対しては2000Å程度であり、遠視外光に対
しては1000Å以下であつた。従つて前記のパター
ン膜形成条件によれば遠視外光で露光する場合に
は20秒以内に長さ200μｍでサブミクロン幅のパ
ターン膜形成を行なうことができる。このように
して行なう本発明のパターン膜形成方法は特に微
細なパターン膜形成に適しているが、照射する集
束イオンビームの径を大きくしてプローブ電流を
増すことにより大面積のパターン膜形成もすみや
かに行なえることはいうまでもない。
以上詳しく説明してきたように本発明によれば
パターン膜形成を短時間で完結する１回の工程で
しかも1μｍ以下の微細なパターン膜形成が可能
となり、大巾な工数の短縮をはかれる効果があ
る。また有機化合物の取り扱いが簡単で、装置の
構成も無理のないものにできる点でも有効であ
る。
パターン膜形成を短時間で完結する１回の工程で
しかも1μｍ以下の微細なパターン膜形成が可能
となり、大巾な工数の短縮をはかれる効果があ
る。また有機化合物の取り扱いが簡単で、装置の
構成も無理のないものにできる点でも有効であ
る。
第１図は白点欠陥を有するホトマスク基板の要
部の平面図、第２図ａは本発明によるホトマスク
基板の白点欠陥を修正する状態を示す要部の断面
図を含む構成図、第２図ｂはホトマスク基板上に
ポリマー化又は炭化して形成されたマスク基板を
示す要部の断面図、第３図のａ，ｂ，ｃは本発明
による方法を用いてパターン膜を形成する三実施
例の状態を示す断面図、第４図のａ，ｂは本発明
によるパターン膜形成状態を示すもので、ａはパ
ターン膜が形成されていない状態を示すマスク基
板の写真、ｂはａの状態にパターン膜が一部に形
成された状態を示すマスク基板の写真である。 １……支持板、２……パターン、３１……素子
脱落、３２……断線、３３……ピンホール、４…
…イオンビーム発生源、５……集束イオンビー
ム、６……有機化合物供給源、７……有機化合物
の蒸気、８……パターン膜、９……有機化合物
層、１０……不完全にポリマー化または炭化した
層、１１……集束イオンビーム照射位置。
部の平面図、第２図ａは本発明によるホトマスク
基板の白点欠陥を修正する状態を示す要部の断面
図を含む構成図、第２図ｂはホトマスク基板上に
ポリマー化又は炭化して形成されたマスク基板を
示す要部の断面図、第３図のａ，ｂ，ｃは本発明
による方法を用いてパターン膜を形成する三実施
例の状態を示す断面図、第４図のａ，ｂは本発明
によるパターン膜形成状態を示すもので、ａはパ
ターン膜が形成されていない状態を示すマスク基
板の写真、ｂはａの状態にパターン膜が一部に形
成された状態を示すマスク基板の写真である。 １……支持板、２……パターン、３１……素子
脱落、３２……断線、３３……ピンホール、４…
…イオンビーム発生源、５……集束イオンビー
ム、６……有機化合物供給源、７……有機化合物
の蒸気、８……パターン膜、９……有機化合物
層、１０……不完全にポリマー化または炭化した
層、１１……集束イオンビーム照射位置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上の所定箇所に集束イオンビームを照射
し、前記集束イオンビーム照射位置に常温
（300゜k）で１×10-4Torrから５×10-3Torrの飽
和蒸気圧をもつ有機化合物の蒸気を吹きつけて、
前記所定箇所に前記有機化合物の蒸気をポリマー
化又は炭化することにより所定のパターン膜を形
成することを特徴とするパターン膜形成方法。 ２ 前記有機化合物は３環式芳香族化合物又は４
環式芳香族化合物でなる特許請求の範囲第１項記
載のパターン膜形成方法。 ３ 前記有機化合物は分子量が200〜400の間にあ
る特許請求の範囲第１項記載のパターン膜形成方
法。 ４ 前記有機化合物は、炭化水素化合物を主成分
とするものであり、かつ金属原子を含まないこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパター
ン膜形成方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59038131A JPS60182726A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | パタ−ン膜形成方法 |
| EP85301231A EP0153854B1 (en) | 1984-02-29 | 1985-02-25 | Process for forming a pattern film |
| EP88201038A EP0304969A3 (en) | 1984-02-29 | 1985-02-25 | Process for forming a pattern film |
| DE8585301231T DE3582690D1 (de) | 1984-02-29 | 1985-02-25 | Bildherstellungsverfahren. |
| US06/921,820 US4874632A (en) | 1984-02-29 | 1986-10-17 | Process for forming pattern film |
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