JPS63238454A - 異物検査方法 - Google Patents
異物検査方法Info
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- JPS63238454A JPS63238454A JP7153687A JP7153687A JPS63238454A JP S63238454 A JPS63238454 A JP S63238454A JP 7153687 A JP7153687 A JP 7153687A JP 7153687 A JP7153687 A JP 7153687A JP S63238454 A JPS63238454 A JP S63238454A
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- pellicle film
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は異物検査装置に係り、特にペリクル膜を装着し
た状態のレティクルまたはマスクなどの基板表面に付着
した異物の有無を検査するのに好適な異物検査装置に関
するものである。
た状態のレティクルまたはマスクなどの基板表面に付着
した異物の有無を検査するのに好適な異物検査装置に関
するものである。
従来の装置は、特開昭５９−８２７２７号公報に記載の
ように、ペリクル装着状態で基板上の異物を検出するの
に有効なものであった。しかし、ペリクルの種類あるい
は膜厚のばらつきによる透過率の相異を補償する点につ
いては配慮されていなかった。なお、この種の装置に関
連するものには特開昭５９−８２７２６号公報もある。
ように、ペリクル装着状態で基板上の異物を検出するの
に有効なものであった。しかし、ペリクルの種類あるい
は膜厚のばらつきによる透過率の相異を補償する点につ
いては配慮されていなかった。なお、この種の装置に関
連するものには特開昭５９−８２７２６号公報もある。
上記従来技術は、ペリクルの種類あるいは膜厚のばらつ
きによる透過率の相異が補償されておらず、精度につい
て問題があった。
きによる透過率の相異が補償されておらず、精度につい
て問題があった。
本発明の目的は、ペリクルの種類あるいは膜厚のばらつ
きによる透過率の違いを補償し、高精度に異物の有無を
検査することができる異物検査装置を提供することにあ
る。
きによる透過率の違いを補償し、高精度に異物の有無を
検査することができる異物検査装置を提供することにあ
る。
上記目的は、ペリクル膜を装着したレティクルあるいは
マスク等の基板を検査す乞前に、金属材料で構成された
ペリクル膜の枠あるいは基板上に形成された凹部あるい
は凸部にペリクル膜を通してレーザ光を照射して散乱光
を検出し、ペリクル膜の透過率の違いによる検出値の違
いを自動校正できるようにするとともに、露光波長領域
の短波長レーザを用いることにより透過率の低下を改善
するようにして達成するようにした。
マスク等の基板を検査す乞前に、金属材料で構成された
ペリクル膜の枠あるいは基板上に形成された凹部あるい
は凸部にペリクル膜を通してレーザ光を照射して散乱光
を検出し、ペリクル膜の透過率の違いによる検出値の違
いを自動校正できるようにするとともに、露光波長領域
の短波長レーザを用いることにより透過率の低下を改善
するようにして達成するようにした。
基板上の異物の付着の有無を検査する場合、ペリクル膜
を通してレーザ光を照射して異物からの散乱光を受光し
て異物を検査するようにしているが、ペリクル膜の種類
あるいは膜厚の違いによりレーザ光の透過率が違うので
、あらかじめペリクル膜の透過率を測定して、それによ
り基板上の異物の検出値を校正するようにしたので、高
精度で異物の有無を検査できる。
を通してレーザ光を照射して異物からの散乱光を受光し
て異物を検査するようにしているが、ペリクル膜の種類
あるいは膜厚の違いによりレーザ光の透過率が違うので
、あらかじめペリクル膜の透過率を測定して、それによ
り基板上の異物の検出値を校正するようにしたので、高
精度で異物の有無を検査できる。
以下本発明を第１図〜第６図に示した実施例を用いて詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明の異物検査装置の検出系の一実施例を示
す構成図で、第１図はペリクル装着状態の基板にレーザ
光を照射し、基板上に付着した異物を検出する装置の検
出系の構成を示している。
す構成図で、第１図はペリクル装着状態の基板にレーザ
光を照射し、基板上に付着した異物を検出する装置の検
出系の構成を示している。
第１図において、レティクルあるいはマスク等の基板４
の上面及び下面にペリクル膜（厚さ０．８基板４から数
ｍｍ〜１０ｍｍ前後離して装着される。
の上面及び下面にペリクル膜（厚さ０．８基板４から数
ｍｍ〜１０ｍｍ前後離して装着される。
ここで、ペリクル膜１を用いる目的は、基板４の表面に
ごみなどの異物が付着するのを防止することと、露光の
転写ぼけによりペリクル膜１上に付着した微小異物が露
光上無害となる効果があることるよるが（ただし、同サ
イズの異物でも基板４に付着している場合は有害である
）、基板４の洗浄の不適あるいはペリクル膜１の内面に
付着している異物の落下などがあり、基板４への異物付
着の問題は以前として残っている。このことがペリクル
膜１の装着後においても基板４の異物検査を必要とする
ゆえんである。そこで図に示す如く、レーザ光源５から
発するレーザ光をガルバノミラ−６に導き、レーザ光を
７ａを中心として７ｂ〜７ｃの範囲に走査し、基板４の
上面でＹｌおよびＹｚの線上を走査するようにする。さ
らに同一光源５から発するレーザ光を通常の光学手段で
反対側に導き、レーザ光を８ａの方向（７ａとは１８０
度異なる方向）から基板４の上面に照射し、上記と同様
の手段で走査する。また、基板４の下面側についてもレ
ーザ光を９ａ及び１０ａ方向からそれぞれ照射し、上記
と同様の手段で下面で走査する。ここでレーザ光７ａ、
９ａは走査領域全体の半分のＹＬ 、Ｙｚから内側の領
域の走査を分担し、８ａ、１０ａはＹｔ 、Ｙｚから手
前側半分の領域の走査を分担する。
ごみなどの異物が付着するのを防止することと、露光の
転写ぼけによりペリクル膜１上に付着した微小異物が露
光上無害となる効果があることるよるが（ただし、同サ
イズの異物でも基板４に付着している場合は有害である
）、基板４の洗浄の不適あるいはペリクル膜１の内面に
付着している異物の落下などがあり、基板４への異物付
着の問題は以前として残っている。このことがペリクル
膜１の装着後においても基板４の異物検査を必要とする
ゆえんである。そこで図に示す如く、レーザ光源５から
発するレーザ光をガルバノミラ−６に導き、レーザ光を
７ａを中心として７ｂ〜７ｃの範囲に走査し、基板４の
上面でＹｌおよびＹｚの線上を走査するようにする。さ
らに同一光源５から発するレーザ光を通常の光学手段で
反対側に導き、レーザ光を８ａの方向（７ａとは１８０
度異なる方向）から基板４の上面に照射し、上記と同様
の手段で走査する。また、基板４の下面側についてもレ
ーザ光を９ａ及び１０ａ方向からそれぞれ照射し、上記
と同様の手段で下面で走査する。ここでレーザ光７ａ、
９ａは走査領域全体の半分のＹＬ 、Ｙｚから内側の領
域の走査を分担し、８ａ、１０ａはＹｔ 、Ｙｚから手
前側半分の領域の走査を分担する。
一方、受光系は上面側のＹｌ側を走査する過程で異物か
ら発生する散乱光１１ａを受光するための光電素子１１
を配置し、Ｙ２側を走査する過程で異物から発生する散
乱光１２ａを受光するための光電素子１２を配置する。
ら発生する散乱光１１ａを受光するための光電素子１１
を配置し、Ｙ２側を走査する過程で異物から発生する散
乱光１２ａを受光するための光電素子１２を配置する。
下面側の受光系についても上記と同様にＹｌ側の散乱光
１３ａを光電素子１３で受光し、Ｙｌ側の散乱光１４ａ
を光電素子１４で受光するように構成する。ここでレー
ザ光を基板４の上面及び下面にそれぞれ２方向から走査
し、さらに２個づつの光電素子で受光する如く構成する
理由は、ペリクル膜１の枠２及び３の影響を受けずに基
板４上の走査領域を広くとるためである。
１３ａを光電素子１３で受光し、Ｙｌ側の散乱光１４ａ
を光電素子１４で受光するように構成する。ここでレー
ザ光を基板４の上面及び下面にそれぞれ２方向から走査
し、さらに２個づつの光電素子で受光する如く構成する
理由は、ペリクル膜１の枠２及び３の影響を受けずに基
板４上の走査領域を広くとるためである。
以上の如く構成した検出系において、レーザ光源５は露
光波長とほぼ同波長の短波長レーザを発するものを用い
ている。ここで短波長レーザを用いる理由は次の通りで
ある。
光波長とほぼ同波長の短波長レーザを発するものを用い
ている。ここで短波長レーザを用いる理由は次の通りで
ある。
従来の異物検査装置はべりタルのない状態のレティクル
等の異物検査を目的としており、レーザ光源はもつとも
一般的なＨｅ −Ｎ ｅレーザ（波長６６２．８ ｎ
ｍ）が用いられていた。しかし本発明が目的としている
ペリクル装着状態の基板上の異物検査においては、レー
ザ光はペリクル膜１を透過して基板４上に照射し、さら
にペリクル膜１を透過した散乱光を受光しなければなら
ないため、レーザ光のペリクル膜１に対する透過率の良
否及びばらつきが異物検出能力を左右量ることになる。
等の異物検査を目的としており、レーザ光源はもつとも
一般的なＨｅ −Ｎ ｅレーザ（波長６６２．８ ｎ
ｍ）が用いられていた。しかし本発明が目的としている
ペリクル装着状態の基板上の異物検査においては、レー
ザ光はペリクル膜１を透過して基板４上に照射し、さら
にペリクル膜１を透過した散乱光を受光しなければなら
ないため、レーザ光のペリクル膜１に対する透過率の良
否及びばらつきが異物検出能力を左右量ることになる。
すなわち、ペリクル膜１は露光波長域（現在露光波長は
主に４３６ｎｍが用いられており、露光波長域は一般に
３５０〜４５０ｎｍである）で、光透過率が最も良くな
るように製造され、品質も均一化されているが、従来の
異物検査で使用しているレーザ波長（６６２，８ｎｍ
）は露光波長域から外れているため、ペリクル膜１の透
過率が悪く、さらに品質の不均一さから透過率にばらつ
きもあり、異物検査に問題が生じていた。さらにこの波
長の相違していることが次に述べる問題点にもつながっ
ている。すなわち、基板４に付着している異物のうち、
露光波長で透明なものはウェハ上に転写されないため露
光上は無害であるから、レティクル及びマスクの異物検
査においては、このような異物は異物なしと判定するか
、有りとしても露光上無害と判定することがプロセスニ
ーズにマツチしていることになる。しかるに従来装置で
は露光波長と大きく異なる波長を用いているため、異物
の性質が様々であることも基因し、必ずしも両者の結果
が同一とはならず、露光上有害な異物を逆に異物検査で
は見逃す結果となり、異物検査本来の目的を果さなくな
る場合が生じていた。以上の問題が生ずる原因は上記説
明でも明らかな如く、異物検査装置のレーザ波長が露光
波長と太きく異なっていることにある。そこで本発明の
第１のポイントは、上記した如く異物検査装置のレーザ
波長を露光波長とほぼ同波長の短波長レーザ（例えば波
長４４２ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザを用いる。）とするこ
とで上記問題点を解決するようにしたことにある。
主に４３６ｎｍが用いられており、露光波長域は一般に
３５０〜４５０ｎｍである）で、光透過率が最も良くな
るように製造され、品質も均一化されているが、従来の
異物検査で使用しているレーザ波長（６６２，８ｎｍ
）は露光波長域から外れているため、ペリクル膜１の透
過率が悪く、さらに品質の不均一さから透過率にばらつ
きもあり、異物検査に問題が生じていた。さらにこの波
長の相違していることが次に述べる問題点にもつながっ
ている。すなわち、基板４に付着している異物のうち、
露光波長で透明なものはウェハ上に転写されないため露
光上は無害であるから、レティクル及びマスクの異物検
査においては、このような異物は異物なしと判定するか
、有りとしても露光上無害と判定することがプロセスニ
ーズにマツチしていることになる。しかるに従来装置で
は露光波長と大きく異なる波長を用いているため、異物
の性質が様々であることも基因し、必ずしも両者の結果
が同一とはならず、露光上有害な異物を逆に異物検査で
は見逃す結果となり、異物検査本来の目的を果さなくな
る場合が生じていた。以上の問題が生ずる原因は上記説
明でも明らかな如く、異物検査装置のレーザ波長が露光
波長と太きく異なっていることにある。そこで本発明の
第１のポイントは、上記した如く異物検査装置のレーザ
波長を露光波長とほぼ同波長の短波長レーザ（例えば波
長４４２ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザを用いる。）とするこ
とで上記問題点を解決するようにしたことにある。
第２図及び第３図は本発明の第２のポイントを説明する
ための一実施例を示すもので、第２図は検出方式の説明
図で、第１図の検出系の一部を代表例として示しである
。また、第３図は第２図の枠２及び３を断面した状態の
第２図の捕捉説明図である。実施例の具体的な説明の前
に本発明の第２のポイントの必要性と解決方法について
説明する。
ための一実施例を示すもので、第２図は検出方式の説明
図で、第１図の検出系の一部を代表例として示しである
。また、第３図は第２図の枠２及び３を断面した状態の
第２図の捕捉説明図である。実施例の具体的な説明の前
に本発明の第２のポイントの必要性と解決方法について
説明する。
ペリクル膜１の透過率のばらつきが異物検出能力を左右
することは上記本発明の第１のポイントの説明で明らか
にしたが、この透過率のばらつきのもう一つの原因にペ
リクル膜１の種類と膜厚の違いがある。現在市販されて
いるペリクルは多種類に及び使用頻度の高いものを大別
すると３種類程度となる。すなわち、レティクル用の膜
厚０．９μｍのもの、レティクル用の膜厚２．９μｍの
ものに特殊コーティングしたもの、さらにマスク用の膜
厚２．９μｍのものである。これらの３種類について透
過率を測定すると、それぞれ１０〜２０％の違いがあり
、このままでは同一の異物に対して感度が異なり、異物
サイズの判定に問題が生ずる。さらにペリクル膜↓の種
類によっては膜厚ばらつきが±０．２μｍ と大きいも
のがあり、上記と同様の問題が生ずる。
することは上記本発明の第１のポイントの説明で明らか
にしたが、この透過率のばらつきのもう一つの原因にペ
リクル膜１の種類と膜厚の違いがある。現在市販されて
いるペリクルは多種類に及び使用頻度の高いものを大別
すると３種類程度となる。すなわち、レティクル用の膜
厚０．９μｍのもの、レティクル用の膜厚２．９μｍの
ものに特殊コーティングしたもの、さらにマスク用の膜
厚２．９μｍのものである。これらの３種類について透
過率を測定すると、それぞれ１０〜２０％の違いがあり
、このままでは同一の異物に対して感度が異なり、異物
サイズの判定に問題が生ずる。さらにペリクル膜↓の種
類によっては膜厚ばらつきが±０．２μｍ と大きいも
のがあり、上記と同様の問題が生ずる。
以上述べた問題を解決する唯一の方法は、異物検査の前
に被検査対象であるペリクル装着状態の基板を用い、異
物検査と等価な方法で基準散乱光を発する対象にレーザ
光を照射し、その散乱光を受光し、この値をもとに装置
を自動校正することである。以下第２図及び第３図の実
施例をもとに具体的な手段を説明する。
に被検査対象であるペリクル装着状態の基板を用い、異
物検査と等価な方法で基準散乱光を発する対象にレーザ
光を照射し、その散乱光を受光し、この値をもとに装置
を自動校正することである。以下第２図及び第３図の実
施例をもとに具体的な手段を説明する。
レーザビーム７ｄをＹ１’ の位置まで走査し、ペリ
クル膜１の枠２に照射すると、第３図に示す如く枠２で
散乱光１１ｂが発生し、光電素子１１で受光される。こ
の散乱光１１ｂの強度は、枠２の材質、形状とも一定の
ため、ペリクル膜１の透過率が一定ならば一定となる。
クル膜１の枠２に照射すると、第３図に示す如く枠２で
散乱光１１ｂが発生し、光電素子１１で受光される。こ
の散乱光１１ｂの強度は、枠２の材質、形状とも一定の
ため、ペリクル膜１の透過率が一定ならば一定となる。
したがって、あらかじめ基準となるペリクルについて散
乱光１１ｂの強度を求めておけば、ペリクル膜１の透過
率の違いによる散乱光強度の違いを校正できることにな
る。さらに第３図に示す如く基板４の下面側のペリクル
膜１′についてもレーザビーム９ｄを照射し、枠３から
散乱光１３ｂを用い上記同様にペリクル膜１′の透過率
の違いによる散乱光強度の違いを校正することができる
。
乱光１１ｂの強度を求めておけば、ペリクル膜１の透過
率の違いによる散乱光強度の違いを校正できることにな
る。さらに第３図に示す如く基板４の下面側のペリクル
膜１′についてもレーザビーム９ｄを照射し、枠３から
散乱光１３ｂを用い上記同様にペリクル膜１′の透過率
の違いによる散乱光強度の違いを校正することができる
。
第４図、第５図に他の実施例を示す。第４図は第２図同
様のペリクル膜付基板を示すもので、基板４に凸部４３
が設けられている。第５図は枠２及び３を断面した凸部
４３部分の側面図である。
様のペリクル膜付基板を示すもので、基板４に凸部４３
が設けられている。第５図は枠２及び３を断面した凸部
４３部分の側面図である。
レーザビーム７ｅを凸部４３に照射すると凸部４３で散
乱光が発生し、その一部の散乱光１１ｃが光電素子１１
で受光される。この散乱光１１ｃは凸部４３の形状を一
定にしておけば、上記実施例と同様に一定強度の散乱光
とすることができる。
乱光が発生し、その一部の散乱光１１ｃが光電素子１１
で受光される。この散乱光１１ｃは凸部４３の形状を一
定にしておけば、上記実施例と同様に一定強度の散乱光
とすることができる。
したがってあらかじめ基準となるペリクルについて散乱
光強度を求めておけば、ペリクル膜１の透過率が異なり
、散乱光１１ｃの散乱光強度が異なってもその違いは上
記光の基準値に合わせることができ、校正が可能となる
。下側のペリクル膜１′についてもレーザビーム９ｅを
透明な基板４を通して凸部４３に照射し、これから発す
る散乱光１３ｃを得ることができるから、この散乱光１
３ｃを用いて上記と同様にペリクル膜１′の透過率の違
いによる散乱光強度の違いを校正することができる。
光強度を求めておけば、ペリクル膜１の透過率が異なり
、散乱光１１ｃの散乱光強度が異なってもその違いは上
記光の基準値に合わせることができ、校正が可能となる
。下側のペリクル膜１′についてもレーザビーム９ｅを
透明な基板４を通して凸部４３に照射し、これから発す
る散乱光１３ｃを得ることができるから、この散乱光１
３ｃを用いて上記と同様にペリクル膜１′の透過率の違
いによる散乱光強度の違いを校正することができる。
第６図は本発明の異物検査装置の検出回路の一実施例を
示す主要構成のブロック図である。第６図において、光
電素子１１，１２，１３．１４のアナログ信号は電気増
幅器１９，２０，２１゜２２を経てマルチプレクサ２３
に入力する。マルチプレクサ２３はガルバノミラ−制御
装置３４から発するゲート信号（図示せず）と、基板４
を第１図のＸ軸方向に移動するステージの制御系（図示
せず）から発するゲート信号で動作し、基板４の上面走
査で光電素子１１あるいは１２を、下面走査で光電素子
１３あるいは１４のいずれか一つの光電素子からの信号
を通すように動作し、その出力はコンパレータ２４に入
力する。コンパレータ２４ではしきい値発生回路２５の
出力と比較し、しきい値以上の信号を有効とし、Ａ／Ｄ
変換器２６を経て演算処理装置２７に入力する。ここで
光電素子１１，１２，１３，１４に印加する電圧は高圧
電［１５，１６，１７，１Ｂからそｔｌ、ｆれ供給され
、その電圧は電圧制御回路２８，２９゜３０．３１で決
められ、制御指令は演算処理装置２７から発せられる。
示す主要構成のブロック図である。第６図において、光
電素子１１，１２，１３．１４のアナログ信号は電気増
幅器１９，２０，２１゜２２を経てマルチプレクサ２３
に入力する。マルチプレクサ２３はガルバノミラ−制御
装置３４から発するゲート信号（図示せず）と、基板４
を第１図のＸ軸方向に移動するステージの制御系（図示
せず）から発するゲート信号で動作し、基板４の上面走
査で光電素子１１あるいは１２を、下面走査で光電素子
１３あるいは１４のいずれか一つの光電素子からの信号
を通すように動作し、その出力はコンパレータ２４に入
力する。コンパレータ２４ではしきい値発生回路２５の
出力と比較し、しきい値以上の信号を有効とし、Ａ／Ｄ
変換器２６を経て演算処理装置２７に入力する。ここで
光電素子１１，１２，１３，１４に印加する電圧は高圧
電［１５，１６，１７，１Ｂからそｔｌ、ｆれ供給され
、その電圧は電圧制御回路２８，２９゜３０．３１で決
められ、制御指令は演算処理装置２７から発せられる。
一方、レーザビーム（図示せず）を第１図の基板４のＹ
軸方向に走査するガルバノミラ−６は、ガルバノミラ−
駆動装置３３で駆動され、制御はガルバノミラ−制御装
置３４で行われる。
軸方向に走査するガルバノミラ−６は、ガルバノミラ−
駆動装置３３で駆動され、制御はガルバノミラ−制御装
置３４で行われる。
以上のように構成した実施例の動作を次に説明する。基
板４に装置の校正標準となるペリクル膜１．１′を装着
し、レーザビームを７ｄ、９ｄの如くペリクル膜１，１
′の枠２，３に照射して得られた散乱光１１ｂ及び１３
ｂをペリクル膜１及び１′を通して検出し、その散乱光
強度を演算処理装置２７に入力して記憶する。一方、異
物検査装置は上記ペリクル膜１及び１′を装置した状態
で基板４上に付着させた異物と等価な標準粒子７９′ （主にポリスチレンラテックスを用いる）Ａ校正されて
いる。次に、校正されるべき未知のペリクル膜を装着し
た被検体基板を検査するが、まず、上記の要領でペリク
ル膜の枠２，３にレーザビームを７ｄ、９ｄの如く照射
し、ペリクル膜を通して散乱光１１ｂ及び１３ｂを検出
し、上記校正用ペリクル膜での散乱光強度と比較し、上
記散乱光強度と同一となるように演算処理装置２７より
補正値を電圧制御回路２８，２９，３０，３１へ入力し
、光電素子１１，１２，１３．１４の感度を補正する。
板４に装置の校正標準となるペリクル膜１．１′を装着
し、レーザビームを７ｄ、９ｄの如くペリクル膜１，１
′の枠２，３に照射して得られた散乱光１１ｂ及び１３
ｂをペリクル膜１及び１′を通して検出し、その散乱光
強度を演算処理装置２７に入力して記憶する。一方、異
物検査装置は上記ペリクル膜１及び１′を装置した状態
で基板４上に付着させた異物と等価な標準粒子７９′ （主にポリスチレンラテックスを用いる）Ａ校正されて
いる。次に、校正されるべき未知のペリクル膜を装着し
た被検体基板を検査するが、まず、上記の要領でペリク
ル膜の枠２，３にレーザビームを７ｄ、９ｄの如く照射
し、ペリクル膜を通して散乱光１１ｂ及び１３ｂを検出
し、上記校正用ペリクル膜での散乱光強度と比較し、上
記散乱光強度と同一となるように演算処理装置２７より
補正値を電圧制御回路２８，２９，３０，３１へ入力し
、光電素子１１，１２，１３．１４の感度を補正する。
この後、基板４上にレーザビームを走査し、異物からの
散乱光を検出すれば、ペリクル膜による感度の違いは上
記の通り校正されているので、正確に異物の検出とサイ
ズの判定をすることができる。
散乱光を検出すれば、ペリクル膜による感度の違いは上
記の通り校正されているので、正確に異物の検出とサイ
ズの判定をすることができる。
他の実施例に示す方法は１校正のための散乱光を得る対
象に第４図に示す基板４上の凸部４３を用いる方法であ
り、上記と同様の動作で同等の効果を達成することがで
きる。
象に第４図に示す基板４上の凸部４３を用いる方法であ
り、上記と同様の動作で同等の効果を達成することがで
きる。
さらにこの方法によれば１校正対象となるペリ天
クル膜を通して散乱光が得られる別手段を用い５同等の
効果が得られることは云うまでもない。
効果が得られることは云うまでもない。
以上説明した本発明によれば、ペリクルの膜厚不均一あ
るいは品質のばらつき等に基因するレーザ光の透過率の
違いが異物検査毎にそれぞれ校正されるため、ペリクル
膜の蒸着状態において上記誤差要因が存在しても、常に
一定の感度で異物の検出ができるようになり、誤差要因
が全くない、信頼性の高い装置を提供できるという効果
がある。
るいは品質のばらつき等に基因するレーザ光の透過率の
違いが異物検査毎にそれぞれ校正されるため、ペリクル
膜の蒸着状態において上記誤差要因が存在しても、常に
一定の感度で異物の検出ができるようになり、誤差要因
が全くない、信頼性の高い装置を提供できるという効果
がある。
第１図は本発明の異物検査装置の検出系の一実施例を示
す構成図、第２図、第４図はそれぞれレーザ照射状態の
一実施例を示す説明図、第３図。 第５図はそれぞれ第２図、第４図の部分断面図、第６図
は本発明の異物検査装置の検出回路の一実施例を示す主
要構成のブロック図である。 １．１′・・・ペリクル膜、２，３・・・枠、４・・・
基板、５・・・レーザ光源、６・・・ガルバノミラ−１
１１〜１４・・・光電素子、１５〜１８・・・高圧電源
、１９〜２２・・・電圧増幅器、２３・・・マルチプレ
クサ、２４・・・コンパレータ、２５・・・しきい値発
生回路、２６・・・Ａ／Ｄ変換器、２７・・・演算処理
装置、２８〜３１・・・電圧制御回路、３３・・・ガル
バノミラ−駆動率 １ 国 δ ｌ 、Ｎリクル繰 ２．５・・・秤 第 ２ 口 第 ３ 口 Ｙ改 １′・・公りフル喚 第Ｓ 口
す構成図、第２図、第４図はそれぞれレーザ照射状態の
一実施例を示す説明図、第３図。 第５図はそれぞれ第２図、第４図の部分断面図、第６図
は本発明の異物検査装置の検出回路の一実施例を示す主
要構成のブロック図である。 １．１′・・・ペリクル膜、２，３・・・枠、４・・・
基板、５・・・レーザ光源、６・・・ガルバノミラ−１
１１〜１４・・・光電素子、１５〜１８・・・高圧電源
、１９〜２２・・・電圧増幅器、２３・・・マルチプレ
クサ、２４・・・コンパレータ、２５・・・しきい値発
生回路、２６・・・Ａ／Ｄ変換器、２７・・・演算処理
装置、２８〜３１・・・電圧制御回路、３３・・・ガル
バノミラ−駆動率 １ 国 δ ｌ 、Ｎリクル繰 ２．５・・・秤 第 ２ 口 第 ３ 口 Ｙ改 １′・・公りフル喚 第Ｓ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、枠にペリクル膜を形成した異物付着防止手段を基板
に装着した状態で前記ペリクル膜を透過して前記基板上
に光ビームを走査して前記基板上に付着した異物からの
散乱光に基づいて前記異物を検出する装置において、前
記光ビームを前記ペリクル膜を透過して前記ペリクル膜
を形成した枠に照射し、前記枠から発する散乱光を前記
ペリクル膜を通して検出し、前記ペリクル膜の前記光ビ
ームの透過率の違いを求めて前記基板上に付着した異物
の検出値を校正する構成としたことを特徴とする異物検
査装置。 ２、前記光ビームの波長が露光波長の近傍にある特許請
求の範囲第１項記載の異物検査装置。 ３、枠にペリクル膜を形成した異物付着防止手段を基板
に装着した状態で前記ペリクル膜を透過して前記基板上
に光ビームを走査して前記基板上に付着した異物からの
散乱光に基づいて前記異物を検出する装置において、前
記光ビームを前記ペリクル膜を透過して前記基板上に設
けてある凹部あるいは凸部に照射し、前記凹部あるいは
凸部から発する散乱光を前記ペリクル膜を通して検出し
、前記ペリクル膜の前記光ビームの透過率の違いを求め
て前記基板上に付着した異物の検出値を校正する構成と
したことを特徴とする異物検査装置。 ４、前記光ビームの波長が露光波長の近傍にある特許請
求の範囲第３項記載の異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071536A JPH0623695B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 異物検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071536A JPH0623695B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 異物検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63238454A true JPS63238454A (ja) | 1988-10-04 |
| JPH0623695B2 JPH0623695B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=13463559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62071536A Expired - Lifetime JPH0623695B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 異物検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0623695B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60237347A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 異物検査装置 |
| JPS61162737A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-23 | Hitachi Ltd | 異物検査装置の性能チエツク方法 |
| JPS62261033A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | ペリクルの光透過率測定装置 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62071536A patent/JPH0623695B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60237347A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 異物検査装置 |
| JPS61162737A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-23 | Hitachi Ltd | 異物検査装置の性能チエツク方法 |
| JPS62261033A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | ペリクルの光透過率測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0623695B2 (ja) | 1994-03-30 |
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