JPS63244678A - 有機半導体デバイス - Google Patents
有機半導体デバイスInfo
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- JPS63244678A JPS63244678A JP62079121A JP7912187A JPS63244678A JP S63244678 A JPS63244678 A JP S63244678A JP 62079121 A JP62079121 A JP 62079121A JP 7912187 A JP7912187 A JP 7912187A JP S63244678 A JPS63244678 A JP S63244678A
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- Japan
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- phthalocyanine
- film
- organic semiconductor
- semiconductor device
- lead
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/701—Langmuir Blodgett films
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/20—Organic diodes
- H10K10/26—Diodes comprising organic-organic junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、有機半導体デバイスに関するものであり、
特に、メモリ状態を向上させた有機半導体デバイスに関
するものである。
特に、メモリ状態を向上させた有機半導体デバイスに関
するものである。
［従来の技術〕
第３図は、ｐｈｙｓ、 ５ｔｓｄ、 ｓｏｌ、 （ａ
） ８６ 、７３５（１９８４年）に示された従来の有
機物半導体メモリの斜視図である。
） ８６ 、７３５（１９８４年）に示された従来の有
機物半導体メモリの斜視図である。
シリコン、ガラス等からなる基板１の上に下部金属電極
２が形成されている。下部金属電極２が形成された基板
１の上に鉛フタロシアニン蒸着膜３が形成されている。
２が形成されている。下部金属電極２が形成された基板
１の上に鉛フタロシアニン蒸着膜３が形成されている。
鉛フタロシアニン蒸着ｌＩ３の上に上部金属電極４が形
成されている。次に、従来の有機物半導体デバイスの製
造方法について説明する。
成されている。次に、従来の有機物半導体デバイスの製
造方法について説明する。
基板１の上に蒸着等により下部金属電極２を形成する。
電極材料としては、鉛フタロシアニンとオーミックな接
合を作り、酸化物を作らない金が適当であるが、アルミ
、銅、鉛、ニッケルでもよい。
合を作り、酸化物を作らない金が適当であるが、アルミ
、銅、鉛、ニッケルでもよい。
次に該下部金属電極２が形成された基板１の上に、蒸着
により鉛フタロシアニン蒸着膜３を形成する。次いで、
鉛フタロシアニン蒸着１１３の上に上部金属電極４を形
成する。上部金属電極４の電極材料は、下部金属電極２
の場合と同様である。
により鉛フタロシアニン蒸着膜３を形成する。次いで、
鉛フタロシアニン蒸着１１３の上に上部金属電極４を形
成する。上部金属電極４の電極材料は、下部金属電極２
の場合と同様である。
次に、メモリについて説明する。
−第４Ａ図および第４Ｂ図は、ＷＰＩ Ａｃｃ Ｎ
ｏ ：８Ｏ−６６０５９Ｃ／３８に掲載されている、鉛
フタロシアニン蒸着膜中の鉛フタロシアニン分子の断面
を示した図である。第４Ａ図は鉛フタロシアニンのパイ
ル（シャトルコック状の鉛フタロシアニン分子が縦に並
んだ状態）で、シャトルコックの向きが同じ方向に揃っ
た場合を示している。
ｏ ：８Ｏ−６６０５９Ｃ／３８に掲載されている、鉛
フタロシアニン蒸着膜中の鉛フタロシアニン分子の断面
を示した図である。第４Ａ図は鉛フタロシアニンのパイ
ル（シャトルコック状の鉛フタロシアニン分子が縦に並
んだ状態）で、シャトルコックの向きが同じ方向に揃っ
た場合を示している。
第４８図は鉛フタロシアニンのパイルで、シャトルコッ
クの向きが揃っていない場合である。図において、６は
フタロシアニン分子で、５は鉛原子である。上部金属電
極２と下部金属電極４に挾まれた部分の鉛フタロシアニ
ンが第４Ａ図のようになりていればメモリとしてはＯＮ
の状態、第４Ｂ図のようになっていればメモリとしては
ＯＦＦの状態である。ＯＮの状態、ＯＦＦの状態は鉛フ
タロシアニンｌＩｍに加える電解、熱により変えること
ができる。
クの向きが揃っていない場合である。図において、６は
フタロシアニン分子で、５は鉛原子である。上部金属電
極２と下部金属電極４に挾まれた部分の鉛フタロシアニ
ンが第４Ａ図のようになりていればメモリとしてはＯＮ
の状態、第４Ｂ図のようになっていればメモリとしては
ＯＦＦの状態である。ＯＮの状態、ＯＦＦの状態は鉛フ
タロシアニンｌＩｍに加える電解、熱により変えること
ができる。
次に、メモリ動作について説明する。
■ メモリの書込
下部金属電極２と上部金属電極４間に電圧を加えて、第
４Ａ図の状態にする。この状態になるのは、上部金属電
極４と下部金属電極２に挾まれる部分のみである。した
がって、電圧を変えることにより電界を変え、抵抗の小
さい部分（メモリとしてはＯＮの状Ｉｔ）を任意に作る
ことができメモリの書込を行なうことができる。
４Ａ図の状態にする。この状態になるのは、上部金属電
極４と下部金属電極２に挾まれる部分のみである。した
がって、電圧を変えることにより電界を変え、抵抗の小
さい部分（メモリとしてはＯＮの状Ｉｔ）を任意に作る
ことができメモリの書込を行なうことができる。
■ メモリの続出
上部金属電極４と下部金属電極２で構成されるマトリッ
クスに電圧を加えて、電流量を読取ることにより、その
部分がＯＮ状態か、ＯＦＦ状態か、が判別できる。
クスに電圧を加えて、電流量を読取ることにより、その
部分がＯＮ状態か、ＯＦＦ状態か、が判別できる。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の有機半導体デバイスは、以上のような構成になっ
ている。しかしながら、基板１がシリコン、ガラスの場
合には、蒸着の際、鉛フタロシアニンのパイルを基板１
に対して垂直に立てることが難しい。そのため、鉛フタ
ロシアニンの結晶が乱れる。
ている。しかしながら、基板１がシリコン、ガラスの場
合には、蒸着の際、鉛フタロシアニンのパイルを基板１
に対して垂直に立てることが難しい。そのため、鉛フタ
ロシアニンの結晶が乱れる。
また、基板１の上に金属電極２が形成されているために
、均一な鉛フタロシアニンの結晶ができない。この問題
点を第５図を用いてさらに説明する。
、均一な鉛フタロシアニンの結晶ができない。この問題
点を第５図を用いてさらに説明する。
第５図は基板上に蒸着により鉛フタロシアニン膜を形成
したときの問題点を示した図である。
したときの問題点を示した図である。
基板１と鉛フタロシアニン蒸着１１３は材質が顕著に異
なるので、結晶の乱れ、すなわち、結晶に不整合部分７
が生じる。電流は鉛原子に沿って縦方向に沿つて流れる
のであるが、このような不整合部分７が生じるとこの部
分は電流が流れなくなる。その結果、メモリ状態が悪化
するという問題点が生じる。
なるので、結晶の乱れ、すなわち、結晶に不整合部分７
が生じる。電流は鉛原子に沿って縦方向に沿つて流れる
のであるが、このような不整合部分７が生じるとこの部
分は電流が流れなくなる。その結果、メモリ状態が悪化
するという問題点が生じる。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、鉛フタロシアニン蒸＠膜中の鉛フタロシアニ
ン分子を一軸配向させ、メモリとしてのスイッチ特性を
向上させた、有機半導体デバイスを提供することを目的
とする。
たもので、鉛フタロシアニン蒸＠膜中の鉛フタロシアニ
ン分子を一軸配向させ、メモリとしてのスイッチ特性を
向上させた、有機半導体デバイスを提供することを目的
とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明は、基板上に下部電極と、鉛フタＯシアニン蒸
＠膜と、上部電極とを順次形成させてなる有機半導体デ
バイスにかかるものである。そして、前記鉛フタロシア
ニン蒸着膜と前記下部電極が形成された基板との間に、
ＬＢ法で形成された金属フタロシアニン膜が形成されて
いることを特徹とする。
＠膜と、上部電極とを順次形成させてなる有機半導体デ
バイスにかかるものである。そして、前記鉛フタロシア
ニン蒸着膜と前記下部電極が形成された基板との間に、
ＬＢ法で形成された金属フタロシアニン膜が形成されて
いることを特徹とする。
［作用］
ＬＢ法で形成された金属フタロシアニン膜が鉛フタロシ
アニン蒸着膜と下部電極が形成された基板との間に形成
されているので、鉛フタＯシアニン蒸＊Ｓ中の鉛フタロ
シアニン分子は一軸配向しやすくなる。
アニン蒸着膜と下部電極が形成された基板との間に形成
されているので、鉛フタＯシアニン蒸＊Ｓ中の鉛フタロ
シアニン分子は一軸配向しやすくなる。
すなわち、非常に欠陥の少ない鉛フタロシアニンの結晶
を成長させることができる ［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図を用いて説明する。
を成長させることができる ［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図を用いて説明する。
第１図は本発明にかかる有機半導体デバイスの一実施例
の斜視図である。
の斜視図である。
たとえば石英基板等の基板１の上に下部金属電極２が形
成されている。
成されている。
下部金属電極２が形成された基板１の上に銅フタロシア
ニンＬＢ膜３ａが形成されている。銅フタロシアニンＬ
Ｂ膜３ａの上に鉛フタロシアニン蒸看１３が形成されて
いる。鉛フタロシアニン蒸着膜３の上に上部金属電極４
が形成されている。
ニンＬＢ膜３ａが形成されている。銅フタロシアニンＬ
Ｂ膜３ａの上に鉛フタロシアニン蒸看１３が形成されて
いる。鉛フタロシアニン蒸着膜３の上に上部金属電極４
が形成されている。
次に、実施例にかかる有機半導体デバイスの作成方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
〈１） 第１番目に石英基板１上に蒸着法により下部金
属電１２を形成する。電極材料は銅フタロシアニンとオ
ーミンクな接合を作り、酸化物を作らない金が適当であ
るが、アルミ、銅、鉛、ニッケルでもよい。
属電１２を形成する。電極材料は銅フタロシアニンとオ
ーミンクな接合を作り、酸化物を作らない金が適当であ
るが、アルミ、銅、鉛、ニッケルでもよい。
（２） 第２番目にこの上に銅フタロシアニン膜をＬＢ
法で形成する。
法で形成する。
１ｃｃのアセトンに対してジリチウムフタロシアニン１
−ｇを溶かし、ざらにメシチレンとクロロホルムで希釈
する。この展開液を、水面上に流すと単分子膜を形成す
る。この方法をしＢ法という。
−ｇを溶かし、ざらにメシチレンとクロロホルムで希釈
する。この展開液を、水面上に流すと単分子膜を形成す
る。この方法をしＢ法という。
このとき水槽に硝酸銅を溶かしておけばジリチウムフタ
ロシアニンは次の反応により銅フタロシアニンになる。
ロシアニンは次の反応により銅フタロシアニンになる。
Ｌｉ Ｚ Ｐ ｃ ＋ＣｔＡ（ＡＩ（ｈ）ｘ→ＣＪｃ
＋２Ｌ：ＮＯ３したがって、水槽に硝酸銅を溶かしてお
けば、水面上に鉛フタロシアニンの単分子膜が形成され
ることになる。この単分子膜を、（１）で作成した基板
にすくい取る。このようにしてすくい取られた膜をＬ８
膜という。このとき、銅フタロシアニンの盤状分子は基
板１に対して完全に伏せた状態で積まれるのが望ましい
。
＋２Ｌ：ＮＯ３したがって、水槽に硝酸銅を溶かしてお
けば、水面上に鉛フタロシアニンの単分子膜が形成され
ることになる。この単分子膜を、（１）で作成した基板
にすくい取る。このようにしてすくい取られた膜をＬ８
膜という。このとき、銅フタロシアニンの盤状分子は基
板１に対して完全に伏せた状態で積まれるのが望ましい
。
（３） 次いで、上記ＬＢ法で形成された銅フタロシア
ニン膜３ａを構成する銅フタロシアニン分子の真上に鉛
フタロシアニン分子を積層する形に、鉛フタロシアニン
を蒸着する。最良の蒸！１１１Ｉを得るために、基板温
度、真空度、蒸着速度を適、当に調節する。
ニン膜３ａを構成する銅フタロシアニン分子の真上に鉛
フタロシアニン分子を積層する形に、鉛フタロシアニン
を蒸着する。最良の蒸！１１１Ｉを得るために、基板温
度、真空度、蒸着速度を適、当に調節する。
この方法によって形成された蒸着膜の構造を第２図に示
す。
す。
基板１の上に銅フタロシアニンの単分子蒸着膜３ａが形
成されている。銅フタロシアニン単分子蒸着１１３ａの
上に鉛フタロシアニン蒸着膜３が形成されている。この
場合、銅フタロシアニン分子着１３ａと鉛フタロシアニ
ン蒸第１８３を形成する鉛フタロシアニン分子は構造が
よく似ているので、鉛フタロシアニン分子は一軸配向し
やすくなる。
成されている。銅フタロシアニン単分子蒸着１１３ａの
上に鉛フタロシアニン蒸着膜３が形成されている。この
場合、銅フタロシアニン分子着１３ａと鉛フタロシアニ
ン蒸第１８３を形成する鉛フタロシアニン分子は構造が
よく似ているので、鉛フタロシアニン分子は一軸配向し
やすくなる。
（４） 次いで、鉛フタロシアニン１ｍ！１１３の上に
上部金属電極４を蒸＠法により形成する。
上部金属電極４を蒸＠法により形成する。
電極材料はく１）に示したものと同様のものである。
本実施例において、鉛フタロシアニン蒸４１１１１中の
鉛フタロシアニン分子は一軸配向しているので、メモリ
としてのスイッチ特性が向上している。
鉛フタロシアニン分子は一軸配向しているので、メモリ
としてのスイッチ特性が向上している。
なお上記実施例において、ＬＢＩＩを形成する際に硝酸
鋼を用いて銅フタロシアニン膜を形成する場合を示した
が、この発明はこれに限られるものではない。すなわち
、ジリチウムフタロシニンに硝Ｍ鉄を作用させれば鉄フ
タＯシアニン膜が、硝ａ亜鉛を作用させば亜鉛フタロシ
アニンが、硝酸コバルトを作用させればコバルトフタロ
シアニンが、硝酸ニッケルを作用させればニッケルフタ
ロシアニンが、硝酸クロムを作用させればクロムフタロ
シアニン膜が形成される。いずれの金属フタロシアニン
膜を用いても実施例と同様の効果を実現する。
鋼を用いて銅フタロシアニン膜を形成する場合を示した
が、この発明はこれに限られるものではない。すなわち
、ジリチウムフタロシニンに硝Ｍ鉄を作用させれば鉄フ
タＯシアニン膜が、硝ａ亜鉛を作用させば亜鉛フタロシ
アニンが、硝酸コバルトを作用させればコバルトフタロ
シアニンが、硝酸ニッケルを作用させればニッケルフタ
ロシアニンが、硝酸クロムを作用させればクロムフタロ
シアニン膜が形成される。いずれの金属フタロシアニン
膜を用いても実施例と同様の効果を実現する。
また、上記実施例では下部金属電極および上部金属電極
を蒸着により形成したが、この発明はこれに限られるも
のでなく、上部電極および上部電極に金属マイクロ配線
を形成しても実施例と同様の効果を寅現す−る。
を蒸着により形成したが、この発明はこれに限られるも
のでなく、上部電極および上部電極に金属マイクロ配線
を形成しても実施例と同様の効果を寅現す−る。
ざらに、有機半導体のデバイス表面全体をガラスのごと
きガス不透物で覆うことにより、該有機半導体デバイス
をガス汚染から守ることができる。
きガス不透物で覆うことにより、該有機半導体デバイス
をガス汚染から守ることができる。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明に係る有機半導体デバイ
スによれば、基板上にまずＬＢ法で形成された金属フタ
ロシアニン膜を形成し、その上に鉛フタロシアニン蒸ａ
ｍを形成する。ＬＢ法で形成された金属フタロシアニン
膜中の金属フタロシアニン分子と鉛フタＯシアニン蒸看
護中の鉛フタロシアニン分子はその構造が近似している
ために、蒸着にあたって鉛フタロシアニン分子は一軸配
向しやすくなる。そのため、鉛フタロシアニンの非常に
欠陥の少ない結晶を成長させることができ、メモリとし
てのスイッチ特性を著しく向上させることができる。
スによれば、基板上にまずＬＢ法で形成された金属フタ
ロシアニン膜を形成し、その上に鉛フタロシアニン蒸ａ
ｍを形成する。ＬＢ法で形成された金属フタロシアニン
膜中の金属フタロシアニン分子と鉛フタＯシアニン蒸看
護中の鉛フタロシアニン分子はその構造が近似している
ために、蒸着にあたって鉛フタロシアニン分子は一軸配
向しやすくなる。そのため、鉛フタロシアニンの非常に
欠陥の少ない結晶を成長させることができ、メモリとし
てのスイッチ特性を著しく向上させることができる。
第１図はこの発明の一実施例の斜視図、第２図は実施例
にかかる鉛フタロシアニン蒸着膜中の鉛フタロシアニン
分子の配向の様子を示した図、第３図は従来の有機半導
体デバイスの斜視図、第４Ａ図および第４Ｂ図は鉛フタ
ロシアニンがスイッチ挙動を示すことを説明するための
図、第５図は基板１上に直接鉛フタロシアニン蒸看躾・
を形成させた場合の問題点を示す図である。 図において、１は基板、２は下１！ｌ′Ｒ極、３は鉛フ
タロシアニン蒸Ｉｌｌ、３ａはＬｅＰ！Ｘで形成された
金属フタロシアニン膜、４は上部電極である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 ＠／ 図 ３献Ｌβ鏝 今；上却脣１麹 第２図 手続補正書（自発） ２１発明の名称 有機半導体デバイス ３ｏ補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり。 （２） 明細書第９頁第２行の「ジリチウム」を「ジリ
チウム」と訂正する。 以上 〆 ２、特許請求の範囲 （１） 基板上に下部電極と、鉛フタロシアニン蒸着膜
と、上部電極とを順次形成させてなる有機半導体デバイ
スにおいて、 前記鉛フタロシアニン蒸着膜と前記下部電極が形成され
た基板との間に、ＬＢ法で形成された金属フタロシアニ
ン膜が形成されていることを特徴とする有機半導体デバ
イス。 （２） 前記金属フタロシアニン膜が水素フタロシアニ
ン膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デバ
イス。 （３） 前記金属フタロシアニン膜が銅フタロシアニン
膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デバイ
ス。 （４） 前記金属フタロシアニン膜が鉄フタロシアニン
膜である特許請求の範囲Ｍ１項記載の有機半導体デバイ
ス。 （５） 前記金属フタロシアニン膜が亜鉛フタロシニア
ン膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デバ
イス。 （６） 前記金属フタロシアニン膜がコバルトフタロシ
アニン膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体
デバイス。 （７） 前記金属フタロシアニン膜がニッケルフタロシ
アニン膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体
デバイス。 （８） 前記金属フタロシアニン膜がクロムフタロシア
ニン膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デ
バイス。 （９） 前記下部電極が金属マイクロ配線である特許請
求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載の有機半
導体デバイス。 （１０） 前記上部電極が金属マイクロ配線である特許
請求の範囲第１項ないし第９項のいずれかに記載の有機
半導体デバイス。 （１１） 前記有機半導体デバイスをガス不透物で覆っ
た特許請求の範囲第１項ないし第１０項のいずれかに記
載の有機半導体デバイス。
にかかる鉛フタロシアニン蒸着膜中の鉛フタロシアニン
分子の配向の様子を示した図、第３図は従来の有機半導
体デバイスの斜視図、第４Ａ図および第４Ｂ図は鉛フタ
ロシアニンがスイッチ挙動を示すことを説明するための
図、第５図は基板１上に直接鉛フタロシアニン蒸看躾・
を形成させた場合の問題点を示す図である。 図において、１は基板、２は下１！ｌ′Ｒ極、３は鉛フ
タロシアニン蒸Ｉｌｌ、３ａはＬｅＰ！Ｘで形成された
金属フタロシアニン膜、４は上部電極である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 ＠／ 図 ３献Ｌβ鏝 今；上却脣１麹 第２図 手続補正書（自発） ２１発明の名称 有機半導体デバイス ３ｏ補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり。 （２） 明細書第９頁第２行の「ジリチウム」を「ジリ
チウム」と訂正する。 以上 〆 ２、特許請求の範囲 （１） 基板上に下部電極と、鉛フタロシアニン蒸着膜
と、上部電極とを順次形成させてなる有機半導体デバイ
スにおいて、 前記鉛フタロシアニン蒸着膜と前記下部電極が形成され
た基板との間に、ＬＢ法で形成された金属フタロシアニ
ン膜が形成されていることを特徴とする有機半導体デバ
イス。 （２） 前記金属フタロシアニン膜が水素フタロシアニ
ン膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デバ
イス。 （３） 前記金属フタロシアニン膜が銅フタロシアニン
膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デバイ
ス。 （４） 前記金属フタロシアニン膜が鉄フタロシアニン
膜である特許請求の範囲Ｍ１項記載の有機半導体デバイ
ス。 （５） 前記金属フタロシアニン膜が亜鉛フタロシニア
ン膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デバ
イス。 （６） 前記金属フタロシアニン膜がコバルトフタロシ
アニン膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体
デバイス。 （７） 前記金属フタロシアニン膜がニッケルフタロシ
アニン膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体
デバイス。 （８） 前記金属フタロシアニン膜がクロムフタロシア
ニン膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デ
バイス。 （９） 前記下部電極が金属マイクロ配線である特許請
求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載の有機半
導体デバイス。 （１０） 前記上部電極が金属マイクロ配線である特許
請求の範囲第１項ないし第９項のいずれかに記載の有機
半導体デバイス。 （１１） 前記有機半導体デバイスをガス不透物で覆っ
た特許請求の範囲第１項ないし第１０項のいずれかに記
載の有機半導体デバイス。
Claims (11)
- （１）基板上に下部電極と、銅フタロシアニン蒸着膜と
、上部電極とを順次形成させてなる有機半導体デバイス
において、 前記鉛フタロシアニン蒸着膜と前記下部電極が形成され
た基板との間に、ＬＢ法で形成された金属フタロシアニ
ン膜が形成されていることを特徴とする有機半導体デバ
イス。 - （２）前記金属フタロシアニン膜が水素フタロシアニン
膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デバイ
ス。 - （３）前記金属フタロシアニン膜が銅フタロシアニン膜
である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デバイス
。 - （４）前記金属フタロシアニン膜が鉄フタロシアニン膜
である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デバイス
。 - （５）前記金属フタロシアニン膜が亜鉛フタロシアニン
膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デバイ
ス。 - （６）前記金属フタロシアニン膜がコバルトフタロシア
ニン膜である特許請求の範囲１項記載の有機半導体デバ
イス。 - （７）前記金属フタロシアニン膜がニッケルフタロシア
ニン膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デ
バイス。 - （８）前記金属フタロシアニン膜がクロムフタロシアニ
ン膜である特許請求の範囲第１項記載の有機半導体デバ
イス。 - （９）前記下部電極が金属マイクロ配線である特許請求
の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載の有機半導
体デバイス。 - （１０）前記上部電極が金属マイクロ配線である特許請
求の範囲第１項ないし第９項のいずれかに記載の有機半
導体デバイス。 - （１１）前記有機半導体デバイスをガス不透物で覆った
特許請求の範囲第１項ないし第１０項のいずれかに記載
の有機半導体デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62079121A JPS63244678A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 有機半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62079121A JPS63244678A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 有機半導体デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244678A true JPS63244678A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13681096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62079121A Pending JPS63244678A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 有機半導体デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244678A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223750A (en) * | 1990-06-04 | 1993-06-29 | Matsushita Research Institute Tokyo, Inc. | Artificial neural function circuit having organic thin film elements |
| US5525811A (en) * | 1990-06-12 | 1996-06-11 | Nec Corporation | Organic quantum semiconductor and quantum semiconductor device |
| CN105529345A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-04-27 | 中国计量学院 | 一种以双异质结为光敏层的有机近红外光上转换器 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP62079121A patent/JPS63244678A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223750A (en) * | 1990-06-04 | 1993-06-29 | Matsushita Research Institute Tokyo, Inc. | Artificial neural function circuit having organic thin film elements |
| US5525811A (en) * | 1990-06-12 | 1996-06-11 | Nec Corporation | Organic quantum semiconductor and quantum semiconductor device |
| CN105529345A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-04-27 | 中国计量学院 | 一种以双异质结为光敏层的有机近红外光上转换器 |
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