JPS63248111A - ジルコン酸チタン酸ランタン鉛と結晶粒界の硼酸塩とからなる誘電体を持つコンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 又は硼酸亜鉛の小さな相をもつセラミックコンデンサに
関し、一層詳しくはキャパシタンスの温度係数が低く、
且つ焼結中にＰＬＺＴ相から逃散してきた鉛を吸着して
いる（ｇｅｔＬｅｒ）そのようなコンデンサに関する。

ＰＬＺＴ誘電体セラミックスに焼結用ガラス助剤を用い
る従来技術は本発明者の１９７７年５月３１日に発行さ
れた米国特許第４，０２７，２０９号、１９７９年１月
１６日に発行された米国特許第４，１３５，２２４号、
１９８０年８月２６日に発行された米国特許第４，２１
９，８６６号、及び１９８２年４月１３日に発行された
米国特許第４．３２４，７５０号に開示されている。

米国特許第４．３２４，７５０号においては、少量の鉛
が■焼及び焼結の間にＰＬＺＴから酸化鉛（ＰｂＯ）と
して揮発し、逃散する；結晶粒界に半導性ＰｂＯが析出
するのでコンデンサの性能がひどく低下する。

米国特許第４．０２７．２０９号の場合の焼結用ガラス
助剤の添加はこの性能低下の原因を減少させたが、しか
し単独で用いられたので、その添加は決してその問題点
に対する適切な解決策ではなかった；米国特許第４，３
２４，７５０号の実施例６に見いだされるように、１．
０重量％の硼酸珪酸カドミウム亜鉛を含むＰＬＺＴは許
容されない寿命試験結果を示した。米国特許第４，３２
４，７５０号の実施例７及び８においては、開放雰囲気
中、約９５０℃で約１時間の、焼結後の焼きなまし工程
は望ましくない遊＠ｐｂｏを追放し、そのことによって
良好な寿命試験結果をもたらした。

その焼きなまし工程は、遊離Ｐｂｏの問題に対する解決
策であるが、しかし各々の処方について最適の焼きなま
し時間及び温度を決定しなければならないという不利益
を伴って成就され、またその上に、焼結時の周囲のＰｂ
Ｏ圧力と各々の密閉坩堝中で焼結されるセラミックの量
との相関的な要素である。要するに、従来技術の焼きな
まし工程は制御が困難である。

本発明の特徴は、焼結後の焼きなましを必要としない高
品質のガラス・ＰＬＺＴ誘電体セラミック処方を提供す
ることにある。

本発明に従って、ガラス・セラミック誘電体は該誘電体
に接触している、間隔を置いて配置された２明の別個の
電極をもっている。その誘電体は、鉛の０．０７〜０．
１６モル部がランタンで置換されており且つジルコン酸
イオンの０，１０〜０．４０モル部がチタン酸イオンで
置換されている反強誘電体ジルコン酸鉛であり、そして
ガラスが該誘電体の０．１〜０．９重量％に等しくなっ
ている。そのガラスは硼酸カドミウム、硼酸亜鉛、及び
それらの組合せから選ばれた硼酸塩からなる。

その硼酸鉛は、ガラス・セラミック誘電体材料を作るの
に用いた出発ガラスの一部であったものではなくて、焼
結中に取得されたものであった。

焼結中に、セラミックＰＬＺＴ相中の鉛の一部が揮発し
、それで、周知のように、半導性ＰｂＯとして結晶粒界
に析出して低い破壊電圧及び封合試験での早期の破壊を
もたらす傾向がある。

本発明は、本質的に純粋な硼酸カドミウム、硼酸亜鉛又
はその両者が、焼結の間、望ましくない遊ｇｉｐｂｏの
有効なゲッターとして独特に作用することを評価する。

亜鉛及びカドミウムのガラス組成物はＰＬＺＴ組成物に
おける有効なフラックスとしても役立つが、しかしそれ
らはＰＬＺＴの電気的性質に対して影響をほとんど及ぼ
さない。

ＰＬＺＴにおいては、ガラスからその結晶粒に大きな陽
イオン部位で入り込むある種の陽イオンは鉛と入れ代わ
り、それで遊離Ｐｂｏの開墾を悪化させるが、一方カド
ミウム及び亜鉛はそのようにはならないことは明らかで
ある。アルカリ土類金属はそのような鉛と入れ代わるイ
オンである。

他方では、ガラス相がガラス形成物である元素珪素をふ
くむ時には、ランタンはガラス中の珪素と優先的に会合
して珪酸ランタン相を作りそれでＰＬＺＴマトリックス
の化学量論を変化させることが見いだされている。それ
ゆえに、珪素を含有するガラスフラックスは避けるべき
である。

有益なことには、カドミウム及び亜鉛の各々の硼酸塩は
、珪酸塩と比較して、低い溶融温度をもち、そしてその
ガラス溶融温度は、焼結の間に鉛の吸着が進行するにつ
れて、一層低くなる。従って、ＰＬＺＴ及びカドミウム
及び／又は亜鉛の硼酸塩フラックスを慣用温度の１１０
０℃の近辺で焼結すると、理論的最大値の９７％に近い
密度なもつＰＬＺＴ物体となり、同時に本質的に総ての
遊離ＰｂＯがガラス相中に含み込まれ、それで焼結後の
焼きなまし工程の必要性が排除される。

第１図のモノリシックセラミックコンデンサは、セラミ
ック物体ＩＯ内に膜電極１１が膜電極１２と交互に挿入
されている該セラミック物体をもつ、導電性成端コーテ
ィング１３及び１４がそれぞれ電８ｉ１１及び１２と接
触している。リード線１５及び１６がそれぞれはんだ結
合１７及び１８によって成端１３及び１４に取り付けら
れている。第１図のコンデンサは、逆に分極した隣接し
ている電極の間に３個の活性セラミック誘電体層をもっ
ているが、本明細書で記載する実験モノリシックコンデ
ンサは一層多くの活性誘電体層をもっている。

第２図のチップコンデンサはセラミック物体２０及びそ
れぞれ該物体２０の向かい合っている主要表面上にある
電ｆ！２１及び２２をもっている。

チップコンデンサは長方形又は円形であってもよく、そ
して高電圧用途のためには主要表面の最大寸法に等しい
か又は超える厚さをもっていてもよい。

本発明の実験コンデンサを作るのに用いられる諸工程の
概要は次の通りである： 重量で、５５．０のＰｂｏ、５，７０のＬａ、Ｏ，，３
，４０のＢａＯ１０，６８のＡ１１（金属）、１．４７
〜のＢｉ、Ｏ，，２４，７のＺｒＯ，及び９．０のＴ　
ｉ　Ｏ２からなる粉末配合物を調製した。その配合物を
ボールミル粉砕し、そして７９０℃で５時間予Ｏｉ■焼
した０次いでその生成ケークを機械的に粒状化し、そし
て密閉した高純度アルミニウム製さや中で１０９０℃で
３時間■焼した。その烟焼したケークを圧潰し、ジェッ
ト微粉砕して微細セラミック粉末を生成させた。

上記した出発材料は化合物 （Ｐｂｏ　、７ｓ　Ｌａｏ、ｌ　ｌ　Ｂａａ　、ｏｔ　
Ｂ　！ｏ　、ａ２Ａｇｏ、ｏ２＞（Ｚｒｏ　、ａ４Ｔｉ
ｅ　、＊ａ）Ｏ＊に相当し、この１ヒ合物は■焼で鉛が
空席となることで形成され、構造的にはそれに続いて焼
結された誘電体中の結晶粒のものである。

この物質は、ＰｂＯが焼結時にＰＬＺＴから逃げるので
、低温溶融の焼結助剤なしで十分に焼結する。ｐｂｏそ
れ自体は８９０℃よりも高い温度で溶融し、液相焼結を
促進する。従って、焼結助剤即ちフラックスをＰＬＺＴ
セラミックに添加することは、今までは、温度係数にお
ける所望の変化をもたらすために、且つ／又は焼結後に
結晶粒界に有害なＰｂＯが存在することを適度にするた
めに、セラミック結晶粒中に含有され得る陽イオン源を
提供することであった。しかしながら、焼結後に結晶粒
界に残留する遊離鉛を本質的に排除する添加剤は未だ知
られてきていない。

このプロセスのこの初期の時点で、その■焼し且つ微粉
砕したＰＬＺＴ出発粉末に０．５重量％のガラス粉末を
添加する。後記の実験実施例で用いた種々のガラスフラ
ックスは第１表に示す通りである： 第一」−一遣一 ガラス □ム ＧＦ−１２５（ＰｂＯ）、２４（Ｂｉｚｏ３）、３６（
ＣｄＯ）、（ＡＩ２０ｓ）、４（ＺｎＯ）、５　（Ｂ　
２０　ｆｆ＞、５（ＳｉＯｚ）（重量９Ｃで）ＧＦ−２
５ＣｄＯ・２ＳｉＯ２ ＧＦ　３　ＢａＯ・ＢａＯ３ ＧＦ　４３Ｚｎｏ−Ｂ２０ｓ ＧＦ−５３ＣｄＯ・　Ｂ２０゜ ＧＦ−６６８（３ＺｎＯ−Ｂ２０３）、３２（３Ｃｃｌ
Ｏ・Ｂ２０．ｌ）（重量％で）ＧＦ−７ＣｄＯ　・　２
ＺｎＯ−ＢｚＯｚＧＦ　　　８　　　４３Ｚｎ０　・　
２１ＣｄＯ　　・　２１　Ｂ２０−・　１５Ａ＋２０３ 一連の実験において、ＰＬＺＴガラス誘電体中での４種
のガラス組成物の相対的価値を調査した。これらのガラ
スは第１表においてＧＦ−１，０Ｆ−２、ＧＦ７、及び
ＧＦ　　３として識別される。これらのガラスを作るた
めに、ガラス陽イオンの酸化物の粉末及び微粉砕用アル
ミナ製ボールをアセトン中で混合し、そしてポリエチレ
ン製ボトル中で２時間微粉砕した。乾燥した後、そのボ
ールを取り出し、そしてその粉末混合物を５５０℃で烟
焼して、各々の場合について第１表に示した固溶体を生
成させた。

それぞれ実施例１．２．３及び４として識別される４つ
のグループの実験モノリシックセラミックコンデンサは
、それぞれ０．５重量％の４種のガラス粉末ＧＦ　　１
、ＧＦ−２，０Ｆ−７及びＧＦ−３を含むＰＬＺＴセラ
ミック物体をもっている。

そのＰＬＺＴとガラス粉末との混合物を、本質的にテル
ペンチン、６％のパイン油及び５％のレシチンからなる
有機結合剤中で撹拌して、約７０重層％の固体を含有す
る分散液又はスラリーを作った。このスラリーを約１０
時間ボールミル粉砕した。

上記の微粉砕したスラリーの逐次被膜を基板に塗布し、
各々の層を順次に乾燥し、そして誘電体　゛物質からな
るその乾燥した（最後の層以外の）各々の層の上に７０
％の銀と３０％のパラジウム粒子とからなる電極形成ペ
ーストをスクリーン印刷することによって実験モノリシ
ックコンデンサ群を作った。各々の誘電体層は約０．０
２５ｚｍ（約１ミル）の厚さである。

交互に挿入された７層の電極形成ペースト膜をもつこの
乾燥層アセンブリーを次いでさいの目に切断して多数の
正方形物体にし、そして８７０℃で焼成して有機物質を
除去した。その各々の電極は、さいの目に切断した後に
は、第１図に描かれているように、その各々の物体がそ
の物体の１つの切断端に達している１つ置きの電極をも
ち、そしてその他の′ｃｉがその物体のその向かい側の
切断端に達している状態になるように配置された。

次いでその物体を密閉アルミナ坩堝中でピーク温度１１
００℃で２．５時間焼結した。容器が焼結すべき物体で
実質的に満たされている状態で密閉容器中で焼結するこ
とが好ましい、何故ならば、このようにすることで酸化
鉛蒸気の正気圧が維持され、このことで焼結助剤として
作用する液体酸化鉛が焼結の間保持され、その結果とし
て高密度化が低い焼結温度で達成されることとなるから
である。ｒＭ放雰囲気中での焼結では不完全に焼結した
多孔質物体になり且つＰＬＺＴ物体から鉛が調節不能で
失われることになる。これらの実験コンデンサにおいて
は、隣接する埋め込まれた電極間の活性′Ｍｙ４電体層
は２５μ（１ミル）の厚さである。

結晶粒界にある遊離鉛を次いで、その焼結した物体を空
気中、９５０℃で２．５時間焼きなましすることによっ
て除去した。各々の焼結した物体の両端に銀ペーストを
塗布し、その後その物体を５分間約７６０℃に加熱して
硬化端子、例えば、第１図の端子１３及び１４、を形成
した。

４つのグループのコンデンサについて１６０■ＤＣ及び
１５０℃での促進寿命試験を実施した。

２５０時間で発見された破損の数を第２表に示すｉ２−
民 実１」Ｌ（号−ガラス岐０＝３１しなぶ＝１　　０Ｆ−
１１／１０ ２　　　ＧＦ−２９／９ ３　　　ＧＦ−７０／１０ ４　　　ＧＦ−３３／８ これらの４種の方法を、焼きなまし工程を省いて実施例
５．６．７及び８として繰り返した。硼酸亜鉛カドミウ
ムガラスを含有する実施例７のコンデンサ（この場合に
は、第３表に示されているように同じく破損数０であっ
た）を除いてかなり悪い破損率が経験された。

実施例１〜８のその他のコンデンサについては上記した
寿命試験を実施しなかったが、各々のコンデンサが絶縁
破壊するまで室温で電圧を上昇させた。第３〜６図にお
いて、実施例１．２．３及び４の焼きなまししたコンデ
ンサについての絶縁破壊電圧のデータ（○）及び実施例
５．６．７及び８の焼きなまししなかったコンデンサに
ついての比較の絶縁破壊電圧のデータ（Ｘ）を、絶縁破
壊電圧対破損数によって定められる領域にプロットする
。各々のグラフにおいて、各データ点は対応する実施例
番号に３０をプラスした数字によって指定される曲線と
関連している。

第５図においてのみ、焼きなまししたコンデンサについ
ての曲線３３及び焼きなまししなかったコンデンサにつ
いての曲線３７（これらは総て硼酸亜鉛カドミウムガラ
スフラックスを含んでいる）は本質的に区別できない、
この一連の試験は実施例３及び７の硼酸亜鉛カドミウム
ガラスの優秀性を一層よく示している。

このシステムにおいて、実施例４及び８のバリウムガラ
スがＰＬＺＴ結晶格子にその大きな部位で入って一層多
くの鉛を置換し且つかねて重大な遊Ｍ鉛の問題を悪化さ
せることをこれらのデータは強く示唆している。ランタ
ンが実施例１及び５並びに実施例２及び６のシリカ含有
ガラス中の珪素に優先的に引き寄せられて、Ｐ　Ｌ　Ｚ
　Ｔ結晶粒からランタンを奪い、そしてＰＬＺＴの格子
を変化させることもまた理論立てられる。

ｌ　　　　　ＧＦ−１ａ　　　　　　良　　　　　　　
良２ＯＦ−２ａ　　　不良　　　不良 ３０Ｆ−７ａ　　　　　　良　　　　　　　良４０Ｆ−
３ａ　　　不良　　　不良 ５０Ｆ−１ｕａ　　　不良　　　不良 ６ＯＦ−２ｕａ　　　不良　　　不良 ７０Ｆ−７ｕａ　　　　　良　　　　　　　良８ＧＦ−
３ｕａ　　　不良　　　不良 性：ａ−焼きなましした；ｂ＝焼きなまししないカドミ
ウムも亜鉛も、チタン酸バリウム中でのそれらの挙動に
反して、焼結時にいくらか有意の程度にガラスから出て
ＰＬＺＴ結晶粒に入ることはないと考えられる。この理
論は、誘電率関数プロット対温度で定義される一層低い
キュリ一温度に変化がないという事実と一致する。

カドミウム及び／又は亜鉛のこの安定性を考慮すれば、
ガラスを形成する元素硼素は遊離鉛を吸着するために必
要とされるものであると結論される。しかしながら、ボ
リア又は硼酸は、その両者が吸湿性であるので、許容さ
れない、吸湿性物質は、物体を加熱し焼結する初期の相
において水が追い払われる時にあまりにも激烈な収縮を
引き起こすので、回避される。

さらに、約１．０重量％以上の硼酸塩フラックス添加に
ついては、ＰＬＺＴ処方物が大きく低下した誘電率を示
し始めることがｔｍ察されてきている。０．９重量％未
満の硼酸塩フラックスが好ましいが、ＰｂＯの吸着のた
めには少なくとも０．１重置％が必須であると考えられ
る。

その他の一連の実験において、ＰＬＺＴシステムでの簡
単な硼酸カドミウムフラックス及び硼酸亜鉛フラックス
の有効性を上記した硼酸亜鉛カドミウムの有効性と比較
した。ガラスＧＦ−４、ＧＦ−５、ＧＦ−６、及びＧＦ
−７の各々のサンプルに等重量のＰｂＯを添加した。各
々の場合にその混合物を白金深皿中で加熱して、それら
が実質的に完全に液体となる温度を観察した。第４表は
ほぼ±２５℃の範囲内で正確である考えられるこれらの
結果を示している・ 匙−先−民 純粋な場合の　５０％のｐｂｏを含 ガラス　液」Ｗ採Ｊし麿−む場Δの゛　線温巴ＧＦ−４
１０９０℃　　　　７２５℃ ＧＦ−５　　１０９０℃　　　　６７５℃ＧＦ−６８６
０℃　　　　６２５℃ ＧＦ−７８６０℃　　　　６２５℃ Ｐｂｏの溶融温度は８９０℃である。従って、これらの
総ての硼酸塩はＰＬＺＴセラミックの焼結の間に逃散Ｐ
ｂＯとで共晶化合物を同じように作り、それで同じよう
に効率のよい液相焼結となることは明らかである。

これらの４種の各々のガラスをＰＬＺＴセラミックにつ
いてフラックスｊｔ０．５重量％で用いた。焼結時の温
度上昇の間、そのフラックスを含んだＰＬＺＴ物体の収
縮を膨張計によって測定した。その速度及び！＆終嵩高
密度化度これらのカドミウム及び亜鉛の硼酸塩について
ほとんど同じであった。このことは道順ｐ　ｂ　ｏを吸
着すること及び焼結を助けることについて本質的に等し
い能力を示している。これとは対照的に、開放空気雰囲
気中で焼成した、フラックスをなんら含まないＰＬＺＴ
物体は１１００℃では適切には焼結されない、それはＰ
ｂＯの揮発性に起因して部分的に多孔質であり、また十
分には焼結されない。このことは焼結助剤としての遊Ｍ
酸化鉛の重要性を例証しており、そして低い１１００℃
での効率のよい焼結をもたらし且つ同時に、焼結後に後
焼きなまし工程なしで遊Ｍ酸化鉛゛を本質的になくする
硼酸カドミウムフラックス及び／又は硼酸亜鉛フラック
スの間の相乗作用を大局観で評価している。

更にその他の実験において、優秀な硼酸亜鉛カドミウム
（ＧＦ−７＞を用いての結果とアルミナの添加されてい
る同じガラス（ＧＦ−８）を用いての結果との比較を得
た。再度、実施ＰＡ１．２．３及び４のコンデンサを作
るのに用いた方法と同じ方法によってモノリシックＰＬ
ＺＴセラミックコンデンサを作った。再び、０．５重量
％のガラスＧＦ−８を用いた。この実験のコンデンサは
、ガラスＧＦ−７を含む実施例３及び７のコンデンサの
キャパシタンス、誘電率、キャパシタンスの温度係数、
及び絶縁破壊の特性的測度とは本質的に区別できないこ
れらの特性を示した。　フラックスを含まないＰＬＺＴ
物体を空気中、１１００℃で焼結している間に、１〜１
．５重量％のＰｂＯが失われる。この損失は標準的に予
想され、それで鉛に富んだ出発組成物を用いることによ
って前もって償われる。鉛のその上の損失を引き起こさ
ないフラックスを選ぶべきである。フラックスはＰＬＺ
Ｔ結晶粒中の元素引きずり込んだり、不純物原子をその
結晶粒に加えたりして、その結晶粒中の化学量論及び／
又は電荷の平衡に不均衡を引き起こすべきではない。

添加剤としてのチタニア及びジルコニアは遊雛鉛を吸着
するが、しかし焼結温度を低下させることはなく、また
結晶粒を平衡のままにしておくための上記の基準を満足
しない、さらに、たとえフラックスの量が１重量％未満
であっても、出発フラックス組成物それ自体は約２．０
重量％未満のアルカリ金属、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＣ
ｕ並びに遷移金属（Ｎｉ＝　Ｃｏ、Ｆｅ及びＭｎを包含
する）の酸化物を含有すべきである。その上に、フラッ
クスは２．０重量％未満のＳｎ、ＳＪ　Ｎｂ、Ｔｎ及び
Ｂｉの酸化物を含むべきであり、それらの総てが追加的
にＰＬＺＴ結晶粒に入り込む傾向があり且つＰＬＺＴ物
質のキュリ一温度に対するかなりの変更作用をもってい
る。Ｓｉはその結晶粒には入り込まないが、５ｉＯｚも
また前記した理由ではフラックスの２．０重量％未満の
量であるべきである。

本発明で用いるカドミウム／亜鉛フラックスにかなりの
量のＡｌ２Ｏ３を添加すると、実際にＰｂＯ吸着能力が
改良されることになるが、実施し本明細書に記載した比
較試験はそのような優秀性を示すようには企てられなか
った。このことは、ガラス組成物へのアルミナの添加が
ガラス組成物の適合できる陽イオンの量を拡張し得る追
加のガラス形成物質として作用するとして知られている
事実に一致する０本発明のフラックスは２０重足置まで
のアルミナを含有してもよいことが判断される。

【図面の簡単な説明】

第１図はモノリシックセラミックコンデンサの側断面図
を示しており、 第２図はセラミックチップの側断面図を示しており、そ
して 第３〜６図はそれぞれ、逐次上昇中の電圧応力下でのコ
ンデンサ破損数対破損が発生した電圧のグラフを示して
おり；第５図は本発明のコンデンサを示している。 図中、１０及び２０はセラミンク物体、１１及び１２は
膜電極、１３及び１４は導電作成端コーティング、１５
及び１６はリード線、１７及び１８ははんだ結合、２１
及び２２は電極である。 二、−）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、焼結されたガラス・セラミック誘電体及び該誘電体
   と接触している、間隔を置いて配置された２個の別個の
   電極を含むセラミックコンデンサであって、該誘電体は
   （Ａ）鉛の０．０７〜０．１６モル部がランタンで置換
   されており且つジルコン酸イオンの０．１０〜０．４０
   モル部がチタン酸イオンで置換されている反強誘電体ジ
   ルコン酸鉛相、及び（Ｂ）該誘電体の０．１〜０．９重
   量％に等しいガラス相からなり、該ガラス相は本質的に
   硼酸鉛カドミウム、硼酸鉛アルミニウムカドミウム、硼
   酸鉛亜鉛、硼酸鉛アルミニウム亜鉛及びそれらの組み合
   わせから選ばれた硼酸塩からなり、該ガラス相中の該鉛
   は焼結の間に該ジルコン酸チタン酸ランタン鉛（ＰＬＺ
   Ｔ）相から揮発してきて該ガラス相によって吸着された
   ものである、ことを特徴とする上記のセラミックコンデ
   ンサ。 ２、該硼酸塩がＣｄＯ・２ＺｎＯ・ｘＰｂＯ・Ｂ＿２Ｏ
   ＿３である、請求項１記載のセラミックコンデンサ。 ３、該硼酸塩中の該アルミナが２０重量％以下の量であ
   る、請求項１記載のセラミックコンデンサ。 ４、該ガラス相が２重量％以下の、元素Ｂａ、Ｃａ、Ｓ
   ｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔａ
   、Ｂｉ及びＳｉの酸化物を含む、請求項１記載のセラミ
   ックコンデンサ。 ５、ａ）本質的に Ｐｂ＿１＿−＿ｘＬａ＿ｘ（Ｚｒ＿ｙＴｉ＿１＿−＿ｙ
   ）Ｏ＿３（式中、ｘは０．０７〜０．１６であり、ｙは
   ０．６０〜０．９０である） からなるＰＬＺＴセラミックの粉末を用意すること； ｂ）本質的に硼酸カドミウム、硼酸アルミニウムカドミ
   ウム、硼酸亜鉛、硼酸アルミニウム亜鉛及びそれらの組
   み合わせから選ばれた硼酸塩からなるガラスフラックス
   粉末を用意すること；ｃ）該ＰＬＺＴと該ガラスフラッ
   クス粉末との混合物であつて該フラックスが該混合物の
   ０．１〜０．９重量％の量である該混合物を生成させる
   こと； ｄ）該粉末混合物の物体を形成すること； ｅ）該物体と接触している、間隔を置いて配置された少
   なくとも２個の電極を形成すること；及び ｆ）該物体を十分に焼結させ且つ該ＰＬＺＴから揮発す
   るＰｂＯを該フラックスに吸着させるために、該物体を
   約１１００℃で十分に焼成すること、 を特徴とするセラミックコンデンサの製造法。 ６、該焼結の間多数の本質的に同一のＰＬＺＴ物体の周
   囲に調節ＰｂＯ雰囲気を提供するために、該物体の該焼
   成を該多数の本質的に同一のＰＬＺＴ物体を収容してい
   る密閉坩堝中で実施する、請求項５記載の方法。 ７、該ガラスフラックスがＣｄＯ・２ＺｎＯ・Ｂ＿２Ｏ
   ＿３である、請求項５記載の方法。 ８、該ガラス相が２重量％以下の、元素Ｂ、Ｃａ、Ｓｒ
   、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔａ、
   Ｂｉ及びＳｉの酸化物を含む、請求項５記載の方法。 ９、該鉛の約２モル％が等モル量の銀によって置換され
   ている、請求項５記載の方法。 １０、該鉛の約２モル％が等モル量のビスマスによって
   置換されている、請求項５記載の方法。