JPS63249348A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63249348A JPS63249348A JP62083353A JP8335387A JPS63249348A JP S63249348 A JPS63249348 A JP S63249348A JP 62083353 A JP62083353 A JP 62083353A JP 8335387 A JP8335387 A JP 8335387A JP S63249348 A JPS63249348 A JP S63249348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- wire bonding
- electrode surface
- wire
- covered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/019—Manufacture or treatment of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発明に半導体ｆｌｉｔのポンディングパッドの形成方
法。特にワイヤーボンディングを施す部分以外の領域に
表面保護膜として絶縁ｇｔ具備する半導体装置の製造方
法に関する。
法。特にワイヤーボンディングを施す部分以外の領域に
表面保護膜として絶縁ｇｔ具備する半導体装置の製造方
法に関する。
〔従来の技術〕 、
従来の技術について、第２図を参照して説明する。
第２図（２）に示すように、半導体基板上に形成された
半導体装置全面を絶縁膜で榎う。次に第２図［Ｆ］）に
示すように、ワイヤーボンディングを鬼すべき領域以外
の領域をレジストマスクで憶う。次・に第２５図（ｃ）
に示すように、レジストマスクで俊われていない領域の
絶縁＠をエツチングで除去し、ワイヤーボンディングを
施すべき電極表面をｍ出させる。こうして出来た半導体
基板を個々のベレッ、トに分割し、容器に装着、ワイヤ
ーボンデ、インクをすることによりａ造されていた。
半導体装置全面を絶縁膜で榎う。次に第２図［Ｆ］）に
示すように、ワイヤーボンディングを鬼すべき領域以外
の領域をレジストマスクで憶う。次・に第２５図（ｃ）
に示すように、レジストマスクで俊われていない領域の
絶縁＠をエツチングで除去し、ワイヤーボンディングを
施すべき電極表面をｍ出させる。こうして出来た半導体
基板を個々のベレッ、トに分割し、容器に装着、ワイヤ
ーボンデ、インクをすることによりａ造されていた。
とζろが上記した従来の製造方法では、ワイヤーボンデ
ィングを施丁べき電極表面が絶縁膜で後われる時に変質
したり、また、レジストマスクで覆わｎていない領域の
絶縁膜を除去し、ワイヤーボンディングを施すべき電極
表面を露出させる時に、ワイヤーボンディングを施すべ
き電極表面が□汚れていた９％平滑であるために、ボン
ディング時に、ときにはボンディングワイヤーの不着、
あるいは、ボンディング強度が弱いために、ボンディン
グワイヤーが剥離するという問題がある。
ィングを施丁べき電極表面が絶縁膜で後われる時に変質
したり、また、レジストマスクで覆わｎていない領域の
絶縁膜を除去し、ワイヤーボンディングを施すべき電極
表面を露出させる時に、ワイヤーボンディングを施すべ
き電極表面が□汚れていた９％平滑であるために、ボン
ディング時に、ときにはボンディングワイヤーの不着、
あるいは、ボンディング強度が弱いために、ボンディン
グワイヤーが剥離するという問題がある。
本発明の目的は、上記問題を解消する方法を提供するこ
とにある。
とにある。
本発明に工ｎば、ワイヤーボンディングを施す部分以外
の領域に表面保−膜として絶縁幌ヲ具備する半導体装置
の製造方法において、 １、半導体基板上に形匠された半導体装置全面を絶縁膜
で覆う工程 ２ ワイヤーボンディングを施すべき＊＊以外の領域ヲ
レジストマスクで覆う工程 １ レジストマスクで覆われていない領域の絶縁膜を除
去し、ワイヤーボンディングを施すべき電極表面を露出
させる工程 ４、 イオンミリングにより露出されｅｔ＆表面を処理
する工程以上４工程を具備することを特徴とする半導体
装置の製造方法が得られる。
の領域に表面保−膜として絶縁幌ヲ具備する半導体装置
の製造方法において、 １、半導体基板上に形匠された半導体装置全面を絶縁膜
で覆う工程 ２ ワイヤーボンディングを施すべき＊＊以外の領域ヲ
レジストマスクで覆う工程 １ レジストマスクで覆われていない領域の絶縁膜を除
去し、ワイヤーボンディングを施すべき電極表面を露出
させる工程 ４、 イオンミリングにより露出されｅｔ＆表面を処理
する工程以上４工程を具備することを特徴とする半導体
装置の製造方法が得られる。
次に本発明の具体的一実施例について、第１図を参照し
て説明する。
て説明する。
第１図囚に示すように、半導体基板１上に形収された半
導体装ｆ２全面を厚さ２０００Ａのプラズマ窒化１１３
で覆う。次に第１図（２）に示すように。
導体装ｆ２全面を厚さ２０００Ａのプラズマ窒化１１３
で覆う。次に第１図（２）に示すように。
ワイヤーボンディングを施すべき領域以外の領域をレジ
ストマスク４で覆う。次に第１図０に示すように、レジ
ストマスクで覆われていない領域のプラズマ窒化膜をエ
ツチングで除去し、ワイヤーボンディングを施すべき電
極表面を露出させる。
ストマスク４で覆う。次に第１図０に示すように、レジ
ストマスクで覆われていない領域のプラズマ窒化膜をエ
ツチングで除去し、ワイヤーボンディングを施すべき電
極表面を露出させる。
次に第１図■に示すように、露出された電億表面を１０
分間イオンミリング會することにより、露出された電極
表面の汚れ、及び変質物が除去され、さらに表面の起伏
が激しくなる。その後、レジストマスクを除去する。
分間イオンミリング會することにより、露出された電極
表面の汚れ、及び変質物が除去され、さらに表面の起伏
が激しくなる。その後、レジストマスクを除去する。
本発明は、ワイヤーボンディングを８丁部分以外の領域
に表面保護膜として絶縁膜を具備する半導体装置におい
て、露出され九ワイヤーボンディング管施すべき電極表
面をイオンミリングをして。
に表面保護膜として絶縁膜を具備する半導体装置におい
て、露出され九ワイヤーボンディング管施すべき電極表
面をイオンミリングをして。
汚れ、および変質物を除去、さらに電極表面の起伏を激
しくすることにより、ワイヤーボンディング時のワイヤ
ーの不着全減少できｔ９ｓボンティング強度の増強をは
かることができる。
しくすることにより、ワイヤーボンディング時のワイヤ
ーの不着全減少できｔ９ｓボンティング強度の増強をは
かることができる。
以上特定の材料、方法で説明し九が１本発明の基本的考
え方から明らかなように、特定の材料。
え方から明らかなように、特定の材料。
方法に限定されることなく適用されることに言うまでも
ない。
ない。
第１図（Ａ）〜０は不発明の一実施例を工程順に示す断
面図である。第２図■〜Ｃ）は従来例を示す断面図であ
る。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・半導体装置
、３・・・・・・プラズマ窒化膜、４・・・・・・レジ
ストマスク。 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） 第 １ 閃
面図である。第２図■〜Ｃ）は従来例を示す断面図であ
る。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・半導体装置
、３・・・・・・プラズマ窒化膜、４・・・・・・レジ
ストマスク。 （Ａ） （Ｂ） （Ｃ） 第 １ 閃
Claims (1)
- ワイヤーボンディンを施す部分以外の領域に表面保護膜
として絶縁膜を具備する半導体装置の製造方法において
、半導体基板上に形成された半導体装置全面を絶縁膜で
覆う工程、ワイヤーボンディングを施すべき領域以外の
領域をレジストマスクで覆う工程、レジストマスクで覆
われていない領域の絶縁膜を除去し、ワイヤーボンディ
ングを施すべき電極表面を露出させる工程、イオンミリ
ングにより露出された電極表面を処理する工程を具備す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62083353A JPS63249348A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62083353A JPS63249348A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63249348A true JPS63249348A (ja) | 1988-10-17 |
Family
ID=13800073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62083353A Pending JPS63249348A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63249348A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019079936A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS547866A (en) * | 1977-06-20 | 1979-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture for semiconductor device |
-
1987
- 1987-04-03 JP JP62083353A patent/JPS63249348A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS547866A (en) * | 1977-06-20 | 1979-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture for semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019079936A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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