JPS63254758A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63254758A JPS63254758A JP62088690A JP8869087A JPS63254758A JP S63254758 A JPS63254758 A JP S63254758A JP 62088690 A JP62088690 A JP 62088690A JP 8869087 A JP8869087 A JP 8869087A JP S63254758 A JPS63254758 A JP S63254758A
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- JP
- Japan
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- die pad
- lead frame
- tape
- semiconductor
- semiconductor device
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関するもので、特にグイバンドを
排除したリードフレームを用い、かつ、接着機能を有す
るグイバンドテープを用いて半導体ペレットを搭載した
半導体装置に関するものである。
排除したリードフレームを用い、かつ、接着機能を有す
るグイバンドテープを用いて半導体ペレットを搭載した
半導体装置に関するものである。
従来の半導体装置は第１図および第２図に示すようなダ
イパッド１、リード２およびサポートパー３から構成さ
れるリードフレームのダイパッドの上に第２図に示すよ
うにグイボンディング接着層５を介して半導体ペレット
４を載置し、該ベレット上に形成された電極７とリード
とを接続したボンディングワイヤー６と共に封止樹脂８
により一体化した構成を有する。
イパッド１、リード２およびサポートパー３から構成さ
れるリードフレームのダイパッドの上に第２図に示すよ
うにグイボンディング接着層５を介して半導体ペレット
４を載置し、該ベレット上に形成された電極７とリード
とを接続したボンディングワイヤー６と共に封止樹脂８
により一体化した構成を有する。
この場合、リードフレームを構成するダイパッドは、多
種多様をきわめる半導体ペレットの大きさ、形状に対応
すべくその寸法、形状を変更する必要があり、これに付
随してリードの寸法、形状にも変更を余儀なくされる。
種多様をきわめる半導体ペレットの大きさ、形状に対応
すべくその寸法、形状を変更する必要があり、これに付
随してリードの寸法、形状にも変更を余儀なくされる。
このように多種多様の半導体ペレットに合わせてリード
フレームの設計変更をすることは、リードフレームの金
型を何種類も作製しなければならず金型の費用、ひいて
はリードフレームが高価となって問題が多い。
フレームの設計変更をすることは、リードフレームの金
型を何種類も作製しなければならず金型の費用、ひいて
はリードフレームが高価となって問題が多い。
又、ダイパッドの背面は封止樹脂との接着封止性が悪い
ために、リードと封止樹脂との界面から侵入した外部か
らの水分が溜り易く、半導体装置をサーキット板に面実
装する際のはんだ付は工程の加熱処理の際これかもとで
水分の急激な膨張により封止樹脂等に内部応力を生じ、
さらに又、半導体ペレットとダイパッドとの間の熱膨張
率の差が大きく、両者の熱膨張率の差によって生ずる応
力により半導体ペレットや封止樹脂にクランクが生ずる
などの問題を有する。
ために、リードと封止樹脂との界面から侵入した外部か
らの水分が溜り易く、半導体装置をサーキット板に面実
装する際のはんだ付は工程の加熱処理の際これかもとで
水分の急激な膨張により封止樹脂等に内部応力を生じ、
さらに又、半導体ペレットとダイパッドとの間の熱膨張
率の差が大きく、両者の熱膨張率の差によって生ずる応
力により半導体ペレットや封止樹脂にクランクが生ずる
などの問題を有する。
本発明は上記の実情に鑑みてなされたものであり、同一
リード数の半導体装置のリードフレームの統一化をはか
り、各種の大きさ、形状を有する半導体ペレットに対応
すべく半導体装置を組立てる際の煩雑さを解消すると同
時に信頼性に優れた半導体装置を提供することを目的と
するものである。
リード数の半導体装置のリードフレームの統一化をはか
り、各種の大きさ、形状を有する半導体ペレットに対応
すべく半導体装置を組立てる際の煩雑さを解消すると同
時に信頼性に優れた半導体装置を提供することを目的と
するものである。
本発明の概要はダイパッドの排除されたリードフレーム
および該リードフレームのリード先端を含んで覆う大き
さのグイバッドチーブに半導体ペレットを搭載し、封止
してなる半導体装置であって、前記グイパッドチーブが
耐熱性接着フィルムの単一層からなる半導体装置である
。
および該リードフレームのリード先端を含んで覆う大き
さのグイバッドチーブに半導体ペレットを搭載し、封止
してなる半導体装置であって、前記グイパッドチーブが
耐熱性接着フィルムの単一層からなる半導体装置である
。
次に本発明を図面により説明する。
本発明の半導体装置の一例は第３図（イ）（ロ）に示す
とおりで、いずれもダイパッドが排除されて空隙部９を
有しており、リードフレーム２および該リードフレーム
２の先端を含んで覆う大きさを有するダイパッドテープ
１０が設けられている。
とおりで、いずれもダイパッドが排除されて空隙部９を
有しており、リードフレーム２および該リードフレーム
２の先端を含んで覆う大きさを有するダイパッドテープ
１０が設けられている。
このグイパッドテープは接着性フィルムの単一層からな
るもので、その上に半導体ペレット４が設けられ、半導
体ペレット４の上部の電極７からリード２にボンディン
グワイヤ６で接続され、封止材料で封止してなることは
全く同一である。
るもので、その上に半導体ペレット４が設けられ、半導
体ペレット４の上部の電極７からリード２にボンディン
グワイヤ６で接続され、封止材料で封止してなることは
全く同一である。
ただ両者の構造の差は製造方法の差に基づくもので、第
３図（イ）はダイパッドテープをリード２に接着してか
らペレット４を接続する場合であり、グイボンディング
ペーストを用いる必要はない。
３図（イ）はダイパッドテープをリード２に接着してか
らペレット４を接続する場合であり、グイボンディング
ペーストを用いる必要はない。
これに対して第３図（ロ）はダイパッドテープとリード
２とペレット４とを同時に接着する場合で、その接着性
を保証するために、半導体チップの下面にグイボンディ
ングペースト塗布層５を設けておく。これにより各層間
は強固に支持され、半導体装置の組立構造の安定化と信
頼性を高める。
２とペレット４とを同時に接着する場合で、その接着性
を保証するために、半導体チップの下面にグイボンディ
ングペースト塗布層５を設けておく。これにより各層間
は強固に支持され、半導体装置の組立構造の安定化と信
頼性を高める。
本発明で用いられるダイパッドテープは、支持体に接着
層を別層として設けるものではなく、支持体自体が接着
機能を有するものである。
層を別層として設けるものではなく、支持体自体が接着
機能を有するものである。
なお、ここに用いられるリードフレームは第４図に示す
ようにダイパッドが単に排除され空隙部９を有するリー
ド２のみからなるリードフレーム、第５図（イ）、（ロ
）に示すようにリードフレームを構成するリード２のう
ち、所望の本数のリードがグイバッド空隙部９に向って
突出し、かつ突出したリードの先端が偏平部１１となっ
ているもの、および第６図（イ）、（ロ）に示すように
リード２に架橋部１２が形成されているものに適用され
、グイバッドチーブの寸法はリード２の先端すべてを覆
う大きさにて設定されてもよいし、又リード２の一部を
覆う大きさに設定されてもよい。
ようにダイパッドが単に排除され空隙部９を有するリー
ド２のみからなるリードフレーム、第５図（イ）、（ロ
）に示すようにリードフレームを構成するリード２のう
ち、所望の本数のリードがグイバッド空隙部９に向って
突出し、かつ突出したリードの先端が偏平部１１となっ
ているもの、および第６図（イ）、（ロ）に示すように
リード２に架橋部１２が形成されているものに適用され
、グイバッドチーブの寸法はリード２の先端すべてを覆
う大きさにて設定されてもよいし、又リード２の一部を
覆う大きさに設定されてもよい。
このようなダイパッドテープの材料としては下記のもの
が挙げられる。
が挙げられる。
（１） 熱硬化性樹脂・・・・・・エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂等加熱硬化（キュア）する形式の樹脂で８
０℃位の融点を有する半硬化（Ｂステージ）状のもので
、そのま＼加熱硬化することによって強い接着性を発揮
するもの （２） 熱可塑性樹脂・・・・・・ポリフェニレンサ
ルファイド（ＰＰＳ）、ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム等３００℃以上の融点を有し、接着性を発揮する
ものがある。
リイミド樹脂等加熱硬化（キュア）する形式の樹脂で８
０℃位の融点を有する半硬化（Ｂステージ）状のもので
、そのま＼加熱硬化することによって強い接着性を発揮
するもの （２） 熱可塑性樹脂・・・・・・ポリフェニレンサ
ルファイド（ＰＰＳ）、ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム等３００℃以上の融点を有し、接着性を発揮する
ものがある。
これらは熱可塑性樹脂に熱硬化性樹脂を配合したり、又
、ガラス繊維、セラミック繊維、カーボン繊維などをベ
ースにして強化樹脂としたり、充填剤を配合して増粘し
たりして、テープの原形を保持しながら機械的強度及び
接着力等を増大せしめることができる。
、ガラス繊維、セラミック繊維、カーボン繊維などをベ
ースにして強化樹脂としたり、充填剤を配合して増粘し
たりして、テープの原形を保持しながら機械的強度及び
接着力等を増大せしめることができる。
上記のダイパッドテープの代表的な製造例は下記のプリ
プレグ等を用いることにより行うことができる。
プレグ等を用いることにより行うことができる。
（ｉ）ガラスクロスにエポキシ樹脂／硬化剤系を含浸し
、半硬化（Ｂステージ）させたもの。
、半硬化（Ｂステージ）させたもの。
（ｉｉ ）ガラスクロスにビスマレイミドトリアジンを
含浸し、半硬化（Ｂステージ）させたもの。
含浸し、半硬化（Ｂステージ）させたもの。
（ｉｉｉ ）半硬化状（Ｂステージ）エポキシフィルム
すなわちエポキシ樹脂／硬化剤系をＴダイ溶融押出し法
にて離型性セパレータに積層し、冷却後剥離しフィルム
化させたもの。
すなわちエポキシ樹脂／硬化剤系をＴダイ溶融押出し法
にて離型性セパレータに積層し、冷却後剥離しフィルム
化させたもの。
実施例１
ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸し半硬化せしめた厚
さ２００μｍのエポキシガラス不織布プリプレグ（「シ
ルボンＴ−６１」新興化学工業株式会社製）からなるダ
イパッドテープを所望の大きさに切断して第４図２に示
す形状の鉄系の金属板例えばコバール板を打ち抜き加工
してなるリードフレームに接着層により加熱接着した後
、グイボンド接着剤を使用して第３図（Ｏ）に示すよう
な半導体装置を組立てた。
さ２００μｍのエポキシガラス不織布プリプレグ（「シ
ルボンＴ−６１」新興化学工業株式会社製）からなるダ
イパッドテープを所望の大きさに切断して第４図２に示
す形状の鉄系の金属板例えばコバール板を打ち抜き加工
してなるリードフレームに接着層により加熱接着した後
、グイボンド接着剤を使用して第３図（Ｏ）に示すよう
な半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性を
見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定し
た接着性が確認された。又、ワイヤーボンダビリティ−
も良好で信頼性のある半導体装置を構成することができ
た。
見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定し
た接着性が確認された。又、ワイヤーボンダビリティ−
も良好で信頼性のある半導体装置を構成することができ
た。
又、８５℃、８５％ＲＨの雰囲気にて２４時間放置後２
６０℃のハンダ浴に３時間浸漬した後、プレッシャーク
ンカーテスター（ＰＣＴ）にて２５０時間試験したが全
く異常がなかった。
６０℃のハンダ浴に３時間浸漬した後、プレッシャーク
ンカーテスター（ＰＣＴ）にて２５０時間試験したが全
く異常がなかった。
実施例２
下記組成物を粉砕混合し、８０〜１００℃で熱溶融混練
しなからＴダイ押し出し法にて離型シート上に押し出し
積層し、半硬化状のエポキシフィルムからなるダイパッ
ドテープを作成した。
しなからＴダイ押し出し法にて離型シート上に押し出し
積層し、半硬化状のエポキシフィルムからなるダイパッ
ドテープを作成した。
得られたダイパッドテープを離型シートから剥離し所望
の大きさに切断して第４図２に示す形状の、鉄系の金属
板例えばコバール板を打ち抜き加工してなるリードフレ
ームに接着層により加゛ 熱すると同時にグイボンデ
ィング接着剤を使用すた。 得られた半導体装置につい
て、実装試験による信頼性を見たところ、接着層の電流
のリークは見られず、安定した接着性が確認された。又
、ワイヤーボンダビリティ−も良好で、信頼性のある半
導体装置を構成することができた。
の大きさに切断して第４図２に示す形状の、鉄系の金属
板例えばコバール板を打ち抜き加工してなるリードフレ
ームに接着層により加゛ 熱すると同時にグイボンデ
ィング接着剤を使用すた。 得られた半導体装置につい
て、実装試験による信頼性を見たところ、接着層の電流
のリークは見られず、安定した接着性が確認された。又
、ワイヤーボンダビリティ−も良好で、信頼性のある半
導体装置を構成することができた。
又、８５℃、８５％ＲＨの雰囲気にて２４時間放置後２
６０℃のハンダ浴に３時間浸漬した後、ＰＣＴにて２５
０時間試験したが全（異常がなかった。
６０℃のハンダ浴に３時間浸漬した後、ＰＣＴにて２５
０時間試験したが全（異常がなかった。
本発明は上記の構成よりダイパッドの排除されたリード
フレームを用いた半導体素子であって、リードに接続す
るボンディングワイヤーをチップの下面から取り出す構
造の半導体装置を提供するものであるので、ダイパッド
テープを半導体ベレットの形状、寸法に合わせて任意に
裁断してリードフレームの半導体ペレット搭載部に供す
ることができ、リードフレームの設計製作上効率化とコ
ストダウンに有効である。又、ダイパッドテープと封止
材料との接着性が良好なので、水分の急激な膨張による
封止樹脂のクランク発生等の心配もな（、かつ半導体ベ
レットとダイパッドテープ間の熱膨張率の差が小さいの
で半導体ペレットのクランクの発生もなく、さらに又、
従来のリードフレームにあるようなリードの先端とダイ
パッドとの間の隙間に相当するものがないので、モール
ド加工時にボンディングワイヤーが流れたり、切れたり
することがないなどの効果も期待することができ、極め
て信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
フレームを用いた半導体素子であって、リードに接続す
るボンディングワイヤーをチップの下面から取り出す構
造の半導体装置を提供するものであるので、ダイパッド
テープを半導体ベレットの形状、寸法に合わせて任意に
裁断してリードフレームの半導体ペレット搭載部に供す
ることができ、リードフレームの設計製作上効率化とコ
ストダウンに有効である。又、ダイパッドテープと封止
材料との接着性が良好なので、水分の急激な膨張による
封止樹脂のクランク発生等の心配もな（、かつ半導体ベ
レットとダイパッドテープ間の熱膨張率の差が小さいの
で半導体ペレットのクランクの発生もなく、さらに又、
従来のリードフレームにあるようなリードの先端とダイ
パッドとの間の隙間に相当するものがないので、モール
ド加工時にボンディングワイヤーが流れたり、切れたり
することがないなどの効果も期待することができ、極め
て信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
第１図は従来の技術によるリードフレームの斜視図、第
２図は従来の半導体装置の断面図、第３図（イ）、（ロ
）は本発明の半導体装置の一例を示す断面図、第４図、
第５図および第６図は本発明の半導体装置に用いられる
リードフレームの構造例を示す上面図である。 １・・・ダイパッド、２・・・リード、３・・・サポー
トバー、４・・・半導体ベレット、５・・・ダイボンデ
ィング接着層、６・・・ボンディングワイヤー、７・・
・電極、８・・・封止樹脂、９・・・空隙部、１０・・
・グイパッドテープ、１１・・・偏平部、１２・・・架
橋部、代理人 弁理士 竹 内 ９第１図 第２図 第 ３ Ｅ道 （イ） 第５図 鴨６図
２図は従来の半導体装置の断面図、第３図（イ）、（ロ
）は本発明の半導体装置の一例を示す断面図、第４図、
第５図および第６図は本発明の半導体装置に用いられる
リードフレームの構造例を示す上面図である。 １・・・ダイパッド、２・・・リード、３・・・サポー
トバー、４・・・半導体ベレット、５・・・ダイボンデ
ィング接着層、６・・・ボンディングワイヤー、７・・
・電極、８・・・封止樹脂、９・・・空隙部、１０・・
・グイパッドテープ、１１・・・偏平部、１２・・・架
橋部、代理人 弁理士 竹 内 ９第１図 第２図 第 ３ Ｅ道 （イ） 第５図 鴨６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ダイパッドが排除されたリードフレームおよび該リ
ードフレームのリード先端を含んで覆う大きさを有する
ダイパッドテープに搭載された半導体ペレットを封止し
てなる半導体装置であって、前記ダイパッドテープが耐
熱性接着フィルムの単一層からなることを特徴とする半
導体装置。 ２）リードフレームを構成するリードのうち所望の本数
のリードがダイパッド空隙部に向って突出し、かつ突出
したリードの先端部が他のリードに比べて広い面積にて
構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。 ３）リードフレームを構成するリードのうち所望の本数
のリードがダイパッド空隙部に向って突出し、かつ該空
隙部内で突出したリードの先端部が他のリードの先端部
と互いに結合して架橋部を形成していることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088690A JPS63254758A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088690A JPS63254758A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254758A true JPS63254758A (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=13949834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62088690A Pending JPS63254758A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63254758A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444301A (en) * | 1993-06-23 | 1995-08-22 | Goldstar Electron Co. Ltd. | Semiconductor package and method for manufacturing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5797659A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Matsushita Electronics Corp | Lead frame |
| JPS6068639A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-04-19 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS60167454A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP62088690A patent/JPS63254758A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5797659A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Matsushita Electronics Corp | Lead frame |
| JPS6068639A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-04-19 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS60167454A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444301A (en) * | 1993-06-23 | 1995-08-22 | Goldstar Electron Co. Ltd. | Semiconductor package and method for manufacturing the same |
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