JPS6325661B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6325661B2 JPS6325661B2 JP13982184A JP13982184A JPS6325661B2 JP S6325661 B2 JPS6325661 B2 JP S6325661B2 JP 13982184 A JP13982184 A JP 13982184A JP 13982184 A JP13982184 A JP 13982184A JP S6325661 B2 JPS6325661 B2 JP S6325661B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- glass mask
- mask
- glass
- pure water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装置製造工程で使用され
る、半導体ウエーハ用ガラスマスクの洗浄方法に
関し、特に、マスク上のしみ発生を防止する改良
に係わる。
る、半導体ウエーハ用ガラスマスクの洗浄方法に
関し、特に、マスク上のしみ発生を防止する改良
に係わる。
半導体装置製造工程において、従来のガラスマ
スク洗浄方法は、第１図に示す洗浄装置の概要構
成図のようにしていた。１はガラスマスクで、回
転支持枠２上に載せられ電動機３により高速回転
される。ポンプ４で加圧した高圧イオン水６をノ
ズル５から噴出しガラスマスク１上面を洗浄す
る。
スク洗浄方法は、第１図に示す洗浄装置の概要構
成図のようにしていた。１はガラスマスクで、回
転支持枠２上に載せられ電動機３により高速回転
される。ポンプ４で加圧した高圧イオン水６をノ
ズル５から噴出しガラスマスク１上面を洗浄す
る。
洗浄後は、高圧イオン水６の噴出を止め、高速
回転を続行したまま、加熱ランプ７により乾燥さ
せていた。
回転を続行したまま、加熱ランプ７により乾燥さ
せていた。
この洗浄方法のシーケンスを第２図に示し、ガ
ラスマスク１は同じ回転数のまま、高圧イオン水
６による洗浄と乾燥を行つていた。
ラスマスク１は同じ回転数のまま、高圧イオン水
６による洗浄と乾燥を行つていた。
ガラスマスク１を高速回転し純水を当てると、
静電破壊によりパターン膜のクロムはがれが起こ
るため、洗浄にはイオン水が使用されている。こ
のイオン水には、一般にマグネシウムを純水中に
溶解させたものが使用されている。
静電破壊によりパターン膜のクロムはがれが起こ
るため、洗浄にはイオン水が使用されている。こ
のイオン水には、一般にマグネシウムを純水中に
溶解させたものが使用されている。
上記従来の洗浄方法では、イオン水のマグネシ
ウム溶解液がそのまま乾き、ガラスマスク１上に
マグネシウムが残つたり、ポンプ４の軸受部から
漏れた潤滑油がイオン水に混入し、これがガラス
マスク１に欠陥を残すことがあつた。
ウム溶解液がそのまま乾き、ガラスマスク１上に
マグネシウムが残つたり、ポンプ４の軸受部から
漏れた潤滑油がイオン水に混入し、これがガラス
マスク１に欠陥を残すことがあつた。
従来の洗浄方法によつたガラスマスク１の洗浄
結果を、第３図及び第４図に棒グラフで示す。第
３図は洗浄されたガラスマスク１数と、これらに
よりそれぞれパターンが形成されたチツプ（５
mm2）各10個分宛のしみ発生数との関係を示し、チ
ツプ10個分の発生しみ数が最多26個であつた。
結果を、第３図及び第４図に棒グラフで示す。第
３図は洗浄されたガラスマスク１数と、これらに
よりそれぞれパターンが形成されたチツプ（５
mm2）各10個分宛のしみ発生数との関係を示し、チ
ツプ10個分の発生しみ数が最多26個であつた。
また、第４図は洗浄されたガラスマスク１数
と、これによりそれぞれパターンが形成されたチ
ツプ（５mm2）各10個分宛のしみ発生確率との関係
を示し、最高100％であつた。
と、これによりそれぞれパターンが形成されたチ
ツプ（５mm2）各10個分宛のしみ発生確率との関係
を示し、最高100％であつた。
この発明は、ガラスマスクを高速回転させなが
ら高圧イオン水で洗浄し、この洗浄後低速回転に
落してさらに、純水により洗浄し、後、再び高速
回転させながら加熱乾燥するようにし、マグネシ
ウムや油分などがガラスマスク上に残らないよう
にする、半導体ウエーハ用ガラスマスクの洗浄方
法を提供することを目的としている。
ら高圧イオン水で洗浄し、この洗浄後低速回転に
落してさらに、純水により洗浄し、後、再び高速
回転させながら加熱乾燥するようにし、マグネシ
ウムや油分などがガラスマスク上に残らないよう
にする、半導体ウエーハ用ガラスマスクの洗浄方
法を提供することを目的としている。
この発明の一実施例によるガラスマスクの洗浄
方法を、第５図に示す洗浄装置の概要構成図によ
り説明する。まず、ガラスマスク１を回転支持枠
２上に載せ、電動機３により高速回転しながら、
ポンプ４で加圧した高圧イオン水６をノズル５か
ら噴出し、ガラスマスク１上面を洗浄し、高圧イ
オン水６の供給を止める。つづいて、ガラスマス
ク１を500rpm以下の低速回転に落し、低圧（１
〜２Kg／cm2）の純水１１を純水ノズル１０から噴
出しガラスマスク１を洗浄し、残留イオン水６を
洗い落し、マグネシウムや油分が残らないように
する。
方法を、第５図に示す洗浄装置の概要構成図によ
り説明する。まず、ガラスマスク１を回転支持枠
２上に載せ、電動機３により高速回転しながら、
ポンプ４で加圧した高圧イオン水６をノズル５か
ら噴出し、ガラスマスク１上面を洗浄し、高圧イ
オン水６の供給を止める。つづいて、ガラスマス
ク１を500rpm以下の低速回転に落し、低圧（１
〜２Kg／cm2）の純水１１を純水ノズル１０から噴
出しガラスマスク１を洗浄し、残留イオン水６を
洗い落し、マグネシウムや油分が残らないように
する。
洗浄後は、純水１１の供給を止め、再びガラス
マスク１を高速回転させ、加熱ランプ７で乾燥す
る。
マスク１を高速回転させ、加熱ランプ７で乾燥す
る。
上記一実施例による洗浄方法のシーケンスを第
６図に示す。ガラスマスク１の回転数を、高圧イ
オン水洗浄と乾燥過程では約2500rpmの高速に
し、途中の純水１１による洗浄では500rpm以下
100rpmまでの低速にしている。
６図に示す。ガラスマスク１の回転数を、高圧イ
オン水洗浄と乾燥過程では約2500rpmの高速に
し、途中の純水１１による洗浄では500rpm以下
100rpmまでの低速にしている。
第７図に純水洗浄によるクロムはがれ発生率と
マスク回転数の相関図で示すように、マスクの回
転数が500rpmを超えると、クロムはがれが急増
する傾向にあることを見付けた。そのため、純水
１１による洗浄では、ガラスマスク１の回転数は
500rpm以下の低速にすることが必要である。な
お、図は純水１１による30秒間洗浄の場合を示し
ている。
マスク回転数の相関図で示すように、マスクの回
転数が500rpmを超えると、クロムはがれが急増
する傾向にあることを見付けた。そのため、純水
１１による洗浄では、ガラスマスク１の回転数は
500rpm以下の低速にすることが必要である。な
お、図は純水１１による30秒間洗浄の場合を示し
ている。
上記一実施例の洗浄方法によつたガラスマスク
１の洗浄効果の結果を、第８図及び第９図に棒グ
ラフで示す。第８図は上記従来の第３図に相当
し、洗浄されたガラスマスク１数と、これらによ
りそれぞれパターンが形成されたチツプ各10個分
宛のしみ発生数との関係を示し、チツプ10個分の
発生しみ数は最多１個であつた。
１の洗浄効果の結果を、第８図及び第９図に棒グ
ラフで示す。第８図は上記従来の第３図に相当
し、洗浄されたガラスマスク１数と、これらによ
りそれぞれパターンが形成されたチツプ各10個分
宛のしみ発生数との関係を示し、チツプ10個分の
発生しみ数は最多１個であつた。
また、第９図は上記従来の第４図に相当し、洗
浄されたガラスマスク１数と、これらによりそれ
ぞれパターンが形成されたチツプ各10個分宛のし
み発生確率との関係を示し、最大20％であつた。
こうして、ガラスマスク１の洗浄不良に起因する
チツプ内のパターン欠陥発生量は、従来のウエー
ハ当り20〜30％から、ウエーハ当り５％に改善さ
れ、良品チツプの歩留りは10％程度向上された。
浄されたガラスマスク１数と、これらによりそれ
ぞれパターンが形成されたチツプ各10個分宛のし
み発生確率との関係を示し、最大20％であつた。
こうして、ガラスマスク１の洗浄不良に起因する
チツプ内のパターン欠陥発生量は、従来のウエー
ハ当り20〜30％から、ウエーハ当り５％に改善さ
れ、良品チツプの歩留りは10％程度向上された。
以上のように、この発明の方法によれば、ガラ
スマスクを高速回転させながら高圧イオン水で洗
浄し、つづいて、低速回転に落して純水により洗
浄し、後、再び高速回転し加熱乾燥するようにし
たので、ガラスマスク上にマグネシウムや油分な
どが残ることがなくなり、半導体ウエーハのチツ
プのパターン欠陥発生が大幅に低減され、歩留り
が向上される。
スマスクを高速回転させながら高圧イオン水で洗
浄し、つづいて、低速回転に落して純水により洗
浄し、後、再び高速回転し加熱乾燥するようにし
たので、ガラスマスク上にマグネシウムや油分な
どが残ることがなくなり、半導体ウエーハのチツ
プのパターン欠陥発生が大幅に低減され、歩留り
が向上される。
第１図は従来のガラスマスクの洗浄方法を示す
洗浄装置の概要構成図、第２図は第１図による洗
浄方法のマスク回転数と洗浄乾燥過程との関係を
示すシーケンス図、第３図及び第４図は第２図の
洗浄方法により洗浄されたマスク数と、これらの
マスクによりパターンが形成されたチツプ各10個
分宛のしみ発生数との関係を示すグラフ及びしみ
発生確率との関係を示すグラフ、第５図はこの発
明の一実施例によるガラスマスクの洗浄方法を示
す洗浄装置の概要構成図、第６図は第５図による
洗浄方法のマスク回転数と洗浄乾燥過程との関係
を示すシーケンス図、第７図は純水洗浄によるク
ロムはがれ発生率とマスク回転数の相関曲線図、
第８図及び第９図は第６図の洗浄方法により洗浄
されたマスク数と、これらのマスクによりパター
ンが形成されたチツプ各10個分宛のしみ発生数と
の関係を示すグラフ及びしみ発生確率との関係を
示すグラフである。 １……ガラスマスク、２……回転支持枠、３…
…電動機、５……ノズル、６……高圧イオン水、
７……加熱ランプ、１０……ノズル、１１……純
水。なお、図中一符号は同一又は相当部分を示
す。
洗浄装置の概要構成図、第２図は第１図による洗
浄方法のマスク回転数と洗浄乾燥過程との関係を
示すシーケンス図、第３図及び第４図は第２図の
洗浄方法により洗浄されたマスク数と、これらの
マスクによりパターンが形成されたチツプ各10個
分宛のしみ発生数との関係を示すグラフ及びしみ
発生確率との関係を示すグラフ、第５図はこの発
明の一実施例によるガラスマスクの洗浄方法を示
す洗浄装置の概要構成図、第６図は第５図による
洗浄方法のマスク回転数と洗浄乾燥過程との関係
を示すシーケンス図、第７図は純水洗浄によるク
ロムはがれ発生率とマスク回転数の相関曲線図、
第８図及び第９図は第６図の洗浄方法により洗浄
されたマスク数と、これらのマスクによりパター
ンが形成されたチツプ各10個分宛のしみ発生数と
の関係を示すグラフ及びしみ発生確率との関係を
示すグラフである。 １……ガラスマスク、２……回転支持枠、３…
…電動機、５……ノズル、６……高圧イオン水、
７……加熱ランプ、１０……ノズル、１１……純
水。なお、図中一符号は同一又は相当部分を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラスマスクを高速回転させながら高圧イオ
ン水を噴出して洗浄し、つづいてガラスマスクを
低速回転させながら低圧の純水を噴出して洗浄
し、この後、ガラスマスクを高速回転させながら
加熱乾燥する半導体装置用ガラスマスクの洗浄方
法。 ２ 純水の圧力を１〜２Kg／cm2にすることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置用
ガラスマスクの洗浄方法。 ３ ガラスマスクの高速回転を2500rpmにするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法。 ４ ガラスマスクの低速回転を100〜500rpmにす
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第３項のいづれかに記載の半導体装置用ガラスマ
スクの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139821A JPS6118958A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139821A JPS6118958A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6118958A JPS6118958A (ja) | 1986-01-27 |
| JPS6325661B2 true JPS6325661B2 (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=15254249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59139821A Granted JPS6118958A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 半導体装置用ガラスマスクの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6118958A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188323A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の洗浄並びに乾燥方法及び装置 |
| JPH0695511B2 (ja) * | 1986-09-17 | 1994-11-24 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 洗浄乾燥処理方法 |
| US4817652A (en) * | 1987-03-26 | 1989-04-04 | Regents Of The University Of Minnesota | System for surface and fluid cleaning |
| JPH0745957Y2 (ja) * | 1987-05-06 | 1995-10-18 | 株式会社ダン科学 | キャリア洗浄乾燥装置 |
| JPH0745956Y2 (ja) * | 1987-05-06 | 1995-10-18 | 株式会社ダン科学 | キャリア洗浄処理装置 |
| JP2833762B2 (ja) * | 1988-09-21 | 1998-12-09 | 株式会社芝浦製作所 | ガラス基板の乾燥装置 |
| JP2653511B2 (ja) * | 1989-03-30 | 1997-09-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置 |
| JPH0320734A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electron Corp | 洗浄装置 |
| JPH03139832A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-14 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
| JP2894450B2 (ja) * | 1989-10-30 | 1999-05-24 | 株式会社荏原製作所 | ジェットスクラバー |
| JP2894451B2 (ja) * | 1989-11-06 | 1999-05-24 | 株式会社荏原製作所 | ジェットスクラバー |
| KR20020029206A (ko) * | 2000-10-12 | 2002-04-18 | 윤종용 | 세정 가능한 파티클 펠리클 디텍터 박스 |
| JP2002292346A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-08 | Sharp Corp | 付着膜回収装置および付着膜の回収方法 |
| CN102357482B (zh) * | 2011-09-22 | 2013-07-17 | 无锡泰东机械有限公司 | 高效快速在线清洗机 |
| CN116274069B (zh) * | 2022-11-11 | 2025-09-12 | 湖南普照信息材料有限公司 | 一种掩膜版玻璃基底的清洗方法 |
-
1984
- 1984-07-04 JP JP59139821A patent/JPS6118958A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6118958A (ja) | 1986-01-27 |
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