JPS63257267A - ラインセンサ - Google Patents

ラインセンサ

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JPS63257267A
JPS63257267A JP62091283A JP9128387A JPS63257267A JP S63257267 A JPS63257267 A JP S63257267A JP 62091283 A JP62091283 A JP 62091283A JP 9128387 A JP9128387 A JP 9128387A JP S63257267 A JPS63257267 A JP S63257267A
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JP
Japan
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individual
wiring parts
signal processing
light receiving
line sensor
Prior art date
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Application number
JP62091283A
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English (en)
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JP2764721B2 (ja
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Kojin Kawahara
河原 行人
Satoshi Machida
聡 町田
Hiroshi Konakano
浩志 向中野
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments and Electronics Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/191Photoconductor image sensors

Landscapes

  • Facsimile Heads (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ファクシミリなどに用いるマルチ・チップ方
式の密着型イメージセンサに使用されるラインセンサに
関する。
〔発明の概要〕
本発明は、マルチ・チップ方式の密着型イメージセンサ
に使用されるラインセンサにおいて、各受光素子と信号
処理回路とを結ぶ各々の配線の面積を互いに同程度にな
る様にし、ラインセンサ内の各受光素子からの出力が均
一になる様にしたものである 〔従来の技術〕 従来、第2図に示す様に、ラインセンサの受光素子1と
信号処理回路3とを結ぶ配線2が、ラインセンサの中央
部と端部とで異なっていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし従来のラインセンサは、各受光素子1からの配線
2の長さが互いに大きく異なるため、ラインセンサを形
成する半4体基板4と配線2との間の配線容量が異なっ
て、受光素子間の出力のバラツキを発生する原因となっ
ていた。又、受光素子近辺の領域で、光の照射される領
域5の面積も各受光素子近辺で異なり、受光素子1から
の出力に外部からのリーク出力として加えられるため、
領域5の面積のバラツキが上述した受光素子間の出力バ
ラツキの一因となっていた。これらのために、各受光素
子からの出力が均一に得られぬ欠点があった。
そこで、本発明は従来のこの様な欠点を解決するために
、受光素子間で均一な出力特性を有するラインセンサを
得る事を目的としている。
c問題点を解決するための手段〕 上記問題点を解決するために、本発明は、各受光素子と
信号処理回路とを結ぶ配線の面積がほぼ同しになる様に
設計し、均一な出力特性を有する様にした。
〔作用〕
上記の様に設計されたラインセンサは、各受光素子と信
号処理回路との間に加わる配線容量を均一にし、かつ、
配線が受光素子近辺の領域の遮光膜としても働くため、
リーク出力分も均一にする事ができる。
〔実施例〕
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。第1図において、便宜上6ビツトのランセンサを用
いて説明する。複数の受光素子1a〜lfを等間隔に直
線状に配置し、各受光素子からの信号を処理する各ビッ
ト毎の信号処理回路38〜3fを等間隔で、複数個の受
光素子1 a−1fが並ぶ方向と平行に直線状に配匠す
る。その上で、各受光素子1にと対応する信号処理回路
31を、互いに同じ面積になる様な形状に配線2i(i
=a”f)で結線する。
この様に互いにほぼ同じ面積を有す配線21で受光素子
11と信号処理回路31を結線する事により、それぞれ
の配線容量を均一にする事ができ、又、配線間のすき間
の面積も均一にする事ができる。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように、受光素子とその信号処
理回路とを結ぶ配線面、債を均一にする事に配線容量の
差や、配線間から照射された光に依るリーク出力の差等
から生ずる、各ビット間の出力不均一性を抑え、良好な
ラインセンサにする効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明にかかるラインセンサの平面図、第2
図は従来の平面図である。 l a−1f・・・受光素子 2a〜2f・・・配線 38〜3f・・・信号処理回路 5・・・・・受光素子近辺で光の照射される領域(配線
回路のすき間) 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上  務(他1名)従来のライン
とンザ2の千面記 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数個のラインセンサを直線状に配置してなる密着型イ
    メージセンサにおいて、前記ラインセンサの中に形成さ
    れた複数個の受光素子と、該受光素子からの信号を処理
    する回路とを結ぶ各々の配線が互いにほぼ同じ配線面積
    を有し、かつ同程度に、受光素子周辺の領域を遮光する
    事を特徴とするラインセンサ。
JP62091283A 1987-04-14 1987-04-14 密着型イメージセンサ Expired - Lifetime JP2764721B2 (ja)

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JP2764721B2 JP2764721B2 (ja) 1998-06-11

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000026966A1 (en) * 1998-10-30 2000-05-11 Hamamatsu Photonics K.K. Solid-state imaging device and solid-state imaging array

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6139573A (ja) * 1984-07-30 1986-02-25 Fuji Xerox Co Ltd 原稿読み取り装置
JPS62115769A (ja) * 1985-11-15 1987-05-27 Hitachi Ltd 一次元イメ−ジセンサ
JPS62276871A (ja) * 1986-05-24 1987-12-01 Kyocera Corp 読取り装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6139573A (ja) * 1984-07-30 1986-02-25 Fuji Xerox Co Ltd 原稿読み取り装置
JPS62115769A (ja) * 1985-11-15 1987-05-27 Hitachi Ltd 一次元イメ−ジセンサ
JPS62276871A (ja) * 1986-05-24 1987-12-01 Kyocera Corp 読取り装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000026966A1 (en) * 1998-10-30 2000-05-11 Hamamatsu Photonics K.K. Solid-state imaging device and solid-state imaging array
US6384396B1 (en) 1998-10-30 2002-05-07 Hamamatsu Photonics K.K. Solid-state image sensing device and solid-state image sensing device array
JP4812940B2 (ja) * 1998-10-30 2011-11-09 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置アレイ

Also Published As

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JP2764721B2 (ja) 1998-06-11

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