JPS63260192A - 回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＩＣカードやメモリーカードなどに要求され
る軽薄短小のＩＣ実装に不可欠なチップオンボード基板
の製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

第４図は本発明の回路基板を適用する従来のＩＣカード
の斜視図であり、カード部材１０の中に、磁気ストライ
プ１１及びＩＣモジエール１２が接着されており、ＩＣ
カード総厚は０．７６ｍｍが規格寸法である。

第５図は、従来のＩＣモジュール構造を示すＩＣ実装部
の断面図であり、両面基板４０の上面側に実装したＩＣ
チップ７を金線８にてボンデングした後、スルーホール
９を介して下面側の接触パターン５０に接続されている
。

しかし、上記構成はその実装厚Ｈ１がかなり厚くなると
ともにスルーホールメッキによるコストアップや両面銅
張板としての材料高などが問題であった。

上記問題点を解決するもの、として、ＴＡＰＥＡＵＴＯ
ＭＡＴＥＤ　　ＢＯＮＤＩＮＧ　　いわゆるＴＡＢのエ
レメントとしてのテープキャリアを用いたＩＣモジエー
ルが開発されており、第６図に七の断面図を示す。

スナわちデバイスホール３、パッドホール６ａを備えた
樹脂基板２０片面にパターン化された銅箔４を有す水回
路基板１のデバイスホール６内に実装したＩＣチップ７
を金線８にでパッドホール６ａ内のパターンにボンデン
グすることにより前記鋼箔４にパターン形成された接触
パターン４ａに接続されている。

上記構成による実装厚Ｈ１は、第５図に示す実装厚Ｈ１
に比べてかなり薄くすることが可能となるものであり以
下第７図に示す製造工程図により説明する。

工程（ａ）は接着剤２０を塗布済の樹脂基板２を購入す
る。工程（ｂ）はデバイスホール６及びパッドホール６
ａをプレスで打抜く。工程（ｃ）　Ｋ於いて、銅箔４を
接着剤２０の上に積層し加熱加工して、銅箔４と樹脂基
板２とを強固に接着する。工程（ｄ）に於いて、後工程
のパターン焼付、現像、エツチング時に、デバイスホー
ル３及びパッドホール３ａ部の銅箔４ｃ、４ｄが裏面よ
りエツチングされた。

いように、耐エツチング樹脂５をバックコートする。（
ｅ）工程は、パターン化工程であり、銅箔４をパターニ
ング及びエツチングにより必要な形状にパターン化する
。（ｆ）工程は金属メッキ工程であり、パターン化され
た銅箔４の表面上にボンデング性を良くするためのＡｕ
メッキ層６０を形成する。

上記一連の工程により回路基板１が完成する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前記回路基板１には、その製造工程から生ずる下記の問
題点がある。

囚　銅箔４のデバイスホール６及びパッドホール６ａ内
に於ける銅箔面４ｅ、４ｆ上に接着剤２０や後述するバ
ックコート用樹脂の除去しきれないかすが残るため、こ
の部分へのＡｕメッキが不完全となり、ＩＣチップ７の
接着及び金線８のボンデング強度が不十分となる。

（ト）接着剤２０は第７図に示す製造工程の各諸薬品に
よって徐々に劣化して、完成回路基板１として第６図に
於いて銅箔４と樹脂基板２とのビール強度は接着剤２０
を使用しないそれと比べて低い値となる。

（ｑ　工程が長いためコスト高となる。

本発明の目的は、これらの諸欠点を改善し、低コスト、
高品質の回路基板の製造方法を提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的を達成するための本発明の製造方法は下記の通
りである。

デバイスホールな備えた樹脂基板の片面にパターン化さ
れた銅箔を有する回路基板の製造方法に於いて、 （ａ）　　樹脂基板の片面に銅箔を固着した積層基板の
銅箔をバターニング及びエツチングによりパターン化す
る工程 ←）パターン化された積層基板の裏面側より前記樹脂基
板に機械加工によってデバイスホールな形成する工程 （ｃ）　　前記デバイスホール内の銅箔上に金属メッキ
を施す工程 とを有することを特徴とする。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を図面に基づいて詳述する。

第２図は、本発明による回路基板の斜視図であり、樹脂
基板２に形成されたデバイスホール３及びパッドホール
６３部の底面に、銅箔４が露出した状態を示すもので第
１図にその製造工程を示す。

（ａ）工程は通常の接着剤を介在しないで樹脂基板２と
銅箔４を積層した片面銅張積層板を購入する。

銅箔４の厚みは本実施例では３５μ及び７５μである。

（ｂ）工程は通常のパターン形成工程で銅箔４をパター
ニング及びエツチングすることにより、接触パターン４
ａ等のパターンを形成する。（ｃ）工程は、パターン上
に金属メッキ又は合金メッキ層１６を施したもので、こ
れは、後述するエンドミルによる切削加工時に、切削圧
で銅箔パターン面が押圧変形するのを阻止する効果があ
り本実施例では１０μ前後の厚みのＮｉもしくはＣｒメ
ッキを施した。（ｄ）工程は機械加工々程でありエンド
ミルによるミーリング加工で樹脂基板２にデバイスホー
ル６及びバッドホール３ａをつ（る。その際第３図に示
す如く、銅箔４の樹脂境界面４ｇを最大１０μ切込んで
凹部をもうける。

（ｅ）工程は金属メッキ工程であり、パターン化された
銅箔４０表裏面上にＡｕメッキ層３０を形成する。

上記一連の工程によって完成した回路基板にＩＣチップ
７を実装した状態を第３図に示す。

上記構成による実装厚Ｈ８は従来の実装厚Ｈ１、Ｈ２に
比べて更に薄形比が可能になると同時に鋼箔４の境界面
４ｇへのＡｕメッキの状態が良くなるため、ＩＣチップ
７のダイボンデング及び金線８のワイヤーボンデング強
度が十分得られる。

さらに樹脂基板２にデバイスホール及びバッドホールが
形成される前に銅箔４のエツチングを行うので、従来の
ような、デバイスホール等に対する耐エツチング樹脂５
０バツクコート及び除去工程を必要としない。

第８図は、第１図の機械加工々程を示す断面図であり、
樹脂基板２の裏面側よりエンドミル１４にてデバイスホ
ール６を切削加工した状態を示し、この時エンドミルの
切削圧で銅箔４Ｃが図示のごと（押圧変形するが、その
変形量を前記合金メッキ層１６により最小限に押えてい
る。

〔発明の効果〕

上記のごと（本発明によれば、ＴＡＢの若干の工程変更
と、デバイスホールの機械加工とを組合わせることによ
って実装厚が薄く、ボンデングの信頼性に優れ、かつ製
造工程の短い回路基板の製造が可能となり、ＩＣモジュ
ールの薄形化及び信頼性向上に犬なる効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明の実施例に係り、第１図は本
発明の回路基板の製造工程図、第２図は回路基板の斜視
図、第３図はＩＣ実装部の断面図、第４図は従来のＩＣ
カードの斜視図、第５図及び第６図は従来のＩＣ実装部
の断面図、第７図は第６図に示す回路基板の製造工程図
、第８図は、第１図の機械加工々程を示す回路基板の断
面図である。 １・・・・・・回路基板、 ２・・・・・・樹脂基板、 ６・・・・・・デバイスホール、 ４・・・・・・銅箔、 ７・・・・・・ＩＣチップ。 ３゜ 第２図 第３図 Ｎ　５　図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 デバイスホールを備えた樹脂基板の片面にパターン化さ
   れた銅箔を有する回路基板の製造方法に於いて、 （ａ）樹脂基板の片面に銅箔を固着した積層基板の銅箔
   をパターニング及びエッチングによりパターン化する工
   程 （ｂ）パターン化された積層基板の裏面側より前記樹脂
   基板に機械加工によってデバイスホールを形成する工程 （ｃ）前記デバイスホール内の銅箔上に金属メッキを施
   す工程 とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。