JPS6326817A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6326817A JPS6326817A JP61170082A JP17008286A JPS6326817A JP S6326817 A JPS6326817 A JP S6326817A JP 61170082 A JP61170082 A JP 61170082A JP 17008286 A JP17008286 A JP 17008286A JP S6326817 A JPS6326817 A JP S6326817A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- film
- recording medium
- diamond
- hard carbon
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ビデオテープレコーダやコンピュータ等の分
野での高密度磁気記録に適する磁気記録媒体に関する。
野での高密度磁気記録に適する磁気記録媒体に関する。
従来の技術
強磁性も属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体は、通
常、金属もしくは合金などを電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等によって、基板である高分子フィルムに直接又
は下地薄膜を介して蒸着形成することで製造され、短波
長になった記録状態での再生出力を大きくできることで
、高密度磁気記録の担い手として期待されている。〔外
国論文誌：アイイーイーイー トランザクションズ オ
ンマグネティクス（Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓａｃ
ｔｉｏｎｓ ｏｎＭａｇｎｅｔｉｃｓ）Ｖｏｌ、ＭＡＧ
−２１，Ｐ、Ｐ、１２１７〜一方、磁気記録の高密度化
を実現するには、狭ギャップ長、狭トラツクの磁気ヘッ
ドとの直接高速摺動が不可欠であり、磁気記録層の摩耗
や損傷が問題となり、改良のため数多くの提案がなされ
ている。
常、金属もしくは合金などを電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等によって、基板である高分子フィルムに直接又
は下地薄膜を介して蒸着形成することで製造され、短波
長になった記録状態での再生出力を大きくできることで
、高密度磁気記録の担い手として期待されている。〔外
国論文誌：アイイーイーイー トランザクションズ オ
ンマグネティクス（Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓａｃ
ｔｉｏｎｓ ｏｎＭａｇｎｅｔｉｃｓ）Ｖｏｌ、ＭＡＧ
−２１，Ｐ、Ｐ、１２１７〜一方、磁気記録の高密度化
を実現するには、狭ギャップ長、狭トラツクの磁気ヘッ
ドとの直接高速摺動が不可欠であり、磁気記録層の摩耗
や損傷が問題となり、改良のため数多くの提案がなされ
ている。
強磁性金属薄膜表面上に潤滑剤を塗布する方法（特公昭
３９−２５２４６号公報）では潤滑剤が磁気ヘッド、走
行系等に拭きとられるため永続性に乏しかった０又、磁
気記録層の反対側の面に液状又は半固体状の謁滑剤及び
有機バインダを主成分とするバックコート層を設ける方
法（特公昭５７−２９７６９号公報）も提案されたが、
テープ状で効果を奏するが、転写量が環境条件で異なる
点とスチル状態に対しては効果がないのと、ディスク状
媒体に対しては効果がないものであった。
３９−２５２４６号公報）では潤滑剤が磁気ヘッド、走
行系等に拭きとられるため永続性に乏しかった０又、磁
気記録層の反対側の面に液状又は半固体状の謁滑剤及び
有機バインダを主成分とするバックコート層を設ける方
法（特公昭５７−２９７６９号公報）も提案されたが、
テープ状で効果を奏するが、転写量が環境条件で異なる
点とスチル状態に対しては効果がないのと、ディスク状
媒体に対しては効果がないものであった。
フッ素系有機化合物のプラズマ重合保護層、硅素系有機
化合物のプラズマ重合保護層２粒子を含むポリマー塗布
層等の保護膜による耐久性向上。
化合物のプラズマ重合保護層２粒子を含むポリマー塗布
層等の保護膜による耐久性向上。
該保護膜と潤滑剤の併用等は、強磁性金属薄膜が／Ｃｏ
−Ｎ１−ｏ膜等の表面に酸化層をもつ場合には相当の改
良が確認されている（例えば特開昭６８−８８８２８号
、特開昭５７−８２２２９号、特開昭５８−６０４２７
号、特開昭６１−１１９３０号公報）。
−Ｎ１−ｏ膜等の表面に酸化層をもつ場合には相当の改
良が確認されている（例えば特開昭６８−８８８２８号
、特開昭５７−８２２２９号、特開昭５８−６０４２７
号、特開昭６１−１１９３０号公報）。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記した構成では、望まれる耐久性を付
与するには、保護膜の厚みが増し、短波長での信号出力
が低下し、保護膜厚みを薄くするとくり返し使用での言
置対雑音比（以下Ｓ／Ｎと記す）の低下、エラー率の増
加をきたし、短波長でのディジタル記録再生での十分の
信頼性が得られず、改良が望まれていた。
与するには、保護膜の厚みが増し、短波長での信号出力
が低下し、保護膜厚みを薄くするとくり返し使用での言
置対雑音比（以下Ｓ／Ｎと記す）の低下、エラー率の増
加をきたし、短波長でのディジタル記録再生での十分の
信頼性が得られず、改良が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑み、なされたもので、耐久性
の改良された高密度磁気記録媒体を提供するものである
。
の改良された高密度磁気記録媒体を提供するものである
。
問題点を解決するための手段
上記した問題点を解決するため、本発明の磁気記録媒体
は、高分子フィルム上に強磁性金属薄膜から成る磁気記
録層を配し、その上にダイアモンド状硬質炭素とプラズ
マ重合の複合保護膜を配したものである。
は、高分子フィルム上に強磁性金属薄膜から成る磁気記
録層を配し、その上にダイアモンド状硬質炭素とプラズ
マ重合の複合保護膜を配したものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、プラズ
マ重合膜の拘束力でダイアモンド状硬質炭素膜を厚くし
なくても、破壊が起りにくくなるのと、万一破壊が起っ
ても、ダイアモンド状の硬質炭素による連続破壊を防ぐ
ことができるので、薄くても耐久性が良好で、Ｓ／Ｎも
良好であるし、エラー率も増加せず、十分な信頼性が得
られることになる。
マ重合膜の拘束力でダイアモンド状硬質炭素膜を厚くし
なくても、破壊が起りにくくなるのと、万一破壊が起っ
ても、ダイアモンド状の硬質炭素による連続破壊を防ぐ
ことができるので、薄くても耐久性が良好で、Ｓ／Ｎも
良好であるし、エラー率も増加せず、十分な信頼性が得
られることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら、本発明の実施例の磁気記録
媒体の拡大断面図である。
媒体の拡大断面図である。
第１図は、本発明の第１の実施例の磁気記録媒体の拡大
断面図である。第１図で、１は厚み１２μｍのホリエチ
レンテレフタレートフィルムカラなる高分子フィルムで
、最大粗さば１００人とした。２は高分子フィルム１形
成前に塗布し、延伸工程で形成した水溶性高分子（例え
ばアラビアゴム等）から成る最大高さ１００人のミミズ
状突起形状から成る下塗り層で、３は直径１ｍの円筒キ
ャンに洛わせて、フィルムを巻取りながら、最小入射角
４６度、酸素分圧９×１０ ＴｏｒｒでＣｏ −Ｎｉ（
Ｎｊ−＝２０ｗｔ％）を電子ビーム蒸着して形成した。
断面図である。第１図で、１は厚み１２μｍのホリエチ
レンテレフタレートフィルムカラなる高分子フィルムで
、最大粗さば１００人とした。２は高分子フィルム１形
成前に塗布し、延伸工程で形成した水溶性高分子（例え
ばアラビアゴム等）から成る最大高さ１００人のミミズ
状突起形状から成る下塗り層で、３は直径１ｍの円筒キ
ャンに洛わせて、フィルムを巻取りながら、最小入射角
４６度、酸素分圧９×１０ ＴｏｒｒでＣｏ −Ｎｉ（
Ｎｊ−＝２０ｗｔ％）を電子ビーム蒸着して形成した。
１５／１ｍのＧｏ −Ｎｉ −０から成る強磁性金属薄
膜である。４は厚み１００人の保護膜で、直径６０口の
一６０℃の円筒キャンに沿わせてフィルムを巻取りなが
ら、グラファイトをターゲットにして、水素ガスとアセ
チレンを１：２の割合で混合した気体を放電ガスとし、
圧力を７×１Ｏ−４Ｔｏｒｒとし、１０２ＭＨｚで高周
波グロー放電を誘起し、かつ、１４Ｋｅ３Ｖ（７）Ｃ＋
イオンを１−０３ μＡ ／−で照射しながら硬質炭素
膜を形成しながらアセチレンのプラズマ重合膜を同時に
形成することで得た複合保護膜で、プラズマ重合膜内に
ダイアモンド状の硬質炭素が分散したようなものと推定
されるものである。
膜である。４は厚み１００人の保護膜で、直径６０口の
一６０℃の円筒キャンに沿わせてフィルムを巻取りなが
ら、グラファイトをターゲットにして、水素ガスとアセ
チレンを１：２の割合で混合した気体を放電ガスとし、
圧力を７×１Ｏ−４Ｔｏｒｒとし、１０２ＭＨｚで高周
波グロー放電を誘起し、かつ、１４Ｋｅ３Ｖ（７）Ｃ＋
イオンを１−０３ μＡ ／−で照射しながら硬質炭素
膜を形成しながらアセチレンのプラズマ重合膜を同時に
形成することで得た複合保護膜で、プラズマ重合膜内に
ダイアモンド状の硬質炭素が分散したようなものと推定
されるものである。
比較例は、水素ガスのみでスパッタして、厚み６００人
のダイアモンド状硬質炭素被膜を形成したものを準備し
た。両者を８ａ幅のテープとし、ギャップ長０．２８μ
ｍのセンダストスパッタ型ノリングヘッドで、０．３７
μｍのビット長の短形波信号を記録再生し、Ｓ／Ｈの変
化とエラー率の変化を調べた。４０℃５％ＲＨの環境で
、Ｓ／Ｎが３ｄＢ低下するまでのパス回数と、エラー率
示２倍をこえるパス回数は、夫々、本実施例が３．１０
０万パス、３．７５０万パス、比較例が２．４５０万パ
ス、６１２万バスで、初期のＳ／Ｎは比較例は本実施例
に比べてｅ、ｓｄＢ低かった。
のダイアモンド状硬質炭素被膜を形成したものを準備し
た。両者を８ａ幅のテープとし、ギャップ長０．２８μ
ｍのセンダストスパッタ型ノリングヘッドで、０．３７
μｍのビット長の短形波信号を記録再生し、Ｓ／Ｈの変
化とエラー率の変化を調べた。４０℃５％ＲＨの環境で
、Ｓ／Ｎが３ｄＢ低下するまでのパス回数と、エラー率
示２倍をこえるパス回数は、夫々、本実施例が３．１０
０万パス、３．７５０万パス、比較例が２．４５０万パ
ス、６１２万バスで、初期のＳ／Ｎは比較例は本実施例
に比べてｅ、ｓｄＢ低かった。
尚、初期Ｓ／Ｎで同等となるよう、ダイアモンド状硬質
炭素被膜を１００人とした比較例では、Ｓ／Ｎが、９０
万パスで３ｄＢ低下し、エラー率は３１万パスで２倍を
越えた。
炭素被膜を１００人とした比較例では、Ｓ／Ｎが、９０
万パスで３ｄＢ低下し、エラー率は３１万パスで２倍を
越えた。
第２図は、本発明の第２の実施例の磁気記録媒体の拡大
断面図で、第２図で５は厚み６７１ｍのポリイミドフィ
ルムからなる高分子フィルム、６は粒子径が平均で３０
０人の高分子ラテックスよりなる粒子状突起で、粒子密
度は１００万個／−とした（特開昭６１−９８２２号公
報）。７は高周波スパッタリング法で形成した、膜厚０
．２μｍのＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜で、垂直保磁力は７
０ｓ（Ｏｅ）。
断面図で、第２図で５は厚み６７１ｍのポリイミドフィ
ルムからなる高分子フィルム、６は粒子径が平均で３０
０人の高分子ラテックスよりなる粒子状突起で、粒子密
度は１００万個／−とした（特開昭６１−９８２２号公
報）。７は高周波スパッタリング法で形成した、膜厚０
．２μｍのＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜で、垂直保磁力は７
０ｓ（Ｏｅ）。
Ｏｒは２１．４ｗｔ％とじた。
８は厚み７５人の保護膜で、直径６０αの円筒キャンに
沿わせてフィルムを巻取シながら、グラファイトをター
ゲットにして、水素ガスと、Ｃ２Ｈ３Ｆガスを３：１で
混合して導入し、圧力’１４Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒ とし
、３０ｅｓ ＭＨｚの高周波グロー放電でスパッタする
と共にＣ＋２１に６Ｖイオンを２０２μＡ／ｄで照射し
ながら重合を同時肩程で引き起こすようにしてダイアモ
ンド状硬質炭素を含むプラズマ重合膜を形成して得たも
のである。
沿わせてフィルムを巻取シながら、グラファイトをター
ゲットにして、水素ガスと、Ｃ２Ｈ３Ｆガスを３：１で
混合して導入し、圧力’１４Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒ とし
、３０ｅｓ ＭＨｚの高周波グロー放電でスパッタする
と共にＣ＋２１に６Ｖイオンを２０２μＡ／ｄで照射し
ながら重合を同時肩程で引き起こすようにしてダイアモ
ンド状硬質炭素を含むプラズマ重合膜を形成して得たも
のである。
比較例として、実施例の保護膜の代りに１００人の０２
Ｈ３Ｆガスを導入して得たプラズマ重合膜を配したもの
を準備した。
Ｈ３Ｆガスを導入して得たプラズマ重合膜を配したもの
を準備した。
この両者を４０°Ｃ８６％ＲＨの環境で、第１の実施例
と同じ相対比較を行い検討を加えたＯ８／Ｎが本実施例
は２９５０万パスでも２ｄＢしか低下しないのに対し、
比較例ば４１７万パスでｓ、４ｄ、Ｂ低下した。又、エ
ラー率が倍増するのに比較例は、２０４万パスであるの
に、本実施例は２７５４万パスと１０倍以上の耐久性を
示した。
と同じ相対比較を行い検討を加えたＯ８／Ｎが本実施例
は２９５０万パスでも２ｄＢしか低下しないのに対し、
比較例ば４１７万パスでｓ、４ｄ、Ｂ低下した。又、エ
ラー率が倍増するのに比較例は、２０４万パスであるの
に、本実施例は２７５４万パスと１０倍以上の耐久性を
示した。
上記した実施例で、高分子フィルムはポリエチレンテレ
フタレートフィルム、ポリイミドフィルムとしたが、他
にポリカーボネート、ポリフェニレンサルフフイド、ポ
リエチレンナフタレート。
フタレートフィルム、ポリイミドフィルムとしたが、他
にポリカーボネート、ポリフェニレンサルフフイド、ポ
リエチレンナフタレート。
ポリアミドイミド等としても良い。
強磁性金属薄膜としてはＧｏ −Ｃｒ 、 Ｇｏ −Ｎ
ｉ −０膜にツイテ述べたが、他にＧｏ−０、Ｇｏ−Ｔ
ｉ 、 Ｇｏ−Ｖ。
ｉ −０膜にツイテ述べたが、他にＧｏ−０、Ｇｏ−Ｔ
ｉ 、 Ｇｏ−Ｖ。
Ｇｏ−Ｗ 、 Ｃｏ−Ｍｏ 、 Ｇｏ−Ｎｉ−Ｏｒ 、
Ｇｏ−Ｎｉ−Ｎｂ 、 Ｃｏ −Ｎｉ−Ｍｇ−０、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ等特に制約はないし、必要に
応じて、下地層としてＧｅ、Ｔ工、Ｓｉ。
Ｇｏ−Ｎｉ−Ｎｂ 、 Ｃｏ −Ｎｉ−Ｍｇ−０、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ等特に制約はないし、必要に
応じて、下地層としてＧｅ、Ｔ工、Ｓｉ。
Ｏｒ等やＮｉ−Ｆｅ 、 Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍｏ等を設けて
もよい。
もよい。
ダイアモンド状硬質炭素とプラズマ重合膜の複合膜形成
に適するガスは、実施例の他にＣＨ４，Ｃ２Ｈ６やメチ
ルアミン、オルガノ／ロキサン、プロピレン等が挙げら
れるが、他のモノマーガスも条件を最適化するのに多少
時間がかかるだけで、殆んど利用することは出来る。
に適するガスは、実施例の他にＣＨ４，Ｃ２Ｈ６やメチ
ルアミン、オルガノ／ロキサン、プロピレン等が挙げら
れるが、他のモノマーガスも条件を最適化するのに多少
時間がかかるだけで、殆んど利用することは出来る。
尚ダイアモンド状炭素の占める重量％は保護膜全体に対
して、２０〜６５％の範囲が好ましい。
して、２０〜６５％の範囲が好ましい。
上記実施例では、磁気テープとして比較したが、他にデ
ィスク状としても良いのは勿論である。
ィスク状としても良いのは勿論である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、高密度磁気記録で良好な
Ｓ／Ｎとエラー率を維持できる耐久性が十分であるとい
ったすぐれた効果がある。
Ｓ／Ｎとエラー率を維持できる耐久性が十分であるとい
ったすぐれた効果がある。
第１図、第２図はそれぞれ本発明の第１及び第２の実施
例の磁気記録媒体の拡大断面図である。 １．６・・・・・高分子フィルム、２，６・・・・・・
下塗り層、３，７・・・・・・強磁性金属薄膜、４，８
・・・・保護膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名３′
−了う鍾祥士為簿頃（Ｃ１，γｆ−釧０斗−イ叉■ｉ！
更 第 ２ 図 ５−−一尾うテアＡ”Ｌム Ｇ−下１ｉυ毛（叉：千Ｚくχ起゛ ７−・珀ぢ諮λ１【葛焉１′ＳじＣど町）δ−−−１米
￥（横
例の磁気記録媒体の拡大断面図である。 １．６・・・・・高分子フィルム、２，６・・・・・・
下塗り層、３，７・・・・・・強磁性金属薄膜、４，８
・・・・保護膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名３′
−了う鍾祥士為簿頃（Ｃ１，γｆ−釧０斗−イ叉■ｉ！
更 第 ２ 図 ５−−一尾うテアＡ”Ｌム Ｇ−下１ｉυ毛（叉：千Ｚくχ起゛ ７−・珀ぢ諮λ１【葛焉１′ＳじＣど町）δ−−−１米
￥（横
Claims (1)
- 高分子フィルム上に、強磁性金属薄膜から成る磁気記録
層を配し、その上にダイアモンド状硬質炭素とプラズマ
重合の複合保護膜を配したことを特徴とする磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61170082A JPS6326817A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61170082A JPS6326817A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326817A true JPS6326817A (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=15898306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61170082A Pending JPS6326817A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6326817A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258727A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記憶媒体 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP61170082A patent/JPS6326817A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258727A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記憶媒体 |
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