JPH03297094A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH03297094A JPH03297094A JP2098646A JP9864690A JPH03297094A JP H03297094 A JPH03297094 A JP H03297094A JP 2098646 A JP2098646 A JP 2098646A JP 9864690 A JP9864690 A JP 9864690A JP H03297094 A JPH03297094 A JP H03297094A
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- Japan
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- insulating layer
- thin film
- layer
- beo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は薄膜ＥＬ素子に関し、さらに詳しくは、輝度
の経時劣化が小さくて、安定性に優れた長寿命の薄膜Ｅ
Ｌ素子に関する。
の経時劣化が小さくて、安定性に優れた長寿命の薄膜Ｅ
Ｌ素子に関する。
一般に、自己発光型で表示品質の良い平面デイスプレィ
として、コンピューターの端末や計測装置の表示部に用
いられている薄膜ＥＬ素子は、透明基板上に下部透明電
極、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層及び上部電極を順
次積層して構成され、第−絶縁層及び第二絶縁層は、通
常、Ｙ２Ｏ３、Ｓ ｒ Ｏｚ 、Ａ ｊ！ ｚ○８等で
構成されている。
として、コンピューターの端末や計測装置の表示部に用
いられている薄膜ＥＬ素子は、透明基板上に下部透明電
極、第一絶縁層、発光層、第二絶縁層及び上部電極を順
次積層して構成され、第−絶縁層及び第二絶縁層は、通
常、Ｙ２Ｏ３、Ｓ ｒ Ｏｚ 、Ａ ｊ！ ｚ○８等で
構成されている。
ところが、この種の薄膜ＥＬ素子は、駆動時に雰囲気温
度を上昇させると、そのエネルギーによって発光層内で
励起された導電電子の絶対数が増加し、導電電流即ちリ
ーク電流が増加して、発光層に印加される実質的な電界
強度が低下する。このため発光効率が低下して、輝度の
経時劣化が大きくなり、寿命が低下する。このような現
象は、この種の薄膜ＥＬ素子の発光効率が一般的に数２
ｍ／Ｗで、そのほとんどのエネルギーが熱エネルギーに
変換されるため、この熱エネルギーにより発光層内部で
も自発的に生じ、このような輝度の経時劣化を防ぐため
には、発光層で生じた熱エネルギーを放出させることが
望まれるが、発光層を挾む従来の第一絶縁層および第二
絶縁層は、熱伝導度がせいぜいＩ Ｏ−’ｃａｒ／ｃｍ
−ｓ−”Ｃ以下の５ｉｎ２やＡ ｌ ｚ Ｏｘ等からな
るものであるため、発光層で生じた熱エネルギーを効率
よく放出することができない。従って、従来の薄膜ＥＬ
素子では駆動温度が高くなると、輝度の経時劣化が大き
くなり、安定性が低下して、寿命も短くなる。
度を上昇させると、そのエネルギーによって発光層内で
励起された導電電子の絶対数が増加し、導電電流即ちリ
ーク電流が増加して、発光層に印加される実質的な電界
強度が低下する。このため発光効率が低下して、輝度の
経時劣化が大きくなり、寿命が低下する。このような現
象は、この種の薄膜ＥＬ素子の発光効率が一般的に数２
ｍ／Ｗで、そのほとんどのエネルギーが熱エネルギーに
変換されるため、この熱エネルギーにより発光層内部で
も自発的に生じ、このような輝度の経時劣化を防ぐため
には、発光層で生じた熱エネルギーを放出させることが
望まれるが、発光層を挾む従来の第一絶縁層および第二
絶縁層は、熱伝導度がせいぜいＩ Ｏ−’ｃａｒ／ｃｍ
−ｓ−”Ｃ以下の５ｉｎ２やＡ ｌ ｚ Ｏｘ等からな
るものであるため、発光層で生じた熱エネルギーを効率
よく放出することができない。従って、従来の薄膜ＥＬ
素子では駆動温度が高くなると、輝度の経時劣化が大き
くなり、安定性が低下して、寿命も短くなる。
この発明はかかる現状に鑑み種々検討を行った結果なさ
れたもので、薄膜ＥＬ素子の第一絶縁層および第二絶縁
層の一部または全部を、熱伝導度が良好なりｅＯで構成
することによって、発光層で生じた熱エネルギーを、第
一絶縁層および第二絶縁層の一部または全部を構成する
ＢｅＯを通して効率よく外部に放出し、発光層で生しる
熱の緩和により輝度の著しい低下を防止して、安定性に
優れた長寿命の薄膜ＥＬ素子が得られるようにしたもの
である。
れたもので、薄膜ＥＬ素子の第一絶縁層および第二絶縁
層の一部または全部を、熱伝導度が良好なりｅＯで構成
することによって、発光層で生じた熱エネルギーを、第
一絶縁層および第二絶縁層の一部または全部を構成する
ＢｅＯを通して効率よく外部に放出し、発光層で生しる
熱の緩和により輝度の著しい低下を防止して、安定性に
優れた長寿命の薄膜ＥＬ素子が得られるようにしたもの
である。
以下、図面を参照しながらこの発明について説明する。
第１図はこの発明の薄膜ＥＬ素子の一例を示したもので
あり、透明基板ｌ上に下部透明電極２を形成し、この下
部透明電極２上に、第一絶縁層３と発光層４と第二絶縁
層５とを順次に積層して、第一絶縁層３および第二絶縁
層５の一部または全部をＢｅＯで構成している。そして
第二絶縁層５上に、さらに上部電極６を積層形成して構
成され、下部電極２と上部電極６が交流電源７に接続さ
れて駆動される。
あり、透明基板ｌ上に下部透明電極２を形成し、この下
部透明電極２上に、第一絶縁層３と発光層４と第二絶縁
層５とを順次に積層して、第一絶縁層３および第二絶縁
層５の一部または全部をＢｅＯで構成している。そして
第二絶縁層５上に、さらに上部電極６を積層形成して構
成され、下部電極２と上部電極６が交流電源７に接続さ
れて駆動される。
ここで、第一絶縁層３および第二絶縁層５の一部または
全部を構成するＢｅＯは、比誘電率が８〜１０と高く、
薄膜ＥＬ素子の絶縁層として通している上、ＣｕやＡｇ
並みに高い熱伝導度を有しているため、発光層４の上下
にこれらの第一絶縁層３および第二絶縁層５が設けられ
ると、薄膜ＥＬ素子の駆動温度が高くなり、発光層で熱
エネルギーが生じても、これらの第一絶縁層３および第
二絶縁層５の一部または全部を構成するＢｅＯを通して
効率よく外部に放出される。従って、発光層４で住じる
熱エネルギーが緩和されて、輝度の著しい低下が防止さ
れ、安定性が向上されて、長寿命の薄膜ＥＬ素子が得ら
れる。
全部を構成するＢｅＯは、比誘電率が８〜１０と高く、
薄膜ＥＬ素子の絶縁層として通している上、ＣｕやＡｇ
並みに高い熱伝導度を有しているため、発光層４の上下
にこれらの第一絶縁層３および第二絶縁層５が設けられ
ると、薄膜ＥＬ素子の駆動温度が高くなり、発光層で熱
エネルギーが生じても、これらの第一絶縁層３および第
二絶縁層５の一部または全部を構成するＢｅＯを通して
効率よく外部に放出される。従って、発光層４で住じる
熱エネルギーが緩和されて、輝度の著しい低下が防止さ
れ、安定性が向上されて、長寿命の薄膜ＥＬ素子が得ら
れる。
このような一部または全部がＢｅＯで構成された第一絶
縁層３および第二絶縁層５の形成は、Ｂｅｏからなる第
一絶縁層３をビーム蒸着あるいはスパッタリング等によ
って下部透明電極２上に形成するとともに、ＢｅＯから
なる第二絶縁層５をビーム蒸着あるいはスパッタリング
等によって発光層４上に形成するか、あるいは第一絶縁
層３および第二絶縁層５のいずれか一方のみを同様にし
てＢｅＯで構成するか、さらには第一絶縁層３および第
二絶縁層５のいずれか一方あるいは両方を、ＢｅＯから
なる薄膜とＰｂＴｉＯ３等からなる薄膜とを電子ビーム
蒸着あるいはスパッタリング等によって積層形成するな
どして行われ、一部または全部がＢｅＯで構成された第
一絶縁層３および第二絶縁層５が形成される。
縁層３および第二絶縁層５の形成は、Ｂｅｏからなる第
一絶縁層３をビーム蒸着あるいはスパッタリング等によ
って下部透明電極２上に形成するとともに、ＢｅＯから
なる第二絶縁層５をビーム蒸着あるいはスパッタリング
等によって発光層４上に形成するか、あるいは第一絶縁
層３および第二絶縁層５のいずれか一方のみを同様にし
てＢｅＯで構成するか、さらには第一絶縁層３および第
二絶縁層５のいずれか一方あるいは両方を、ＢｅＯから
なる薄膜とＰｂＴｉＯ３等からなる薄膜とを電子ビーム
蒸着あるいはスパッタリング等によって積層形成するな
どして行われ、一部または全部がＢｅＯで構成された第
一絶縁層３および第二絶縁層５が形成される。
なお、第一絶縁層３および第二絶縁層５のいずれか一方
のみをＢｅＯで構成する場合、他方の絶縁層は、従来（
ＤＹＺ Ｏｗｌ 、Ｓ ｉＯ２、Ａ Ｈｚ Ｏｓ、５ｉ
ＯＮ、Ｓｉ、Ｎ、 、Ｔａ２Ｏ，等からなる絶縁層が電
子ビーム蒸着法やスパッタリング法によって形成される
。また第一絶縁層３および第二絶縁層５のいずれか一方
あるいは両方を、ＢｅＯ薄膜と他の薄膜とを積層して形
成する場合の他の薄膜としては、たとえば、電子ビーム
蒸着法やスパッタリング法によって形成される比誘電率
が８０〜１００のＰｂＴｉＯ３，２０〜３０のＴａｚｏ
ｓ、１００−１２０のＳｒＴｉＯ３などからなる薄膜で
あることが好ましいが、この他、電子ビーム蒸着法やス
パッタリング法によって形成されルＹｚ Ｏｗｌ 、Ｓ
ｉ０２ 、Ａｌｚ ０３ 、Ｓ ｉＯＮ。
のみをＢｅＯで構成する場合、他方の絶縁層は、従来（
ＤＹＺ Ｏｗｌ 、Ｓ ｉＯ２、Ａ Ｈｚ Ｏｓ、５ｉ
ＯＮ、Ｓｉ、Ｎ、 、Ｔａ２Ｏ，等からなる絶縁層が電
子ビーム蒸着法やスパッタリング法によって形成される
。また第一絶縁層３および第二絶縁層５のいずれか一方
あるいは両方を、ＢｅＯ薄膜と他の薄膜とを積層して形
成する場合の他の薄膜としては、たとえば、電子ビーム
蒸着法やスパッタリング法によって形成される比誘電率
が８０〜１００のＰｂＴｉＯ３，２０〜３０のＴａｚｏ
ｓ、１００−１２０のＳｒＴｉＯ３などからなる薄膜で
あることが好ましいが、この他、電子ビーム蒸着法やス
パッタリング法によって形成されルＹｚ Ｏｗｌ 、Ｓ
ｉ０２ 、Ａｌｚ ０３ 、Ｓ ｉＯＮ。
Ｓｉ、Ｎ、などからなる薄膜であってもよい。
透明基板ｌとしては、透明で耐熱性があり、さらにある
程度絶縁性を有するものが好ましく使用され、たとえば
、透明ガラス基板、透明ケイ素単結晶基板など、従来一
般に使用されている透明基板がいずれも好ましく使用さ
れる。
程度絶縁性を有するものが好ましく使用され、たとえば
、透明ガラス基板、透明ケイ素単結晶基板など、従来一
般に使用されている透明基板がいずれも好ましく使用さ
れる。
また、透明基板１上に形成される下部透明電極２は、従
来の薄膜ＥＬ素子の透明電極と同様にして形成され、た
とえば、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、Ｉｎｚ
Ｏ３，５ｎＯｚなどからなる下部透明電極２が、電子ビ
ーム蒸着法やスパッタリング法によって形成される。
来の薄膜ＥＬ素子の透明電極と同様にして形成され、た
とえば、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、Ｉｎｚ
Ｏ３，５ｎＯｚなどからなる下部透明電極２が、電子ビ
ーム蒸着法やスパッタリング法によって形成される。
さらに、発光層４としては、ＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ等
の■族元素と■族元素の化合物を母体とし、これに発光
中心としてＭｎ、Ｔｂ、Ｓｍ、、ＥＵまたはこれらの硫
化物、酸化物、ノ＼ロゲン化物等を適量混合した発光材
料などが使用され、電子ビーム蒸着法やスパッタリング
法、あるいはＣＶＤ法（化学気相成長法）によって、こ
れらの発光材料からなる発光層が形成される。
の■族元素と■族元素の化合物を母体とし、これに発光
中心としてＭｎ、Ｔｂ、Ｓｍ、、ＥＵまたはこれらの硫
化物、酸化物、ノ＼ロゲン化物等を適量混合した発光材
料などが使用され、電子ビーム蒸着法やスパッタリング
法、あるいはＣＶＤ法（化学気相成長法）によって、こ
れらの発光材料からなる発光層が形成される。
また、第二絶縁層５上に形成される上部電極６は、従来
の薄膜ＥＬ素子の上部電極と同様にして形成され、たと
えば、ＡＩ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｃｒ等の金属電極、さらにＩ
ｎｚ Ｏ：Ｉ 、ＳｎＯ□、インジウム−スズ酸化物
（Ｉ Ｔｏ）などの金属酸化物電極が、真空蒸着法や抵
抗加熱法によって形成される。
の薄膜ＥＬ素子の上部電極と同様にして形成され、たと
えば、ＡＩ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｃｒ等の金属電極、さらにＩ
ｎｚ Ｏ：Ｉ 、ＳｎＯ□、インジウム−スズ酸化物
（Ｉ Ｔｏ）などの金属酸化物電極が、真空蒸着法や抵
抗加熱法によって形成される。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
第１図に示すように、厚さ１．１ｍｍのＨＯ￥Ａ社製、
ＮＡ４０透明ガラス基板１上に、厚さが０．２μｍのイ
ンジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）からなる下部透明電極
２をスパッタリングによってストライブ状にフォトエツ
チングして形成し、さらにこの上に厚さが０．２μｍの
ＢｅＯからなる第一絶縁層３をスパッタリングにより形
成した。
ＮＡ４０透明ガラス基板１上に、厚さが０．２μｍのイ
ンジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）からなる下部透明電極
２をスパッタリングによってストライブ状にフォトエツ
チングして形成し、さらにこの上に厚さが０．２μｍの
ＢｅＯからなる第一絶縁層３をスパッタリングにより形
成した。
次いで、この第一絶縁層３上に厚さが０．５μｍのＺｎ
Ｓ：Ｓｍ、Ｆからなる発光層４を電子ビーム蒸着によっ
て形成し、この発光層４上に厚さが０．２μｍのＢｅＯ
からなる第二絶縁層５をスパッタリングにより形成した
後、さらにこの上に厚さが０．２μｍのＡｌからなる上
部電極６を抵抗加熱により形成して、第１図に示すよう
な薄膜ＥＬ素子をつくった。
Ｓ：Ｓｍ、Ｆからなる発光層４を電子ビーム蒸着によっ
て形成し、この発光層４上に厚さが０．２μｍのＢｅＯ
からなる第二絶縁層５をスパッタリングにより形成した
後、さらにこの上に厚さが０．２μｍのＡｌからなる上
部電極６を抵抗加熱により形成して、第１図に示すよう
な薄膜ＥＬ素子をつくった。
実施例２
害施例１において、実施例１の第一絶縁層に代えて、下
部透明電極２上に、まずスパッタリングにより、厚さが
０．１μｍのＰ ｂ Ｔ １０３からなる薄膜を形成し
、次いでスパッタリングにより、厚さが０．１μｍのＢ
ｅＯからなる薄膜を積層したものを第一絶縁層３とし、
実施例１の第二絶縁層に代えて、発光層４上に、まずス
パッタリングにより、厚さが０．１μｍのＢｅＯからな
る薄膜を形成し、次いでスパッタリングにより、厚さが
０．１μｍのＰｂＴｉ０．からなる薄膜を積層したもの
を第二絶縁層５とした以外は、実施例１と同様にして薄
膜ＥＬ素子をつ（った。
部透明電極２上に、まずスパッタリングにより、厚さが
０．１μｍのＰ ｂ Ｔ １０３からなる薄膜を形成し
、次いでスパッタリングにより、厚さが０．１μｍのＢ
ｅＯからなる薄膜を積層したものを第一絶縁層３とし、
実施例１の第二絶縁層に代えて、発光層４上に、まずス
パッタリングにより、厚さが０．１μｍのＢｅＯからな
る薄膜を形成し、次いでスパッタリングにより、厚さが
０．１μｍのＰｂＴｉ０．からなる薄膜を積層したもの
を第二絶縁層５とした以外は、実施例１と同様にして薄
膜ＥＬ素子をつ（った。
実施例３
実施例１において、実施例１の第一絶縁層に代えて、下
部透明電極２上に、まずスパッタリングにより、厚さが
０．１μｍのＢｅＯからなる薄膜を形成し、次いで、ス
パッタリングにより、厚さが０．１μｍのＰｂＴｉ０．
からなる薄膜を積層したものを第一絶縁層３とした以外
は、実施例１と同様にして薄膜ＥＬ素子をつくった。
部透明電極２上に、まずスパッタリングにより、厚さが
０．１μｍのＢｅＯからなる薄膜を形成し、次いで、ス
パッタリングにより、厚さが０．１μｍのＰｂＴｉ０．
からなる薄膜を積層したものを第一絶縁層３とした以外
は、実施例１と同様にして薄膜ＥＬ素子をつくった。
実施例４
実施例１において、実施例１の第一絶縁層に代えて、下
部透明電極２上にスパッタリングにより厚さが０．２μ
ｍのＡｌｚＯｘからなる第一絶縁層３を形成した以外は
、実施例１と同様にして薄膜ＥＬ素子をつくった。
部透明電極２上にスパッタリングにより厚さが０．２μ
ｍのＡｌｚＯｘからなる第一絶縁層３を形成した以外は
、実施例１と同様にして薄膜ＥＬ素子をつくった。
実施例５
実施例２において、実施例２の第一絶縁層に代えて、下
部透明電極２上にスパッタリングにより厚さが０．２μ
ｍのＡＡｚＯｚからなる第一絶縁層３を形成した以外は
、実施例２と同様にして薄膜ＥＬ素子をつくった。
部透明電極２上にスパッタリングにより厚さが０．２μ
ｍのＡＡｚＯｚからなる第一絶縁層３を形成した以外は
、実施例２と同様にして薄膜ＥＬ素子をつくった。
実施例５
実施例１において、実施例１の発光層に代えて、第一絶
縁層３上にスパッタリングにより厚さが０．５μｍのＺ
ｎＳ：Ｅｒ、Ｆからなる発光層４を形成した以外は、実
施例１と同様にして薄膜ＥＬ素子をつくった。
縁層３上にスパッタリングにより厚さが０．５μｍのＺ
ｎＳ：Ｅｒ、Ｆからなる発光層４を形成した以外は、実
施例１と同様にして薄膜ＥＬ素子をつくった。
比較例１
実施例１において、実施例１の第一絶縁層に代えて、下
部透明電極２上にスパッタリングにより厚さが０．２μ
ｍのＡ ｌ ｚ○３からなる第一絶縁層３を形成し、実
施例１の第二絶縁層に代えて、発光層４上にスパッタリ
ングにより厚さが０．２μｍのＡ ｊ２ ｚ Ｏ３から
なる第二絶縁層５を形成した以外は、実施例１と同様に
して薄膜ＥＬ素子をつくった。
部透明電極２上にスパッタリングにより厚さが０．２μ
ｍのＡ ｌ ｚ○３からなる第一絶縁層３を形成し、実
施例１の第二絶縁層に代えて、発光層４上にスパッタリ
ングにより厚さが０．２μｍのＡ ｊ２ ｚ Ｏ３から
なる第二絶縁層５を形成した以外は、実施例１と同様に
して薄膜ＥＬ素子をつくった。
比較例２
比較例１において、比較例１の発光層に代えて、第一絶
縁層３上にスパッタリングにより厚さが０．５μｍのＺ
ｎＳ：Ｅｒ、Ｆからなる発光層４を形成した以外は、比
較例１と同様にして薄膜ＥＬ素子をつくった。
縁層３上にスパッタリングにより厚さが０．５μｍのＺ
ｎＳ：Ｅｒ、Ｆからなる発光層４を形成した以外は、比
較例１と同様にして薄膜ＥＬ素子をつくった。
各実施例および比較例で得られた薄膜ＥＬ素子の下部透
明電極２と上部電極５を交流電源７に接続し、１００■
、４００ Ｈｚのパルス波で、２０°Ｃ１６０％ＲＨの
条件下に駆動させて、輝度の経時劣化を調べた。
明電極２と上部電極５を交流電源７に接続し、１００■
、４００ Ｈｚのパルス波で、２０°Ｃ１６０％ＲＨの
条件下に駆動させて、輝度の経時劣化を調べた。
第２図は実施例１〜４および比較例１で得られた薄膜Ｅ
Ｌ素子の輝度の経時劣化をグラフで示したもので、実施
例１〜４で得られた薄膜ＥＬ素子は、いずれも比較例１
で得られた薄膜ＥＬ素子に比し、初期輝度に差がなく、
輝度の経時劣化が小さい。
Ｌ素子の輝度の経時劣化をグラフで示したもので、実施
例１〜４で得られた薄膜ＥＬ素子は、いずれも比較例１
で得られた薄膜ＥＬ素子に比し、初期輝度に差がなく、
輝度の経時劣化が小さい。
また、第３図は実施例５および比較例２で得られた薄膜
ＥＬ素子の輝度の経時劣化をグラフで示したもので、実
施例５で得られた薄膜ＥＬ素子は、比較例２で得られた
薄膜ＥＬ素子に比し、初期輝度に差がなく、輝度の経時
劣化が小さい。
ＥＬ素子の輝度の経時劣化をグラフで示したもので、実
施例５で得られた薄膜ＥＬ素子は、比較例２で得られた
薄膜ＥＬ素子に比し、初期輝度に差がなく、輝度の経時
劣化が小さい。
［発明の効果］
第２図および第３図から明らかなように、この発明で得
られた薄膜ＥＬ素子（実施例１ないし５）は、いずれも
比較例１および２で得られた薄膜ＥＬ素子に比し、輝度
の低下がゆるやかで小さく、このことからこの発明の薄
膜ＥＬ素子は、輝度の経時劣化が小さくて、安定性に優
れ、長寿命であることがわかる。
られた薄膜ＥＬ素子（実施例１ないし５）は、いずれも
比較例１および２で得られた薄膜ＥＬ素子に比し、輝度
の低下がゆるやかで小さく、このことからこの発明の薄
膜ＥＬ素子は、輝度の経時劣化が小さくて、安定性に優
れ、長寿命であることがわかる。
第１図はこの発明の薄膜ＥＬ素子の一例を示す拡大断面
図、第２図は実施例１〜４および比較例１で得られた薄
膜ＥＬ素子の輝度と経過時間との関係図、第３図は実施
例５および比較例２で得られた薄膜ＥＬ素子の輝度と経
過時間との関係図である。 １・・・透明基板、２・・・下部透明電極、３・・・第
一絶縁層、４−・・発光層、５・・・第二絶縁層、６−
・・上部電極
図、第２図は実施例１〜４および比較例１で得られた薄
膜ＥＬ素子の輝度と経過時間との関係図、第３図は実施
例５および比較例２で得られた薄膜ＥＬ素子の輝度と経
過時間との関係図である。 １・・・透明基板、２・・・下部透明電極、３・・・第
一絶縁層、４−・・発光層、５・・・第二絶縁層、６−
・・上部電極
Claims (2)
- １．透明基板上に、下部透明電極、第一絶縁層、発光層
、第二絶縁層および上部電極を順次積層した薄膜ＥＬ素
子において、第一絶縁層および第二絶縁層の一部または
全部をＢｅＯで構成したことを特徴とする薄膜ＥＬ素子 - ２．発光層が、ＩＩ族−ＶＩ族の化合物を母体とする発
光材料からなる発光層である請求項１記載の薄膜ＥＬ素
子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2098646A JPH03297094A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2098646A JPH03297094A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03297094A true JPH03297094A (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=14225270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2098646A Pending JPH03297094A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03297094A (ja) |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP2098646A patent/JPH03297094A/ja active Pending
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