JPS63273309A - 薄膜コンデンサの製造方法 - Google Patents
薄膜コンデンサの製造方法Info
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- JPS63273309A JPS63273309A JP10833287A JP10833287A JPS63273309A JP S63273309 A JPS63273309 A JP S63273309A JP 10833287 A JP10833287 A JP 10833287A JP 10833287 A JP10833287 A JP 10833287A JP S63273309 A JPS63273309 A JP S63273309A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜コンデンサの製造方法に関する。
タンタル系金属を使用する薄膜コンデンサは、物理化学
的に安定で、陽極化成法により誘電体が容易にしかも精
度良く形成できるため高信頼性全要求される回路に使用
される。
的に安定で、陽極化成法により誘電体が容易にしかも精
度良く形成できるため高信頼性全要求される回路に使用
される。
従来の薄膜コンデンサは、絶縁基板上に形成したタンタ
ル系金属膜を選択的にエツチングして下層電極を形成し
、該下層電極の段差部とその周辺の表面を選択的に陽極
酸化して眉間絶縁膜全形成する。次に、前記下層電極お
よび層間絶縁膜を含む全表面に金属膜を堆積しこれを選
択エツチングして前記層間絶縁膜上に上層電位と該上層
電極に接続し前記段差部上の眉間絶縁膜上を通って前記
絶縁基板上に導出される引出電極とを形成し薄膜コンデ
ンサを構成する。
ル系金属膜を選択的にエツチングして下層電極を形成し
、該下層電極の段差部とその周辺の表面を選択的に陽極
酸化して眉間絶縁膜全形成する。次に、前記下層電極お
よび層間絶縁膜を含む全表面に金属膜を堆積しこれを選
択エツチングして前記層間絶縁膜上に上層電位と該上層
電極に接続し前記段差部上の眉間絶縁膜上を通って前記
絶縁基板上に導出される引出電極とを形成し薄膜コンデ
ンサを構成する。
上述した従来の薄膜コンデンサの製造方法は、絶縁基板
上に形成したタンタル系金属膜を選択的にエツチングし
て形成した下層電極の段差部とその近傍においては、陽
極酸化で形成した層間絶縁膜が不均一な状態となってお
り、上層電極の引出電極と下層電極の段差部近傍との間
で耐圧不良を生じるという問題点がある。
上に形成したタンタル系金属膜を選択的にエツチングし
て形成した下層電極の段差部とその近傍においては、陽
極酸化で形成した層間絶縁膜が不均一な状態となってお
り、上層電極の引出電極と下層電極の段差部近傍との間
で耐圧不良を生じるという問題点がある。
本発明の目的は、耐圧のすぐれた薄膜コンデンサの製造
方法を提供することにある。
方法を提供することにある。
本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、絶縁基、
板上に形成したタンタル系金属膜を選択的にエツ
チングして薄膜コンデンサの下層電極を形成する工程と
、該下層電極の段差部とその周辺の表面を選択的に陽極
酸化して層間絶縁膜を形成する工程と、前記段差部とそ
の近傍の前記下層電極を前記陽極酸化よりも高い電圧で
選択的に陽極酸化して前記層間絶縁膜と合わせて厚い絶
縁膜を形成する工程と、前記下層電極および層間絶縁膜
を含む全表面に金属層を堆積しこれを選択エツチングし
て前記層間絶縁膜上に上層電極と該上層電極に接続し且
つ前記厚い絶縁膜上を通って前記絶縁基板上に導出され
る引出電極とを形成する工程とを含んで構成される。
板上に形成したタンタル系金属膜を選択的にエツ
チングして薄膜コンデンサの下層電極を形成する工程と
、該下層電極の段差部とその周辺の表面を選択的に陽極
酸化して層間絶縁膜を形成する工程と、前記段差部とそ
の近傍の前記下層電極を前記陽極酸化よりも高い電圧で
選択的に陽極酸化して前記層間絶縁膜と合わせて厚い絶
縁膜を形成する工程と、前記下層電極および層間絶縁膜
を含む全表面に金属層を堆積しこれを選択エツチングし
て前記層間絶縁膜上に上層電極と該上層電極に接続し且
つ前記厚い絶縁膜上を通って前記絶縁基板上に導出され
る引出電極とを形成する工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した混成集積回路の断面図、第２図は本
発明の一実施例を説明するための混成集積回路の平面図
である。
めの工程順に示した混成集積回路の断面図、第２図は本
発明の一実施例を説明するための混成集積回路の平面図
である。
まず、第１図（ａ）に示すように、セラミックス又はガ
ラス等の絶縁基板１の上にマグネトロンスパッタ等によ
りαタンタル薄膜２を形成する。
ラス等の絶縁基板１の上にマグネトロンスパッタ等によ
りαタンタル薄膜２を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、αタンタル薄膜２を
選択的にエツチングで除去し下層電極３を設ける。
選択的にエツチングで除去し下層電極３を設ける。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、下層電極３の段差部
とその周辺を含む表面を選択的に０．０１’％のクエン
酸溶液中で電圧１００Ｖ、２時間の陽極酸化によ、９Ｔ
ａ２０５からなる層間絶縁膜４を形成する。
とその周辺を含む表面を選択的に０．０１’％のクエン
酸溶液中で電圧１００Ｖ、２時間の陽極酸化によ、９Ｔ
ａ２０５からなる層間絶縁膜４を形成する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、下層電極３の前記段
差部とその近傍を選択的に電圧２００ｖで再度陽極酸化
し層間絶縁膜５を形成する。
差部とその近傍を選択的に電圧２００ｖで再度陽極酸化
し層間絶縁膜５を形成する。
次に、第１図（ｅ）および第２図に示すよ、うに、全面
にＮｉＣｒ 、Ｐｄ 、Ａｕを順次マグネトロンスパッ
タにより堆積し、これを選択的にエツチングで除史 去して層間絶縁膜上の上層電極７と上層電極７と接続し
且つ層間絶縁膜４．５の積層した厚い絶縁膜上を通って
絶縁基板１上に導出される引出電極８および下層電極３
に接続される引出電極９のそれぞれを形成する。
にＮｉＣｒ 、Ｐｄ 、Ａｕを順次マグネトロンスパッ
タにより堆積し、これを選択的にエツチングで除史 去して層間絶縁膜上の上層電極７と上層電極７と接続し
且つ層間絶縁膜４．５の積層した厚い絶縁膜上を通って
絶縁基板１上に導出される引出電極８および下層電極３
に接続される引出電極９のそれぞれを形成する。
以上説明したように本発明は、下層電極の段差部および
その近傍の陽極酸化で設けられた層間絶縁膜に前工程の
陽極酸化よシ高い電圧の陽極酸化による層間絶縁膜を積
層して厚い絶縁膜を形成することにより、下層電極の周
縁段差部と上層電極の引出電極との間の耐圧を向上させ
るという効果を有する。
その近傍の陽極酸化で設けられた層間絶縁膜に前工程の
陽極酸化よシ高い電圧の陽極酸化による層間絶縁膜を積
層して厚い絶縁膜を形成することにより、下層電極の周
縁段差部と上層電極の引出電極との間の耐圧を向上させ
るという効果を有する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した混成集積回路の断面図、第２図は本
発明の一実施例を説明するための混成集積回路の平面図
である。 ｌ・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・αタンタル薄
膜、３・・・・・・下層電極、４，５・・・・・・層間
絶縁膜、６・・・・・・上層電極、７，８・・・・・・
引出電極。 −：＼ 代理人 弁理士 内 原 晋 。
めの工程順に示した混成集積回路の断面図、第２図は本
発明の一実施例を説明するための混成集積回路の平面図
である。 ｌ・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・αタンタル薄
膜、３・・・・・・下層電極、４，５・・・・・・層間
絶縁膜、６・・・・・・上層電極、７，８・・・・・・
引出電極。 −：＼ 代理人 弁理士 内 原 晋 。
Claims (1)
- 絶縁基板上に形成したタンタル系金属膜を選択的にエッ
チングして薄膜コンデンサの下層電極を形成する工程と
、該下層電極の段差部とその周辺の表面を選択的に陽極
酸化して層間絶縁膜を形成する工程と、前記段差部とそ
の近傍の前記下層電極を前記陽極酸化よりも高い電圧で
選択的に陽極酸化して前記層間絶縁膜と合わせて厚い絶
縁膜を形成する工程と、前記下層電極および層間絶縁膜
を含む全表面に金属層を堆積しこれを選択エッチングし
て前記層間絶縁膜上に上層電極と該上層電極に接続し且
つ前記厚い絶縁膜上を通って前記絶縁基板上に導出され
る引出電極とを形成する工程とを含むことを特徴とする
薄膜コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10833287A JPS63273309A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10833287A JPS63273309A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63273309A true JPS63273309A (ja) | 1988-11-10 |
Family
ID=14482011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10833287A Pending JPS63273309A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63273309A (ja) |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP10833287A patent/JPS63273309A/ja active Pending
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