JPH0338809A - タンタル薄膜コンデンサ - Google Patents
タンタル薄膜コンデンサInfo
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- JPH0338809A JPH0338809A JP17459289A JP17459289A JPH0338809A JP H0338809 A JPH0338809 A JP H0338809A JP 17459289 A JP17459289 A JP 17459289A JP 17459289 A JP17459289 A JP 17459289A JP H0338809 A JPH0338809 A JP H0338809A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はタンタル薄膜コンデンサに関し、特に耐圧に優
れたタンタル薄膜コンデンサに間するものである。
れたタンタル薄膜コンデンサに間するものである。
従来のタンタル薄膜コンデンサは、例えば第２図に示す
ようにＳｉＯ□を表面に形成したシリコン基板−ヒに形
成したαタンタル膜をコンデンサパターンに成形し陽極
酸化によりＴ ａ ２０５膜４を形成した後、対向電極
パターンを形成する上で上部電極６は引出しパターンを
設はボンディング用端子ラン１〜に接続した構造となっ
ていた。なお５はαタンタル膜に設けた下部電極である
。
ようにＳｉＯ□を表面に形成したシリコン基板−ヒに形
成したαタンタル膜をコンデンサパターンに成形し陽極
酸化によりＴ ａ ２０５膜４を形成した後、対向電極
パターンを形成する上で上部電極６は引出しパターンを
設はボンディング用端子ラン１〜に接続した構造となっ
ていた。なお５はαタンタル膜に設けた下部電極である
。
上述しノコ従来のタンタル薄膜コンデンサは、タンタル
型薄膜を所望のコンデンサパターンに形成した際、その
パターンの端段差部が表面部に比べ非常に訂■くなり、
酸性溶液中で陽極酸化し、Ｔａ２０５膜を形成した場合
、表面部に対し、パターンの端段差部におけるそのＴａ
２０５膜が不均一な状態で形成され、上層に最終的に対
向電極パターンを形成すると、特に上部電極引出し部と
Ｔ ａ ２０５膜段差部で耐圧低下か生しるという欠点
があった。
型薄膜を所望のコンデンサパターンに形成した際、その
パターンの端段差部が表面部に比べ非常に訂■くなり、
酸性溶液中で陽極酸化し、Ｔａ２０５膜を形成した場合
、表面部に対し、パターンの端段差部におけるそのＴａ
２０５膜が不均一な状態で形成され、上層に最終的に対
向電極パターンを形成すると、特に上部電極引出し部と
Ｔ ａ ２０５膜段差部で耐圧低下か生しるという欠点
があった。
本発明の目的は、−Ｅ述した従来の欠点を除去したコン
デンサの耐圧が保証され品質の向上が得１）れると共に
、より小型化が可能となるタンタル薄膜コンデンサを提
供することにある。
デンサの耐圧が保証され品質の向上が得１）れると共に
、より小型化が可能となるタンタル薄膜コンデンサを提
供することにある。
本発明のタンタル薄膜コンデンサは、最終的に形成する
対向電極パターンの１部電極は引出しパターンを形成せ
ずにＴａ２０５膜表面部にのみに形成した構造とし、接
続は金属細線を熱圧着法で直接ホンティンクすることを
特徴として構成される。
対向電極パターンの１部電極は引出しパターンを形成せ
ずにＴａ２０５膜表面部にのみに形成した構造とし、接
続は金属細線を熱圧着法で直接ホンティンクすることを
特徴として構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明のタンタル薄膜コンデンサの一実施例を説明す
る断面図である。５ｉ０２ｎ４！２が１μ形成されたＳ
１ウエーハ］上にα−Ｔａ膜３をマクネトロンスパッタ
法て約４０００＾形成し、そのα−Ｔａ膜をフォＩ〜エ
ツチンク“処理で所望のコンデンザパターンに形成する
。次に、そのコンテンザパターンのコンチン→ノーとず
べき部分を００１％クエン酸溶液中で１００■、２時間
の定電圧で１湯捧酸化し、Ｔａ、２０５膜４を形成し、
次に、マクネトロンスパッタ法でＡ、ｆｆ−３ｊ（１％
）膜を約０．８μ純六々膜を約０．８μ連続成膜し対向
電極用導電性膜とし、フオｌ・エッチ処理により下部電
極５のパターンとＴ、 ａ ２０５膜表面上にのみ上部
電極６のパターンを同時に形成する。対向電極として」
二部２ＷＩ膜とすることにより密着性等の特性を向上で
きる。最終的に２５０°Ｃ大気中で５時間の安定化熱処
理を施しタンタルＦＮ １ｍコンテンサを形成する。
は本発明のタンタル薄膜コンデンサの一実施例を説明す
る断面図である。５ｉ０２ｎ４！２が１μ形成されたＳ
１ウエーハ］上にα−Ｔａ膜３をマクネトロンスパッタ
法て約４０００＾形成し、そのα−Ｔａ膜をフォＩ〜エ
ツチンク“処理で所望のコンデンザパターンに形成する
。次に、そのコンテンザパターンのコンチン→ノーとず
べき部分を００１％クエン酸溶液中で１００■、２時間
の定電圧で１湯捧酸化し、Ｔａ、２０５膜４を形成し、
次に、マクネトロンスパッタ法でＡ、ｆｆ−３ｊ（１％
）膜を約０．８μ純六々膜を約０．８μ連続成膜し対向
電極用導電性膜とし、フオｌ・エッチ処理により下部電
極５のパターンとＴ、 ａ ２０５膜表面上にのみ上部
電極６のパターンを同時に形成する。対向電極として」
二部２ＷＩ膜とすることにより密着性等の特性を向上で
きる。最終的に２５０°Ｃ大気中で５時間の安定化熱処
理を施しタンタルＦＮ １ｍコンテンサを形成する。
なお、上記実施例では基板としてはシリコンウェーハを
用いたか、これに限定されることなくセラミック又はガ
ラス等の絶縁基板を適用できることは説明するまでもな
い。
用いたか、これに限定されることなくセラミック又はガ
ラス等の絶縁基板を適用できることは説明するまでもな
い。
以上説明したように、本発明のタンタル薄膜コンデンサ
は、対向電極パターンを形成する際、上部＠極パターン
に引出しパターンを設けることなく、Ｔａ２０５膜表面
部にのみに形成するためコンデンサ特性である耐圧が保
証され、品質の向上が図れる。又、引出しパターンがな
くしかもホンディング用端子ランドが不要となり小型化
が可能となる。
は、対向電極パターンを形成する際、上部＠極パターン
に引出しパターンを設けることなく、Ｔａ２０５膜表面
部にのみに形成するためコンデンサ特性である耐圧が保
証され、品質の向上が図れる。又、引出しパターンがな
くしかもホンディング用端子ランドが不要となり小型化
が可能となる。
第１図は本発明の一実施例のタンタル薄膜コンデンサの
断面図、第２図は従来のタンタル薄膜コンデンサの一例
の断面図である。 １・・Ｓｊウェイバー、２・・・５１０２膜、３・・・
αＴａ膜、４・Ｔ ａ ２０５膜、５・・・下部電極、
６・上部電極。
断面図、第２図は従来のタンタル薄膜コンデンサの一例
の断面図である。 １・・Ｓｊウェイバー、２・・・５１０２膜、３・・・
αＴａ膜、４・Ｔ ａ ２０５膜、５・・・下部電極、
６・上部電極。
Claims (1)
- 表面に酸化シリコン膜を形成したシリコン基板又は絶
縁基板上にタンタル薄膜を形成し、該タンタル薄膜の表
面に所要部に酸化タンタル膜を形成し、該酸化タンタル
膜の上面に引出しパターンを有する上部電極を形成し、
前記タンタル薄膜に下部電極を設けてなるタンタル薄膜
コンデンサにおいて、前記上部電極は引出しパターンを
設けず、かつ前記酸化タンタル膜の表面部のみに設けた
構造としたことを特徴とするタンタル薄膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17459289A JPH0338809A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | タンタル薄膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17459289A JPH0338809A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | タンタル薄膜コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338809A true JPH0338809A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15981263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17459289A Pending JPH0338809A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | タンタル薄膜コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0338809A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547587A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Nec Corp | 薄膜キヤパシタとその製造方法 |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP17459289A patent/JPH0338809A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547587A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Nec Corp | 薄膜キヤパシタとその製造方法 |
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