JPS63273367A - 超伝導体用電極 - Google Patents
超伝導体用電極Info
- Publication number
- JPS63273367A JPS63273367A JP62109247A JP10924787A JPS63273367A JP S63273367 A JPS63273367 A JP S63273367A JP 62109247 A JP62109247 A JP 62109247A JP 10924787 A JP10924787 A JP 10924787A JP S63273367 A JPS63273367 A JP S63273367A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- superconductor
- contact resistance
- resistance
- shows
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0744—Manufacture or deposition of electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、接触抵抗の少ない超伝導体用電極であって、
特に酸化物超伝導体に有用な電極に関するものである。
特に酸化物超伝導体に有用な電極に関するものである。
（Ｌａ＋−ｘＢａｙ） Ｃｕ２ ｏ、やＹＢａ２ Ｃｕ
ｓ ０４−Ｘなどのいわゆる高温超伝導体は、／９♂乙
年のＢｅｄｎｏｒｚ等の発表 （Ｊ、Ｇ、 Ｂｅｄｎ
ｏｒｔｚ ｅｔ ａｌｌ、 Ｚ、Ｐｈｙｓ’、、
ＢＡμ （°♂乙）７ｇり）をきっかけに研究が開始
され、超伝導遷移温度も１００に以上のものも報告され
ている。
ｓ ０４−Ｘなどのいわゆる高温超伝導体は、／９♂乙
年のＢｅｄｎｏｒｚ等の発表 （Ｊ、Ｇ、 Ｂｅｄｎ
ｏｒｔｚ ｅｔ ａｌｌ、 Ｚ、Ｐｈｙｓ’、、
ＢＡμ （°♂乙）７ｇり）をきっかけに研究が開始
され、超伝導遷移温度も１００に以上のものも報告され
ている。
このような超伝導体を応用する場合に電流を流すために
外部電源と接続することが不可欠であり。
外部電源と接続することが不可欠であり。
このような目的のための電極として白金ペースト。
銀ペーストが用いられることがもっばらであった。
また、 Ａｕ 、 ＡＡ、 Ｎｂ 、 Ｉｎなどのスパ
ッタや蒸着による薄膜が用いられる場合もあった。この
ような電極に要求される性質としては、接触抵抗ができ
るだけ小さいことである。従来のＮｂ 、 Ｐｂ 或は
、Ｎｂ、 Ｓｎ等の金属超伝導体の場合は、表面の 酸
化物層を除去してやれば大半の金属を接した電極におい
て非常に小さな接触抵抗を実現できた。ところが、前述
の酸化物超伝導体においては、接触抵抗が大きいので表
面を紙ヤスリでこすり接触表面積を増大させることが必
要であった。前記酸化物超伝導体薄膜で、膜厚が薄く、
また主権面積が小さい場合には、この手法は使えず、従
来、Ｏ１’ＩＡｕ 、 Ｎｂ 、 Ａ、１のスパッタや
蒸着による薄膜が用いられてきたが、これらの金属を用
いた場合には、接触抵抗が非常に大きく、かつ、非線形
の抵抗が存在した。これは理由はよくわかっていないが
、表面に半導体的な変質層が存在し、そのためショット
キーバリアが金属界面との間に存在し、その特性が接触
抵抗に反映している可能性がある。第３図にそのような
典型的な接触抵抗の例を示す。
ッタや蒸着による薄膜が用いられる場合もあった。この
ような電極に要求される性質としては、接触抵抗ができ
るだけ小さいことである。従来のＮｂ 、 Ｐｂ 或は
、Ｎｂ、 Ｓｎ等の金属超伝導体の場合は、表面の 酸
化物層を除去してやれば大半の金属を接した電極におい
て非常に小さな接触抵抗を実現できた。ところが、前述
の酸化物超伝導体においては、接触抵抗が大きいので表
面を紙ヤスリでこすり接触表面積を増大させることが必
要であった。前記酸化物超伝導体薄膜で、膜厚が薄く、
また主権面積が小さい場合には、この手法は使えず、従
来、Ｏ１’ＩＡｕ 、 Ｎｂ 、 Ａ、１のスパッタや
蒸着による薄膜が用いられてきたが、これらの金属を用
いた場合には、接触抵抗が非常に大きく、かつ、非線形
の抵抗が存在した。これは理由はよくわかっていないが
、表面に半導体的な変質層が存在し、そのためショット
キーバリアが金属界面との間に存在し、その特性が接触
抵抗に反映している可能性がある。第３図にそのような
典型的な接触抵抗の例を示す。
試料は、チタン酸ストロンチウム基板上の厚さａｏｏｏ
λのＬａ＋ Ｓｒ、 Ｃｕ、 Ｏから成る薄膜で、２１
ＡＫで抵抗ゼロの超伝導状態になることが、確認されて
いる。サイズは幅ｐｍ、長さｉｏｍである。
λのＬａ＋ Ｓｒ、 Ｃｕ、 Ｏから成る薄膜で、２１
ＡＫで抵抗ゼロの超伝導状態になることが、確認されて
いる。サイズは幅ｐｍ、長さｉｏｍである。
これにグ鰭×３Ｉｌｊ＋と／錦Ｘ／１１１１ の二つ
の厚さ、ｚｏｏｏｈ程度のＡｕパッドを間隔を３１あけ
てリフトオフ法により形成する。ＡＵ膜形成は蒸着によ
うた。各パッドにＡｕ線を銀ペーストによって接続し、
！端子間の電圧、Ｎ光特性を測定した。
の厚さ、ｚｏｏｏｈ程度のＡｕパッドを間隔を３１あけ
てリフトオフ法により形成する。ＡＵ膜形成は蒸着によ
うた。各パッドにＡｕ線を銀ペーストによって接続し、
！端子間の電圧、Ｎ光特性を測定した。
第３図は４４２Ｋにおける電圧電流特性であり、電流が
小さな領域では、非常に大きな抵抗を有していることが
わかる。片方のバンドはもう一方に比して、７０倍以上
面積が大きいので、この抵抗のほとんどは、小面積のパ
ッドの接触抵抗と考えられる。このような大きなコンタ
クト抵抗が存在すると、局所的に発熱したり、雑音の要
因になったりする。また、超伝導体から微弱な電流を外
部に導く際の障害となる。 。
小さな領域では、非常に大きな抵抗を有していることが
わかる。片方のバンドはもう一方に比して、７０倍以上
面積が大きいので、この抵抗のほとんどは、小面積のパ
ッドの接触抵抗と考えられる。このような大きなコンタ
クト抵抗が存在すると、局所的に発熱したり、雑音の要
因になったりする。また、超伝導体から微弱な電流を外
部に導く際の障害となる。 。
第３図は、Ｌａ、Ｓｒ＋Ｏｕ＋Ｏを含む材料であったが
、 Ｂａ＋ Ｓｒ＋ Ｌａ系列元素、Ｏｕ、ＯＱ含む酸
化物超伝導体についても、Ｎｂ 、 ／ｄ−、Ａｕの電
極金属に対して、同様の高い接触抵抗が認められた。
、 Ｂａ＋ Ｓｒ＋ Ｌａ系列元素、Ｏｕ、ＯＱ含む酸
化物超伝導体についても、Ｎｂ 、 ／ｄ−、Ａｕの電
極金属に対して、同様の高い接触抵抗が認められた。
金属膜形成法としてスパッタと蒸着の間に差異は認めら
れなかった。
れなかった。
本発明は、酸化物超伝導体において従来の材料で電極を
形成した場合には接触抵抗が大であった点を解決し、小
さな接触抵抗を有する電極を提供するものである。具体
的には電極用金属として、銀又は銅又はこれらを主成分
とする合金を用いることを主要な特徴とする。
形成した場合には接触抵抗が大であった点を解決し、小
さな接触抵抗を有する電極を提供するものである。具体
的には電極用金属として、銀又は銅又はこれらを主成分
とする合金を用いることを主要な特徴とする。
試料の諸元としては、第３図の場合と同じとし、電極金
属としてＣｕおよびＡｇを用いた。第１図がＡｇ、第；
図がＣｕの場合の電圧、電流特性である。
属としてＣｕおよびＡｇを用いた。第１図がＡｇ、第；
図がＣｕの場合の電圧、電流特性である。
Ａｇの場合、はとんど直線的であゃ、抵抗値はＡｕの場
合の約１ＯＯＯＱ分の／である。Ｃｕの場合はわずかに
非線形が存在するが、それでも原点付近の抵抗は、Ａｕ
の場合の２０００分の／であり、いずれの場合も非常に
小さい。金属としてＡｇ 、 Ｃ！ｕを主成分として含
んでいる合金を用いて電極を形成した場合も、はぼ同様
の特性が得られた。
合の約１ＯＯＯＱ分の／である。Ｃｕの場合はわずかに
非線形が存在するが、それでも原点付近の抵抗は、Ａｕ
の場合の２０００分の／であり、いずれの場合も非常に
小さい。金属としてＡｇ 、 Ｃ！ｕを主成分として含
んでいる合金を用いて電極を形成した場合も、はぼ同様
の特性が得られた。
以上、説明したように本発明の電極を用いれば、超伝導
体全外部を接続する部分の接触抵抗を小さくすることが
でき、発熱を防ぎ、寄生抵抗による雑音、デバイスの誤
動作等を防止することができる。
体全外部を接続する部分の接触抵抗を小さくすることが
でき、発熱を防ぎ、寄生抵抗による雑音、デバイスの誤
動作等を防止することができる。
第１図は、本発明の実施例であり、試料サイズ！ＭＸ１
０８のＬａ Ｓｒ Ｏｕ Ｏから成る超伝導体上の≠鴎
×３隨と／ｍＸ ／ａｔのＡｇからなるパッド間の電圧
電流特性、第２図は同じく本発明の実施例でパッドがＯ
ｕの場合、第３図は従来例であり、パッドがＡｕの場合
である。
０８のＬａ Ｓｒ Ｏｕ Ｏから成る超伝導体上の≠鴎
×３隨と／ｍＸ ／ａｔのＡｇからなるパッド間の電圧
電流特性、第２図は同じく本発明の実施例でパッドがＯ
ｕの場合、第３図は従来例であり、パッドがＡｕの場合
である。
Claims (1)
- Ｍ／−Ｍ２−Ｍ３−Ｏ系（Ｍ／は（Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、
Ｉｎ、Ｔｌ、Ｅｓ）からなる群から選ばれた一又は二以
上の金属、Ｍ２は（Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｆ）からなる群から選ばれた一又は
二以上の金属、Ｍ３はＣｕ又はＡｇ）酸化物超伝導体に
接して形成された銀又は銅又はこれらを主成分とする合
金からなる超伝導体用電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62109247A JPS63273367A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 超伝導体用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62109247A JPS63273367A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 超伝導体用電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63273367A true JPS63273367A (ja) | 1988-11-10 |
Family
ID=14505343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62109247A Pending JPS63273367A (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 超伝導体用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63273367A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124075A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導素子 |
| WO1992019786A1 (en) * | 1991-05-08 | 1992-11-12 | Superconductor Technologies, Inc. | Fabrication process for low loss metallizations on superconducting thin film devices |
-
1987
- 1987-05-01 JP JP62109247A patent/JPS63273367A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124075A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導素子 |
| WO1992019786A1 (en) * | 1991-05-08 | 1992-11-12 | Superconductor Technologies, Inc. | Fabrication process for low loss metallizations on superconducting thin film devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5164808A (en) | Platinum electrode structure for use in conjunction with ferroelectric materials | |
| JPH0793969A (ja) | 強誘電体容量素子 | |
| JPH0199242A (ja) | 超伝導体相互接続を有する半導体デバイス | |
| JPS62145758A (ja) | パラジウムを用いる銅製ボンデイングパツドの酸化防止法 | |
| JPS63273367A (ja) | 超伝導体用電極 | |
| US5015620A (en) | High-Tc superconductor contact unit having low interface resistivity, and method of making | |
| US4885630A (en) | High power multi-layer semiconductive switching device having multiple parallel contacts with improved forward voltage drop | |
| JP3359826B2 (ja) | 超伝導酸化物薄膜を用いた電子デバイス | |
| JPH08227743A (ja) | 酸化物超電導体用金属電極 | |
| JPH03124075A (ja) | 超電導素子 | |
| JP3011411B2 (ja) | 超電導素子 | |
| JPS63177553A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3026482B2 (ja) | 超電導素子とその製法および動作方法 | |
| JPH0256930A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| Chen | Thin and Thick Films Materials Based Interconnection Technology for 500 C Operation | |
| JPH0385776A (ja) | 有機超電導体を用いた素子 | |
| JPS607175A (ja) | ３−５化合物半導体素子の電極構造 | |
| JP2560088B2 (ja) | 超電導体の接合方法 | |
| JPH03218676A (ja) | 化合物半導体用電極およびその製造方法 | |
| JPH02308578A (ja) | 超電導体装置の製造方法 | |
| JPS6037125A (ja) | 化合物半導体素子の電極形成方法 | |
| EP0266093A2 (en) | Process of making a high power multi-layer semiconductive switching device with multiple parallel contacts | |
| JPS60124969A (ja) | 半導体装置の制御電極及びその製造方法 | |
| JPH07115185A (ja) | 半導体の電極 | |
| JPH01161785A (ja) | 超電導素子 |