JPS63274206A - チップ型圧電素子 - Google Patents
チップ型圧電素子Info
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- JPS63274206A JPS63274206A JP62108121A JP10812187A JPS63274206A JP S63274206 A JPS63274206 A JP S63274206A JP 62108121 A JP62108121 A JP 62108121A JP 10812187 A JP10812187 A JP 10812187A JP S63274206 A JPS63274206 A JP S63274206A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/562—Monolithic crystal filters comprising a ceramic piezoelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/177—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator of the energy-trap type
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業−にの利用分野]
この発明は、発振子、フィルタ、トラップ、ディスクリ
ミネータ、等の厚み縦振動または厚みすべり振動を利用
する、たとえばエネルギ閉込め型の圧電素子に関するも
ので、特に、一体焼結した圧電性セラミックを備える素
子本体を有するチップ型圧電素子に関するものである。
ミネータ、等の厚み縦振動または厚みすべり振動を利用
する、たとえばエネルギ閉込め型の圧電素子に関するも
ので、特に、一体焼結した圧電性セラミックを備える素
子本体を有するチップ型圧電素子に関するものである。
[従来の技術]
圧電性セラミックからなる単板を素子本体とし、その両
面に電極を形成した圧電素子において、たとえば10M
Hzの共振周波数を得ようとするとき、単板の厚みは2
00μm程度となってしまう。
面に電極を形成した圧電素子において、たとえば10M
Hzの共振周波数を得ようとするとき、単板の厚みは2
00μm程度となってしまう。
そのため、機械的強度が低く、そのままでは、取扱いが
困難である。これを解決するため、樹脂ディップを施し
たり、パッケージングしたりしているが、これらの場合
には、電極にリード端子を取付けなければならなず、部
品の大きさが増し、また、実装時の高さ等の寸法も大き
くなる。
困難である。これを解決するため、樹脂ディップを施し
たり、パッケージングしたりしているが、これらの場合
には、電極にリード端子を取付けなければならなず、部
品の大きさが増し、また、実装時の高さ等の寸法も大き
くなる。
上述した従来技術の問題点を解決し得るものとして、第
7図に示すような構造のチップ型圧電素子が提案されて
いる(たとえば、特開昭59−172821号公報)。
7図に示すような構造のチップ型圧電素子が提案されて
いる(たとえば、特開昭59−172821号公報)。
第7図に示した圧電素子は、一体焼結したセラミックか
らなる素子本体lを備え、その内部には、たとえば1対
の励振用電極2および3が互いに対向するように設けら
れている。
らなる素子本体lを備え、その内部には、たとえば1対
の励振用電極2および3が互いに対向するように設けら
れている。
励振用電極2および3は、それぞれ、素子本体1の外部
に形成された外部電極4および5に電気的に接続された
状態とされる。
に形成された外部電極4および5に電気的に接続された
状態とされる。
素子本体1を構成するセラミックには圧電性が付与され
ていて、外部電極4および5から駆動電圧が印加された
とき、励振用電極2および3間に挾まれた部分が所定の
周波数で振動する。このような振動の漏れを防止するた
め、励振用電極2および3のそれぞれの、振動部分と反
対側には、空洞6および7が形成される。
ていて、外部電極4および5から駆動電圧が印加された
とき、励振用電極2および3間に挾まれた部分が所定の
周波数で振動する。このような振動の漏れを防止するた
め、励振用電極2および3のそれぞれの、振動部分と反
対側には、空洞6および7が形成される。
この第7図に示したチップ型圧電素子によれば、素子本
体1全体に対しては比較的厚みをもたすことができるの
で、機械的強度に関しては十分高いものを得ることがで
きる。また、空洞6および7の存在により、振動が素子
本体1の外表面にまで漏れることが防止されるので、チ
ップの状態のまま、直接、プリント回路基板等へ実装す
ることが可能となる。したがって、部品自体の寸法が小
さいままでの取扱いが可能となるとともに、実装状態に
おける高さ寸法等も小さくすることができる。
体1全体に対しては比較的厚みをもたすことができるの
で、機械的強度に関しては十分高いものを得ることがで
きる。また、空洞6および7の存在により、振動が素子
本体1の外表面にまで漏れることが防止されるので、チ
ップの状態のまま、直接、プリント回路基板等へ実装す
ることが可能となる。したがって、部品自体の寸法が小
さいままでの取扱いが可能となるとともに、実装状態に
おける高さ寸法等も小さくすることができる。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、第7図に示したチップ型圧電素子は、以
下に述べるような致命的な欠点を有している。すなわち
、当該チップ型圧電素子における共振周波数は、対をな
す励振用電極2および3間の距離によって決まるが、こ
のような距離は、素子本体1を得るための焼成段階にお
いて既に決定されてしまう。そのため、一旦、チップ型
圧電素子を得た後において、共振周波数の調整、たとえ
ば微調整を行なうことは、全く不可能である。
下に述べるような致命的な欠点を有している。すなわち
、当該チップ型圧電素子における共振周波数は、対をな
す励振用電極2および3間の距離によって決まるが、こ
のような距離は、素子本体1を得るための焼成段階にお
いて既に決定されてしまう。そのため、一旦、チップ型
圧電素子を得た後において、共振周波数の調整、たとえ
ば微調整を行なうことは、全く不可能である。
そこで、この発明は、一体焼結したセラミックからなる
素子本体を備えるにもかかわらず、後での周波数調整が
可能なチップ型圧電素子を提供しようとするものである
。
素子本体を備えるにもかかわらず、後での周波数調整が
可能なチップ型圧電素子を提供しようとするものである
。
[問題点を解決するための手段]
この発明は、一体焼結したセラミックからなる素子本体
を備え、少なくとも1対の励振用電極が前記素子本体の
一部を挾んだ状態で対向するように設けられ、前記素子
本体の少なくとも前記一部に圧電性が付与され、それに
よって前記一部が振動部分とされた、チップ型圧電素子
であって、上述した技術的課題を解決するため、この発
明では、次のような構成が採用される。
を備え、少なくとも1対の励振用電極が前記素子本体の
一部を挾んだ状態で対向するように設けられ、前記素子
本体の少なくとも前記一部に圧電性が付与され、それに
よって前記一部が振動部分とされた、チップ型圧電素子
であって、上述した技術的課題を解決するため、この発
明では、次のような構成が採用される。
すなわち、この発明は、前記対をなす励振用電極のうち
、少なくとも一方の励振用電極を前記素子本体内に位置
させるとともに、当該励振用電極の、前記振動部分と反
対側にのみ空洞を形成したことを特徴とするものである
。
、少なくとも一方の励振用電極を前記素子本体内に位置
させるとともに、当該励振用電極の、前記振動部分と反
対側にのみ空洞を形成したことを特徴とするものである
。
[発明の作用および効果]
この発明によれば、対をなす励振用電極のうち、一方の
励振用電極にのみ関連して空洞が形成されるにすぎない
。空洞が形成されない側にある励振用電極自身および/
または当該励振用電極の、振動部分と反対側に位置する
薄いセラミックの部分は、振動部分の一部として一体に
振動する。したがって、このような空洞が形成されない
側にある励振用電極および/または素子本体の一部に関
連して、たとえば、研摩または質量負荷を加えることを
行なえば、共振周波数に影響が及ぼされ、したがって、
周波数の調整、たとえば微調整を容易に行なうことがで
きる。
励振用電極にのみ関連して空洞が形成されるにすぎない
。空洞が形成されない側にある励振用電極自身および/
または当該励振用電極の、振動部分と反対側に位置する
薄いセラミックの部分は、振動部分の一部として一体に
振動する。したがって、このような空洞が形成されない
側にある励振用電極および/または素子本体の一部に関
連して、たとえば、研摩または質量負荷を加えることを
行なえば、共振周波数に影響が及ぼされ、したがって、
周波数の調整、たとえば微調整を容易に行なうことがで
きる。
また、この発明に係るチップ型圧電素子は、そのまま、
プリント回路基板等の上に実装することができる。した
がって、実装状態における高さ寸法の低減を図ることが
できるとともに、寸法の小さなチップ型圧電素子を得る
ことができる。
プリント回路基板等の上に実装することができる。した
がって、実装状態における高さ寸法の低減を図ることが
できるとともに、寸法の小さなチップ型圧電素子を得る
ことができる。
また、第7図の従来技術が、圧電性セラミックの単板を
用いた圧電素子に対して改善した種々の利点は、この発
明に係るチップ型圧電素子においても、そのまま保有す
ることはもちろんである。
用いた圧電素子に対して改善した種々の利点は、この発
明に係るチップ型圧電素子においても、そのまま保有す
ることはもちろんである。
なお、空洞が形成されていない側の励振用電極は、表面
からの距離が大きくなると、圧電素子の共振特性が劣化
する。このため、好ましくは、前記対をなす励振用電極
は、素子本体の厚み方向の一方側に片寄せられて位置す
るようにされる。このような構成を採用することにより
、空洞が形成されない側にある励振用電極を、素子本体
の表面またはその近傍に位置させることができ、圧電素
子の共振特性を劣化させることがない。
からの距離が大きくなると、圧電素子の共振特性が劣化
する。このため、好ましくは、前記対をなす励振用電極
は、素子本体の厚み方向の一方側に片寄せられて位置す
るようにされる。このような構成を採用することにより
、空洞が形成されない側にある励振用電極を、素子本体
の表面またはその近傍に位置させることができ、圧電素
子の共振特性を劣化させることがない。
[実施例コ
この発明の第1の実施例が第1図および第2図に示され
ている。
ている。
これらの図面に示したチップ型圧電素子は、たとえばP
ZT系セラミックを一体焼結して得られた素子本体11
を備える。素子本体11の内部に埋込まれた状態で、1
対の励振用電極12および13が、素子本体11の一部
を挾んだ状態で対向するように設けられる。励振用電極
12および13は、第2図に点線で示すように、たとえ
ば円形のパターンを有している。なお、第2図において
、対をなす励振用電極12および13が互いにずれて図
示されているのは、これら2つの電極12および13を
区別して図示するための便宜にすぎず、実際には、電極
12および13は、互いに同じ大きさおよび形状であり
、かつ、素子本体11の厚み方向に見たとき、はぼ一致
した状態で重なり合っている。
ZT系セラミックを一体焼結して得られた素子本体11
を備える。素子本体11の内部に埋込まれた状態で、1
対の励振用電極12および13が、素子本体11の一部
を挾んだ状態で対向するように設けられる。励振用電極
12および13は、第2図に点線で示すように、たとえ
ば円形のパターンを有している。なお、第2図において
、対をなす励振用電極12および13が互いにずれて図
示されているのは、これら2つの電極12および13を
区別して図示するための便宜にすぎず、実際には、電極
12および13は、互いに同じ大きさおよび形状であり
、かつ、素子本体11の厚み方向に見たとき、はぼ一致
した状態で重なり合っている。
励振用電極12および13は、それぞれ、細いストリッ
プ状に延びる部分を備える引出部14および15を介し
て、素子本体1の端面にまで引出され、ここで、外部電
極16および17に電気的に接続される。
プ状に延びる部分を備える引出部14および15を介し
て、素子本体1の端面にまで引出され、ここで、外部電
極16および17に電気的に接続される。
励振用電極12および13は、第1図から明らかなよう
に、素子本体11の厚み方向の一方側に片寄せられて位
置している。これら電極12および13のうち、素子本
体11のより内部に位置する電極12の上方には、空洞
18が形成される。
に、素子本体11の厚み方向の一方側に片寄せられて位
置している。これら電極12および13のうち、素子本
体11のより内部に位置する電極12の上方には、空洞
18が形成される。
この空洞18は、対をなす励振用電極12および13間
に形成される振動部分19からの振動の漏れを防止する
ように機能する。なお、このような空洞は、一方の励振
用電極にのみ関連して設けられていることに注目すべき
である。
に形成される振動部分19からの振動の漏れを防止する
ように機能する。なお、このような空洞は、一方の励振
用電極にのみ関連して設けられていることに注目すべき
である。
以上述べたようなチップ型圧電素子を得るためには、た
とえば、次のような方法が採用される。
とえば、次のような方法が採用される。
まず素子本体11を得るため、少なくとも、励振用電極
12および13ならびに引出部14および15となるべ
き白金等の金属ペーストを所定のパターンで印刷したセ
ラミックグリーンシートならびに空洞18を与えるべき
カーボンまたは有機物粉末を含むペーストを印刷するか
有機物シートを載せたセラミックグリーンシートを含む
、複数枚のセラミックグリーンシートが用意される。こ
れらを、所定の順序で積層し、その後、圧力を加えて、
セラミックグリーンシート間の密着性を高める。たとえ
ば、PZT系セラミックを用いる場合、上述した積層体
は、1200〜1300℃の温度で焼成される。この焼
成段階において、空洞18を得るために積層体内に存在
していた材料は、燃焼等により飛散し、空洞18が所望
のごとく形成される。このようにして、一体焼結したセ
ラミックからなる素子本体11が得られる。
12および13ならびに引出部14および15となるべ
き白金等の金属ペーストを所定のパターンで印刷したセ
ラミックグリーンシートならびに空洞18を与えるべき
カーボンまたは有機物粉末を含むペーストを印刷するか
有機物シートを載せたセラミックグリーンシートを含む
、複数枚のセラミックグリーンシートが用意される。こ
れらを、所定の順序で積層し、その後、圧力を加えて、
セラミックグリーンシート間の密着性を高める。たとえ
ば、PZT系セラミックを用いる場合、上述した積層体
は、1200〜1300℃の温度で焼成される。この焼
成段階において、空洞18を得るために積層体内に存在
していた材料は、燃焼等により飛散し、空洞18が所望
のごとく形成される。このようにして、一体焼結したセ
ラミックからなる素子本体11が得られる。
次に、素子本体11の両端部には、たとえば銀等の金属
ペーストが付与され、焼付けられることにより、外部電
極16および17が形成される一次に、素子本体11を
構成するセラミックに対して分極処理が施される。この
分極処理にあたり、たとえば導電性ペイントからなる電
極が素子本体11の上下主表面上に一時的に形成される
。そして、これら電極を介して、所定の電圧が、所定の
時間、加熱下かつオイル中において印加され、それによ
って素子本体11の厚み方向に分極処理が施される。分
極処理後には、上述した導電性ペイントからなる分極用
の電極は、溶剤で洗浄するかエツチングすることにより
、除去される。なお、分極用電極を素子本体11に直接
付与することなく導電性ゴム等の弾力性のある1対の電
極を用い、これら電極間に素子本体11を挾んで分極処
理を行なってもよい。また、素子本体11全体が分極処
理されるのではなく、対をなす励振用電極12および1
3間に挾まれた部分のみに圧電性が付与されていてもよ
い。
ペーストが付与され、焼付けられることにより、外部電
極16および17が形成される一次に、素子本体11を
構成するセラミックに対して分極処理が施される。この
分極処理にあたり、たとえば導電性ペイントからなる電
極が素子本体11の上下主表面上に一時的に形成される
。そして、これら電極を介して、所定の電圧が、所定の
時間、加熱下かつオイル中において印加され、それによ
って素子本体11の厚み方向に分極処理が施される。分
極処理後には、上述した導電性ペイントからなる分極用
の電極は、溶剤で洗浄するかエツチングすることにより
、除去される。なお、分極用電極を素子本体11に直接
付与することなく導電性ゴム等の弾力性のある1対の電
極を用い、これら電極間に素子本体11を挾んで分極処
理を行なってもよい。また、素子本体11全体が分極処
理されるのではなく、対をなす励振用電極12および1
3間に挾まれた部分のみに圧電性が付与されていてもよ
い。
このようにして得られたチップ型圧電素子は、所望の共
振周波数を有しているかどうかを確認するため、共振周
波数の測定が行なわれる。このとき、共振周波数が所望
の値より低い場合には、第1図に”20”で示した領域
等において、素子本体11の一部表面を除去することが
行なわれる。
振周波数を有しているかどうかを確認するため、共振周
波数の測定が行なわれる。このとき、共振周波数が所望
の値より低い場合には、第1図に”20”で示した領域
等において、素子本体11の一部表面を除去することが
行なわれる。
この除去部分20のたとえば深さを選ぶことにより、所
望のごとく共振周波数を上昇させることができる。除去
部分20の形成は、通常のラップ研摩、サンドブラスト
、ケミカルエツチング、等を適用することができる。
望のごとく共振周波数を上昇させることができる。除去
部分20の形成は、通常のラップ研摩、サンドブラスト
、ケミカルエツチング、等を適用することができる。
逆に、測定した共振周波数が、所望の値より高い場合に
は、第3図に示すように、素子本体11の表面」二に、
質量負荷21を付与すればよい。質量負荷21としては
、たとえば樹脂等を用いることができ、このような樹脂
等は、たとえば塗布により形成される。
は、第3図に示すように、素子本体11の表面」二に、
質量負荷21を付与すればよい。質量負荷21としては
、たとえば樹脂等を用いることができ、このような樹脂
等は、たとえば塗布により形成される。
以上述べた実施例では、励振用電極12および13が、
ともに、素子本体11内に埋込まれた状態で存在してい
るため、極めて優れた耐湿性を発揮することになる。
ともに、素子本体11内に埋込まれた状態で存在してい
るため、極めて優れた耐湿性を発揮することになる。
第4図には、この発明の第2の実施例が示されている。
この第2の実施例は、前述した第1図の実施例と機能的
に共通する要素がそのまま含まれているので、第4図に
おいて、対応の要素には、m1図に示した参照番号に添
字“aoを付し、それによって、ff[する説明は省略
する。
に共通する要素がそのまま含まれているので、第4図に
おいて、対応の要素には、m1図に示した参照番号に添
字“aoを付し、それによって、ff[する説明は省略
する。
この第2の実施例における、第1の実施例と相違する点
は、下側にある励振用電極13aおよびそれに連なる引
出部15aが、素子本体11aの表面に露出しているこ
とである。また、空洞18aは、上側の励振用電極12
aと接した状態で形成されている。その他の点は、第1
の実施例と実質的に同様である。
は、下側にある励振用電極13aおよびそれに連なる引
出部15aが、素子本体11aの表面に露出しているこ
とである。また、空洞18aは、上側の励振用電極12
aと接した状態で形成されている。その他の点は、第1
の実施例と実質的に同様である。
第2の実施例において、励振用電極13aが素子本体1
1aから露出して形成されているとき、たとえば、この
励振用電極13aの一部を削り取ることによっても周波
数調整を行なうことができる。また、第3図に示したよ
うな質量負荷21を付与する場合には、励振用電極13
aの上に付与することになるが、この場合には、質量負
荷が励振用電極13aを保護する機能も果たすことにな
る。
1aから露出して形成されているとき、たとえば、この
励振用電極13aの一部を削り取ることによっても周波
数調整を行なうことができる。また、第3図に示したよ
うな質量負荷21を付与する場合には、励振用電極13
aの上に付与することになるが、この場合には、質量負
荷が励振用電極13aを保護する機能も果たすことにな
る。
なお、空洞18aの形成位置に関しては、第1図に示し
た空洞18のような形成位置をとる場合に比べて、実質
的な差異は生じない。
た空洞18のような形成位置をとる場合に比べて、実質
的な差異は生じない。
この発明の第3の実施例が、第5図および第6図に示さ
れている。この第3の実施例は、エネルギ閉込め型多重
モードフィルタを表わしている。
れている。この第3の実施例は、エネルギ閉込め型多重
モードフィルタを表わしている。
上述のようにフィルタを構成するチップ型圧電素子は、
一体焼結したセラミックからなる素子本体31を備え、
その内部には、入力側、出力側およびアース側のそれぞ
れの励振用電極32.33および34が形成される。ア
ース側の励振用電極34は、入力側および出力側の励振
用電極32および33とそれぞれ対向している。入力、
側の励振用電極32は、引出部35を介して、素子本体
31の端面にまで引出され、ここで、入力側の外部電極
36と電気的に接続される。また、出力側の励振用電極
33は、引出部37を介して、素子本体31のもう一方
の端面にまで引出され、ここで出力側の外部電極38と
電気的に接続される。また、アース側の励振用電極34
は、引出部39を介して、素子本体31の側面にまで引
出され、ここでアース側の外部電極40と電気的に接続
される。このフィルタを構成するチップ型圧電素子は、
励振用電極32および33のそれぞれと励振用電極34
との各間に振動部分41および42が形成されるが、励
振用電極32および33の、振動部分41および42と
反対側にのみ空洞43が形成されている。
一体焼結したセラミックからなる素子本体31を備え、
その内部には、入力側、出力側およびアース側のそれぞ
れの励振用電極32.33および34が形成される。ア
ース側の励振用電極34は、入力側および出力側の励振
用電極32および33とそれぞれ対向している。入力、
側の励振用電極32は、引出部35を介して、素子本体
31の端面にまで引出され、ここで、入力側の外部電極
36と電気的に接続される。また、出力側の励振用電極
33は、引出部37を介して、素子本体31のもう一方
の端面にまで引出され、ここで出力側の外部電極38と
電気的に接続される。また、アース側の励振用電極34
は、引出部39を介して、素子本体31の側面にまで引
出され、ここでアース側の外部電極40と電気的に接続
される。このフィルタを構成するチップ型圧電素子は、
励振用電極32および33のそれぞれと励振用電極34
との各間に振動部分41および42が形成されるが、励
振用電極32および33の、振動部分41および42と
反対側にのみ空洞43が形成されている。
この第3の実施例において、周波数調整を行なう場合に
は、アース側の励振用電極34が位置する側にある素子
本体31の表面に対して、研摩等 ・を適用す
るか、また、質量負荷を付与することが行なわれる。
は、アース側の励振用電極34が位置する側にある素子
本体31の表面に対して、研摩等 ・を適用す
るか、また、質量負荷を付与することが行なわれる。
以上、この発明を、第1ないし第3の実施例に関連して
説明したが、この発明は、これら実施例として説明され
たチップ型圧電素子のように、厚み縦振動を利用するも
のに限らず、厚みすべり振動を利用するものにも適用す
ることができる。
説明したが、この発明は、これら実施例として説明され
たチップ型圧電素子のように、厚み縦振動を利用するも
のに限らず、厚みすべり振動を利用するものにも適用す
ることができる。
また、励振用電極のパターンは、図示した円形または長
方形に限らず、その他任意の形状モあっでもよい。
方形に限らず、その他任意の形状モあっでもよい。
また、この発明は、発振子、フィルタ、トラツブ、ディ
スクリミネータ等の圧電共娠を利用する素子全般に適用
することができる。
スクリミネータ等の圧電共娠を利用する素子全般に適用
することができる。
第1図は、この発明の第1の実施例を示す断面図であり
、第2図の線1−1に沿う断面を表わしている。第2図
は、第1図のチップ型圧電素子の平面図である。第3図
は、第1図のチップ型圧電素子に質量負荷21を付与し
た状態を示す断面図である。 第4図は、この発明の第2の実施例を示す断面図であり
、第1図に相当する図である。 第5図は、この発明の第3の実施例を示す断面図であり
、第6図の線v−■に沿う断面が示されている。第6図
は、第5図のチップ型圧電素子の平面図である。 第7図は、従来のチップ型圧電素子の断面図である。 図において、11.lla、31は素子本体、IL
12a、ia、13a、32.33+ 34は励振用
電極、18,18a、13は空洞、19゜19a、41
.42は振動部分である。 特許出願人 株式会社村田製作所 ・ 5代理人弁
理士深見久部F、(’、’、、、、、、、、−,: 、
、1:+1′+ (ほか2名) 、3t
、第2図の線1−1に沿う断面を表わしている。第2図
は、第1図のチップ型圧電素子の平面図である。第3図
は、第1図のチップ型圧電素子に質量負荷21を付与し
た状態を示す断面図である。 第4図は、この発明の第2の実施例を示す断面図であり
、第1図に相当する図である。 第5図は、この発明の第3の実施例を示す断面図であり
、第6図の線v−■に沿う断面が示されている。第6図
は、第5図のチップ型圧電素子の平面図である。 第7図は、従来のチップ型圧電素子の断面図である。 図において、11.lla、31は素子本体、IL
12a、ia、13a、32.33+ 34は励振用
電極、18,18a、13は空洞、19゜19a、41
.42は振動部分である。 特許出願人 株式会社村田製作所 ・ 5代理人弁
理士深見久部F、(’、’、、、、、、、、−,: 、
、1:+1′+ (ほか2名) 、3t
Claims (2)
- (1)一体焼結したセラミックからなる素子本体を備え
、少なくとも1対の励振用電極が前記素子本体の一部を
挾んだ状態で対向するように設けられ、前記素子本体の
少なくとも前記一部に圧電性が付与され、それによって
前記一部が振動部分とされた、チップ型圧電素子におい
て、 前記対をなす励振用電極のうち、少なくとも一方の励振
用電極を前記素子本体内に位置させるとともに、当該励
振用電極の、前記振動部分と反対側にのみ空洞を形成し
たことを特徴とする、チップ型圧電素子。 - (2)前記対をなす励振用電極は、前記素子本体の厚み
方向の一方側に片寄せられて位置する、特許請求の範囲
第1項記載のチップ型圧電素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62108121A JPH0779221B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | チップ型圧電素子 |
| US07/189,150 US4876476A (en) | 1987-04-30 | 1988-05-02 | Chip type piezoelectric device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62108121A JPH0779221B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | チップ型圧電素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63274206A true JPS63274206A (ja) | 1988-11-11 |
| JPH0779221B2 JPH0779221B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=14476456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62108121A Expired - Lifetime JPH0779221B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | チップ型圧電素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4876476A (ja) |
| JP (1) | JPH0779221B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5045744A (en) * | 1988-12-23 | 1991-09-03 | Murata Mfg. Co. | Energy-trapping-by-frequency-lowering-type piezoelectric-resonance device |
| US5118982A (en) * | 1989-05-31 | 1992-06-02 | Nec Corporation | Thickness mode vibration piezoelectric transformer |
| US5191559A (en) * | 1990-12-05 | 1993-03-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Piezoelectric ceramic hydrostatic sound sensor |
| US6004705A (en) * | 1992-07-07 | 1999-12-21 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive ceramics green sheet |
| JP3082724B2 (ja) * | 1997-11-10 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | 圧電磁器トランスおよびその製造方法 |
| JP2000138554A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | エネルギー閉じ込め型圧電共振子 |
| TW511105B (en) * | 1999-03-11 | 2002-11-21 | Murata Manufacturing Co | Method of firing magnetic core |
| JP2014212410A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | 振動子、発振器、電子機器、移動体、および振動子の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6012810B2 (ja) * | 1979-08-06 | 1985-04-03 | 能登電子工業株式会社 | 低位相歪圧電フィルタ |
| JPS59172821A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-29 | Murata Mfg Co Ltd | チツプ型圧電共振部品の製造方法 |
| JPS60121785A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-29 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電バイモルフの構造 |
| JPS60123122A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型圧電共振部品とその製造方法 |
| JPS62132413A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Nec Corp | 圧電セラミツク振動子 |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP62108121A patent/JPH0779221B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-05-02 US US07/189,150 patent/US4876476A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0779221B2 (ja) | 1995-08-23 |
| US4876476A (en) | 1989-10-24 |
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Legal Events
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