JPS63281136A - 液晶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は、改善された駆動特性を示す液晶装置に関し、
特に温度変化に対して改善された駆動特性を示す強誘電
性液晶装置に関する。

〔従来技術〕

従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を形
成して、画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子はよ
く知られている。この表示素子の駆動法としては、走査
電極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号
電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させて
並列的に選択印加する時分割駆動が採用されている。

これらの実用に供されたのは、殆どが、例えば“アプラ
イド・フイジクス・レターズ（“ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙ
ｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ”）　１９７１年、１８　
（４）号１２７〜１２８頁に掲載のＭ、シャット（Ｍ　
、　Ｓ　ｃ　ｈ　ａ　ｄ　を及びＷ、ヘルフリヒ（Ｗ、
Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ）共著になる“ボルテージ・ディペン
ダント・オプティカル・アクティビティ−・オブ・ア・
ツィステッド・ネマチック・リキッド・クリスタル“じ
Ｖｏｌｔａｇｅ　　ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ
　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　　ａ　　Ｔｗｉｓｔｅ
ｄ　　ＮｅｍａｔｉｃＬｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌ
”）に示されたＴＮ　（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ
）型液晶であった。

近年は、在来の液晶素子の改善型として、双安定性を有
する液晶素子の使用がクラーク（Ｃ１ａｒｋ）及びラガ
ーウオール（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）の両者により特開昭
５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４
号明細書等で提案されている。双安定性液晶としては、
一般にカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ相
（ＳｍＨ’）を有する強誘電性液晶が用いられ、これら
の状態において、印加された電界に応答して第１の光学
的安定状態と第２の光学的安定状態とのいずれかをとり
、かつ電界が印加されないときはその状態を維持する性
質、即ち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答
がすみやかで、高速かつ記憶型の表示装置等の分野にお
ける広い利用が期待されている。

上記強誘電性液晶における第１の安定状態と第２の安定
状態の間のスイッチングは、例えば矩形パルスの場合に
は、パルスの時間幅（パルス幅）と電圧値によって定ま
る閾値以上のパルスが印加された場合に起こる。従って
、走査電極と情報電極の交点で形成される画素のうち、
選択画素には閾値以上、その他の画素には閾値以下のパ
ルスが印加されるように、走査電極と情報電極に適正な
パルスを印加することによりマルチブレクシング駆動が
可能となる。

このようなマルチブレクシング駆動方式には種々のもの
があるが、クロストーク量が少ない電圧平均化法である
ｌ　／　ａバイアス法（例えば１／３バイアス法）が最
も良（用いられている。この１　／　ａバイアス法によ
れば、走査線の選択状態と非選択状態との組合わせによ
り、画素に印加される電圧の印加状態には４通りの状態
が発生する。つまり、走査線および情報信号線が共に選
択状態であれば（選択状態という）、駆動電圧のピーク
値はＶｏ（ただしＶｏは一定の電源電圧）、また走査線
が選択状態で情報信号線が非選択状態であれば（半選択
状態という）、駆動電圧のピークは（１−２／ａ）　Ｖ
ｏ、　一方、走査線が非選択状態であれば、情報信号線
に関係なく（非選択状態という）、駆動電圧のピークは
Ｖ　ｏ　／　ａである。従って、マルチブレクシレグ駆
動時の１フレーム（１周期時間）では、選択状態に、あ
る画素に印加される駆動電圧の実効値は、非選択状態に
ある画素に印加される駆動電圧の実効値より大きく、こ
の実効値の差が液晶の透過光強度もしくは反射光強度の
差すなわちコントラストとなり表示が行えるものである
。

ところで、マルチブレクシング駆動においては、選択状
態で閾値電圧以上の書込みパルスが印加され、その後の
非選択状態では、書込みパルスの１　／　ａの電圧値を
もつパルス列が情報信号に応じて印加されることになる
が、かかる非選択状態下のパルス列の印加状態によって
は、選択時に書込みパルスが印加されたにもかかわらず
、反転を生じない画素を生じる（つまり選択時に書込み
パルスの印加によって反転を生じるが、続く非選択時に
印加される１　／　ａの電圧値をもつパルス列の印加に
よって再反転を生じる）ことがある。このため、ａの値
を十分に大きな値に設定することが考えられていた。

しかし、ａの値が大きすぎると、選択状態下の画素と半
選択状態下の画素に印加される電圧の振幅差が小さくな
り、画素間で閾値電圧にバラツキを生じている場合では
、スイッチング不良を惹起こすことになる。また、選択
状態下では、走査側ドライバーが負担する電圧のピーク
値は、（１−１７ａ）Ｖｏとなっており、バイアス比ａ
の値が大きい程、走査側ドライバーの負担は大きくなる
。

このため従来では、上述の点を考慮に入れバイアス比の
最適化を行っていたが、駆動条件が温度により大きく変
化する強誘電性液晶では、温度変化を生じた時に最適な
バイアス比から外れてしまうことになり、このため駆動
できる温度範囲が制限されていた。

〔発明の概要〕

本発明は、前記従来例を解決するためになされたもので
、広範な温度領域で高品位表示を可能にした強誘電性液
晶装置を提供することを目的としている。特に、本発明
の別の目的は、広範な温度領域で駆動可能な温度補償法
を提供することにある。

本発明者らは、強誘電性液晶装置のマルチブレクシング
駆動において、駆動条件（駆動電圧とバイアス比）と温
度の関係について、種々の研究を行った結果、バイアス
比を使用温度に応じて変化させることで、駆動可能な温
度範囲を実用上問題とならない程度にまで拡げることが
できた。本発明は、かかる知見に基づいてなしたもので
ある。

すなわち、本発明は、走査線と情報線とを有し、該走査
線と情報線との間に強誘電性液晶を配置した液晶素子及
び走査線を順次選択し、選択された走査線への走査信号
の印加と同期させて情報線に情報信号を印加する手段を
有する液晶装置において、選択された走査線と選択され
た情報線との交差部（選択点）への印加電圧に対する選
択されていない走査線と選択された情報線との交差部（
非選択点）への印加電圧の比（１／　ａバイアス）を温
度変化に応じて可変させる点に特徴を有している。

特に本発明の好ましい具体例では、選択点又は非選択点
への印加電圧が低温時より高温時で低い電圧に設定され
ているか、又は選択点又は非選択点への印加電圧のパル
ス幅が低温時より高温時で短かい電圧パルス幅・に設定
されているとともに、高温時での前記比の値が低温時で
の前記比の値より小さく設定されている。

〔発明の態様の詳細な説明〕

本発明で用いることができる液晶材料として、特に適し
たものはカイラルスメクチック液晶であって、強誘電性
を有するものである。具体的にはカイラルスメクチック
Ｃ相（ＳｍＣ＊）カイラルスメクチックＧ相（ＳｍＧ本
）、カイラルスメクチックＦ相（ＳｍＦ＊）、カイラル
スメクチック■相（Ｓｍｌ＊）又はカイラルスメクチッ
クＨ相（ＳｍＨ＊）の液晶を用いることができる。その
強誘電性液晶の詳細については、“ル・ジュールナル・
ド・フイジーク・ルチール”（“ＬＥ　　ＪＯＵＲＮＡ
Ｌ　　ＤＥ　　ＰＨＹＳＩＯＵＥＬＥＴＴＥＲ３″）　
１９７５年、３６　（Ｌ−６９）号に掲載の「フェロエ
レクトリック・リキッド・クリスタルスＪ　（ｒＦｅｒ
ｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　　Ｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔ
ａｌｓＪ）　；“アプライド・フィジックス・レターズ
（“Ａｐｐｌｉｅｄｐｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ
”）　１９８０年、３６　（１１）号に掲載の「サブミ
クロ・セカンド・バイスティプル・エレクトロオプティ
ック・スイッチング・イン・リキッド・クリスタルスＪ
　（１”Ｓｕｂｍｉｃｒｏ　　５ｅｃｏｎｄＢｉｓｔａ
ｂｌｅ　　Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ　　Ｓｗｉｔｃｈ
ｉｎｇ　　１ｎＬｉｑｕｉｄ　　ＣｒｙｓｔａｌｓＪ）
　；“固体物理”１９８１年。

１６　（１４１）号に掲載の「液晶」等に記載されてい
て、本発明ではこれらの開示された強誘電性液晶を用い
ることができる。

強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベン
ジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメー
ト（ＤＯＢＡＭＢＣ）、ヘキシルオキシベンジリデン−
ｐ′−アミノ−２−クロロプロビルシンナメー）　（Ｈ
ＯＢＡＣＰＣ）、４−ｏ−（２−メチル）−プチルレゾ
ルシリデンー４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）な
どが挙げられる。

これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
が所望の相となるような温度状態に保持する為、必要に
応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブロック等によ
り支持することができる。

以下、本発明を図面に従って説明する。

第１図は、本発明の液晶装置を表わすブロック図である
。図中、強誘電性液晶パネル１１には、走査線１２と情
報線１３とが互いに交差して配線され、その交差部の走
査線１２と情報線１３との間には強誘電性液晶が配置さ
れている。走査線１２には、走査線に走査信号を供給す
るための走査回路１４と走査側駆動電圧発生回路１５と
が接続され、情報線１３には、情報線１３に情報信号を
供給するためのシフトレ、ジスタ１６．ラインメモリー
１７と信号側駆動電圧発生回路１８とが接続されている
。さらに、本発明は、温度変化に応じて選択点でのバイ
アス比ａを可変するための温度補償回路１９Ａ、電圧制
御回路１９Ｂ１周波数制御回路１９Ｃ，温度制御回路１
９Ｄと温度センサ１９Ｅとがそれぞれ走査側駆動電圧発
生回路１５と信号側駆動電圧発生回路１８に接続されて
いる。又、上述の電圧制御回路１９Ｂと周波数制御回路
１９Ｃは、それぞれ同時に又は何れか一方だけが出力す
ることができる。

第２図は強誘電性液晶を封入したセルのマトリクス電極
を示す模式図である。

第２図で示すセル構造体１０は、ガラス板などを用いた
一対の基板１ａとｌｂがスペーサ４で所定の間隔に保持
され、この一対の基板をシーリングするために周囲を接
着剤６で接着したセル構造を有しており、基板１ａの上
には複数の透明電極２ａからなる電極群（例えばマトリ
クス電極構造のうちの走査信号印加用電極群）が帯状パ
ターンで形成され、基板１ｂの上には前述の透明電極２
ａと交差させた複数の透明電極２ｂからなる電極群（例
えば、マトリクス電極構造のうち情報信号印加用電極群
）が形成されている。透明電極を設けた基板上にはポリ
ビニールアルコール（ＰＶＡ）、　ポリイミド。

ポリアミドイミドなどで成膜した配向制御膜が形成され
、その表面にはラビング処理などの一軸性配向処理が施
されている。しかる後、セル内に強誘電性液晶を注入し
、一度等方相まで加熱した後にＳｍＣ木へ徐冷すること
によって強誘電性液晶セルが得られる。

第３図は、本発明で用いた駆動法の波形図である。

第３図（Ａ）中の８９は選択された走査線に印加する選
択走査信号を、ＳＮは選択されていない非選択走査信号
を、１．は選択された情報線に印加する選択情報信号（
黒）を、ＩＮは選択されていない情報線に印加する非選
択情報信号（白）を表わしている。又、図中（ｉｓ　　
ｓｓ）と（ＩＮ　　Ｓｓ）は選択された走査線上の画素
に印加する電圧波形で、電圧（ｘｓ　　ｓｓ）が印加さ
れた画素は黒の表示状態をとり、電圧（ＩＮ　　ｓｓ）
が印加された画素は白の表示状態をとる。

第３図（Ｂ）は第３図（Ａ）に示す駆動波形で第１図に
示す表示を行りたときの時系列波形である。

尚、第１図中の斜線部の画素は、黒の書込み状態。

空白部の画素は、白の書込み状態を表わしている。

第３図に示す駆動例では、選択された走査線に印加する
走査選択信号Ｓｓは、ＶＳｔと−Ｖ１１２の電圧に設定
した交流電圧（正極性と負極性は、選択されない走査線
の印加電圧を基準にした）で、その振巾を等しくした電
圧（ＩＶｓ　ｌ”ｌＶｓ＋　１＝ＩＶｓ□１）を用いて
おり、情報線から印加する電圧ｖ１□（Ｖ＋□）との間
七、例えば１　／　ａバイアス比がｌ／３の時、ｌ　Ｖ
ｓ　ｌ　＝２　ｌ　Ｖ＋　ｌ　、ｌ／ａバイアス比が１
／４のＩＶｓ　ｌ　＝＝３１ｖ、　ｌ　（７）値１：：
　ｆ！　６　様ニそれぞれの振巾を設定している（Ｖ＋
＝ｌＶ＋＋１＝ｌＶ＋□１）。

又、第３図に示す駆動法では、■ラインクリヤ位相１．
で画素（ＩＮ　　ｓｓ）に印加される電圧ＶＲは、その
電圧印加時間を最小印加時間Δｔの２倍の時間に設定し
た時に強誘電性液晶の飽和閾値Ｖｓａｔを越える様に設
定されているが、この電圧ＶＲでは波高値＝ｖ３と−Ｖ
、＋Ｖ、＝−Ｖ、が異っており、且つそれぞれの波高値
は最小印加時間Δｔを基準にした飽和閾値Ｖｓａｔより
小さく設定されている。このため、第２図に示す駆動波
形では、画素に印加される−刃径性の実効的な直流バイ
アス成分を低い値に抑えることができ、さらに走査選択
信号Ｓ、で用いた電圧Ｖｓ（Ｖｓ）を小さい電圧とする
ことが可能であるため、走査側駆動回路の耐圧依存性を
低下させることができる。

第２図に示すマトリクス電極群で形成されたある画素Ｐ
について、第３図に示す波形を用いて、ｌ／３バイアス
法と１／４バイアス法でΔｔ＝２８μｓｅｃとして電気
光学特性の測定を行った。第４図（Ａ）と（Ｂ）はｔｅ
ｍｐ＝２７°Ｃでの結果で、第４図（Ｃ）と（Ｄ）はｔ
ｅｍｐ＝３５°Ｃでの結果を示す。この際に使用した液
晶は、以下に示す様な相変化を生じるエステル系混合液
晶であった。

（Ｉｓｏ　Ｈ等方相、ＳｍＡ；スメクチックＡ相、Ｃｒ
ｙ　；結晶相を表わす。）１／３バイアス法（又は１／
４バイアス法）で駆動を行った場合、スイッチング可能
な駆動電圧値Ｖｄ・１／３（又はＶｄ　−１／４）の範
囲は、ｖｓａｔａｌ／３くｖｄ・１／３〈ｖＣｔ・１／
３（又はｖｓａｔ・１／４くｖｄ・１／４＜Ｖｃｔ＠　
１／４）である。ここで、ｖＳａｔ。

１／３（又はｖｓａｔｌ／４）は、黒画と白側の双方が
スイッチングできる駆動電圧の最低値で、黒画の飽和閾
値電圧をＶｓａｔ・１／３・黒（又はＶｓａｔ・１／４
・黒）とし、白側の飽和閾値電圧をＶｓａｔ・１／３−
白（又はｖＳａｔ−１／４・白）とすれば、第２図（Ａ
）かられかるように、黒画書込み電圧のピーク値Ｖｄ・
黒を基準に考えると、白側書込み電圧のピーク値Ｖｄ・
白は、 黒であるから、−ｖＳａｔ・１／３・白〉ｖＳａｔ・１
／３・黒（又は−Ｖｓａｔ　・１　／４−白＞Ｖｓａｔ
−１／４−黒）の時、ｖＳａｔ−１／　３　＝　−Ｖｓ
ａｔ−１／　３−白（又はＶｓａｔ＊１／４＝白＜ｖｓ
ａｔ・１／３・黒（又は−Ｖｓａｔ　”　ｌ　／　４　
・白＜Ｖｓａｔ−１／４−黒）の時、Ｖｓａｔ　＊　１
／３＝Ｖｓａｔ　−１／３・黒（又はＶＳａｔ’ｌ／４
＝ＶＳａｔ”ｌ／４”黒）である。

一方、ｖＣｔ−１／３（又はＶｃｔ−１／４）は、黒画
又は白側のどちらか一方がクロストークし始める駆動電
圧値で、黒画のクロストークし始める電圧値を■Ｃｔ−
１／３・黒（又はｖＣｔ・１／４・黒）とし、白側のク
ロストークし始める電圧値をＶｃｔ・１／３・白（又は
Ｖｃｔ・１／４番白）とすれば、ｖＣｔ−１／４・白〉
ｖＣｔ・１／４・黒）の時、ｖＣｔ・ｌ／３＝ｖｃｔ・
１／３・黒（又はＶｃｔ　−１／４＝Ｖｃｔ　＃１／３
−黒（又は−Ｖｃｔ　拳１／４−白〉ｖｃｔ−１／４番
黒）の時、Ｖｃｔ　・１／３　＝−Ｖｃｔ　−１／３　
・白（又は、Ｖｃｔ・１　／　４　＝　−Ｖｃｔ・１／
４・白）である。

従って、第４図（Ａ）から判る通り、温度２７℃で、ス
イッチング可能な駆動電圧Ｖｄ−１／３の範囲１：！　
１８　（Ｖ）　＜Ｖｄ　−１／３＜２２．５　（Ｖ）　
テあった。

また、第４図（Ｂ）から判る通り、温度２７℃でスイッ
チング可能な駆動電圧の範囲Ｖｄ・１／４の範囲は１８
　（Ｖ）＜Ｖｄ−１／４＜２０　（Ｖ）　であり、どち
らのバイアス値の駆動法でも白・黒の書込みが可能であ
ることがわかる。

ここで、それぞれのバイアス値での駆動電圧に対する走
査信号側の電圧負担分を考えてみる。第５図にその結果
を示す。１／４バイアス法での走査信号側電圧負担分は
、ｌ／３バイアス法で駆動した場合の一倍であり、１／
４バイアス法では温度変化に伴なう駆動電圧の変化に応
じて電画信号側の電圧側を大きく変化させる必要がある
ばかりではなく、ドライバＩＣの耐圧の制限から１／３
バイアス法のほうがより低温側の駆動が行えることがわ
かる。

しかしながら、ｌ／３バイアス法では温度が２７℃から
３５℃へと高温になるに従ってクロストークが起こりや
すくなり、第４図（Ｃ）に示すように温度３５℃では、
黒画の書込みが出来な（なっている。

このように駆動可能な上限の温度は、クロストークによ
り制限され、温度の高い領域ではクロストークしにくい
′ｌ／４バイアス法が有利である。また、第４図（Ｄ）
に、温度３５℃において、１／４バイアス法で駆動した
場合の電気光学特性を示す。この場合、スイッチング可
能な駆動電圧の範囲は、１６（Ｖ）＜Ｖｄ−１／４＜１
７．３　（Ｖ）１’あり、書込みが十分可能であること
がわかる。

ここで、走査側信号ドライバーＩＣの耐圧が３０Ｖの駆
動回路を用いて、第３図に示す駆動例に基づいた１／３
バイアス法と１／４バイアス法で前記液晶素子のスイッ
チングを行った時の駆動可能な温度領域を第６図（Ａ）
の（ａ）と（ｂ）に示す。

第６図（Ａ）によれば、２５°Ｃ〜３０’Ｃの温度範囲
では、１／３バイアス法と１／４バイアス法の何れか一
方で駆動可能であるため、この温度範囲内でバイアス比
の切換えを行うことができる。

本発明の具体例では、例えば下表１の如き駆動条件で第
３図に示す駆動例に基づいた駆動を行うことができる。

表１ （但し、走査非選択信号Ｓ　Ｎ　：０Ｖ１０°Ｃ−２７
℃間＝１／３バイアス、２７°Ｃ−３５°Ｃ間＝ｌ／４
バイアス） この様に、本発明の好ましい具体例では、駆動電圧が高
く、クロストークを発生しずらい低温側では、１／３バ
イアス法で駆動を行い（第６図（Ａ）の（ａ））、駆動
電圧が低く、クロストークを発生しやすい高温側では、
１／４バイアス法を用いる（第６図（Ａ）の（ｂ））こ
とにより第６図（Ａ）の（Ｃ）に示すように駆動可能な
温度領域を広げることが実現できる。

前述の例を実施した時のΔｔ＝２８μｓｅｃに代えてΔ
ｔ＝４０μＳｅＣで実験を行った。この時の駆動可能な
温度領域を第６図（Ｂ）に示す。又、この時の駆動条件
の具体例を下表２に示す。

第６図（Ｂ）から明らかな様に、低温側で１／３バイア
ス法、高温側でｌ／４バイアス法を用いることにより、
駆動可能な温度領域を広げることが実現できた。このよ
うに、異なったパルス幅Δｔでも前述の例におけるΔｔ
＝２８μｓｅｃの時と同様の効果が得られ、温度に応じ
て駆動電圧又はΔｔを可変すると同時にバイアス比を可
変することで全体として広い温度範囲で高品位の表示が
可能となる。

表２ ↑ １／ａバイアスの切換え （但し、走査非選択信号５Ｎ＝ＯＶ。

５℃−２７℃間＝ｌ／３バイアス；２７°ｃ−３５°Ｃ
間＝ｌ／４バイアス） この様に低温時のパルス幅より高温時のパルス幅を短か
く設定する様に、温度変化に応じてパルス幅を可変する
ことで、駆動可能な温度範囲を拡げることができる。

以上本発明による駆動法によれば、高温側でのクロスト
ークの発生を防止することができ、また低温側での走査
信号側ドライバの負担を軽減でき、全体として広い温度
範囲で高品位の表示を行うことが可能となった。この駆
動法は、クロストークをおこしやすい液晶材料に特に有
効であり、また駆動電圧の温度依存性が大きいものほど
有効である。

また、使用温度に応じて逐次バイアス比を切換え最適の
バイアス比で駆動することが最良である。

又、上述の例で、低温側と高温側で、それぞれ１　／　
ａ　／＜イアスを１／３バイアスと１／４バイアスに設
定し、それぞれの間で２段階で切換えた例を示したが、
本発明では、温度変化に応じて切換える１　／　ａバイ
アスを３段階又はそれ以上の段階数で切換えることも可
能であり、又その時の１　／　ａバイアスの　組合わせ
は低温側での１　／　ａバイアスを高温側での１　／　
ａバイアスより大きい値となる範囲内で設定することが
できる。

又、本発明で用いる駆動例としては、前述の第２図に示
す駆動例に限らず、例えば特開昭５９−１９３４２６号
公報、同５９−１９３４２７号公報、同６０−１５６０
４６号公報や同６０−１５６０４７号公報に開示された
駆動例を用いることも可能である。

第７図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例
を模式的に描いたものである。以下、所望の相としてＳ
　ｍ　Ｃ＊を例にとって説明する。

７１ａと７１ｂは、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２あるいはＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−’ｌ’ｉＨ０ｘｉｄｅ）等の薄膜か
らなる透明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、
その間に液晶分子層７２がガラス面に垂直になるよう配
向したＳｍＣ木相の液晶が封入されている。太線で示し
た線７３が液晶分子を表わしており、この液晶分子７３
は基板の面方向に連続的にらせん構造を形成している。

この液晶分子７３は、その分子に直交した方向に双極子
モーメント（Ｐ上）７４を有している。

基板７１ａと７１ｂ上の電極間に一定の閾値以上の電圧
を印加すると、液晶分子７３のらせん構造がほどけ、双
極子モーメント（Ｐ土）７４がすべて電界方向に向くよ
う、液晶分子７３は配向方向を変えることができる。液
晶分子７３は、細長い形状を有しており、その長軸方向
と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス
面の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電圧
印加極性によって光学特性が変わる液晶光学素子となる
ことは、容易に理解される。

本発明の駆動法で好ましく用いられる液晶セルは、その
厚さを充分に薄く（例えばＩＯμ以下）することができ
る。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第８図に
示すように電界を印加していない状態でも液晶分子のら
せん構造がほどけ、非らせん構造となり、その双極子モ
ーメント（Ｐａ）または（ｐｂ）は、上向き（８４ａ）
又は下向き（８４ｂ）のどちらかの状態をとる。

このようなセルに、第８図に示す如（一定の閾値以上の
極性の異なる電界Ｅａ又はＥｂを電圧印加手段８１ａと
８１ｂにより付与すると、双極子モーメントは、電界Ｅ
ａ又はＥｂの電界ベクトルに対応して上向き８４ａ又は
下向き８４ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は、
第１の安定状態８３ａかあるいは第２の安定状態８３ｂ
の何れか一方に配向する。

このような強誘電性を液晶光学素子として用いることの
利点は、先にも述べたが２つある。その第１は、応答速
度が極めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が双
安定性を有することである。第２の点を、例えば第８図
によって更に説明すると、電界Ｅａを印加すると液晶分
子は第１の安定状態８３ａに配向するが、この状態は電
界を切っても安定である。又、逆向きの電界Ｅｂを印加
すると、液晶分子は第２の安定状態８３ｂに配向、して
その分子の向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの
状態に留まっている。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、書込みパルス印
加の後に情報信号による交流的なパルス列が続いて印加
されるマルチブレクシング駆動において、駆動パルスの
バイアス比を使用温度に応じて切換えることにより、広
い温度範囲で高品位の表示が維持できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明で用いた強誘電性液晶装置のブロック
図である。 第２図は、マトリクス電極を示す模式図で、第３図（Ａ
）は本発明で用いた駆動波形の波形図で、第３図（Ｂ）
はそれを用いた時の時系列駆動波形図である。 第４図（Ａ）〜（Ｄ）は、画素に電圧を印加した時の透
過光量特性を表わした特性図で、第５図は駆動電圧と走
査信号電圧の関係を示す説明図であり、第６図（Ａ）及
び（Ｂ）は本発明で用いた強誘電性液晶素子の駆動可能
な温度範囲を示す説明図である。第７図と第８図は、本
発明で用いた強誘電性液晶素子を模式的に表わした斜視
図である。 つＮ　　Ｑ□ 爵４”口（Ａ＞ 、ｉ％１ｔｉ）＜（＃ＩＩＤｏ電Ｂ（ｖ）　　　　　　
ｂ　ｔ！ｊｋｙ側ｍＤＤ電１’ｆ（Ｖｌ　−嘔Ｌｌ−口
（δ） ←ｉ、ｔｔｍ、ｏｍｑｉｐｖｏ１ｇ（ｖ′＋　　　　　
　　ｅｌｌＤ＋ｆｌ＋＋ｍｎｏｆｌｒｔｔｖ＋　−爵１
４−口（Ｃ） 一４ｆｒｔｂｓａ１」ｔｐｎｏｔｒｔｔｖ）　　　　　
　　　ｅ＋１ｖＬ）ａ＋（ｌｌｌｌｎｏ電ｇ（Ｖｌ−萬
ω口（Ｕ））

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）走査線と情報線とを有し、該走査線と情報線との
   間に強誘電性液晶を配置した液晶素子、及び走査線を順
   次選択し、選択された走査線への走査信号の印加と同期
   させて情報線に情報信号を印加する手段を有する液晶装
   置において、選択された走査線と選択された情報線との
   交差部への印加電圧に対する選択されていない走査線と
   選択された情報線との交差部への印加電圧の比を温度変
   化に応じて可変させることを特徴とする液晶装置。
2. （２）選択された走査線への印加電圧が選択されていな
   い走査線への印加電圧を基準にして一方極性電圧又は他
   方極性電圧を有しており、該一方極性電圧又は他方極性
   電圧の印加と同期させて、情報線に情報信号を印加する
   特許請求の範囲第１項記載の液晶装置。
3. （３）高温側での前記比の値が低温側での前記比の値よ
   り小さく設定されている特許請求の範囲第１項記載の液
   晶装置。
4. （４）選択された走査線と情報線との交差部への印加電
   圧振幅を温度変化に応じて可変させる特許請求の範囲第
   １項記載の液晶装置。
5. （５）前記印加電圧振幅が低温時より高温時で低い電圧
   振幅に可変される特許請求の範囲第４項記載の液晶装置
   。
6. （６）選択された走査線と情報線との交差部への印加電
   圧パルス幅を温度変化に応じて可変させる特許請求の範
   囲第１項記載の液晶装置。
7. （７）前記印加電圧パルス幅が低温時より高温時で短か
   いパルス幅に可変される特許請求の範囲第６項記載の液
   晶装置。
8. （８）走査線に走査信号を順次印加する所定期間を周期
   的に繰返す特許請求の範囲第１項記載の液晶装置。
9. （９）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチック液晶で
   ある特許請求の範囲第１項記載の液晶装置。
10. （１０）前記カイラルスメクチック液晶がカイラルスメ
    クチックＣ又はＨ液晶である特許請求の範囲第９項記載
    の液晶装置。