JPS63283041A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS63283041A JPS63283041A JP62118456A JP11845687A JPS63283041A JP S63283041 A JPS63283041 A JP S63283041A JP 62118456 A JP62118456 A JP 62118456A JP 11845687 A JP11845687 A JP 11845687A JP S63283041 A JPS63283041 A JP S63283041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- integrated circuit
- circuit device
- semiconductor integrated
- pad electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に係シ、特にアルミニウム
・パッド電極に関する。
・パッド電極に関する。
第４図（ａ）、第４図（ｂ）、第４図（Ｃ）は、従来の
半導体集積回路装置をそれぞれ示す平面図、断面図。
半導体集積回路装置をそれぞれ示す平面図、断面図。
ボンディング後の断面図である。第４図（ａ） 、 （
ｂ）において、半導体基板１上に、フィールド絶縁膜２
が形成され、さらにアルミニウム［株］パッド電極３、
アルミニウム引出導体部５、内部アルミニウム配 ・
線群４が形成され、表面保護膜７が形成される。
ｂ）において、半導体基板１上に、フィールド絶縁膜２
が形成され、さらにアルミニウム［株］パッド電極３、
アルミニウム引出導体部５、内部アルミニウム配 ・
線群４が形成され、表面保護膜７が形成される。
次に第４図（Ｃ）に示すように、ボンディングワイヤ８
を熱圧着する。この際、導体部５が坤長されて、アルミ
ニウム配線群４と電気的に短絡する事故が生じる。
を熱圧着する。この際、導体部５が坤長されて、アルミ
ニウム配線群４と電気的に短絡する事故が生じる。
このような半導体集積回路装置のパッド電極３には、ア
ルミニウム材が多用され、また半導体基板１上では内部
アルミニウム配線群４と隣接して設けられる。
ルミニウム材が多用され、また半導体基板１上では内部
アルミニウム配線群４と隣接して設けられる。
このパッド電極３は、半導体集積回路装置の外部取出電
極であって、組立ての際この面上にボンディング・ワイ
ヤ８が熱圧着される。
極であって、組立ての際この面上にボンディング・ワイ
ヤ８が熱圧着される。
この熱圧着の際、アルミニウム・パッド電極３、および
内部アルミニウム配線との接続部を形成するアルミニウ
ム引出導体部５は、ボンディング応力の伝ばん方向にそ
れぞれ伸長するので、内部アルミニウム配線群４との接
触事故が生じ、これを回避するため、アルミニウム引出
導体部５は、隣接する内部アルミニウム配線群４と２０
μｍ乃至３０μｍ程度離間される。
内部アルミニウム配線との接続部を形成するアルミニウ
ム引出導体部５は、ボンディング応力の伝ばん方向にそ
れぞれ伸長するので、内部アルミニウム配線群４との接
触事故が生じ、これを回避するため、アルミニウム引出
導体部５は、隣接する内部アルミニウム配線群４と２０
μｍ乃至３０μｍ程度離間される。
微細加工技術が進み、半導体装置の高密度化および高速
化が今日のように進展して来ると、能動素子を含む電子
回路の縮小化の達成度に比べ、アルミニウム・パッド電
極周辺の遅れが目立つようになシ、その対策が強く望ま
れている。
化が今日のように進展して来ると、能動素子を含む電子
回路の縮小化の達成度に比べ、アルミニウム・パッド電
極周辺の遅れが目立つようになシ、その対策が強く望ま
れている。
すなわち、通常の内部アルミニウム配線の相互間距離が
、わずか３μｍ乃至４μｍにすぎないのに、パッド電極
の離間距離が、その１０倍にも達していることが注目さ
れ始めておシ、この縮少化が望まれている。
、わずか３μｍ乃至４μｍにすぎないのに、パッド電極
の離間距離が、その１０倍にも達していることが注目さ
れ始めておシ、この縮少化が望まれている。
本発明の目的は、前記問題点が解決され、パッド電極３
上の高集積化を可能とする半導体集積回路装置を提供す
ることにある。
上の高集積化を可能とする半導体集積回路装置を提供す
ることにある。
本発明の構成は、半導体基板と、前記半導体基板のフィ
ールド絶縁膜上に互いに隣接して形成されるパッド電極
および内部配線群と、前記ベッド電極および内部配線群
上の表面保護膜と、前記内部配線群の少なくとも１つと
電気接続されるパッド電極の引出導体部とを備えた半導
体集積回路装置において、前記引出導体部に重複する様
に、ボンディング応力の伝ばん方向と対面するような向
きに配置される貫通孔を前記表面保護膜に備えたことを
特徴とする。
ールド絶縁膜上に互いに隣接して形成されるパッド電極
および内部配線群と、前記ベッド電極および内部配線群
上の表面保護膜と、前記内部配線群の少なくとも１つと
電気接続されるパッド電極の引出導体部とを備えた半導
体集積回路装置において、前記引出導体部に重複する様
に、ボンディング応力の伝ばん方向と対面するような向
きに配置される貫通孔を前記表面保護膜に備えたことを
特徴とする。
次に図面を参照しながら本発明の詳細な説明する０
第１図（ａ）、第１図（ｂ）、第１図ＦＣ）は本発明の
一実施例の半導体集積回路装置を示すアルミ、パッド電
極近傍の平面図、そのＡ−Ｂ断面図、ボンディング後の
断面図である。
一実施例の半導体集積回路装置を示すアルミ、パッド電
極近傍の平面図、そのＡ−Ｂ断面図、ボンディング後の
断面図である。
まず、第１図（ａ）、第１図（ｂ）において、本実施例
の半導体集積回路装置は、半導体基板１と、この上に形
成されたフィールド絶縁膜２上に互いに隣接して形成さ
れるアルミニウム・パッド電極３、および内部アルミニ
ウム配線群４と、内部アルミニウム配線群４の１つと電
気的に接続されるアルミニウム・パッド電極のアルミニ
ウム引出導体部５と、表面保護膜７に設けられたアルミ
ニウム・パッド電極３上の外部アルミニウム配線接合用
の貫通孔及びアルミニウム引出導体部５にオーバーラツ
プされたスリット状の貫通孔６を含み、構成される。
の半導体集積回路装置は、半導体基板１と、この上に形
成されたフィールド絶縁膜２上に互いに隣接して形成さ
れるアルミニウム・パッド電極３、および内部アルミニ
ウム配線群４と、内部アルミニウム配線群４の１つと電
気的に接続されるアルミニウム・パッド電極のアルミニ
ウム引出導体部５と、表面保護膜７に設けられたアルミ
ニウム・パッド電極３上の外部アルミニウム配線接合用
の貫通孔及びアルミニウム引出導体部５にオーバーラツ
プされたスリット状の貫通孔６を含み、構成される。
本実施例によれば、第１図（Ｃ）に示すように、アルミ
ニウムーハ、ンド電極３上にボンディングワイヤ８が熱
圧着された際、生じるボンディング応力の一部は、アル
ミニウム引出導体部５上を内部アルミ配線群４と直角方
向に伝搬するが、この勢力は表面保護膜７のスリットで
、ストレスが貫通孔方向にもかがシ軽減される。
ニウムーハ、ンド電極３上にボンディングワイヤ８が熱
圧着された際、生じるボンディング応力の一部は、アル
ミニウム引出導体部５上を内部アルミ配線群４と直角方
向に伝搬するが、この勢力は表面保護膜７のスリットで
、ストレスが貫通孔方向にもかがシ軽減される。
従って、アルミニウム引出導体部５の横軸方向の伸長は
著しく緩和されるので、隣接する内部アルミニウム配線
との離間距離りを従来の１７２乃至１／３に縮小化し得
る。
著しく緩和されるので、隣接する内部アルミニウム配線
との離間距離りを従来の１７２乃至１／３に縮小化し得
る。
すなわち本実施例によれば、アルミ引出導体部５上で、
表面保護膜７にスリット状の貫通孔６が、ボンディング
の際発生する応力の伝搬方向と対面する向きに配置され
る。
表面保護膜７にスリット状の貫通孔６が、ボンディング
の際発生する応力の伝搬方向と対面する向きに配置され
る。
具体的には、これらの保護膜７の貫通孔６は、引出導体
部５上では隣接する配線群４と平行に配設される。
部５上では隣接する配線群４と平行に配設される。
ここで配設された保護膜７のスリット状の貫通孔６はパ
ッド電極３または引出導体部５の面上を伝搬するボンデ
ィング応力を受けて変形するアルミニウムを吸い上げ、
パッド電極３全体の伸長を緩和するよう作用する。
ッド電極３または引出導体部５の面上を伝搬するボンデ
ィング応力を受けて変形するアルミニウムを吸い上げ、
パッド電極３全体の伸長を緩和するよう作用する。
尚、配設される貫通孔６の形状は第１図（ａ）に示す矩
形に限らず、円形（第２図）やだ円形、Ｌ字形（第３図
）、コの字形、その他任意の形に設定することも可能で
ある。
形に限らず、円形（第２図）やだ円形、Ｌ字形（第３図
）、コの字形、その他任意の形に設定することも可能で
ある。
第２図、第３図はいずれも本発明の他の実施例をそれぞ
れ示すパッド電極３近傍の平面図である。
れ示すパッド電極３近傍の平面図である。
ここで第２図では、表面保護膜７の貫通孔６は引出導体
部５の上に円形で多数設けている。
部５の上に円形で多数設けている。
又第３図では表面保護膜７の貫通孔６は、アルミニウム
電極３上の外部接続の為の貫通孔と一体となして設けら
れている。
電極３上の外部接続の為の貫通孔と一体となして設けら
れている。
以上説明した様に、本発明によれば、表面保護膜のスリ
ット状の貫通孔を配設することによシ、ボンディングの
除虫じる機械的応力を吸収して、パッド電極近傍の伸長
を有効に緩和し得るので、パッド電極とこれに隣接配置
される内部アルミ配線群との離間距離を従来の１／２〜
１／３に短縮せしめ、電子回路の微細化技術と相まって
パッド電極周辺の縮小化も達成することができ、集積度
の向上に寄与する効果がある。
ット状の貫通孔を配設することによシ、ボンディングの
除虫じる機械的応力を吸収して、パッド電極近傍の伸長
を有効に緩和し得るので、パッド電極とこれに隣接配置
される内部アルミ配線群との離間距離を従来の１／２〜
１／３に短縮せしめ、電子回路の微細化技術と相まって
パッド電極周辺の縮小化も達成することができ、集積度
の向上に寄与する効果がある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の半導体集積回路装置
のアルミニウム・パッド電極近傍の平面図、第１図（ｂ
）は第１図（ａ）のＡ−Ｂ線に沿って切断して見た断面
図、第１図（Ｃ）は第１図（ｂ）においてボンディング
した状態を示す断面図、第２図、第３図はいずれも本発
明の他の実施例の半導体集積回路装置パッド電極近傍の
平面図、第４図（ａｌは従来の半導体集積回路装置のパ
ッド電極近傍の平面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）の
Ａ−Ｂ線に沿って切断して見た断面図、第４図（Ｃｌは
第４図（ｂ）におけるボンディング番ワイヤ熱圧着後を
示す断面図である。 １・・・・・・半導体基鈑、２・・・・・・フィールド
絶縁膜、３・・・・・・アルミニウム拳パッド電極、４
・・・・・・内部アルミ配線群、５・・・・・・アルミ
引出導体部、６・・・・・・表面保護膜スリット状の貫
通孔、７・・・・・・表面保護膜、８・・・・・・熱圧
着後のボンディングワイヤ、Ｌ・・・・・・離間距離。
のアルミニウム・パッド電極近傍の平面図、第１図（ｂ
）は第１図（ａ）のＡ−Ｂ線に沿って切断して見た断面
図、第１図（Ｃ）は第１図（ｂ）においてボンディング
した状態を示す断面図、第２図、第３図はいずれも本発
明の他の実施例の半導体集積回路装置パッド電極近傍の
平面図、第４図（ａｌは従来の半導体集積回路装置のパ
ッド電極近傍の平面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）の
Ａ−Ｂ線に沿って切断して見た断面図、第４図（Ｃｌは
第４図（ｂ）におけるボンディング番ワイヤ熱圧着後を
示す断面図である。 １・・・・・・半導体基鈑、２・・・・・・フィールド
絶縁膜、３・・・・・・アルミニウム拳パッド電極、４
・・・・・・内部アルミ配線群、５・・・・・・アルミ
引出導体部、６・・・・・・表面保護膜スリット状の貫
通孔、７・・・・・・表面保護膜、８・・・・・・熱圧
着後のボンディングワイヤ、Ｌ・・・・・・離間距離。
Claims (1)
- 半導体基板と、前記半導体基板のフィールド絶縁膜上に
互いに隣接して形成されるパッド電極および内部配線群
と、前記パッド電極および内部配線群上の表面保護膜と
、前記内部配線群の少なくとも１つと電気接続されるパ
ッド電極の引出導体部とを備えた半導体集積回路装置に
おいて、前記引出導体部に重複する様に、ボンディング
応力の伝搬方向と対面するような向きに配置される貫通
孔を前記表面保護膜に備えたことを特徴とする半導体集
積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62118456A JPS63283041A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62118456A JPS63283041A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63283041A true JPS63283041A (ja) | 1988-11-18 |
| JPH0586064B2 JPH0586064B2 (ja) | 1993-12-09 |
Family
ID=14737094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62118456A Granted JPS63283041A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63283041A (ja) |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP62118456A patent/JPS63283041A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0586064B2 (ja) | 1993-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5404045A (en) | Semiconductor device with an electrode pad having increased mechanical strength | |
| JP2006060128A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2006332545A (ja) | 配線基板、半導体装置および表示モジュール | |
| JPH0519982B2 (ja) | ||
| JPH05343468A (ja) | 半導体装置 | |
| JP5475217B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH06338544A (ja) | 改良されたｔａｂテープ | |
| JPS5988864A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63161634A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH01185943A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2982182B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3838907B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0586064B2 (ja) | ||
| JPH0691127B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS5854646A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS601968A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4594599B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH1131755A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH0410429A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1174399A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2766361B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4545537B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置ユニット | |
| JPH0430441A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3194300B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02210858A (ja) | 半導体装置 |