JPS63283060A - 絶縁分離型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 開口か設けられた絶縁分離層を有する半導体基板上の全
面に形成された窒化シリコン層／多結晶シリコン層／窒
化シリコン層の三層構造を用いて。

この開口内に定義された所定幅の能動素子領域とその両
側に位置する不純物拡散領域から構成されたトランジス
タを作製する。前記三層構造の下側の窒化シリコン層は
、能動素子領域における多結晶シリコン層を除去するた
めのドライエツチング時に、基板をイオン衝撃による損
傷から保護する。

一方、不純物領域に対するコンタクトは、不純物領域に
おける前記構造の三層を選択的に除去したのち、ここに
第二の多結晶シリコン層を生成させることによって達成
する。このコンタクトのための多結晶シリコン層は、能
動素子領域に対して自己整合的に形成される。また、こ
のコンタクト用多結晶シリコン層に対する引出電極は、
前記三層構造の多結晶シリコン層を用いて、絶縁分離層
上に延伸された構造として形成される。

〔産業上の利用分野〕

本発明は半導体集積回路に係り、とくに絶縁層分離型の
集積回路におけるバイポーラトランジスタあるいは絶縁
ゲート型トランジスタとその製造方法に関する。

〔従来の技術〕

まず、絶縁層によって分離された。従来のバイポーラト
ランジスタについて説明する。第４図（ａ）ないしくｆ
）は、いわゆるＬＯＣＯ３法を用いて製造される絶縁層
分離型のバイポーラトランジスタの製造工程における断
面図である。第４図（ａ）に示すように、シリコンウェ
ハ等の基板１０の上には、絶縁分離層４０が形成されて
いる。絶縁分離層４０は、基板１０におけるトランジス
タが形成される所定の領域に対応した開口を有する。こ
の開口部分を含む基板１０の全面に多結晶シリコン層４
１および酸化シリコン（Ｓｉ０２）層４２が順次形成さ
れ。

このＳｉ０２層４２は、その上に形成されているレジス
ト層４３をマスクとして１選択的にエツチングされ。

開口部４２１が設けられている。

この５４０２層４２をマスクとして５反応性イオンエツ
チング（ＲＩＥ　）により、多結晶シリコン層４１をエ
ツチングし、第４図（ｂ）に示すように、基板１０を選
択的に露出させる。このとき、多結晶シリコン層４１の
側壁も露出する。次いで５例えば、化学気相成長法（Ｃ
ＶＤ　）を用いて、第４図（Ｃ）に示すように基板１０
の全面にＳｉ０２層４４を成長させ。

引き続いて、前記のように開口４２１の内において、露
出されていた基板１ｏの上に生成されているＳｉ０２層
４４を、異方性のＲＩＥにより除去する。このとき。

５ｔｏ２１ｔＪ４２の上に生成したＳｉ０２層４４も除
去されてしまう。しかしながら、第４図（ｄ）に示すよ
うに。

開口４２１の内部に露出していた。多結晶シリコン層４
１およびＳｉ０２層４２のそれぞれの側壁に生成された
Ｓｉ０２層４４は除去されずに残る。

つぎに９例えば、イオン注入法を用いて、開口４２１の
内部に露出している基板１ｏにベース領域形成用の不純
物を導入したのち、基板１ｏをアニールする。これによ
り、第４図（ｅ）に示すように。

イオン注入不純物によるベース領域１０１と多結晶シリ
コン層４１から拡散した不純物による外部べ一ス領域１
０２とが形成される。

こののち、開口４２１にエミッタ電極用の導体層の形成
、エミッタ領域形成用の不純物拡散、　ＡＩ配線の形成
等を行い、第４図（ｆ）に示す構造のバイポーラトラン
ジスタが得られる。図において。

符号４５はエミッタ電極、４６はこのエミッタ電極４５
および前記外部ベース領域１０２の引出電極としての多
結晶シリコン層４１にそれぞれ接続されたＡＩ配線層、
４７は層間絶縁層、１０３はエミノタ不純物拡散領域を
示す。

第４図（ｂ）に示す工程ののち、開口４２１の内部にお
いて露出している基板１０の表面を酸化してゲート酸化
膜を形成し、絶縁ゲート型のトランジスタを形成するこ
ともできる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

第４図に示した工程にしたがって製造される従来のバイ
ポーラトランジスタあるいは絶縁ゲート型トランジスタ
においては、第４図（ｂ）を参照して説明したように、
開口４２１に存在する多結晶シリコン層４１を、　ＲＩ
Ｅにより除去する。さらに。

バイポーラトランジスタの場合には、第４図（Ｃ）から
（ｄ）に到る工程で説明したように、　５ｉ０２層４４
を、ＲＩＥによって除去する。これらのＲＩＥによって
、開口４２１に対応する基板１０の領域（以下能動素子
領域と呼ぶ）がイオン衝撃を受け、損傷される。このよ
うな損傷はトランジスタのリーク電流を増大させ、トラ
ンジスタの特性を損なう。とくに、バイポーラトランジ
スタの場合には、この損傷による影響を避けるために、
ベースおよびエミッタ用の不純物拡散層を、深く形成し
なければならない。その結果として、基板と外部ベース
領域間の接合面積が大きくなり、動作速度が低下すると
いう問題があった。

〔問題点を解決するための手段〕

上記従来の問題点は、実質的に長方形とみなすことがで
きる開口（１２）が設けられた絶縁分離層（１４）を有
する半導体基板（１０）の全面に、第一の絶縁層（１６
）と、第一の導体層（１８）と、第二の絶縁層（２０）
とを順次形成する工程と。

前記半導体基板（１０）の開口（１２）に対応する領域
の内部に、前記開口（１２）の対向する一対の辺（２２
）に対して平行、かつ、より短い所定の幅を有する能動
素子領域と、その両側に各一つずつ設けられた不純物拡
散領域とを定義しする工程と。

各々の不純物拡散領域の少なくとも能動素子領域に接す
る部分を含む領域における第一の導体層（１８）と第一
および第二の絶縁層（１６および２０）を除去する工程
と、第一の導体層（１８）と第一および第二の絶縁層（
１６および２０）が除去された不純物拡散領域に、第二
の導体層（２６１）を形成する工程と、第二の導体層（
２６１）の表面に絶縁層（２６２）を形成する工程と、
能動素子領域における第二の絶縁層（２０）および第一
の導体層（１８）を除去することによって露出された該
第二の導体層（２６１）の側壁に絶縁層（２６３）を形
成する工程とを含むことを特徴とする本発明の製造方法
とそれによって製造されたトランジスタによって解決さ
れる。

〔作用〕

トランジスタ等を形成する領域に対応する開口が設けら
れた絶縁分離層を有する半導体基板の全面に窒化シリコ
ン／多結晶シリコン／窒化シリコンの三層構造を形成し
、この開口内に定義される能動素子領域における前記多
結晶シリコン層を除去するためのドライエツチングにお
いては、前記三層構造の最下層の窒化シリコン層をスト
ッパーとして用い、エツチング時のイオン衝撃から基板
を保護する。その結果、ベース領域およびエミッタ領域
形成するための不純物拡散を浅くできる。

能動素子領域の両側に設けられる不純物拡散領域に対す
るコンタクト層の形成においては、この領域における前
記三層のすべてを選択的に除去したのち第二の多結晶シ
リコン層を充填する。このコンタクト層はセルファライ
ンで形成でき、また。

その引出電極は、前記三層構造の多結晶シリコン層を用
いて、絶縁分離層上に延伸する構造に形成される。

〔実施例〕

第１図（ａ）ないしく＋）は本発明の一実施例に係る半
導体装置の製造工程における断面図およびそれらの一部
に対応する平面図である。本実施例においても、　ＬＯ
ＣＯ３法を用いて絶縁分離層を形成するが５本発明はこ
れに限定されない。第１図（ａ）に示すように、基板１
０の全面に窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４　）膜８０を形成
し、この上に、後述する絶縁分離層に設けられる実質的
に長方形の開口に対応する領域をマスクするレジストマ
スク９１を形成する。

レジストマスク９１から露出しているＳｉ３Ｎ４膜８０
を除去し、第１図（ｂ）に示すように、　Ｓｉ３Ｎ４マ
スク８２を形成する。このＳｉ３Ｎ４マスク８２をマス
クとして基板１０を酸化し、第１図（Ｃ）に示すように
、　Ｓｉ３Ｎ４スク８２の周囲に厚い酸化膜（絶縁分離
層）１４を形成する。

Ｓｉ３Ｎ４マスク８２を除去すると、第１図（ｄ）に示
すように、開口部１２が設けられた絶縁分離層１４を有
する基板１０が得られる。基板１０がシリコンの場合に
は、絶縁分離層１４は酸化シリコン（Ｓｉ０２＞である
。以上の工程は５通常のＬＯＣＯ３法を用いればよい。

なお、第１図（ｄ）は対応する第１図（ｅ）の平面図に
おけるＸ−Ｘ断面である。以下においても、断面図は対
応する平面図におけるＸ−Ｘ断面を示す。

本発明においては、第１図（ｆ）に示すように。

絶縁分離層１４を有する基板１０の全面に、第一の絶縁
層１６．第一の導体層１８．第二の絶縁層２０を順次形
成する。第一の絶縁層１６および第二の絶縁層２０とし
ては、厚さが０．１〜０．３μｍ程度のＳｉ３Ｎ４膜が
好適である。また、第一の導体層１８としては。

不純物をドープされた厚さが０．２〜１．０μｍ程度の
多結晶シリコン膜が好適である。これらの膜は。

いずれも５通常のＣＶＤ法を用いて形成することができ
る。

次いで、第１図（ｆ）および（ｇ）に示すように、第二
の絶縁層２０の上に、所定の距離ＤＤを以て並び、かつ
、開口部１２の対向する一対の辺２２を横切るように延
伸する二つの開口９２１が設けられたレジストマスク９
２を形成する。そして、前記開口９２１によって規定さ
れる領域における第二の絶縁層２０．第一の導体層１８
および第一の絶縁層１６を順次除去する。第一の絶縁層
１６と第二の絶縁層２０がＳｉ３Ｎ４の場合には、これ
らの除去は５例えば弗素化合物系のガス（ＣＦ４あるい
はＳＦ６等）を用いるＲＩＥにより、また、第一の導体
層１８が多結晶シリコンの場合には、その除去は１例え
ば弗素化合物系または塩素化合物系のガスを用いるＲＩ
Ｈにより行えばよい。

上記の工程により、第１図（ｈ）および（＋）に示すよ
うに、第一の絶縁層１６と第一の導体層１８と第二の絶
縁層２０から成る三層構造に、開口部１２の対向する一
対の辺２２を横切るように所定の距離ＤＤを以て互いに
平行に延伸する二つの第二の開口２４が形成される。前
記距離ＤＤによって規定される領域（能動素子領域）は
開口部１２の内部に位置することが必要であるが、第二
の開口２４の幅１１およびＷＷ２のそれぞれによって規
定される領域のすべてか開口部１２の内部に位置する必
要はない。すなわち、前記距離ＤＤと幅四１および四２
の和が開口部１２の対向する一対の辺２２の長さより大
きくてもよいことを意味する。

第二の開口２４が設けられた前記三層構造を有する基板
１０の全面に、第１図（ｊ）に示すように。

第二の導体層２６を形成する。この第二の導体層２６と
しては、第一の導体層１８と同じ導電型の不純物をドー
プされた多結晶シリコンが好適であり、ｉｌ常のＣＶＤ
法を用いて形成すればよい。その厚さは。

前記三層構造のそれより大きくする。

こののち、第二の導体層２６を、下地の第二の絶縁層２
０が露出し始めるまで除去する。その結果。

第１図（ｋ）に示すように、前記三層構造に設けられた
第二の開口２４には、第二の導体層２６の一部が残留し
た層２６１（これも第二の導体層と称する）が充填され
た状態となる。上記の除去において。

第二の導体層２６が多結晶シリコンから成る場合には１
通常のＲＩＢを用いればよい。

ここで、第１図（１）に示すように、第二〇導体層２６
１の表面に選択的に絶縁層２６２を形成する。

第一の導体層１８はＳｉ３Ｎ４等から成る第二の絶縁層
２０で保護されているので、基板１０を酸化性雰囲気中
で加熱すれば、第二の導体層２６１の表面だけが酸化さ
れ、酸化膜（絶縁層２６２）が形成される。

なお、上記において熱酸化を行った場合には、第二の導
体層２６１にドープされている不純物が基板１０に拡散
し、不純物拡散領域１０４が形成される。

こののち、第１図（ｍ）および（ｎ）に示すように、基
板１０の上に、少なくとも前記距離ＤＤで規定される能
動素子領域を含む所定の領域に対応する開口９３１が設
けられたレジストマスク９３を形成し、開口９３１の内
部に露出している第一の導体層１８を除去する。レジス
トマスク９３を形成する前に。

第一の導体層１８の上の第二の絶縁層２０が予め除去さ
れていない場合には、開口９３１の内部に露出している
第二の絶縁層２０の除去に引続き、第一の導体層１８の
除去を行えばよい。これらの除去は、前記第二の開口２
４の形成のときと同じ方法を用いて行えばよい。

上記の、能動素子領域における第一の導体層１８の除去
にＲＩＥを用いても、下地の第一の絶縁層１６が基板１
０をイオン衝撃から保護するために、能動素子領域にお
ける基板１０は、前記従来のトランジスタにおけるよう
な損傷を受けない。したがって。

後述するように、能動素子領域に形成されるベース拡散
層およびエミンタ拡散層を深くする必要がなくなるとい
う本発明の特徴を生じる。

上記のようにして能動素子領域における第一の導体層１
８が除去されたことにより、第二の導体層２６１の側壁
が露出される。この側壁に、第１図（０）に示すように
、絶縁層２６３を形成する。この形成方法としては、前
記レジストマスク９３を除去したのち、基板１０を酸化
性雰囲気中で加熱すればよい。この処理条件の一例は、
第二の導体層２６が多結晶シリコンの場合、雰囲気とし
て乾燥酸素ガス、温度１０００℃で約３０分である。形
成される絶縁層２６３の厚さは約０．２μｍである。第
二の絶縁層２０がすでに除去されている場合には、同時
に第一の導体層１８の表面が酸化され、酸化膜１８２が
形成される。　第二の導体層２６１の側壁上に絶縁層２
６３を形成する方法としては、上記の熱酸化とともにそ
の前後に１通常のＣＶＤ法を用いる５ｉ０２層の形成を
併用し、前記熱酸化により生成される酸化膜の厚さを小
さくしてもよい。この場合、能動素子領域に生成した５
ｉ０２層の除去が必要であるが、下地に第二の絶縁層２
０が存在するので、　ＲＩＥを用いても基板１０に対し
てイオン衝撃による損傷を与えることがない。

こののち、ウェットエツチングにより、能動素子領域に
おける第一の絶縁層１６〔第１図（ｍ）参照〕を除去す
る。第一の絶縁層１６がＳｉ３Ｎ４がら形成されている
場合には５例えば、公知の熱燐酸を用いるエツチングを
行えばよい。この場合、必要に応じて、第１図（ｍ）に
示したレジストマスク９３と同様のレジストマスクを用
いて、能動素子領域以外の領域を保護する。

次いで、第１図（０）および（ｐ）に示すように、開口
部１２を含む所定の領域をマスクするレジストマスク９
４を形成する。このレジストマスク９４から露出してい
る酸化膜１８２（または第二の絶縁層２０）とその下地
の第一の導体層１８．および絶縁層２６２とその下地の
第二の導体層２６１を順次除去する。これらの除去は、
第二の開口２４の形成における第二の絶縁層２０および
第一の導体層１８のエツチングの場合と同じ方法を用い
ればよ＜、５ｉ０２から成る絶縁層２６２および／もし
くは酸化膜１８２が存在する場合には２通常のＲＩＥ法
を適宜用いればよい。

上記のようにして、第１図（ｑ）および（ｒ）に示すよ
うに、基板１０が露出している能動素子領域と、その両
側の不純物拡散領域１０４の上に形成された第二の導体
層２６１から成るコンタクト層と。

分離絶縁層１４の上に延伸された第一の導体層１８から
成る引出電極から構成された構造物が得られる。

なお、第１図（０）および（ｐ）を参照して説明した。

レジストマスク９４を用いて開口周辺の第一の導体層１
８と第一および第二の絶縁層（１６および２０）を除去
する工程は、第１図（ｆ）に示した第一の導体層１８が
形成された後の任意の段階で行ってもよい。しかしなが
ら、第１図（ｊ）から（ｋ）に示した工程における第二
の導体層２６の除去において、下地の第二の絶縁層２０
が露出したことを終点の検出に利用する場合には、少な
くとも第１図（ｋ）に示した工程の後に行うことが有利
である。

第１図（ｑ）および（ｒ）の構造物を用いて。

バイポーラトランジスタまたは絶縁ゲート型トランジス
タのいずれをも製造できる。第２図＜ａ＞ないしくＣ）
はバイポーラトランジスタを製造する工程における断面
図である。

第２図（ａ）に示すように、能動素子領域に露出してい
る基板１０に１例えば２通常のイオン注入技術を用いて
、不純物拡散領域１０４と同し導電型の不純物を選択的
に注入したのち、基板１０をアニールしてベース領域１
０１を形成する。次ぎに、第２図（ｂ）に示すように、
能動素子領域にエミッタ電極２８を形成する。例えば、
第２図（ａ）に示す状態の基板１０の全面に、ベース領
域と反対の導電型を有する不純物をドープした多結晶シ
リコン層を形成し、これを選択的にエツチングしてエミ
ッタ電極２８を残す。次いで、基板１０をアニールし。

エミッタ電極２８から不純物を拡散させて、エミッタ不
純物拡散領域１０３を形成する。

こののち、第２図（ｃ）に示すように、基板１０の上の
全面に１例えば燐珪酸ガラス（ＰＳＧ　）から成る保護
層または層間絶縁層３０を形成し、その所定位置にスル
ーホールを設け、第一の導体層１８゜エミッタ電極２８
．および別途形成されているコレククコンタクト領域３
２のそれぞれに接続された配びコレクタ領域としての基
板１０（またはこれと反対の導電型を有するエピタキシ
ャル層）から構成されるバイポーラトランジスタが完成
される。

第３図（ａ）および（ｂ）は第１図の工程に引続いて、
絶縁ゲート型トランジスタを製造する工程における断面
図である。第３図（ａ）に示すように、絶縁ゲート型ト
ランジスタの場合には、能動素子領域に露出している基
板１０の表面を薄く酸化してゲート酸化膜１０５を形成
したのち、前記バイポーラトランジスタにおけるエミッ
タ電極の形成の場合と同様の方法を用いて、能動素子領
域にゲート電極３６を形成する。

こののち、第３図（ｂ）に示すように、基板１０の上の
全面に保護層または層間絶縁層３０を形成し。

この所定位置にスルーホールを設け、第一の導体層１８
．ゲ、−ト電極３６にそれぞれに接続された配線層３８
を形成する。このようにして、不純物拡散領域１０４を
ソース／ドレインとする絶縁ゲート型トランジスタが完
成される。

第２図（ｃ）に示したバイポーラトランジスタおよび第
３図（ｂ）に示した絶縁ゲート型トランジスタにおいて
は、前述したように能動素子領域における基板１０がイ
オン衝撃による損傷を受けていないために、特性が優れ
ている。と（にバイポーラトランジスタにおいては、電
流増幅率（ｈｆｅ）が太き（なる。また、ベース拡散層
およびエミッタ拡散層を浅く形成してもよくなり、その
結果。

接合容量が低減され、動作速度が向上可能となる。

さらに１本発明によれば、不純物拡散領域に対するコン
タクト層が、能動素子領域に対して自己整合的に決定さ
れる。このことは、第４図に示した従来のバイポーラト
ランジスタの製造において。

多結晶シリコン層４１の下に、エツチングストッパー用
の窒化シリコン等の層を形成した場合、不純物拡散領域
に対するコンタクト層の形成に大きな位置合わせマージ
ンを必要とし、このために、外部ベース領域またはソー
ス／ドレイン領域の面積が縮小できないことに比べ、不
純物拡散領域における接合容量も大幅に低減できること
を意味する。

以上の能動素子領域および不純物拡散領域の双方におけ
る接合容量の低減の結果、バイポーラトランジスタおよ
び絶縁ゲート型トランジスタの動作速度を向上できる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、高速・高性能のバイポーラトランジス
タおよび絶縁ゲート型トランジスタから構成される絶縁
層分離型の集積回路を提供可能とする効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）ないしくｒ）は本発明の一実施例に係る半
導体装置の製造工程における断面図および対応する一部
平面図。 第２図（ａ）ないしくＣ）は、第１図の工程に引続いて
、バイポーラトランジスタを製造する工程における断面
図。 第３図（ａ）および（ｂ）は第１図の工程に引続いて、
絶縁ゲート型トランジスタを製造する工程における断面
図。 第４図（ａ）ないしくｆ）はＬＯＣＯ３法を用いて製造
される従来のバイポーラトランジスタの工程における断
面図 である。 図において。 ＩＯは基板、１２は開口部。 １４は分離用絶縁層、１６は第一の絶縁層。 １８は第一の導体層、２０は第二の絶縁層。 ２２は対向する一対の辺、２４は第二の開口。 ２６は第二の導体層、２８はエミッタ電極。 ３０は保護層または層間絶縁層。 ３２はコレクタコンタクト領域。 ３４と３８は配線層、３６はゲート電極。 ３８は配線層、８０は窒化シリコン膜。 ８２は窒化シリコンマスク。 ９１と９２と９３と９４はレジストマスク。 １０１はベース領域、１０２は外部ベース領域。 １０３はエミッタ領域、１０４は不純物拡散領域。 １０５はゲート酸化膜、１８２は酸化膜。 ２６１は第二の導体層、２６２と２６３は絶縁層。 ９２１　と９３１は開口 である。 〒　１　　国 （ＣＬ） Ｂ Ｃｂ） ’ｎ） （Ｃン （７″少 芦々を月（こよろバイポーラ〉トラ〉５′ス２羊　２　
Ｅ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）開口が設けられた分離用絶縁層を有する半導体基板
   における該開口内に定義された、能動素子を形成するた
   めの領域（能動素子領域）および該能動素子領域の両側
   に各一つずつ設けられた不純物拡散領域と、 各々の該不純物拡散領域上に形成された第二の導体層と
   、 対応する該第二の導体層に接続され、かつ、該分離用絶
   縁層上に延伸された第一の導体層、を有することを特徴
   とする絶縁分離型半導体装置。 ２）該第一および第二の導体層は多結晶半導体から成る
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
   置。 ３）該半導体基板は該不純物拡散領域において該第二の
   導体層から拡散された不純物を含むことを特徴とする特
   許請求の範囲第２項記載の半導体装置。 ４）該不純物拡散領域から構成された外部ベース領域を
   有するバイポーラトランジスタであることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ５）該不純物拡散領域から構成されたソースおよびドレ
   イン領域を有する絶縁ゲート型トランジスタであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ６）実質的に長方形とみなすことができる開口（１２）
   が設けられた分離用絶縁層（１４）を有する半導体基板
   （１０）の全面に、第一の絶縁層（１６）と、第一の導
   体層（１８）と、第二の絶縁層（２０）とを順次形成す
   る工程と、 該半導体基板（１０）の該開口（１２）に対応する領域
   の内部に、該開口（１２）の対向する一対の辺（２２）
   に対して平行、かつ、より短い所定の幅を有する能動素
   子領域と該能動素子領域の両側に各一つずつ設けられた
   不純物拡散領域とを定義する工程と、 各々の該不純物拡散領域の少なくとも該能動素子領域に
   接する部分を含む領域における該第一の導体層（１８）
   と第一および第二の絶縁層（１６および２０）を除去す
   る工程と、該第一の導体層（１８）と第一および第二の
   絶縁層（１６および２０）が除去された該不純物拡散領
   域に、第二の導体層（２６１）を形成する工程と、該第
   二の導体層（２６１）の表面に絶縁層（２６２）を形成
   する工程と、 該能動素子領域における該第二の絶縁層（２０）および
   該第一の導体層（１８）を除去することによって露出さ
   れた該第二の導体層（２６１）の側壁に絶縁層（２６３
   ）を形成する工程、 とを含むことを特徴とする絶縁分離型半導体装置の製造
   方法。