JPS63284820A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPS63284820A JPS63284820A JP11982787A JP11982787A JPS63284820A JP S63284820 A JPS63284820 A JP S63284820A JP 11982787 A JP11982787 A JP 11982787A JP 11982787 A JP11982787 A JP 11982787A JP S63284820 A JPS63284820 A JP S63284820A
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- JP
- Japan
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- electrode
- pipes
- cooling water
- constant
- temperature
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明はドライエツチング装置において、電極板を冷却
するための冷却水配管を複数に分け、それらに個別に冷
却水を流すことにより、エツチング速度を一定にするよ
うにしたものである。
するための冷却水配管を複数に分け、それらに個別に冷
却水を流すことにより、エツチング速度を一定にするよ
うにしたものである。
本発明はドライエツチング装置に係り、特に電極間に発
生させたプラズマによりエツチングを行なうドライエツ
チング装置に関する。
生させたプラズマによりエツチングを行なうドライエツ
チング装置に関する。
ドライエツチング装置は一般に第3図に示す如き構成と
されている。第3図において、筐体(チャンバ)1内は
真空で、相対向して電極2及びステージ(電極)3が配
置されており、ステージ3上には試料(例えばウェーハ
、マスクなど)4が載置されている。また、5はガス導
入口、6は排気臼である。
されている。第3図において、筐体(チャンバ)1内は
真空で、相対向して電極2及びステージ(電極)3が配
置されており、ステージ3上には試料(例えばウェーハ
、マスクなど)4が載置されている。また、5はガス導
入口、6は排気臼である。
筐体1内にガス導入口5より所定のガスを導入している
状態において、電極2に所定周波数の電力を印加すると
、電極2とステージ3間にプラズマ7が発生し、そのイ
オンが加速されて大きなエネルギーを得て試料4に衝撃
してエツチングする。
状態において、電極2に所定周波数の電力を印加すると
、電極2とステージ3間にプラズマ7が発生し、そのイ
オンが加速されて大きなエネルギーを得て試料4に衝撃
してエツチングする。
このようなドライエツチング装置においては、エツチン
グ中に電極2が異常に高温になり、それにより試料4も
高温になるとエツチングに悪影響をもたらすので、電極
2を冷却することが必要となる。
グ中に電極2が異常に高温になり、それにより試料4も
高温になるとエツチングに悪影響をもたらすので、電極
2を冷却することが必要となる。
〔従来の技術)
第4図は従来のドライエツチング装置の上記電極2の構
成図を示す。同図(A)に示す平面図及び同図(8)に
示す断面図において、電極2a内には配管8が渦巻状に
形成されており、配管8の一方の端部8aから冷却水が
注入され、他方の端部8bから冷却水が流出される構成
とされている。
成図を示す。同図(A)に示す平面図及び同図(8)に
示す断面図において、電極2a内には配管8が渦巻状に
形成されており、配管8の一方の端部8aから冷却水が
注入され、他方の端部8bから冷却水が流出される構成
とされている。
従って、冷却水は電極2aの底面を外周から内周方向へ
向けて渦巻状に流され、電極2を冷却する。
向けて渦巻状に流され、電極2を冷却する。
しかし、従来は第4図に示すように配管8が1つである
ため、電極2aの外周部分では冷却水が流入された直後
であるので大きく冷却されるのに対し、冷却水が外周か
ら内周へ進むにつれて暖められるので、電極2aの内周
部分ではそれほど冷却効果が得られない。
ため、電極2aの外周部分では冷却水が流入された直後
であるので大きく冷却されるのに対し、冷却水が外周か
ら内周へ進むにつれて暖められるので、電極2aの内周
部分ではそれほど冷却効果が得られない。
一例として、実験結果によれば、放電時間5分で、電極
2aの最外周部分の温度は95℃であるのに対し、中心
付近の温度は120℃と高く、35℃の温度差が生じる
。しかもこの温度分布は固定である。
2aの最外周部分の温度は95℃であるのに対し、中心
付近の温度は120℃と高く、35℃の温度差が生じる
。しかもこの温度分布は固定である。
上記のような温度差が生じても、試料4によってはエツ
チングに悪影響を与えないこともあるが、一般には試料
4の外周部分と中心部分付近でエツチング速度が異なっ
てしまい、エツチングによって除去される寸法が大きく
異なってしまうという問題点があった。
チングに悪影響を与えないこともあるが、一般には試料
4の外周部分と中心部分付近でエツチング速度が異なっ
てしまい、エツチングによって除去される寸法が大きく
異なってしまうという問題点があった。
本発明は上記の点に鑑みて創作されたもので、電極を任
意の温度分布に冷却することができるドライエツチング
装置を提供することを目的とする。
意の温度分布に冷却することができるドライエツチング
装置を提供することを目的とする。
本発明のドライエツチング装置は、第1及び第2の電極
の少なくとも一方の電極内部に、複数の配管を互いに異
なる位置に配設し、複数の配管に個別に、かつ、同時に
冷却水を流す。
の少なくとも一方の電極内部に、複数の配管を互いに異
なる位置に配設し、複数の配管に個別に、かつ、同時に
冷却水を流す。
対向する第1及び第2の電極間にプラズマを発生させ、
そのイオンにより第2の電極上の試料にエツチングを行
なうドライエツチング装置において、第1及び第2の電
極の少なくとも一方の電極内部に設けられた複数の配管
の夫々に個別に、がっ、同時に冷却水が流される。
そのイオンにより第2の電極上の試料にエツチングを行
なうドライエツチング装置において、第1及び第2の電
極の少なくとも一方の電極内部に設けられた複数の配管
の夫々に個別に、がっ、同時に冷却水が流される。
これにより、上記の電極は複数の配管の夫々に流される
さ冷却水に応じて任意の温度分布に冷却されることにな
る。
さ冷却水に応じて任意の温度分布に冷却されることにな
る。
(実施例)
第1図は本発明の一実施例の要部の構成図を示す。同図
中、電極2bは第3図に示すドライエツチング装置中の
電極2に相当する電極で、第1図(A)の側面図及び第
1図(8)の平面図に示すように、内部に4本の配管1
0〜13が互いに異なる位置に配設されている。
中、電極2bは第3図に示すドライエツチング装置中の
電極2に相当する電極で、第1図(A)の側面図及び第
1図(8)の平面図に示すように、内部に4本の配管1
0〜13が互いに異なる位置に配設されている。
配管10は電極2bの底面の最外周に配置され、かつ、
その両端付近が中央に屈曲された後上方に屈曲されて端
部1Qa、10t)が中央付近において上方向に位置す
る。他の配管11.12及び13も配管10と相似の形
状をしており、互いに異なる位置に配設され、配管13
が電極2bの底面の最内周に配置されている。配管11
の端部は11a、11bで示され、配管12.13の各
端部は夫々12a及び12b113a及び13bで示さ
れる。
その両端付近が中央に屈曲された後上方に屈曲されて端
部1Qa、10t)が中央付近において上方向に位置す
る。他の配管11.12及び13も配管10と相似の形
状をしており、互いに異なる位置に配設され、配管13
が電極2bの底面の最内周に配置されている。配管11
の端部は11a、11bで示され、配管12.13の各
端部は夫々12a及び12b113a及び13bで示さ
れる。
これら4本の配管10.11.12及び13の端部10
a、11a、12a及び13aから冷却水が個別に、か
つ、同時に注入される。これにより、第1図(B)の矢
印方向に冷却水が流れ、端部 10b、11b、12b
及び13bから冷却水が個別に流出される。
a、11a、12a及び13aから冷却水が個別に、か
つ、同時に注入される。これにより、第1図(B)の矢
印方向に冷却水が流れ、端部 10b、11b、12b
及び13bから冷却水が個別に流出される。
これら4本の配管10〜13の長さは、大きく異ならな
いから、4本の配管10〜13内を流れる冷却水の温度
も、略同じ温度で端部10b〜13bから流出される。
いから、4本の配管10〜13内を流れる冷却水の温度
も、略同じ温度で端部10b〜13bから流出される。
従って、電極2b底面の内周部分から外周部分までの全
域に亘って、温度差がゼロとなるように冷却される。
域に亘って、温度差がゼロとなるように冷却される。
ここで、前記第3図に示したドライエツチング装置にお
いて、電極2とステージ3の間のパワー及び距離を夫々
150W及び45a1筐体(チャンバ)1内のガスをC
C之4が15.53CCH,02が82.6SCCH,
Heが225CCHの割合で混合された混合ガスとし、
また真空度を0.6T Orrとしし、更に試料4とし
てガラス基板上にクロム(Cr)層が形成され、更にそ
のCr層の上にパターニングされたレジスト(OFPR
−800)が形成されてなるマスクであるものとしたと
きの冷却水温度対エツチングレート、選択比特性は第2
図に示す如くになる。
いて、電極2とステージ3の間のパワー及び距離を夫々
150W及び45a1筐体(チャンバ)1内のガスをC
C之4が15.53CCH,02が82.6SCCH,
Heが225CCHの割合で混合された混合ガスとし、
また真空度を0.6T Orrとしし、更に試料4とし
てガラス基板上にクロム(Cr)層が形成され、更にそ
のCr層の上にパターニングされたレジスト(OFPR
−800)が形成されてなるマスクであるものとしたと
きの冷却水温度対エツチングレート、選択比特性は第2
図に示す如くになる。
この特性かられかるように、冷却水温度が一定ならばエ
ツチングレート及び選択比が一定であるから、冷却水温
度が一定となるようにできる本実施例によれば、一定の
エツチングレート及び選択比を得ることができる。
ツチングレート及び選択比が一定であるから、冷却水温
度が一定となるようにできる本実施例によれば、一定の
エツチングレート及び選択比を得ることができる。
なお、試料4の種類などによっては、電極2の内周部分
と外周部分で温度差があった方が一定のエツチングレー
トが得られる場合もある。本実施例によれば、このよう
な試料4に対しても、配管10〜13へ流出入させる冷
却水の温度を別々に選定できるから、電極2の底面にお
いて所要の温度分布が得られるように冷却ができ、よっ
て一定のエツチングレートを得ることができる。
と外周部分で温度差があった方が一定のエツチングレー
トが得られる場合もある。本実施例によれば、このよう
な試料4に対しても、配管10〜13へ流出入させる冷
却水の温度を別々に選定できるから、電極2の底面にお
いて所要の温度分布が得られるように冷却ができ、よっ
て一定のエツチングレートを得ることができる。
なお、本発明は上聞の実施例に限定されものではなく、
例えば配管の数は4本に限られるものではなく、また配
管が設けられる電極は試料4が載置される電極(ステー
ジ)3でもよく、更に両方の電極2.3に設けるように
してもよい。
例えば配管の数は4本に限られるものではなく、また配
管が設けられる電極は試料4が載置される電極(ステー
ジ)3でもよく、更に両方の電極2.3に設けるように
してもよい。
(発明の効果〕
上述の如く、本発明によれば、電極を任意の温度分布に
冷却することができるので、試料の種類によらず常に一
定のエツチングレートを得ることができ、このためエツ
チング部分の寸法のバラツキを極めて小さくすることが
できる等の特長を有するものである。
冷却することができるので、試料の種類によらず常に一
定のエツチングレートを得ることができ、このためエツ
チング部分の寸法のバラツキを極めて小さくすることが
できる等の特長を有するものである。
第1図は本発明の一実施例の要部構成図、第2図は冷却
水温度対エツチングレート、選択比特性図、 第3図はドライエツチング装置の一例の構成図、第4図
は従来装置の一例の要部構成図である。 図中において、 2.2bは電極 3はステージ(電極)、 4は試料、 5はガス導入口、 7はプラズマ、 10〜13は配管である。 領りat:訳1 (Al 第1図 ドライエラ今じり゛装置の一イテJのオ咋友\図富3図 イ建来装置の一例の学部#?へΣ 14図
水温度対エツチングレート、選択比特性図、 第3図はドライエツチング装置の一例の構成図、第4図
は従来装置の一例の要部構成図である。 図中において、 2.2bは電極 3はステージ(電極)、 4は試料、 5はガス導入口、 7はプラズマ、 10〜13は配管である。 領りat:訳1 (Al 第1図 ドライエラ今じり゛装置の一イテJのオ咋友\図富3図 イ建来装置の一例の学部#?へΣ 14図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 対向する第1及び第2の電極(2、3)間にプラズマ(
7)を発生させ、そのイオンにより第2の電極(3)上
の試料(4)にエッチングを行なうドライエッチング装
置において、 該第1及び第2の電極(2、3)の少なくとも一方の電
極内部に、複数の配管(10〜13)を互いに異なる位
置に配設し、該複数の配管(10〜13)に個別に、か
つ、同時に冷却水を流すよう構成したことを特徴とする
ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11982787A JPS63284820A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11982787A JPS63284820A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63284820A true JPS63284820A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14771242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11982787A Pending JPS63284820A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63284820A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990079892A (ko) * | 1998-04-10 | 1999-11-05 | 윤종용 | 건식 식각기 또는 애셔용 전극 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5797616A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Anelva Corp | Base plate for vacuum equipment |
| JPS5961035A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6025233A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-08 | Fujitsu Ltd | 真空処理方法 |
| JPS60140723A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11982787A patent/JPS63284820A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5797616A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Anelva Corp | Base plate for vacuum equipment |
| JPS5961035A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6025233A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-08 | Fujitsu Ltd | 真空処理方法 |
| JPS60140723A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990079892A (ko) * | 1998-04-10 | 1999-11-05 | 윤종용 | 건식 식각기 또는 애셔용 전극 |
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