JPS63285128A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- JPS63285128A JPS63285128A JP11700287A JP11700287A JPS63285128A JP S63285128 A JPS63285128 A JP S63285128A JP 11700287 A JP11700287 A JP 11700287A JP 11700287 A JP11700287 A JP 11700287A JP S63285128 A JPS63285128 A JP S63285128A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光ファイバ母材の製造方法に係り、特に低損失
化を達成することができる製造方法に関する。
化を達成することができる製造方法に関する。
［従来の技術］
一般に、コアを純粋５ｉ０２から形成すると共にクラッ
ドをＦ添加５ｉ０２から形成した光ファイバはレーレ散
乱係数が小さく、低損失化が可能である。
ドをＦ添加５ｉ０２から形成した光ファイバはレーレ散
乱係数が小さく、低損失化が可能である。
従来、このような光ファイバは次の■あるいは■の方法
により製造されていた。
により製造されていた。
■ 第３図のように純粋５ｉ０２ガラス棒３１の外周部
にバーナ３２を用いてＶＡＤ法により ５ｉ０２微粒子
３３を堆積し、焼結時にフッ素処理を行なった後透明ガ
ラス化する。
にバーナ３２を用いてＶＡＤ法により ５ｉ０２微粒子
３３を堆積し、焼結時にフッ素処理を行なった後透明ガ
ラス化する。
■ 第４図のようにコア用バーナ４１及びクラッド用バ
ーナ４２を用いてＶＡＤ法によりかさ密度１ ａ／ｃｄ
以上のコア部４３とかさ密度０．２〜０、３（１／ｉの
クラッド部４４からなるスート母材を形成し、焼結時に
フッ素処理を行なった後透明ガラス化する。
ーナ４２を用いてＶＡＤ法によりかさ密度１ ａ／ｃｄ
以上のコア部４３とかさ密度０．２〜０、３（１／ｉの
クラッド部４４からなるスート母材を形成し、焼結時に
フッ素処理を行なった後透明ガラス化する。
この■の方法はコア部４３のかさ密度を高く設定してこ
こにフッ素が添加されないようにし−たものである。
こにフッ素が添加されないようにし−たものである。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、■の方法ではガラス棒３１に無水・高純
度の５ｉ０２ガラス棒を用いても５ｉ０２微粒子の外付
時にＨ２−０２火炎からのＯＨ基がガラス棒３１内に混
入するためファイバ化後の０８ｇ吸収損失が増加してし
まうという問題があった。
度の５ｉ０２ガラス棒を用いても５ｉ０２微粒子の外付
時にＨ２−０２火炎からのＯＨ基がガラス棒３１内に混
入するためファイバ化後の０８ｇ吸収損失が増加してし
まうという問題があった。
これに対して、■の方法ではコア部４１がスート状態で
あるのでＣＩ！２処理等により０■基を除去することが
可能であるが、かぎ密度が高いために通常２００時間以
上もの長時間にわたってＣ１２処理を行なわなければな
らなかった。
あるのでＣＩ！２処理等により０■基を除去することが
可能であるが、かぎ密度が高いために通常２００時間以
上もの長時間にわたってＣ１２処理を行なわなければな
らなかった。
かくして、本発明の目的は上記従来技術の問題点を解消
し、長時間のα２処理を施さなくても伝送損失の低減化
を図ることができる光ファイバ母材の製造方法を提供す
ることにある。
し、長時間のα２処理を施さなくても伝送損失の低減化
を図ることができる光ファイバ母材の製造方法を提供す
ることにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明の光ファイバ母材の製造方法は上記目的を達成す
るために、ＶＡＤ法により円筒状スート母材を形成する
と共に該円筒状スート母材をフッ素含有雰囲気中で加熱
処理した後、これを８００℃以上で且つガラス化温所以
下の温度に保持しながらその中空部にガラス原料ガスを
流して熱酸化反応により生じたガラス微粒子を中空部の
壁面上に堆積させ、その後ガラス化温度以上に昇温して
透明ガラス化すると共に中実化する方法である。
るために、ＶＡＤ法により円筒状スート母材を形成する
と共に該円筒状スート母材をフッ素含有雰囲気中で加熱
処理した後、これを８００℃以上で且つガラス化温所以
下の温度に保持しながらその中空部にガラス原料ガスを
流して熱酸化反応により生じたガラス微粒子を中空部の
壁面上に堆積させ、その後ガラス化温度以上に昇温して
透明ガラス化すると共に中実化する方法である。
［作 用］
クラッド部となる円筒状スート母材をフッ素処理した侵
、その中空部にコア部となるガラス微粒子を熱酸化反応
により生じさせて堆積し透明ガラス化するので、従来の
ようにコア部に囲碁が混入することはなくなる。従って
、低損失化が達成されると共に長時間にわたるＣ１２処
理も不要となる。
、その中空部にコア部となるガラス微粒子を熱酸化反応
により生じさせて堆積し透明ガラス化するので、従来の
ようにコア部に囲碁が混入することはなくなる。従って
、低損失化が達成されると共に長時間にわたるＣ１２処
理も不要となる。
なお、ガラス微粒子を生じる熱酸化反応は次式％式％
この反応は一般に８００℃以上の温度で起きるので、母
材中空部の壁面上へのガラス微粒子の堆積は温度８００
℃以上の雰囲気で行なう必要がある。
材中空部の壁面上へのガラス微粒子の堆積は温度８００
℃以上の雰囲気で行なう必要がある。
［実施例］
以下、本発明の実施例を添付図面に従って説明する。
実施例１
第１図及び第２図は実施例１に係る光ファイバ母材の製
造方法を示す工程図である。
造方法を示す工程図である。
まず、第１図のように引抜き可能な直径２０ａｍの８棒
１を有する出発母材２の外周部にバーナ３を用いてＶＡ
Ｄ法により５ｉ０２微粒子４を堆積させ、外形１００Ｊ
１１のスート母材を形成した。その後、８棒１を引抜い
て円筒状スート母材とした。
１を有する出発母材２の外周部にバーナ３を用いてＶＡ
Ｄ法により５ｉ０２微粒子４を堆積させ、外形１００Ｊ
１１のスート母材を形成した。その後、８棒１を引抜い
て円筒状スート母材とした。
次に、第２図の如く円筒状スート母材５を焼結炉６内に
セットした。この焼結炉６の上部には円筒状スート母材
５を保持すると共に母材中空部７内のガスを排気するた
めの排気管８が上下動自在に設けられており、一方下部
には母材中空部７内にガラス原料ガス及び０２を送出す
るための外径８ｍの供給管９が上下動自在に設けられて
いる。
セットした。この焼結炉６の上部には円筒状スート母材
５を保持すると共に母材中空部７内のガスを排気するた
めの排気管８が上下動自在に設けられており、一方下部
には母材中空部７内にガラス原料ガス及び０２を送出す
るための外径８ｍの供給管９が上下動自在に設けられて
いる。
このような焼結炉６内にα２釡供給して円筒状スート母
材５を脱水処理した後、炉内をＳｉＦ４が５％含まれる
ｆｌｅに置換して温度１２００℃に昇温し、排気管８を
３１１／Ｓｉｎで下降させることによりフッ素処理を施
した。この処理によって円筒状スート母材５はフッ素ド
ープされると共に収縮し、外形７０ｔｍｓ内径１４ＩＩ
ＩＩＲの半焼結母材となった。
材５を脱水処理した後、炉内をＳｉＦ４が５％含まれる
ｆｌｅに置換して温度１２００℃に昇温し、排気管８を
３１１／Ｓｉｎで下降させることによりフッ素処理を施
した。この処理によって円筒状スート母材５はフッ素ド
ープされると共に収縮し、外形７０ｔｍｓ内径１４ＩＩ
ＩＩＲの半焼結母材となった。
次いで、炉内温度を１０００℃とした後、供給管９の先
端部を母材中空部７内に挿入してここから流７１１
ｇ／ｗｉｎの５ｉＣＪ！４及び２ｊ’／ｗｉｎの０２を
供給すると共に排気管８を下から上へ速度３ ｍｎ＋／
ｍｉｎで上昇させる。このとき、熱酸化反応が起きてＳ
ｉＯ＋微粒子が生成され、母材中空部７の壁面上に堆積
される。
端部を母材中空部７内に挿入してここから流７１１
ｇ／ｗｉｎの５ｉＣＪ！４及び２ｊ’／ｗｉｎの０２を
供給すると共に排気管８を下から上へ速度３ ｍｎ＋／
ｍｉｎで上昇させる。このとき、熱酸化反応が起きてＳ
ｉＯ＋微粒子が生成され、母材中空部７の壁面上に堆積
される。
さらに、供給管９を引下げて炉内温度を１６５０℃とし
Ｈｅ雰囲気中にて排気管８を速度ｌ ｍｍ／ｍｉｎで下
降させることにより透明ガラス化すると共に中実化した
。
Ｈｅ雰囲気中にて排気管８を速度ｌ ｍｍ／ｍｉｎで下
降させることにより透明ガラス化すると共に中実化した
。
以上のようにして製造した光ファイバ母材の屈折率分布
を測定したところ、コア部はフッ素を含まない純粋５ｉ
０２であり、クラッド部は比屈折率差０．３％のフッ素
含有５ｉ０２であることがわかった。
を測定したところ、コア部はフッ素を含まない純粋５ｉ
０２であり、クラッド部は比屈折率差０．３％のフッ素
含有５ｉ０２であることがわかった。
この光ファイバ母材を線引ファイバ化してその伝送特性
を調べた結果、波長１．５５ ｕｓでの損失が０．１８
ｄＢ／ｂ、波長１．３９ ｕＩＲでの囲碁吸収ピーク
が１ｄＢ／＆であり、極めて低損失であることが確認さ
れた。
を調べた結果、波長１．５５ ｕｓでの損失が０．１８
ｄＢ／ｂ、波長１．３９ ｕＩＲでの囲碁吸収ピーク
が１ｄＢ／＆であり、極めて低損失であることが確認さ
れた。
実施例２
この実施例２は上述した実施例１において円筒状スート
母材５をフッ素処理した後これを透明ガラス化してから
母材中空部壁面へのＳｉＯ２微粒子の堆積を行なうもの
である。
母材５をフッ素処理した後これを透明ガラス化してから
母材中空部壁面へのＳｉＯ２微粒子の堆積を行なうもの
である。
まず、実施例１と同様にして外径１００履の円筒状スー
ト母材５を形成すると共にこれを第２図に示した焼結炉
６内にセットしてフッ素処理を施した。次に、炉内温度
を１４００℃まで上昇させて排気管８を速度３ ａｍ／
ｓｉｎで下降させることにより円筒状スート母材５を透
明ガラス化した。これにより形成された円筒状ガラス母
材は外径５０麿、内径１０Ｍであった。
ト母材５を形成すると共にこれを第２図に示した焼結炉
６内にセットしてフッ素処理を施した。次に、炉内温度
を１４００℃まで上昇させて排気管８を速度３ ａｍ／
ｓｉｎで下降させることにより円筒状スート母材５を透
明ガラス化した。これにより形成された円筒状ガラス母
材は外径５０麿、内径１０Ｍであった。
その後、実施例１と同様に母材中空部壁面へのＳｉＯ２
微粒子の堆積、透明ガラス化及び中実化を行ない光ファ
イバ母材を得た。
微粒子の堆積、透明ガラス化及び中実化を行ない光ファ
イバ母材を得た。
この光ファイバ母材の特性及びさらに線引きされて得ら
れた光ファイバの特性は実施例１にて製造された光ファ
イバ母材及びそれから得られる光ファイバの特性と同様
に優れたものであった。
れた光ファイバの特性は実施例１にて製造された光ファ
イバ母材及びそれから得られる光ファイバの特性と同様
に優れたものであった。
なお、実施例１及び２において、母材中空部壁面上にＳ
ｉＯ２微粒子を堆積させる際に供給管９から５ｉＣｆＬ
４及び０２の他にＨ２あるいは８２０を供給して加水分
解反応を起こさせることによりＳｉＯ２微粒子を生成す
ることもできる。ただし、この場合には堆積されたスー
ト中に０１１基が混入するので、再びｌＪ２処理を施し
てから透明ガラス化する必要がある。
ｉＯ２微粒子を堆積させる際に供給管９から５ｉＣｆＬ
４及び０２の他にＨ２あるいは８２０を供給して加水分
解反応を起こさせることによりＳｉＯ２微粒子を生成す
ることもできる。ただし、この場合には堆積されたスー
ト中に０１１基が混入するので、再びｌＪ２処理を施し
てから透明ガラス化する必要がある。
［発明の効果１
以上説明したように本発明によれば、次の如き優れた効
果が発揮される。
果が発揮される。
（１） 長時間にわたるＣ１！２処理を施すこともな
り０１１基混入のない純粋５１０２コア及びＦ−８ｉ０
２クラツドの光ファイバ母材を製造することができる。
り０１１基混入のない純粋５１０２コア及びＦ−８ｉ０
２クラツドの光ファイバ母材を製造することができる。
（Ｖ 従って、低損失の光ファイバを得ることが可能と
なる。
なる。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の一実施例に係る光
ファイバ母材の製造方法を示す工程図、第３図及び第４
図はそれぞれ従来例を示す説明図である。 図中、１は８棒、２は出発母材、３はバーナ、４はＳｉ
Ｏ２微粒子、５は円筒状スート母材、６は焼結炉、７は
母材中空部、８は排気管、９は供給管である。
ファイバ母材の製造方法を示す工程図、第３図及び第４
図はそれぞれ従来例を示す説明図である。 図中、１は８棒、２は出発母材、３はバーナ、４はＳｉ
Ｏ２微粒子、５は円筒状スート母材、６は焼結炉、７は
母材中空部、８は排気管、９は供給管である。
Claims (2)
- （１）ＶＡＤ法により円筒状スート母材を形成すると共
に該円筒状スート母材をフッ素含有雰囲気中で加熱処理
した後、これを８００℃以上で且つガラス化温度以下の
温度に保持しながらその中空部にガラス原料ガスを流し
て熱酸化反応により生じたガラス微粒子を中空部の壁面
上に堆積させ、その後ガラス化温度以上に昇温して透明
ガラス化すると共に中実化することを特徴とする光ファ
イバ母材の製造方法。 - （２）上記円筒状スート母材がフッ素含有雰囲気中での
加熱処理により透明ガラス化されることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11700287A JPS63285128A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11700287A JPS63285128A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285128A true JPS63285128A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14701031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11700287A Pending JPS63285128A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63285128A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0701975A3 (de) * | 1994-09-15 | 1996-10-16 | Heraeus Quarzglas | Verfahren zum Sintern von Hohlzylindern aus Siliciumdioxid - Soot und Haltevorrichtung für derartige Hohlzylinder |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11700287A patent/JPS63285128A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0701975A3 (de) * | 1994-09-15 | 1996-10-16 | Heraeus Quarzglas | Verfahren zum Sintern von Hohlzylindern aus Siliciumdioxid - Soot und Haltevorrichtung für derartige Hohlzylinder |
| US5665132A (en) * | 1994-09-15 | 1997-09-09 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Process for the sintering of hollow cylinders of silicon dioxide soot |
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