JPS63285901A - 正特性サ−ミスタ装置 - Google Patents
正特性サ−ミスタ装置Info
- Publication number
- JPS63285901A JPS63285901A JP62120439A JP12043987A JPS63285901A JP S63285901 A JPS63285901 A JP S63285901A JP 62120439 A JP62120439 A JP 62120439A JP 12043987 A JP12043987 A JP 12043987A JP S63285901 A JPS63285901 A JP S63285901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- temperature coefficient
- coefficient thermistor
- positive temperature
- positive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/01—Mounting; Supporting
- H01C1/014—Mounting; Supporting the resistor being suspended between and being supported by two supporting sections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＣＲＴ （陰極線管）の消磁回路などの無接
点スイッチに用いる正特性サーミスタ装置に関するもの
である。
点スイッチに用いる正特性サーミスタ装置に関するもの
である。
ＣＲＴには、地磁気や外部着磁によってシャドウマスク
が着磁され、内部を走る電子ビームが不用意に偏光を受
けて色ずれが生じたジ、ホワイトバランスがくずれたり
することがあるため、上記シャドウマスクの着磁を取除
く正特性サーミスタ装置が設けられている。
が着磁され、内部を走る電子ビームが不用意に偏光を受
けて色ずれが生じたジ、ホワイトバランスがくずれたり
することがあるため、上記シャドウマスクの着磁を取除
く正特性サーミスタ装置が設けられている。
従来の技術
従来、この種の正特性サーミスタ装置は、第４図に示す
ような構成であった。
ような構成であった。
第４図において、両面に銀の電極３１Ｌ 、３ｂが設け
られた第１の正特性サーミスタ１と、両面に銀の電極３
Ｃ，３ｄが設けられ、第１の正特性サーミスタ１よりキ
ュリ一温度の高い第２の正特性サーミスタ２とで銀メツ
キ黄銅板などの中間端子４を挾持し、両者の正特性サー
ミスタ１，２を銀メツキリン青銅板などのバ、ネ端子６
，６で圧着固定し、それらを絶縁性樹脂でできたケース
７の内部に挿入している。上記３個の端子４，５．６は
ケース７の底部から貫通孔を通じて外部に突出している
。また、ケース７にはふた８が設けられ、接着剤などで
固定されている。
られた第１の正特性サーミスタ１と、両面に銀の電極３
Ｃ，３ｄが設けられ、第１の正特性サーミスタ１よりキ
ュリ一温度の高い第２の正特性サーミスタ２とで銀メツ
キ黄銅板などの中間端子４を挾持し、両者の正特性サー
ミスタ１，２を銀メツキリン青銅板などのバ、ネ端子６
，６で圧着固定し、それらを絶縁性樹脂でできたケース
７の内部に挿入している。上記３個の端子４，５．６は
ケース７の底部から貫通孔を通じて外部に突出している
。また、ケース７にはふた８が設けられ、接着剤などで
固定されている。
第５図は第４図の正特性サーミスタ装置に使用される消
磁回路の回路図である。第５図において、９は消磁コイ
ルであり、スイッチＳＷを閉じると電流が正特性サーミ
スタ１と消磁コイル９の直列回路に流れ、最初は正特性
サーミスタ１の抵抗値が小さいので大きな交番電流が消
磁コイル９に流れ、同時に正特性サーミスタ１もその電
流で発熱してキュリ一温度になると抵抗値が急激に上昇
し、それにつれて電流も小さくなるＱこのように交番電
流が徐々にｌ」＼さくなるため消磁コイル９には大きな
交番磁界から徐々に小さな交番磁界がかかり、それに伴
ない（ｊＲＴシャドウマスクに着磁した磁界が消去され
る。しかし、常にスイッチＳＷを閉じているため、微小
な電流が消磁コイル９に流れ、常に微小な交番磁界がＣ
ＲＴシャドウマスクにかかっているので色むらが残って
いた０ そのために、第１の正特性サーミスタ１よりもキュリ一
温度の高い第２の正特性サーミスタ２を第１の正特性サ
ーミスタ１と熱的に密着させ、第１の正特性サーミスタ
１と消磁コイル９の直列回路に電圧が印加されると同時
に第２の正特性サーミスタ２にも電圧が印加されるよう
にし、第２の正特性サーミスタ２を第１の正特性サーミ
スタ１以上の温度に発熱させ、その熱で第１の正特性サ
ーミスタ１を加熱し、その抵抗値をさらに増大させ、第
１の正特性サーミスタ１の残電流を極端に減することが
できるようにしたものである。
磁回路の回路図である。第５図において、９は消磁コイ
ルであり、スイッチＳＷを閉じると電流が正特性サーミ
スタ１と消磁コイル９の直列回路に流れ、最初は正特性
サーミスタ１の抵抗値が小さいので大きな交番電流が消
磁コイル９に流れ、同時に正特性サーミスタ１もその電
流で発熱してキュリ一温度になると抵抗値が急激に上昇
し、それにつれて電流も小さくなるＱこのように交番電
流が徐々にｌ」＼さくなるため消磁コイル９には大きな
交番磁界から徐々に小さな交番磁界がかかり、それに伴
ない（ｊＲＴシャドウマスクに着磁した磁界が消去され
る。しかし、常にスイッチＳＷを閉じているため、微小
な電流が消磁コイル９に流れ、常に微小な交番磁界がＣ
ＲＴシャドウマスクにかかっているので色むらが残って
いた０ そのために、第１の正特性サーミスタ１よりもキュリ一
温度の高い第２の正特性サーミスタ２を第１の正特性サ
ーミスタ１と熱的に密着させ、第１の正特性サーミスタ
１と消磁コイル９の直列回路に電圧が印加されると同時
に第２の正特性サーミスタ２にも電圧が印加されるよう
にし、第２の正特性サーミスタ２を第１の正特性サーミ
スタ１以上の温度に発熱させ、その熱で第１の正特性サ
ーミスタ１を加熱し、その抵抗値をさらに増大させ、第
１の正特性サーミスタ１の残電流を極端に減することが
できるようにしたものである。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような従来の構成である２個の正特
性サーミスタを用いた正特性サーミスタ装置では、次の
ような問題点があった。
性サーミスタを用いた正特性サーミスタ装置では、次の
ような問題点があった。
まず、正特性サーミスタを２個使用するため、どうして
もコストが高いものになってしまう。さらに、残留電流
が微小とはいえ流れているため、消磁コイル９に微小磁
界が生じ、ＣＲＴ画面周辺部に微妙な色むらを生じさせ
てしまい、最近の著しいＣＲＴの高インチ化、精細化に
満足できなくなりつつある。
もコストが高いものになってしまう。さらに、残留電流
が微小とはいえ流れているため、消磁コイル９に微小磁
界が生じ、ＣＲＴ画面周辺部に微妙な色むらを生じさせ
てしまい、最近の著しいＣＲＴの高インチ化、精細化に
満足できなくなりつつある。
本発明はこのような問題点を解決するもので、低コスト
で、残電流をゼロとし、スイッチング特性の優れた正特
性サーミスタ装置を提供することを目的とするものであ
る。
で、残電流をゼロとし、スイッチング特性の優れた正特
性サーミスタ装置を提供することを目的とするものであ
る。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するため（本発明は、両面に電極を有
する正特性サーミスタが平板状の第１の端子と第２の端
子との間にはさまれて圧着固定され、前記正特性サーミ
スタと当接されている第２の端子の部分にバイメタルを
固着し、前記正特性サーミスタの発熱による温度上昇時
においては、バイメタルの一端が熱変形により接触し短
絡するように第３の端子が設置され、第１〜第３の端子
を支持する絶縁性の支持台と、正特性サーミスタ及び第
１〜第３の端子を収納封止する絶縁性のケースにより正
特性サーミスタ装置を構成したものである。
する正特性サーミスタが平板状の第１の端子と第２の端
子との間にはさまれて圧着固定され、前記正特性サーミ
スタと当接されている第２の端子の部分にバイメタルを
固着し、前記正特性サーミスタの発熱による温度上昇時
においては、バイメタルの一端が熱変形により接触し短
絡するように第３の端子が設置され、第１〜第３の端子
を支持する絶縁性の支持台と、正特性サーミスタ及び第
１〜第３の端子を収納封止する絶縁性のケースにより正
特性サーミスタ装置を構成したものである。
作用
この構成により、第２の端子と第３の端子との間に消磁
コイルをつなぎ、第１の端子と第３の端子との間に電源
をつなぐと消磁回路が実現できる。
コイルをつなぎ、第１の端子と第３の端子との間に電源
をつなぐと消磁回路が実現できる。
すなわち、正特性サーミスタと消磁コイルが直列接続に
なっており、最初は正特性サーミスタの抵抗値が小さい
ので大きな交番電流が消磁コイルに流れ、同時に正特性
サーミスタもその電流で発熱し、キュリ一温度になると
抵抗値が急激に上昇し、それに伴ない交番電流が徐々に
小さくなるため、消磁コイルには大きな交番磁界から徐
々に小さな交番磁界がかかり、ＣＲＴシャドウマスク周
辺部に着磁した磁界が消去されると同時に、正特性サー
ミスタの発熱による熱が第２の端子を介して〕くイメタ
ルに伝わり、バイメタルが温度上昇により熱変形し、第
３の端子と接触し短絡する。その結果、小さく減衰した
交番電流（残電流）が第２の端子と第３の端子の間にバ
イパスされ、消磁コイルには流れなくなる。したがって
、正特性サーミスタを２個使用することなく、低コスト
で残電流をゼロとし、スイッチング特性の侵れた正特性
サーミスタ装置を提供することとなる。
なっており、最初は正特性サーミスタの抵抗値が小さい
ので大きな交番電流が消磁コイルに流れ、同時に正特性
サーミスタもその電流で発熱し、キュリ一温度になると
抵抗値が急激に上昇し、それに伴ない交番電流が徐々に
小さくなるため、消磁コイルには大きな交番磁界から徐
々に小さな交番磁界がかかり、ＣＲＴシャドウマスク周
辺部に着磁した磁界が消去されると同時に、正特性サー
ミスタの発熱による熱が第２の端子を介して〕くイメタ
ルに伝わり、バイメタルが温度上昇により熱変形し、第
３の端子と接触し短絡する。その結果、小さく減衰した
交番電流（残電流）が第２の端子と第３の端子の間にバ
イパスされ、消磁コイルには流れなくなる。したがって
、正特性サーミスタを２個使用することなく、低コスト
で残電流をゼロとし、スイッチング特性の侵れた正特性
サーミスタ装置を提供することとなる。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。第１図は本発明の一実施例による正特性サーミス
タ装置の断面図であり、第１図において、両面に銀の焼
付により電極１１ ａ 、 １１ｂが設けられた円板状
の正特性サーミスタ１ｏを銀メツキリン青銅板などのバ
ネ性を有する平板状の第１の端子１２および第２の端子
１３で圧着固定している。前記正特性サーミスタ１ｏと
当接している第２の端子１３の部分に、スナップアクシ
ョン動作を行うように加工された薄い平板状のバイメタ
ル１５の一端が温度により可変できるように溶接などに
より固定されている。このバイメタル１６の一端が正特
性サーミスタ１ｏの発熱による温度上昇時においては、
熱変形により接触し短絡するように銀メンキリン青銅板
などによる第３の端子１４が配置されている。この第３
の端子１４と接触するバイメタル１５０部分に銀などの
接点電極１６が設けられている。これらの第１〜第３の
端子１２，１３．１４は絶縁性の支持台１７に固定され
、それぞれが起立支持されており、支持台１了に設けら
れた貫通孔を通じて外部に突出している。また、正特性
サーミスタ１０及び第１〜第３の端子１２，１３．１４
を絶縁性のケース１８で収納封止している。
する。第１図は本発明の一実施例による正特性サーミス
タ装置の断面図であり、第１図において、両面に銀の焼
付により電極１１ ａ 、 １１ｂが設けられた円板状
の正特性サーミスタ１ｏを銀メツキリン青銅板などのバ
ネ性を有する平板状の第１の端子１２および第２の端子
１３で圧着固定している。前記正特性サーミスタ１ｏと
当接している第２の端子１３の部分に、スナップアクシ
ョン動作を行うように加工された薄い平板状のバイメタ
ル１５の一端が温度により可変できるように溶接などに
より固定されている。このバイメタル１６の一端が正特
性サーミスタ１ｏの発熱による温度上昇時においては、
熱変形により接触し短絡するように銀メンキリン青銅板
などによる第３の端子１４が配置されている。この第３
の端子１４と接触するバイメタル１５０部分に銀などの
接点電極１６が設けられている。これらの第１〜第３の
端子１２，１３．１４は絶縁性の支持台１７に固定され
、それぞれが起立支持されており、支持台１了に設けら
れた貫通孔を通じて外部に突出している。また、正特性
サーミスタ１０及び第１〜第３の端子１２，１３．１４
を絶縁性のケース１８で収納封止している。
以上のように構成された正特性サーミスタ装置について
、以下その動作を説明する０第２図は本発明の一実施例
による正特性サーミスタ装置を用いた消磁回路の回路図
であり、第３図は同正特性サーミスタ装置の電流減衰特
性の説明図である０第２図において、スイッチＳＷを閉
じて正特性サーミスタ１０が通電されると、正特性サー
ミスタ１０と消磁コイル１９が直列接続になっているの
で、最初は正特性サーミスタ１ｏの抵抗値が小さいので
大きな交番電流が流れ、同時に正特性サーミスタ１ｏも
その電流で発熱し、キュリ一温度になると抵抗値が急激
に上昇し、それに伴い交番電流が徐々に小さくなるため
、消磁コイル１９には最初かかつている大きな交番磁界
が徐々に減衰し、ＣＲＴシャドウマスク周辺部に着磁し
た磁界が消去されると同時に正特性サーミスタ１０の発
熱による熱が第２の端子１３を介してバイメタル１５に
伝わり、バイメタル１５が温度上昇により熱変形し、第
３の端子１４と接触し、短絡する。
、以下その動作を説明する０第２図は本発明の一実施例
による正特性サーミスタ装置を用いた消磁回路の回路図
であり、第３図は同正特性サーミスタ装置の電流減衰特
性の説明図である０第２図において、スイッチＳＷを閉
じて正特性サーミスタ１０が通電されると、正特性サー
ミスタ１０と消磁コイル１９が直列接続になっているの
で、最初は正特性サーミスタ１ｏの抵抗値が小さいので
大きな交番電流が流れ、同時に正特性サーミスタ１ｏも
その電流で発熱し、キュリ一温度になると抵抗値が急激
に上昇し、それに伴い交番電流が徐々に小さくなるため
、消磁コイル１９には最初かかつている大きな交番磁界
が徐々に減衰し、ＣＲＴシャドウマスク周辺部に着磁し
た磁界が消去されると同時に正特性サーミスタ１０の発
熱による熱が第２の端子１３を介してバイメタル１５に
伝わり、バイメタル１５が温度上昇により熱変形し、第
３の端子１４と接触し、短絡する。
その結果、小さく減衰した交番電流が第２の端子１３と
第３の端子１４０間にバイパスされ、消磁コイル１９に
は流れなくなる。したがって、消磁コイル１９には磁界
が全く生じなくなり、ＣＲＴシャドウマスクの周辺部の
色むらを完全に除去することができる。第３図は以上の
説明による電流減衰特性である。
第３の端子１４０間にバイパスされ、消磁コイル１９に
は流れなくなる。したがって、消磁コイル１９には磁界
が全く生じなくなり、ＣＲＴシャドウマスクの周辺部の
色むらを完全に除去することができる。第３図は以上の
説明による電流減衰特性である。
なお、スイッチＳＷを開き正特性サーミスタ１Ｑの通電
を止めると第２の端子１３およびバイメタル１５の温度
が下がり、バイメタル１５は最初の形状に復帰し、第２
の端子１３と第３の端子１４は開放される。また、以上
の繰返し動作により接点の信頼性劣化が考えられること
から、第３の端子１４と接触するバイメタル１５の部分
に銀などの高導電性を有する金属材料が用いられている
。
を止めると第２の端子１３およびバイメタル１５の温度
が下がり、バイメタル１５は最初の形状に復帰し、第２
の端子１３と第３の端子１４は開放される。また、以上
の繰返し動作により接点の信頼性劣化が考えられること
から、第３の端子１４と接触するバイメタル１５の部分
に銀などの高導電性を有する金属材料が用いられている
。
発明の効果
以上のように本発明によれば、次のような低コストで高
性能外圧特性サーミスタ装置を提供することができる。
性能外圧特性サーミスタ装置を提供することができる。
（１）正特性サーミスタ１個のみの使用であるため、低
コスト化が図れる。
コスト化が図れる。
（２）バイメタルの使用により消磁コイルに流れる残電
流を完全にゼロすることができ、スイッチング特性が非
常に優れ、ＣＲＴ画面の色むらが皆無となる。
流を完全にゼロすることができ、スイッチング特性が非
常に優れ、ＣＲＴ画面の色むらが皆無となる。
（３）第２の端子とバイメタルを２個の部品で複合して
いるため、バイメタルの形状が簡単で、かつ小さくする
ことができ、熱応答性が優れ、同時低コスト化が図れる
。
いるため、バイメタルの形状が簡単で、かつ小さくする
ことができ、熱応答性が優れ、同時低コスト化が図れる
。
第１図は本発明の一実施例による正特性サーミスタ装置
を示す断面図、第２図は同正特性サーミスタ装置を用い
た消磁回路の回路図、第３図は同正特性サーミスタ装置
の電流減衰特性の説明図、第４図は従来の正特性サーミ
スタ装置の断面図、第５図は同正特性サーミスタ装置を
用いた消磁回路の回路図である。 １０・・・・・・正特性サーミスタ、１１２Ｌ、１１ｂ
・・・・・・電極、１２・・・・・・第１の端子、１３
・・・・・・第２の端子、１４・・・・・・第３の端子
、１５・・・・・・バイメタル、１６・・・・・・接点
電極、１７・・・・・・支持台、１８・・・・・・ケー
ス。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
ｌ 図 ？ｓ２図 心Ｗ ＼ １４ 等３の１４子
を示す断面図、第２図は同正特性サーミスタ装置を用い
た消磁回路の回路図、第３図は同正特性サーミスタ装置
の電流減衰特性の説明図、第４図は従来の正特性サーミ
スタ装置の断面図、第５図は同正特性サーミスタ装置を
用いた消磁回路の回路図である。 １０・・・・・・正特性サーミスタ、１１２Ｌ、１１ｂ
・・・・・・電極、１２・・・・・・第１の端子、１３
・・・・・・第２の端子、１４・・・・・・第３の端子
、１５・・・・・・バイメタル、１６・・・・・・接点
電極、１７・・・・・・支持台、１８・・・・・・ケー
ス。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
ｌ 図 ？ｓ２図 心Ｗ ＼ １４ 等３の１４子
Claims (1)
- 両面に電極を有する正特性サーミスタが平板状の第１の
端子と第２の端子との間にはさまれて圧着固定され、前
記正特性サーミスタと当接されている前記第２の端子の
部分にバイメタルを固着し、前記正特性サーミスタの発
熱による温度上昇時においては、前記バイメタルの一端
が熱変形により接触し短絡するように第３の端子が配置
され、第１〜第３の端子を支持する絶縁性の支持台と、
前記正特性サーミスタ及び第１〜第３の端子を収納封止
する絶縁性のケースにより構成された正特性サーミスタ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120439A JPS63285901A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 正特性サ−ミスタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120439A JPS63285901A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 正特性サ−ミスタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285901A true JPS63285901A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14786232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62120439A Pending JPS63285901A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 正特性サ−ミスタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63285901A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5909168A (en) * | 1996-02-09 | 1999-06-01 | Raychem Corporation | PTC conductive polymer devices |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP62120439A patent/JPS63285901A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5909168A (en) * | 1996-02-09 | 1999-06-01 | Raychem Corporation | PTC conductive polymer devices |
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