JPS63287325A - 突入電流防止用素子 - Google Patents
突入電流防止用素子Info
- Publication number
- JPS63287325A JPS63287325A JP62120435A JP12043587A JPS63287325A JP S63287325 A JPS63287325 A JP S63287325A JP 62120435 A JP62120435 A JP 62120435A JP 12043587 A JP12043587 A JP 12043587A JP S63287325 A JPS63287325 A JP S63287325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor element
- hole
- thermister
- electrodes
- inrush current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、各種電源においてスイッチ投入時の突入電流
制御用等に用いられる突入電流防止用素子に関するもの
である。
制御用等に用いられる突入電流防止用素子に関するもの
である。
従来の技術
以下、図面を参照しながら、従来の突入電流防止用素子
について説明を行う。
について説明を行う。
従来の突入電流防止用素子は第３図に示す様に、円板状
に焼成し両面に電極１ａ、１ｂを形成した負特性サーミ
スタ素子（以下ＮＴＣサーミスタ素子という）１と、円
板状に焼成し電極２ａ、２ｂを形成した正特性サーミス
タ素子（以下ＰＴＣサーミスタ素子という）２で電極板
３を中央に挾み、前記電極板３を挾んだ前記ＮＴＣサー
ミスタ素子１および前記ＰＴＣサーミスタ素子２をバネ
電極板４１Ｌ、４ｂにて挾持し、さらにケース６の中に
前記ＮＴＣサーミスタ素子１、前記ＰＴＣサーミところ
がこのような従来の構成では、ＮＴＣサーミスタ素子１
とＰＴＣサーミスタ素子２が電極板３を介在して存在し
ているため、ＮＴＣサーミスタ素子１とＰＴＣサーミス
タ素子２の熱的結合が悪く、電源ＯＮ時の突入電流防止
用素子の抵抗値変化に時間がかがり、電源の起動特性が
すぐれなかった。また、ＮＴＣサーミスタ素子１とＰＴ
Ｃｉサーミスタ素子２の熱結合を良くするため、両サー
ミスタ素子１，２をケース５の中に収納すると、放熱が
悪くなるため、許容電流が小さくなり、かつ、電源の再
起動が可能になるまでの冷却時間も長くかかった。さら
に、プリント基板上に実装した時、占有面積が太きかっ
た。
に焼成し両面に電極１ａ、１ｂを形成した負特性サーミ
スタ素子（以下ＮＴＣサーミスタ素子という）１と、円
板状に焼成し電極２ａ、２ｂを形成した正特性サーミス
タ素子（以下ＰＴＣサーミスタ素子という）２で電極板
３を中央に挾み、前記電極板３を挾んだ前記ＮＴＣサー
ミスタ素子１および前記ＰＴＣサーミスタ素子２をバネ
電極板４１Ｌ、４ｂにて挾持し、さらにケース６の中に
前記ＮＴＣサーミスタ素子１、前記ＰＴＣサーミところ
がこのような従来の構成では、ＮＴＣサーミスタ素子１
とＰＴＣサーミスタ素子２が電極板３を介在して存在し
ているため、ＮＴＣサーミスタ素子１とＰＴＣサーミス
タ素子２の熱的結合が悪く、電源ＯＮ時の突入電流防止
用素子の抵抗値変化に時間がかがり、電源の起動特性が
すぐれなかった。また、ＮＴＣサーミスタ素子１とＰＴ
Ｃｉサーミスタ素子２の熱結合を良くするため、両サー
ミスタ素子１，２をケース５の中に収納すると、放熱が
悪くなるため、許容電流が小さくなり、かつ、電源の再
起動が可能になるまでの冷却時間も長くかかった。さら
に、プリント基板上に実装した時、占有面積が太きかっ
た。
本発明はこのような従来の問題点を解消するもので、高
性能、高信頼性の突入電流防止用素子を提供することを
目的とするものである。
性能、高信頼性の突入電流防止用素子を提供することを
目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明の突入電流防止用素
子は、板状に焼成し両面に電極を形成したＮＴＣサーミ
スタ素子（またはＰＴＣサーミスタ素子）を、前記ＮＴ
Ｃサーミスタ素子（またはｐ’ｒｃサーミスタ素子）を
収納できる貫通穴を有する板状に焼成すると共に両面に
電極を形成したＰＴＣサーミスタ素子（またはＮＴＣサ
ーミスタ素子）の前記貫通穴の中に収納し、前記ＮＴＣ
サーミスタ素子と前記ＰＴＣサーミスタ素子が並列接続
となるようにリード線を接続したものである。
子は、板状に焼成し両面に電極を形成したＮＴＣサーミ
スタ素子（またはＰＴＣサーミスタ素子）を、前記ＮＴ
Ｃサーミスタ素子（またはｐ’ｒｃサーミスタ素子）を
収納できる貫通穴を有する板状に焼成すると共に両面に
電極を形成したＰＴＣサーミスタ素子（またはＮＴＣサ
ーミスタ素子）の前記貫通穴の中に収納し、前記ＮＴＣ
サーミスタ素子と前記ＰＴＣサーミスタ素子が並列接続
となるようにリード線を接続したものである。
作用
本発明の突入電流防止用素子はＰＴＣサーミスタ素子の
貫通穴にＮＴＣサーミスタを収納しているため、画素子
間の熱結合が良くなり、電源ＯＮ時の抵抗値変化が早く
、許容電流が大きく、冷却時間も短かく、さらにプリン
ト基板に実装した時の占有面積も小さい、突入電流防止
用素子を提供することができる。
貫通穴にＮＴＣサーミスタを収納しているため、画素子
間の熱結合が良くなり、電源ＯＮ時の抵抗値変化が早く
、許容電流が大きく、冷却時間も短かく、さらにプリン
ト基板に実装した時の占有面積も小さい、突入電流防止
用素子を提供することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例の突入電流防止用素子を図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
第１図は本発明における突入電流防止用素子の一実施例
を示す正面図、第２図は同側面図である。
を示す正面図、第２図は同側面図である。
第１図および第２図に示すように、円板状に焼成し両面
に電極ｅａ、６ｂを形成したＮＴＣサーミスタ素子６を
、前記ＮＴＣサーミスタ素子６の直径よりやや大きい円
形の貫通穴を有すると共に同じ厚みに焼成し電極７１Ｌ
、 ７ｂを形成したＰＴＣサーミスタ素子７の前記貫
通穴の中に収納し、前記ＮＴＣサーミスタ素子らおよび
前記ＰＴＣサーミスタ素子７が並列接続となるようリー
ド線８２Ｌ。
に電極ｅａ、６ｂを形成したＮＴＣサーミスタ素子６を
、前記ＮＴＣサーミスタ素子６の直径よりやや大きい円
形の貫通穴を有すると共に同じ厚みに焼成し電極７１Ｌ
、 ７ｂを形成したＰＴＣサーミスタ素子７の前記貫
通穴の中に収納し、前記ＮＴＣサーミスタ素子らおよび
前記ＰＴＣサーミスタ素子７が並列接続となるようリー
ド線８２Ｌ。
８ｂを半田９にて接続し、さらに外装樹脂１ｏにてコー
ティングした構成になっている。
ティングした構成になっている。
発明の効果
以上のように構成された本発明は下記のような効果を有
する。
する。
（ｉ）ＮＴＣサーミスタ素子がＰＴＣサーミスタ素子内
に収納されているため、画素子間の熱結合が良く、電源
ＯＮ時の抵抗値の応答性が早く、電源の起動性にすぐれ
ている。
に収納されているため、画素子間の熱結合が良く、電源
ＯＮ時の抵抗値の応答性が早く、電源の起動性にすぐれ
ている。
（ｉｉ）ＮＴＣサーミスタ素子とｐ’ｒｃサーミスタ素
子の熱結合が良く、ケースに収納する必要がないため、
素子の熱放散が良く許容電流が大きくなりかつ電源の再
起動が可能となるまでの冷却時間も短かくなる。
子の熱結合が良く、ケースに収納する必要がないため、
素子の熱放散が良く許容電流が大きくなりかつ電源の再
起動が可能となるまでの冷却時間も短かくなる。
（ｉｉｉ）ＮＴＣサーミセタ素子がＰＴＣサーミスタ素
子内に収納されているため、プリント基板に実装時、占
有面積が小さくできる。
子内に収納されているため、プリント基板に実装時、占
有面積が小さくできる。
尚、上記実施例においてＮＴＧサーミスタ素子とＰＴＣ
サーミスタ素子の関係を逆にしても、本発明は効果を奏
するものである。
サーミスタ素子の関係を逆にしても、本発明は効果を奏
するものである。
第１図は本発明の一実施例による突入電流防止用素子を
示す正面図、第２図は同側面図、第３図は従来の突入電
流防止用素子を示す側面図である。 ６・・・・・・ＮＴＣサーミスタ素子（負特性サーミス
タ素子）、７・・・・・・ＰＴＣサーミスタ素子（正特
性サーミスタ素子）、６２Ｌ 、６ｂ 、７Ｎ 、７ｂ
−・−・−電極、８２Ｌ、８ｂ・・・・・刊−ド線、９
・・・・・・半田、１０・・・・・・外装樹脂。
示す正面図、第２図は同側面図、第３図は従来の突入電
流防止用素子を示す側面図である。 ６・・・・・・ＮＴＣサーミスタ素子（負特性サーミス
タ素子）、７・・・・・・ＰＴＣサーミスタ素子（正特
性サーミスタ素子）、６２Ｌ 、６ｂ 、７Ｎ 、７ｂ
−・−・−電極、８２Ｌ、８ｂ・・・・・刊−ド線、９
・・・・・・半田、１０・・・・・・外装樹脂。
Claims (1)
- 板状に焼成し両面に電極を形成した負特性サーミスタ素
子（または正特性サーミスタ素子）を、前記負特性サー
ミスタ素子（または正特性サーミスタ素子）を収納でき
る貫通穴を有する板状に焼成すると共に両面に電極を形
成した正特性サーミスタ素子（または負特性サーミスタ
素子）の前記貫通穴の中に収納し、前記負特性サーミス
タ素子と前記正特性サーミスタ素子が並列接続になるよ
うにリード線を接続した突入電流防止用素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120435A JPS63287325A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 突入電流防止用素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120435A JPS63287325A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 突入電流防止用素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63287325A true JPS63287325A (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=14786139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62120435A Pending JPS63287325A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 突入電流防止用素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63287325A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124743U (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-17 | ||
| CN110981465A (zh) * | 2019-12-14 | 2020-04-10 | 宁波桑尼电子有限公司 | 低压低阻热敏元件及其制备方法 |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP62120435A patent/JPS63287325A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124743U (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-17 | ||
| CN110981465A (zh) * | 2019-12-14 | 2020-04-10 | 宁波桑尼电子有限公司 | 低压低阻热敏元件及其制备方法 |
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