JPS6358902A - 消磁素子 - Google Patents
消磁素子Info
- Publication number
- JPS6358902A JPS6358902A JP61204115A JP20411586A JPS6358902A JP S6358902 A JPS6358902 A JP S6358902A JP 61204115 A JP61204115 A JP 61204115A JP 20411586 A JP20411586 A JP 20411586A JP S6358902 A JPS6358902 A JP S6358902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- positive
- thermistor
- positive temperature
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、カラーテレビジョン受像機のブラウン管に使
用される消磁コイルに直列に接続される正特性サーミス
タを用いたもので、特べ残電流を減らすためにヒータ用
の素子を用いた消磁素子に関するものである。
用される消磁コイルに直列に接続される正特性サーミス
タを用いたもので、特べ残電流を減らすためにヒータ用
の素子を用いた消磁素子に関するものである。
従来の技術
従来、この種の消磁素子は、第４図に示すような構成で
あった（実開昭５７−１６６４７４号公報）。第４図に
おいて、１は両面に電箇２が設けられた消磁用の正特性
サーミスタで、そのキュリー温度は５０℃のものである
。３はヒータ用の別の正特性サーミスタで、同様に電極
４が設けられており、そのキュリー温度は１２０℃であ
る。５は銀メッキされた黄銅板などの共通端子板で、上
記正特性サーミスタ１，３のそれぞれの一方の電極に共
通に接している。６，７はステンレスなどのバネ端子で
、２つの正特性サーミスタ１，３を外から圧着して保持
し、かつ、それぞれの正特性サーミスタ１，３の他方の
電極に接している。８はフェノール樹脂などによる底板
で、バネ端子ら。
あった（実開昭５７−１６６４７４号公報）。第４図に
おいて、１は両面に電箇２が設けられた消磁用の正特性
サーミスタで、そのキュリー温度は５０℃のものである
。３はヒータ用の別の正特性サーミスタで、同様に電極
４が設けられており、そのキュリー温度は１２０℃であ
る。５は銀メッキされた黄銅板などの共通端子板で、上
記正特性サーミスタ１，３のそれぞれの一方の電極に共
通に接している。６，７はステンレスなどのバネ端子で
、２つの正特性サーミスタ１，３を外から圧着して保持
し、かつ、それぞれの正特性サーミスタ１，３の他方の
電極に接している。８はフェノール樹脂などによる底板
で、バネ端子ら。
アや共通端子板５を保持している。９は同様に７エノー
ル樹脂などによるケースで、これらの正特性サーミスタ
１，３などを収納している。
ル樹脂などによるケースで、これらの正特性サーミスタ
１，３などを収納している。
第５図はこのような消磁素子の使用回路図である。消磁
用の正特性サーミスタ１はカラーテレビジョン受像機の
ブラウン管の周囲に巻いである消磁コイル１ｏと直列に
接続してある。３は上述したようにヒータ用の正特性サ
ーミスタで、上記の消磁用の正特性サーミスタ１と熱結
合している。
用の正特性サーミスタ１はカラーテレビジョン受像機の
ブラウン管の周囲に巻いである消磁コイル１ｏと直列に
接続してある。３は上述したようにヒータ用の正特性サ
ーミスタで、上記の消磁用の正特性サーミスタ１と熱結
合している。
正特性サーミスタはチタン酸バリウムを主成分とした半
導体セラミクスで、ある温度（キュリー温度）までは抵
抗が低く、それよりも温度が高くなると急激に抵抗が高
くなる性質を持っている。
導体セラミクスで、ある温度（キュリー温度）までは抵
抗が低く、それよりも温度が高くなると急激に抵抗が高
くなる性質を持っている。
この正特性サーミスタに電圧を印加すると、最初は抵抗
が低いので大きな電流が流れ、それと共に正特性サーミ
スタ自身が自己発熱をして温度が上昇する。その温度が
キュリー温度に達すると抵抗値が大きくなり、電流は減
少して発熱量は少なくなり、熱平衡に達した状態で安定
する。このよって交流電圧を印カロすると、消磁コイル
１０に最初は大きな′に流が流れ、大きな交番磁界が発
生する。
が低いので大きな電流が流れ、それと共に正特性サーミ
スタ自身が自己発熱をして温度が上昇する。その温度が
キュリー温度に達すると抵抗値が大きくなり、電流は減
少して発熱量は少なくなり、熱平衡に達した状態で安定
する。このよって交流電圧を印カロすると、消磁コイル
１０に最初は大きな′に流が流れ、大きな交番磁界が発
生する。
その後、電流が少なくなるに従って発生する磁界も小さ
くなるので、消磁が行われる。この時、ヒータ用の正特
性サーミスタ３にも電圧が印加され、その熱が消磁用の
正特性サーミスタ１に伝わるので、消磁用の正特性サー
ミスタ１の熱平衡温度が上昇し、その抵抗値が大きくな
るので、安定状態での磁界がより少なくなる。
くなるので、消磁が行われる。この時、ヒータ用の正特
性サーミスタ３にも電圧が印加され、その熱が消磁用の
正特性サーミスタ１に伝わるので、消磁用の正特性サー
ミスタ１の熱平衡温度が上昇し、その抵抗値が大きくな
るので、安定状態での磁界がより少なくなる。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、次のような欠点があった。
すなわち、消磁用の正特性サーミスタの安定電流をより
小さくするためには、ヒータ用の正特性サーミスタとの
熱結合を十分にして、ヒータ用の正特性サーミスタの熱
を消磁用の正特性サーミスタに十分に伝えてやれば良い
が、従来の構成では、それらをバネ端子で圧着した構成
であるため、両方の正特性サーミスタが反っていたり、
凹凸があると、両者の間に空間が生じてそれらの間の熱
結合が不十分となり、ヒータ用正特性サーミスタの効果
が十分に発揮できず、消磁用正特性サーミスタに流れる
電流も十分に小さくはならなかった。またそのために、
従来の構成では正特性サーミスタの両面を研磨する必要
があるため、高価なものになっていた。さらに、バネ端
子で圧着しているため、バネ端子を保持する底板の強度
が必要なため、その厚さを増加する必要があり、これま
た高師なものになっていた。また、振動によって正特性
サーミスタが移動したりして接触不良の恐れもあった。
小さくするためには、ヒータ用の正特性サーミスタとの
熱結合を十分にして、ヒータ用の正特性サーミスタの熱
を消磁用の正特性サーミスタに十分に伝えてやれば良い
が、従来の構成では、それらをバネ端子で圧着した構成
であるため、両方の正特性サーミスタが反っていたり、
凹凸があると、両者の間に空間が生じてそれらの間の熱
結合が不十分となり、ヒータ用正特性サーミスタの効果
が十分に発揮できず、消磁用正特性サーミスタに流れる
電流も十分に小さくはならなかった。またそのために、
従来の構成では正特性サーミスタの両面を研磨する必要
があるため、高価なものになっていた。さらに、バネ端
子で圧着しているため、バネ端子を保持する底板の強度
が必要なため、その厚さを増加する必要があり、これま
た高師なものになっていた。また、振動によって正特性
サーミスタが移動したりして接触不良の恐れもあった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、両方の正
特性サーミスタの熱結合が十分で安定電流が小さく、振
動や衝撃に強く、信頼性の高い消磁素子を提供すること
を目的とするものである。
特性サーミスタの熱結合が十分で安定電流が小さく、振
動や衝撃に強く、信頼性の高い消磁素子を提供すること
を目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、消磁用の第１の
正特性サーミスタと、それよりもキュリー温度が高いヒ
ータ用の第２の正特性サーミスタと、３ケのリード端子
とを有し、それぞれ一方の電極面が相対向するように置
かれた上記２ケの正特性サーミスタの間に、１ケの共通
リード端子を、またそれぞれ他方の電極に別のリード端
子を半田で固着したものである。
正特性サーミスタと、それよりもキュリー温度が高いヒ
ータ用の第２の正特性サーミスタと、３ケのリード端子
とを有し、それぞれ一方の電極面が相対向するように置
かれた上記２ケの正特性サーミスタの間に、１ケの共通
リード端子を、またそれぞれ他方の電極に別のリード端
子を半田で固着したものである。
作用
この構成により、第５図に示すように消磁用の第１の正
特性サーミスタに消磁コイルを直列に接続して交流電圧
を印加すると、消磁コイルに最初は大きな電流が流れ、
大きな交番磁界が発生する。
特性サーミスタに消磁コイルを直列に接続して交流電圧
を印加すると、消磁コイルに最初は大きな電流が流れ、
大きな交番磁界が発生する。
その後、電流が少なくなるに従って発生する磁界も小さ
くなるので消磁が行われる。この時、ヒータ用の第２の
正特性サーミスタにも同時に印加され、そのキュリー温
度は消磁用の第１の正特性サーミスタより高いので安定
状態の温度は高く、また両方の正特性サーミスタは熱伝
導率の良い半田で固着されているため、第２の正特性サ
ーミスタの熱が効率良く第１の正特性サーミスタに伝わ
り、第１の正特性サーミスタの熱平衡温度が上昇し、そ
の抵抗値が大きくなるので、安定状態での電流は少なく
なり、不要な安定状態での磁界が少なくなる。
くなるので消磁が行われる。この時、ヒータ用の第２の
正特性サーミスタにも同時に印加され、そのキュリー温
度は消磁用の第１の正特性サーミスタより高いので安定
状態の温度は高く、また両方の正特性サーミスタは熱伝
導率の良い半田で固着されているため、第２の正特性サ
ーミスタの熱が効率良く第１の正特性サーミスタに伝わ
り、第１の正特性サーミスタの熱平衡温度が上昇し、そ
の抵抗値が大きくなるので、安定状態での電流は少なく
なり、不要な安定状態での磁界が少なくなる。
実施例
第１図は本発明の一実施例による消磁素子の正断面図で
ある。第１図において、１１は両面に電啄１２が設けら
れたキュリー温度が５０℃の第１の正特性サーミスタで
ある。１３は同様に両面に電極１４が設けられたキュリ
ー温度が１２０’Ｃの第２の正特性サーミスタである。
ある。第１図において、１１は両面に電啄１２が設けら
れたキュリー温度が５０℃の第１の正特性サーミスタで
ある。１３は同様に両面に電極１４が設けられたキュリ
ー温度が１２０’Ｃの第２の正特性サーミスタである。
１６，１６．１７は銅などのリード端子で、そのうちの
一つは上記２つの正特性サーミスタ１１．１３のそれぞ
れ相対向する電極面に半田１８で固着されており、他の
２つは別のそれぞれの電極面に同様に半田１８で固着さ
れている。
一つは上記２つの正特性サーミスタ１１．１３のそれぞ
れ相対向する電極面に半田１８で固着されており、他の
２つは別のそれぞれの電極面に同様に半田１８で固着さ
れている。
本発明による消磁素子は、消磁用の第１の正特性サーミ
スタとヒータ用の第２の正特性サーミスタのそれぞれの
電極面を半田で固着し、さらにリード端子も半田で固着
しているため、正特性サーミスタに反りや凹凸があった
としても、熱伝導性の良好な半田によって両者の熱結合
が十分になり、消磁用の正特性サーミスタの熱平衡温度
が高くなり、安定電流が少なくなる。また、リード端子
は半田で電極に固着されているので、接触不良の恐れも
なく、信頼性が高くなっている。
スタとヒータ用の第２の正特性サーミスタのそれぞれの
電極面を半田で固着し、さらにリード端子も半田で固着
しているため、正特性サーミスタに反りや凹凸があった
としても、熱伝導性の良好な半田によって両者の熱結合
が十分になり、消磁用の正特性サーミスタの熱平衡温度
が高くなり、安定電流が少なくなる。また、リード端子
は半田で電極に固着されているので、接触不良の恐れも
なく、信頼性が高くなっている。
第２図は本発明の別の実施例であるっ第２図において、
１１は両面に電極１２が設けられたキュリー温度が５０
℃の第１の正特性サーミスタである。１３は同様に両面
に電極１４が設けられたキュリー温度が１２０℃の第２
の正特性サーミスタである。１５，１６．１７は銅など
のリード端子で、そのうちの一つは上記２つの正特性サ
ーミスタ１１．１３のそれぞれ相対向する電極面に半田
１８で固着されており、他の２つは別のそれぞれの電極
面に同様に半田１８で固着されている。１９はエポキシ
系やシリコン系などの絶縁樹脂で、２つの正特性サーミ
スタ１１．１３を覆っている。
１１は両面に電極１２が設けられたキュリー温度が５０
℃の第１の正特性サーミスタである。１３は同様に両面
に電極１４が設けられたキュリー温度が１２０℃の第２
の正特性サーミスタである。１５，１６．１７は銅など
のリード端子で、そのうちの一つは上記２つの正特性サ
ーミスタ１１．１３のそれぞれ相対向する電極面に半田
１８で固着されており、他の２つは別のそれぞれの電極
面に同様に半田１８で固着されている。１９はエポキシ
系やシリコン系などの絶縁樹脂で、２つの正特性サーミ
スタ１１．１３を覆っている。
この構成では、消磁素子の周囲が絶縁されており、回路
基板上で他の部品が接触してもショートする恐れがなく
なっている。
基板上で他の部品が接触してもショートする恐れがなく
なっている。
第３図はさらに別の実施例である。第３図において１１
は両電極面に電極１２が設けられたキュリー温度が５０
℃の第１の正特性サーばスタである。１３は同様に両面
に電極１４が設けられたキュリー温度が１２０℃の第２
の正特性サーミスタである。１５，１６．１７は銅など
のリード端子で、そのうちの一つは上記２つの正特性サ
ーミスタ１１．１３のそれぞれ相対向する電１面に半田
１８で固着されており、他の２つは別のそれぞれの電極
面に同様に半田１８で固着されている。２０はフェノー
ル樹脂などによる底板で、リード端子１５．１６．１７
を貫通して固定している。２１は同じくフェノール樹脂
などによるケースで、正特性サーミスタ１１．１３を収
納している。
は両電極面に電極１２が設けられたキュリー温度が５０
℃の第１の正特性サーばスタである。１３は同様に両面
に電極１４が設けられたキュリー温度が１２０℃の第２
の正特性サーミスタである。１５，１６．１７は銅など
のリード端子で、そのうちの一つは上記２つの正特性サ
ーミスタ１１．１３のそれぞれ相対向する電１面に半田
１８で固着されており、他の２つは別のそれぞれの電極
面に同様に半田１８で固着されている。２０はフェノー
ル樹脂などによる底板で、リード端子１５．１６．１７
を貫通して固定している。２１は同じくフェノール樹脂
などによるケースで、正特性サーミスタ１１．１３を収
納している。
このような構成であれば、正特性サーミスタとの間に空
間を設けてケースで覆っているだめ、ケースの外側の温
度が低くなり、かつ絶縁されているので、回路基板上で
用いた時、他の部品への熱の影響がなくなり、使い易く
なっている。また、リード端子を半田で正特性サーばス
タに固着し、保持しているので、バネ端子のように保持
するために強度を必要とすることがないので、底板の厚
さを薄くすることができ、安価な消磁素子を提供するこ
とができる。
間を設けてケースで覆っているだめ、ケースの外側の温
度が低くなり、かつ絶縁されているので、回路基板上で
用いた時、他の部品への熱の影響がなくなり、使い易く
なっている。また、リード端子を半田で正特性サーばス
タに固着し、保持しているので、バネ端子のように保持
するために強度を必要とすることがないので、底板の厚
さを薄くすることができ、安価な消磁素子を提供するこ
とができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、正特性サーミスタに反り
や凹凸があっても、研磨することなく熱結合を良好にす
ることができ、安価で安定電流の小さい消磁素子を提供
できる。また、リード端子が半田で固着されているため
、接触不良の恐れがなく、またケースに収納した場合、
その底板の強度が不必要なため、信頼性の高い消磁素子
を安価に提供できる。
や凹凸があっても、研磨することなく熱結合を良好にす
ることができ、安価で安定電流の小さい消磁素子を提供
できる。また、リード端子が半田で固着されているため
、接触不良の恐れがなく、またケースに収納した場合、
その底板の強度が不必要なため、信頼性の高い消磁素子
を安価に提供できる。
第１図、第２図、第３図はそれぞれ本発明の実施例によ
る消磁素子を示す正断面図、第４図は従来の消磁素子を
示す正断面図、第５図はこれらの消磁素子を用いる時の
回路を示す回路図である。 １１・・・・・・消磁用の正特性サーミスタ、１２・・
・・・・電極、１３・・・・・・ヒータ用の正特性サー
ミスタ、１４・・・・・・２極、１５，１６．１７・・
・・・・リード端子、１８・・・・・・半田、１９・・
・・・・樹脂、２０・・・・・・底板、２１・・・・・
・ケース。
る消磁素子を示す正断面図、第４図は従来の消磁素子を
示す正断面図、第５図はこれらの消磁素子を用いる時の
回路を示す回路図である。 １１・・・・・・消磁用の正特性サーミスタ、１２・・
・・・・電極、１３・・・・・・ヒータ用の正特性サー
ミスタ、１４・・・・・・２極、１５，１６．１７・・
・・・・リード端子、１８・・・・・・半田、１９・・
・・・・樹脂、２０・・・・・・底板、２１・・・・・
・ケース。
Claims (3)
- （１）消磁用の第１の正特性サーミスタと、それよりも
キュリー温度の高いヒータ用の第２の正特性サーミスタ
と、３ケのリード端子とを有し、それぞれ一方の電極面
が相対向するように置かれた上記２ケの正特性サーミス
タの間に、１ケの共通リード端子を、またそれぞれ他方
の電極に別のリード端子を半田で固着された消磁素子。 - （２）２ケの正特性サーミスタが絶縁性樹脂で覆われた
特許請求の範囲第１項記載の消磁素子。 - （３）２ケの正特性サーミスタを絶縁ケースの中に収納
し、３ケのリード端子はその端部を絶縁ケースの外に出
し、かつ絶縁ケースの壁面に固定してある特許請求の範
囲第１項記載の消磁素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61204115A JPS6358902A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 消磁素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61204115A JPS6358902A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 消磁素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358902A true JPS6358902A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16485060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61204115A Pending JPS6358902A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 消磁素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358902A (ja) |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61204115A patent/JPS6358902A/ja active Pending
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