JPS632903B2 - - Google Patents
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- JPS632903B2 JPS632903B2 JP59069569A JP6956984A JPS632903B2 JP S632903 B2 JPS632903 B2 JP S632903B2 JP 59069569 A JP59069569 A JP 59069569A JP 6956984 A JP6956984 A JP 6956984A JP S632903 B2 JPS632903 B2 JP S632903B2
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- Japan
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- base material
- shielding layer
- partition wall
- porous base
- manufacturing
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/10—Non-chemical treatment
- C03B37/12—Non-chemical treatment of fibres or filaments during winding up
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/0144—Means for after-treatment or catching of worked reactant gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 技術分野
この発明は光フアイバー用の多孔質母材を製造
するために用いる、主としてVAD装置の改良
（VAD以外にも、それと原理を同じくする外すす
付け方法において効果を有する）に関するもので
ある。
するために用いる、主としてVAD装置の改良
（VAD以外にも、それと原理を同じくする外すす
付け方法において効果を有する）に関するもので
ある。
(ロ) 技術背景
VAD装置において、SiO2を主成分とする光フ
アイバー用の多孔質母材を成長させている際に多
孔質母材の表面の一部に異常に多くのSiO2微粒
子が付着したり、割れたり、あるいはそれらの結
果落下するような現象がよく生じる。
アイバー用の多孔質母材を成長させている際に多
孔質母材の表面の一部に異常に多くのSiO2微粒
子が付着したり、割れたり、あるいはそれらの結
果落下するような現象がよく生じる。
そしてこのような異常の生じた多孔質母材はほ
とんどが不良品となるのである。
とんどが不良品となるのである。
即ち、VAD装置の多孔質母材と成長させてい
る部分を取囲むマツフルと呼ばれる隔離室の隔壁
は、一般にガラスや石英で作られている。そして
この部分に酸水素バーナからでた帯電したSiO2
の微粒子が当ると、隔壁のガラスや石英の帯電の
ための静電気効果により、これが吸引されて隔壁
としてのガラスや石英面に積層する。そして時間
とともにその積層量が増加すると、その一部が自
重により落下し、その途中で成長中の多孔質母材
に接触したり、または下部にある酸水素バーナに
より吹き上げられて多孔質母材の表面上に異常な
SiO2の突起状物体を形成したりする。
る部分を取囲むマツフルと呼ばれる隔離室の隔壁
は、一般にガラスや石英で作られている。そして
この部分に酸水素バーナからでた帯電したSiO2
の微粒子が当ると、隔壁のガラスや石英の帯電の
ための静電気効果により、これが吸引されて隔壁
としてのガラスや石英面に積層する。そして時間
とともにその積層量が増加すると、その一部が自
重により落下し、その途中で成長中の多孔質母材
に接触したり、または下部にある酸水素バーナに
より吹き上げられて多孔質母材の表面上に異常な
SiO2の突起状物体を形成したりする。
このため多孔質母材の持つべき長手軸方向に一
様性であるべき特性を損うのである。
様性であるべき特性を損うのである。
このことを従来使用されている光フアイバー母
材製造のための第１図のようなVAD装置につい
て説明すると、２がターゲツト材の石英棒などで
あり、このターゲツト材の先端に光フアイバーの
多孔質母材１が成長する。
材製造のための第１図のようなVAD装置につい
て説明すると、２がターゲツト材の石英棒などで
あり、このターゲツト材の先端に光フアイバーの
多孔質母材１が成長する。
３は酸水素バーナで、酸素と水素を燃焼ガスと
し、さらにこの酸水素バーナ３はバーナ内部が多
重管（図示省略）になつていてSiCl4、GeCl4、
Arなどを同時に吹出すことができるようになつ
ている。
し、さらにこの酸水素バーナ３はバーナ内部が多
重管（図示省略）になつていてSiCl4、GeCl4、
Arなどを同時に吹出すことができるようになつ
ている。
４はその焔であり、この内部には酸化した
SiO2、GeO2などの微粒子が存在する。
SiO2、GeO2などの微粒子が存在する。
５はこれらを取囲むマツフルと呼ばれる隔壁で
あつて、外界との隔離を目的としており、一般に
は通常のガラス、石英質ガラスなどからなつてい
る。
あつて、外界との隔離を目的としており、一般に
は通常のガラス、石英質ガラスなどからなつてい
る。
このガラス類は一般に帯電しやすく、付近に微
小物体が飛来してくると、それらの帯電関係によ
り吸着してしまう。このため酸水素バーナ３によ
り隔壁５内で発生するSiO2、GeO2などの微粒子
は、多孔質母材製造中に隔壁の内面に堆積する。
小物体が飛来してくると、それらの帯電関係によ
り吸着してしまう。このため酸水素バーナ３によ
り隔壁５内で発生するSiO2、GeO2などの微粒子
は、多孔質母材製造中に隔壁の内面に堆積する。
また、これらの微粒子自体も帯電しているの
で、隔壁の帯電に対する異種帯電粒子は吸着が加
速される。
で、隔壁の帯電に対する異種帯電粒子は吸着が加
速される。
このようにして堆積が発生し、それが成長する
と重力のためにその一部が落下し、一時的に隔壁
内部は不安定な状態となり、母材の表面に多量の
SiO2が付着したり、落下物が多孔質母材に当る
ことにより、母材にクラツクが発生し、また一部
の落下が見られる。
と重力のためにその一部が落下し、一時的に隔壁
内部は不安定な状態となり、母材の表面に多量の
SiO2が付着したり、落下物が多孔質母材に当る
ことにより、母材にクラツクが発生し、また一部
の落下が見られる。
これによりVAD生産歩留りが低下する。
第１図において、６は隔壁に取付けられた排気
孔であり、酸水素バーナ３により流入したガス、
発生したガスあるいは廃棄物質がこの排気孔６に
より外部へ排出される。
孔であり、酸水素バーナ３により流入したガス、
発生したガスあるいは廃棄物質がこの排気孔６に
より外部へ排出される。
(ハ) 発明の開示
このような従来のVAD装置における隔壁表面
でのSiO2やGeO2の微粒子の堆積、あるいはこれ
らの落下による多孔質母材への悪影響といつた欠
点を改善すべく検討の結果得られたのが、この発
明の隔壁内表面に導電性材質の遮蔽層を母材と酸
水素バーナを取巻くように設置したVAD装置で
ある。
でのSiO2やGeO2の微粒子の堆積、あるいはこれ
らの落下による多孔質母材への悪影響といつた欠
点を改善すべく検討の結果得られたのが、この発
明の隔壁内表面に導電性材質の遮蔽層を母材と酸
水素バーナを取巻くように設置したVAD装置で
ある。
即ち、この発明のVAD装置では隔壁が帯電し、
且つこの帯電のために発生する電界を隔壁内部ま
で及ぼさずにシールドすることにより母材製造中
の空間を外部電界の影響を断ち、安定化するので
ある。
且つこの帯電のために発生する電界を隔壁内部ま
で及ぼさずにシールドすることにより母材製造中
の空間を外部電界の影響を断ち、安定化するので
ある。
このために母材製造で、その全過程中において
安定したすす付けが可能となるものである。
安定したすす付けが可能となるものである。
以下、この発明になる装置をその一実施例を示
す第２図を参照して具体的に説明する。
す第２図を参照して具体的に説明する。
なおこの第２図中、第１図と同部位で同じ働き
をする部分については第１図と同一符号を付して
その説明を省略する。
をする部分については第１図と同一符号を付して
その説明を省略する。
第２図において、隔壁５と多孔質の光フアイバ
ー用母材１、酸水素バーナ３から出る焔４との間
を導電性材質からなる遮蔽層７で取囲む。（但し、
光フアイバー母材のターゲツト材２に近い側は一
部囲みの中に物理的に入れることは無理である
が）この場合、最も現実的に遮蔽層７を隔壁５内
面に取付け容易にする形状は、網状のほぼ球形状
の物体で、これを遮蔽層７として取付けるもので
ある。
ー用母材１、酸水素バーナ３から出る焔４との間
を導電性材質からなる遮蔽層７で取囲む。（但し、
光フアイバー母材のターゲツト材２に近い側は一
部囲みの中に物理的に入れることは無理である
が）この場合、最も現実的に遮蔽層７を隔壁５内
面に取付け容易にする形状は、網状のほぼ球形状
の物体で、これを遮蔽層７として取付けるもので
ある。
この場合、球形状の網状の遮蔽層７は酸水素バ
ーナ３の取付けや光フアイバー母材１の通過のた
めの所定の孔をあけておくことが好ましい。
ーナ３の取付けや光フアイバー母材１の通過のた
めの所定の孔をあけておくことが好ましい。
このような網状の球形状の導電性材質からなる
遮蔽層７を隔壁５の内面に取付けた場合は、その
外側に存在する電界が遮蔽層７の内部には全く影
響を及ぼさない。換言すれば、隔壁５のガラスが
帯電したために、それによる周辺に存在する電
界、隔壁５の内側に付着、形成されたSiO2の微
粒子による電界は、この遮蔽層７の有する遮蔽効
果により内部に電界が及ばない。
遮蔽層７を隔壁５の内面に取付けた場合は、その
外側に存在する電界が遮蔽層７の内部には全く影
響を及ぼさない。換言すれば、隔壁５のガラスが
帯電したために、それによる周辺に存在する電
界、隔壁５の内側に付着、形成されたSiO2の微
粒子による電界は、この遮蔽層７の有する遮蔽効
果により内部に電界が及ばない。
なお、上記では導電性材質からなる遮蔽層とし
て網状の球形状のものを用いた場合について説明
したが、隔壁５が、例えば円柱状であるような場
合においては、これに見合う円柱状またはそれに
底のついた導電性材質で、網状かまたはパンチメ
タル状の遮蔽層を用いても同様の効果が得られ
る。
て網状の球形状のものを用いた場合について説明
したが、隔壁５が、例えば円柱状であるような場
合においては、これに見合う円柱状またはそれに
底のついた導電性材質で、網状かまたはパンチメ
タル状の遮蔽層を用いても同様の効果が得られ
る。
このような状況下で光フアイバーの多孔質母材
１の製造中に隔壁５内に浮遊するSiO2やGeO2の
微粒子は、遮蔽層７の外に有する電気的な影響を
受けることはない。
１の製造中に隔壁５内に浮遊するSiO2やGeO2の
微粒子は、遮蔽層７の外に有する電気的な影響を
受けることはない。
即ち、外部電界に引きつけられて隔壁５の内壁
面に付着することはあつても、堆積することはな
いのである。
面に付着することはあつても、堆積することはな
いのである。
また酸水素バーナ３からのSiO2、GeO2などの
微粒子の流れも外乱を受けることなく流れるた
め、光フアイバーの多孔質母材を製造するに当
り、安定した品質の予定通りの形状のものがで
き、製造途中で隔壁内面をSiO2を主体とする微
粒子の堆積物の落下による破損といつたおそれも
なくなり、また同時に母材表面に局部的に微粒子
が付着するという異常現象も見られないのであ
る。
微粒子の流れも外乱を受けることなく流れるた
め、光フアイバーの多孔質母材を製造するに当
り、安定した品質の予定通りの形状のものがで
き、製造途中で隔壁内面をSiO2を主体とする微
粒子の堆積物の落下による破損といつたおそれも
なくなり、また同時に母材表面に局部的に微粒子
が付着するという異常現象も見られないのであ
る。
なお、この発明で遮蔽層を構成する導電性材質
としては、導電性を有するものであれば、その目
的を達しうるが、光フアイバーを製造する装置内
に装填するという点からはその材質を吟味するこ
とも必要であり、そのような点からアルミニウム
が最も良好である。
としては、導電性を有するものであれば、その目
的を達しうるが、光フアイバーを製造する装置内
に装填するという点からはその材質を吟味するこ
とも必要であり、そのような点からアルミニウム
が最も良好である。
そしてこの発明の遮蔽層の形状としては、前述
した球状かご型が適当である。
した球状かご型が適当である。
第１図は従来のVAD装置の断面図、第２図は
この発明のVAD装置の断面図である。 １……多孔質母材、２……ターゲツト材、３…
…酸水素バーナ、４……焔、５……隔壁、６……
排気孔、７……遮蔽層。
この発明のVAD装置の断面図である。 １……多孔質母材、２……ターゲツト材、３…
…酸水素バーナ、４……焔、５……隔壁、６……
排気孔、７……遮蔽層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光フアイバー用多孔質母材の製造装置であつ
て、先端にて多孔質母材を成長させるターゲツト
材と酸水素バーナを収容する隔離室の内壁面に導
電性材質によりなる遮蔽層を設けたことを特徴と
する光フアイバー用多孔質母材の製造装置。 ２ 導電性材質よりなる遮蔽層がかご型形状から
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光フアイバー用多孔質母材の製造装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59069569A JPS60215540A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 光フアイバ−用多孔質母材の製造装置 |
| EP85102837A EP0157238B1 (en) | 1984-04-06 | 1985-03-12 | Apparatus for producing porous preforms for optical fibers |
| DE8585102837T DE3583168D1 (de) | 1984-04-06 | 1985-03-12 | Vorrichtung zur herstellung von poroesen vorformen fuer optische fasern. |
| CA000477509A CA1234971A (en) | 1984-04-06 | 1985-03-26 | Apparatus for producing porous preforms for optical fibers |
| AU40405/85A AU565670B2 (en) | 1984-04-06 | 1985-03-27 | Producing fibre optical preforms |
| KR1019850002028A KR870001741B1 (ko) | 1984-04-06 | 1985-03-27 | 광파이버용 다공질 모재의 제조장치 |
| DK142085A DK163659C (da) | 1984-04-06 | 1985-03-29 | Apparat til fremstilling af poroese emner til brug ved frembringelse af optiske fibre |
| US06/940,203 US4713107A (en) | 1984-04-06 | 1986-12-10 | Apparatus for producing porous preforms for optical fibers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59069569A JPS60215540A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 光フアイバ−用多孔質母材の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60215540A JPS60215540A (ja) | 1985-10-28 |
| JPS632903B2 true JPS632903B2 (ja) | 1988-01-21 |
Family
ID=13406540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59069569A Granted JPS60215540A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 光フアイバ−用多孔質母材の製造装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4713107A (ja) |
| EP (1) | EP0157238B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60215540A (ja) |
| KR (1) | KR870001741B1 (ja) |
| AU (1) | AU565670B2 (ja) |
| CA (1) | CA1234971A (ja) |
| DE (1) | DE3583168D1 (ja) |
| DK (1) | DK163659C (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6003342A (en) * | 1991-10-25 | 1999-12-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Apparatus for production of optical fiber preform |
| US5472509A (en) * | 1993-11-30 | 1995-12-05 | Neomecs Incorporated | Gas plasma apparatus with movable film liners |
| JP3485697B2 (ja) * | 1995-11-07 | 2004-01-13 | 古河電気工業株式会社 | 光ファイバ用母材の製造装置 |
| DE10111733B4 (de) * | 2001-03-09 | 2007-02-08 | Heraeus Tenevo Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines SiO2-Rohlings |
| JP4494325B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2010-06-30 | 株式会社フジクラ | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5653768B2 (ja) * | 1972-05-18 | 1981-12-21 | ||
| DE2821131C2 (de) * | 1978-05-13 | 1986-02-06 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vakuumbeschichtungsanlage mit einer Kondensat-Auffangeinrichtung |
| JPS57100934A (en) * | 1980-12-12 | 1982-06-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacturing of optical fiber preform |
| US4435199A (en) * | 1982-04-26 | 1984-03-06 | Western Electric Co., Inc. | Exhaust system for a vapor deposition chamber |
| US4547404A (en) * | 1982-08-27 | 1985-10-15 | Anicon, Inc. | Chemical vapor deposition process |
| DE3326043A1 (de) * | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Licentia Gmbh | Verfahren zur herstellung eines aerosolstromes und dessen verwendung |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP59069569A patent/JPS60215540A/ja active Granted
-
1985
- 1985-03-12 EP EP85102837A patent/EP0157238B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-12 DE DE8585102837T patent/DE3583168D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-26 CA CA000477509A patent/CA1234971A/en not_active Expired
- 1985-03-27 AU AU40405/85A patent/AU565670B2/en not_active Ceased
- 1985-03-27 KR KR1019850002028A patent/KR870001741B1/ko not_active Expired
- 1985-03-29 DK DK142085A patent/DK163659C/da not_active IP Right Cessation
-
1986
- 1986-12-10 US US06/940,203 patent/US4713107A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK163659C (da) | 1992-08-17 |
| KR870001741B1 (ko) | 1987-09-26 |
| US4713107A (en) | 1987-12-15 |
| AU4040585A (en) | 1985-10-10 |
| JPS60215540A (ja) | 1985-10-28 |
| KR850007234A (ko) | 1985-12-02 |
| CA1234971A (en) | 1988-04-12 |
| DK163659B (da) | 1992-03-23 |
| EP0157238A2 (en) | 1985-10-09 |
| AU565670B2 (en) | 1987-09-24 |
| DE3583168D1 (de) | 1991-07-18 |
| DK142085D0 (da) | 1985-03-29 |
| EP0157238A3 (en) | 1989-05-24 |
| DK142085A (da) | 1985-10-07 |
| EP0157238B1 (en) | 1991-06-12 |
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