JPS63292784A - 信号読出し回路 - Google Patents

信号読出し回路

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JPS63292784A
JPS63292784A JP62125924A JP12592487A JPS63292784A JP S63292784 A JPS63292784 A JP S63292784A JP 62125924 A JP62125924 A JP 62125924A JP 12592487 A JP12592487 A JP 12592487A JP S63292784 A JPS63292784 A JP S63292784A
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JP
Japan
Prior art keywords
signal
amplifier
signal line
output
transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP62125924A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigetoshi Sugawa
成利 須川
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Priority to DE3750329T priority patent/DE3750329D1/de
Priority to EP87311218A priority patent/EP0272152B1/en
Publication of JPS63292784A publication Critical patent/JPS63292784A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、複数の信号を信号線に読み出すための信号読
出し回路に関する。
[従来技術] 第6図は、従来の信号読出し回路の一例を示す回路図で
ある。
同図において、複数の信号S1〜Snは容量Ctのコン
デンサ01〜Cnに蓄積された後、スイッチングトラン
ジスタQ1〜Qnを介して信号線401に順次読み出さ
れ、アップ403を通して出力される。なお、スイッチ
ングトランジスタQ1〜Qnは、走査回路402から出
力される走査パルスφh1〜φhnによって0N10F
F制御される。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、上記従来例では、次のような問題点を有
していた。
(1)  信号線401は容量chを有するために、コ
ンデンサ01〜Cnの容?CLから容fchへ信号が転
送されると、容量分割によって信号線401の信号レベ
ルは、コンデンサ蓄積時のレベルのCt/(Ct+Ch
)倍に低下する。
特に信号数nが大きくなる高密度センサ茅では、信号線
401の容ff1chが大きくなり、出力低下が著しく
なる。
(2) この出力低下を防止する方法としてはコンデン
サ容HHctを大きくすることが考えられる。しかし容
量Ctを大きくすることは、例えばS1〜Snがセンサ
出力である場合、センサの負荷容量が増大することであ
り、センサ信号Sをコンデンサに転送する速度が低下し
、高速動作を達成できなくなるという新たな問題点を生
ずる。
[問題点を解決するための手段] 本発明による信号読出し回路は、 複数の信号を各々入力するアンプを有し、該アンプの各
出力を抵抗手段を介して信号線に読み出すことを特徴と
する。
[作用] このように構成されたアンプと抵抗手段とによって信号
を信号線に読み出すために、たとえば蓄積容にCtから
信号線の容量chへ信号を転送する場合でも、ゲインを
約1に設定することができ、信号レベルの低下という従
来の問題点を解決することができる。また、これに伴っ
て負荷容量となるMa容量Ctを小さくすることができ
、高速動作を可能とする。
また、上記アンプは抵抗手段を介して信号線を駆動する
ために、その抵抗手段によってアンプの出力電流が制限
される。このために、たとえばアンプとしてバイポーラ
トランジスタを用いた場合、ベース・エミッタ間の拡散
容量の増加を防ぐことができ、拡散容積のバラツキに起
因する読出し信号のバラツキを抑制することができる。
[実施例] 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。
第1図は1本発明による信号読出し回路の一実施例の回
路図である。
同図において、複数の信号s (St〜Sn)は転送用
トランジスタQ a (Q al”Q a n)を介し
て容量C1の蓄積コンデンサc (cl〜Cn)に蓄積
される。
転送用トランジスタQaのゲート電極にはパルスφtが
共通に入力し、各トランジスタの0N10FF制御を行
う。
またコンデンサCと並列にリセット用トランジスタQb
c (QbcI LQbcn)が接続され、各ゲート電
極にはリセットパルスΦbcが入力する。
コンデンサCに蓄積された各信号はアンプAで増幅され
、エミッタ側に現われる。この状態で走査回路102か
ら走査パルスφh1〜φhnが順次出力し、スイッチン
グトランジスタQ(Q1〜Qn)を順次ONにして、ア
ンプAの出力信号を信号線lotに順次読み出す、信号
線101に読み出された信号は出力アンプ103を通し
て外部へ出力されるが、1つの信号が出力されるごとに
、パルスφheによってトランジスタQhcがONとな
り、信号6totをクリアする。
このようにアンプAの出力は、スイッチングトランジス
タQを介して信号線101に読み出される。すなわち、
アンプAの出力は各々トランジスタQを介して信号線1
01に読み出される。
このように構成することで、アンプAに起因して発生す
る出力信号のバラツキを抑制することができ、たとえば
画像信号Sを再生した時の固定パターンノイズを抑制す
ることができる。以下、その理由を説明する。
コンデンサCの蓄積信号SがアンプAのベースに入力す
ると、そのエミッタ側に出力された信号はベースOエミ
ッタ器官1cbeによってベースにフィードバックする
。その時、容量Cbeが各アンプにおいて異なっている
と、それが出力信号のバラツキの原因となる。
ところで、一般的にバイポーラトランジスタにおけるベ
ース・エミッタ間容量Cbeは、ベース・エミッタ間が
逆バイアス状態の時は接合容針Cbe jが支配的であ
るが、順バイアス状態では拡散容量Cdeが支配的とな
る。また、拡散容量Cdsはエミッタ電流に従って増大
することも知られている。したがって、本実施例のアン
プAに使用したnpn型バイポーラトランジスタでは、
ベースに信号Sが入力してベース・エミッタ間が順方向
側へ変化すると、ベース・エミッタ間容量Cbeは拡散
容1cdeが支配的となり、しかもエミッタ電流の増大
に伴ってCde、すなわちCbeが増大する。この時の
Cdeが各アンプAにおいて異なっていると、上述した
ように出方信号がベースへフィードバックするために、
出力信号のバラツキとなって現われる。
したがって、この出力信号のバラツキを防止するには、
拡散容量Cdeの増大を抑止する必要があり、そのため
にはエミッタ電流を制限することが必要である。
そこで本実施例は、第1図に示すように、スイッチング
トランジスタQのON抵抗を利用して、アンプAのエミ
ッタ電流を制限する構成を採用した。
たとえば走査回路102から走査パルスφh1が出力さ
れ、スイッチングトランジスタQ1がONとなると、ア
ンプA1から信号S1に対応したエミッタ電流がトラン
ジスタQ1を通して信号線101の容量chに流入する
。その際、エミッタ電流はトランジスタQlのON抵抗
によって制限を受けるために、アンプA1のペースΦエ
ミッタ間の拡散容量Cdeの増大は抑制される。他のア
ンプA2〜Anについても同様であるから、結果的に信
号線101に読み出される信号は、アンプAに起因する
バラツキが除去された信号となる。
次に、本実施例を用いた撮像素子の一例を説明する。
まず1本撮像素子に使用される光センサについて説明す
る。この光センサは特願昭58−120751号に基本
的に開示されている。
第2図(A)は、光センナの基本的な駆動回路図、第2
図(B)は、その動作を説明するためのタイミングチャ
ートである。
第2図(A)において、光センサSCは、バイポーラト
ランジスタと、そのベース電位を制御するためのキャパ
シタCoxとから構成される。そして、入射光によって
励起されたキャリアがバイポーラトランジスタのベース
に@積されることによって光電変換動作が行われる。
光センサSCのキャパシタ電極には正電圧の駆動パルス
φrが入力し、エミッタ電極はトランジスタQ v r
 sを介して接地される。トランジスタQvrsのゲー
ト電極にはパルスφvrsが入力する。さらに、エミッ
タ電極には一時蓄積用のキャパシタCtが接続されてい
る。
このような構成において、同図(B)に示すタイミング
でパルスを印加することにより、光センサはリセット、
蓄積および読出しの各動作を行う。
まず、パルスφvrsによりトランジスタQvrsをO
Nとして光センサSCのエミッタ電極を接地しておき、
キャパシタ電極にパルスφrを入力すると、バイポーラ
トランジスタが動作し、ベースに蓄積きれたキャリアが
除去される(リセット動作)。
続いて入射光に対応したキャリアの蓄積動作を行った後
、エミッタ側を浮遊状態にして、パルスφrを印加する
。これによってバイポーラトランジスタが動作し、ベー
ス蓄積電圧がエミッタ側に読出され(読出し動作)、キ
ャパシタCtに一時蓄積される。
第3図は1本実施例の信号読出し回路と上記光センナを
用いて構成した撮像素子の一例の回路図である。ただし
、ここでは説明の便宜上、3×3のエリアセンサを例示
しているが、任意のmXnのセンサであっても本質的な
相違はない。
本実施例の部分は第1図に示す構成と同様であるから同
一番号を付して説明は省略する。
光センサSCは3×3個エリア状に配列されて撮像部を
構成している。各センサSCのキャパシタ電極は水平ラ
イン毎に共通接続され、垂直走査回路104から垂直走
査パルスφV(φv1〜φV3)が供給される。
また、各センサSCのエミッタ電極は垂直ライン毎に共
通接続され、転送用トランジスタQa(Qaz−Qa3
)に各々接続されている。さらに、各垂直ラインにはリ
セットトランジスタQVC(QVCI 〜QVC3)を
介して一定゛セ圧Vvcが印加される。トランジスタQ
 v cの各ゲート電極にはパルスφvcが入力する。
第4図は、上記撮像素子の動作を説明するためのタイミ
ングチャートである。
まず、各センサSCには光励起による電荷が蓄積されて
いるものとする。この状態で、垂直走査回路104から
走査パルスΦv1が出力し、第1行のセンサSCの読出
し動作によってエミッタ側へ信号Sが読み出される。
続いて、転送パルスφtによりトランジスタQaがON
となり、第1行の信号SがコンデンサCに蓄積される。
続いて、パルスφtが立下がると、パルスφVCによっ
てトランジスタQvcをONとし、垂直ラインをリセッ
トする。
続いて、水平走査回路102より水平走査パルスφhを
順次出力し、アンプAによって#Ij幅された信号を信
号線101に順次読み出し、アンプ103を通して画像
信号’Voutとして出力する。その際、各信号が出力
されるごとに、パルスφhcによってトランジスタQ 
h cがONとなり、信号線lO1がリセットされる。
また、第1行の信号が読み出されると、パルスφbeに
よりトランジスタQ b cがONとなり、コンデンサ
Cに残留している電荷が除去される。
以上の動作を第2行、第3行についても同様に行うこと
で、全てのセンナSCの信号をシリアルに出力すること
ができる。しかも、既に述べたように、アンプAによっ
て増幅されるために出力低下がなく、またトランジスタ
QのON抵抗を介して信号線101に読み出されるため
にアンプAに起因する信号のバラツキが抑制される。
第5図は、撮像素子を使用した撮像装置の一例の概略的
構成図である。
同図において、撮像素子301は、第3図に示す回路を
mXnに一般化したエリアセンサとする。撮像素子30
1の出力信号Voutは信号処理回路302によってゲ
イン調整等の処理が行われ、NTSC信号等の標準テレ
ビジョン信号として出力される。
また、撮像素子301を駆動するための上記各パルスは
ドライバ303によって供給され、ドライバ303は制
御部304の制御によって動作する。また、制御部30
4は撮像素子301の出力に基いて信号処理回路302
のゲイン等を調整するとともに、露出制御手段305を
制御して撮像素子301に入射する光量を調整する。
このように、本実施例を用いて得られたNTSC信号は
、上述したように信号のバラツキが抑制されているため
に、テレビジョンで再生してもアンプAによる固定パタ
ーンノイズが抑制され、良質の画像を得ることができる
。
なお、光センサとしては、上述したベース蓄積型に限定
されるものではなく、静電誘導型等の他の方式であって
もよい。
また、本発明は、撮像素子に限らず、信号読出し回路一
般に適用できるものである。
[発明の効果] 以上詳細に説明したように、本発明による信号読出し回
路は、アンプと抵抗手段とによって信号を信号線に読み
出すために、たとえばin容量Ctから信号線の容量C
hへ信号を転送する場合でも、ゲインを約1に設定する
ことができ、信号レベルの低下がない、このために、後
段の処理回路等の負担を軽減でき、さらに負荷容量を小
さくすることができるために、品速動作が可能となる。
また、上記アンプは抵抗手段を介して0号線を駆動する
ために、その抵抗手段によってアンプの出力電流が制限
され、読出し信号の7(ラツキを抑制することができる
。このために、たとえば撮像信号の読出しに適用すれば
、アンプに起因する固定パターンノイズを抑制し、良質
の再生画像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による信号読出し回路の一実施例の回
路図。 第2図(A)は、光センサの基本的な駆動回路図、第2
図(B)は、その動作を説明するためのタイミングチャ
ート、 第3図は、本実施例の信号読出し回路と上記光センサを
用いて構成した撮像素子の一例の回路図、 第4図は、上記撮像素子の動作を説明するためのタイミ
ングチャート、 第5図は、撮像素子を使用した撮像装置の一例の概略的
構成図、 第6図は、従来の信号読出し回路の一例を示す回路図で
ある。 101・・・信号線 102・・・走査回路 103・・・出力アンプ 104・・・垂直走査回路 AINAn・・・アンプ Q1〜Qn”・スイッチングトランジスタ01〜Cn・
・・蓄積用コンデンサ SC・・・光センサ 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第1図 第2図 、   (A) (B) 第3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数の信号を各々入力するアンプを有し、該アン
    プの各出力を抵抗手段を介して信号線に読み出すことを
    特徴とする信号読出し回路。
  2. (2)上記抵抗手段は、スイッチ手段の導通時の抵抗で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の信号
    読出し回路。
JP62125924A 1986-12-18 1987-05-25 信号読出し回路 Pending JPS63292784A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62125924A JPS63292784A (ja) 1987-05-25 1987-05-25 信号読出し回路
DE3750329T DE3750329D1 (de) 1986-12-18 1987-12-18 Signalausleseschaltung.
EP87311218A EP0272152B1 (en) 1986-12-18 1987-12-18 Signal reading out circuit
US07/364,493 US4967067A (en) 1986-12-18 1989-06-09 Signal read-out circuit which lowers diffusion capacitance by limiting emitting current with resistive elements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62125924A JPS63292784A (ja) 1987-05-25 1987-05-25 信号読出し回路

Publications (1)

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JPS63292784A true JPS63292784A (ja) 1988-11-30

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ID=14922321

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JP62125924A Pending JPS63292784A (ja) 1986-12-18 1987-05-25 信号読出し回路

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JP (1) JPS63292784A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11103420A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Sony Corp 固体撮像素子およびその駆動方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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