JPS6329406B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6329406B2 JPS6329406B2 JP54110046A JP11004679A JPS6329406B2 JP S6329406 B2 JPS6329406 B2 JP S6329406B2 JP 54110046 A JP54110046 A JP 54110046A JP 11004679 A JP11004679 A JP 11004679A JP S6329406 B2 JPS6329406 B2 JP S6329406B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- resist
- developing
- developing solution
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photographic Processing Devices Using Wet Methods (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体の製造工程において、特に
半導体ウエハ表面をレジスト現像溶液を用いて処
理する手段を改良した半導体製造装置に関する。
半導体ウエハ表面をレジスト現像溶液を用いて処
理する手段を改良した半導体製造装置に関する。
電子機器に多用されている半導体装置にあつて
は、より小型に集積化されるもので、半導体ウエ
ハ表面の酸化膜に電極接合部を形成するためのパ
ターン形成をするには、このウエハ酸化膜上にネ
ガレジストを塗布し、この酸化膜に対する電極形
成を行なう部分に対応して開口したマスク材を、
上記塗布されたレジスト面に対接して露光を行な
うもので、この露光されたレジストに対してネガ
レジスト現像処理を行ない、レジストによる所望
のパターンを酸化膜面上に形成するものである。
は、より小型に集積化されるもので、半導体ウエ
ハ表面の酸化膜に電極接合部を形成するためのパ
ターン形成をするには、このウエハ酸化膜上にネ
ガレジストを塗布し、この酸化膜に対する電極形
成を行なう部分に対応して開口したマスク材を、
上記塗布されたレジスト面に対接して露光を行な
うもので、この露光されたレジストに対してネガ
レジスト現像処理を行ない、レジストによる所望
のパターンを酸化膜面上に形成するものである。
また、このパターン形成手段において、上記の
ようなネガレジストをネガレジスト現像処理を行
なつていたのに代わり、ポジレジストを用いてポ
ジレジスト現像処理を行なうことも考えられてい
る。このポジレジスト現像処理にあつては、ネガ
現像処理に対してポジレジストの露光部分を現像
処理することにより除去するもので、よい細かい
パターンの現像処理が行なえる利点を持つてい
る。
ようなネガレジストをネガレジスト現像処理を行
なつていたのに代わり、ポジレジストを用いてポ
ジレジスト現像処理を行なうことも考えられてい
る。このポジレジスト現像処理にあつては、ネガ
現像処理に対してポジレジストの露光部分を現像
処理することにより除去するもので、よい細かい
パターンの現像処理が行なえる利点を持つてい
る。
第１図は従来の半導体ウエハに対する現像処理
手段における現像溶液の散布手段の例を示す。す
なわち、回転軸１１で支えられる回転ヘツド１２
を備え、この回転ヘツド１２上に感光されたレジ
スト膜を有する半導体ウエハ１３を載置して矢印
で示すように高速で回転している。そして、この
半導体ウエハ１３の上面のレジスト膜面に対向し
てスプレータイプのノズル１４を設置し、このノ
ズル１４部に処理溶液溜部１５からのポジレジス
ト現像溶液を電気的に開閉する電磁式の弁１６を
介して送りこみ霧状態にして上記レジスト膜面に
噴出するものである。この現像溶液の液量は液量
制御部１７から開閉指令を与えることにより調整
されるもので、また液温は処理溶液溜部１５へ温
度制御部１８からの温度制御指令を与えて所定の
液温、例えば24℃に保温制御している。
手段における現像溶液の散布手段の例を示す。す
なわち、回転軸１１で支えられる回転ヘツド１２
を備え、この回転ヘツド１２上に感光されたレジ
スト膜を有する半導体ウエハ１３を載置して矢印
で示すように高速で回転している。そして、この
半導体ウエハ１３の上面のレジスト膜面に対向し
てスプレータイプのノズル１４を設置し、このノ
ズル１４部に処理溶液溜部１５からのポジレジス
ト現像溶液を電気的に開閉する電磁式の弁１６を
介して送りこみ霧状態にして上記レジスト膜面に
噴出するものである。この現像溶液の液量は液量
制御部１７から開閉指令を与えることにより調整
されるもので、また液温は処理溶液溜部１５へ温
度制御部１８からの温度制御指令を与えて所定の
液温、例えば24℃に保温制御している。
このようなスプレー式による現像処理手段にあ
つては、現像溶液がスプレータイプのノズル１４
から霧状態に噴出されて回転ヘツド１２に載置さ
れている半導体ウエハ１３に到達するものであ
る。ところが、この霧状にされた現像溶液は、非
常に小さな微粒子状であるため、その表面張力が
作用して半導体ウエハ１３の感光レジスト表面に
到達しても粒子状態が保たれ、レジスト表面上に
広がらない。このため回転ヘツド１２の回転速度
を例えば1000rpm以上の高速度で回転させ、その
遠心力によつて微粒子状の現像溶液を外周方向に
とばし、微粒子相互を結合して現像溶液の面が形
成されるようになつている。
つては、現像溶液がスプレータイプのノズル１４
から霧状態に噴出されて回転ヘツド１２に載置さ
れている半導体ウエハ１３に到達するものであ
る。ところが、この霧状にされた現像溶液は、非
常に小さな微粒子状であるため、その表面張力が
作用して半導体ウエハ１３の感光レジスト表面に
到達しても粒子状態が保たれ、レジスト表面上に
広がらない。このため回転ヘツド１２の回転速度
を例えば1000rpm以上の高速度で回転させ、その
遠心力によつて微粒子状の現像溶液を外周方向に
とばし、微粒子相互を結合して現像溶液の面が形
成されるようになつている。
ところが、この遠心力によつて広げられた現像
液はお互い結合された状態でさらに半導体ウエハ
１３の感光レジスト表面からまだ処理能力がある
のに飛ばされてしまうので、逐次処理溶液部１５
から現像溶液を補なわなければならず、現像溶液
の使用量が多くなる傾向にある。
液はお互い結合された状態でさらに半導体ウエハ
１３の感光レジスト表面からまだ処理能力がある
のに飛ばされてしまうので、逐次処理溶液部１５
から現像溶液を補なわなければならず、現像溶液
の使用量が多くなる傾向にある。
また、ノズル１４から霧状態に噴出されたポジ
レジスト現像溶液は気化されやすい状態にあるも
ので、液温が急激に低下し約５℃ぐらいになるも
のである。
レジスト現像溶液は気化されやすい状態にあるも
ので、液温が急激に低下し約５℃ぐらいになるも
のである。
したがつて、ポジレジスト現像溶液が処理溶液
溜部１５にあるときに温度制御部１８で所定の温
度制御をしても半導体ウエハ１３上の感光レジス
ト面にはその所定の温度状態では到達しないの
で、温度制御効果が減殺されて確実な現像処理を
行なうことができない。
溜部１５にあるときに温度制御部１８で所定の温
度制御をしても半導体ウエハ１３上の感光レジス
ト面にはその所定の温度状態では到達しないの
で、温度制御効果が減殺されて確実な現像処理を
行なうことができない。
この発明は、上記の事情に鑑みてなされたもの
で、ポジレジスト現像溶液の液温を常に適温状態
に保つことができ、且つ現像液の使用量を充分軽
減して半導体ウエハの感光レジスト面に対し確実
に現像処理が行なえるようにする半導体製造装置
を提供することを目的とする。
で、ポジレジスト現像溶液の液温を常に適温状態
に保つことができ、且つ現像液の使用量を充分軽
減して半導体ウエハの感光レジスト面に対し確実
に現像処理が行なえるようにする半導体製造装置
を提供することを目的とする。
以下、この発明の一実施例について図面を参照
して説明する。第２図はこの発明に係るポジレジ
スト現像装置の構成を示すもので、処理溶液部１
５からの現像溶液を弁１６を介してシヤワノズル
１９に供給し、軸１１で回転される回転ヘツド１
２上の半導体ウエハ１３のレジスト面上に散布す
る。この場合、シヤワノズル１９は噴出面に0.5
mmの穴を１つ形成してなるもので、例えば現像溶
液を0.5Kg／cm2程度の小さな圧力で供給し、円錐
膜上にウエハ１３面上に現像溶液を散布するよう
にしている。また、回転ヘツド１２は例えば50〜
100rpmの低速で回転させ、現像溶液が全面に均
一に散布されるようにするもので、遠心力を特に
作用させる必要はない。そして、処理溶液溜部１
５における処理溶液の温度は温度制御部１８で制
御設定すると共に、弁１６を液量制御部１７で制
御するもので、例えば回転ヘツド１２の一回転の
間ノズル１９から処理溶液を散布し、半導体ウエ
ハ１３面上に均一に処理液が散布されるようにす
る。
して説明する。第２図はこの発明に係るポジレジ
スト現像装置の構成を示すもので、処理溶液部１
５からの現像溶液を弁１６を介してシヤワノズル
１９に供給し、軸１１で回転される回転ヘツド１
２上の半導体ウエハ１３のレジスト面上に散布す
る。この場合、シヤワノズル１９は噴出面に0.5
mmの穴を１つ形成してなるもので、例えば現像溶
液を0.5Kg／cm2程度の小さな圧力で供給し、円錐
膜上にウエハ１３面上に現像溶液を散布するよう
にしている。また、回転ヘツド１２は例えば50〜
100rpmの低速で回転させ、現像溶液が全面に均
一に散布されるようにするもので、遠心力を特に
作用させる必要はない。そして、処理溶液溜部１
５における処理溶液の温度は温度制御部１８で制
御設定すると共に、弁１６を液量制御部１７で制
御するもので、例えば回転ヘツド１２の一回転の
間ノズル１９から処理溶液を散布し、半導体ウエ
ハ１３面上に均一に処理液が散布されるようにす
る。
また、半導体ウエハ１３面上に散布された現像
液は時間の経過とともに、液温が下がり、その処
理能力が低下してくる。これを補なうために液量
制御部１７から弁１６に間欠的に開指令を与え、
シヤワノズル１９から現像液を散布し、ウエハ１
３面の現像液温度を補償する。このシヤワノズル
１９から現像液を散布させる周期は半導体ウエハ
１３の感光レジスト状態および形状にあわせて設
定する。
液は時間の経過とともに、液温が下がり、その処
理能力が低下してくる。これを補なうために液量
制御部１７から弁１６に間欠的に開指令を与え、
シヤワノズル１９から現像液を散布し、ウエハ１
３面の現像液温度を補償する。このシヤワノズル
１９から現像液を散布させる周期は半導体ウエハ
１３の感光レジスト状態および形状にあわせて設
定する。
以上のように、この発明によればポジレジスト
現像液の温度および液量を制御して低速回転され
る半導体ウエハにシヤワ状態にして散布すること
により、液温の低下の程度が小さく、且つ従来に
比較して半分ほどの液量で確実な現像処理が行な
える半導体製造装置を提供することができ、また
シヤワ状に現像液を散布することにより、瞬時に
液供給できるのでスプレー法より早く現像液供給
ができると共に、スプレー法よりもウエハ外に散
布される現像液の量が少なくて済み、また現像液
を断続制御する液温低下防止手段を有するなどの
利点を具備するものである。
現像液の温度および液量を制御して低速回転され
る半導体ウエハにシヤワ状態にして散布すること
により、液温の低下の程度が小さく、且つ従来に
比較して半分ほどの液量で確実な現像処理が行な
える半導体製造装置を提供することができ、また
シヤワ状に現像液を散布することにより、瞬時に
液供給できるのでスプレー法より早く現像液供給
ができると共に、スプレー法よりもウエハ外に散
布される現像液の量が少なくて済み、また現像液
を断続制御する液温低下防止手段を有するなどの
利点を具備するものである。
第１図は従来のスプレー法によるレジスト現像
処理を行なう半導体製造装置を示す図、第２図は
この発明の一実施例に係る半導体製造装置を説明
する図である。 １１……回転軸、１２……回転ヘツド、１３…
…半導体ウエハ、１４……ノズル、１５……処理
溶液溜部、１７……液量制御部、１９……シヤワ
ノズル。
処理を行なう半導体製造装置を示す図、第２図は
この発明の一実施例に係る半導体製造装置を説明
する図である。 １１……回転軸、１２……回転ヘツド、１３…
…半導体ウエハ、１４……ノズル、１５……処理
溶液溜部、１７……液量制御部、１９……シヤワ
ノズル。
Claims (1)
- １ 露光処理されたレジスト面を有する半導体ウ
エハを載置する回転ヘツドと、この回転ヘツド上
に対向設置される上記ウエハレジスト面に現像処
理溶液を散布するノズルと、前記現像液温が下が
るのを防止するために前記ノズルから散布される
現像処理溶液を現像処理中に断続制御する液温低
下防止手段とを具備し、回転ヘツドには遠心力の
小さい低速回転で回転させ、この回転ヘツド上の
半導体ウエハにシヤワ状に現像処理溶液を散布す
ることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11004679A JPS5633834A (en) | 1979-08-29 | 1979-08-29 | Manufacturing device of semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11004679A JPS5633834A (en) | 1979-08-29 | 1979-08-29 | Manufacturing device of semiconductor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5633834A JPS5633834A (en) | 1981-04-04 |
| JPS6329406B2 true JPS6329406B2 (ja) | 1988-06-14 |
Family
ID=14525727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11004679A Granted JPS5633834A (en) | 1979-08-29 | 1979-08-29 | Manufacturing device of semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5633834A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61276323A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS6281715A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54102123A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
| JPS54103034A (en) * | 1978-01-30 | 1979-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Automatic developer |
-
1979
- 1979-08-29 JP JP11004679A patent/JPS5633834A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5633834A (en) | 1981-04-04 |
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