JPS6329532A - フイルムキヤリアパツケ−ジ - Google Patents
フイルムキヤリアパツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS6329532A JPS6329532A JP61171570A JP17157086A JPS6329532A JP S6329532 A JPS6329532 A JP S6329532A JP 61171570 A JP61171570 A JP 61171570A JP 17157086 A JP17157086 A JP 17157086A JP S6329532 A JPS6329532 A JP S6329532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- resin
- film carrier
- potting
- carrier package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
- H10W72/01308—Manufacture or treatment of die-attach connectors using permanent auxiliary members, e.g. using alignment marks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07311—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/251—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/381—Auxiliary members
- H10W72/387—Flow barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/726—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフィルムキャリアパッケージに関し、特に、−
・わゆろ片面レジン筐りのフィルムキャリアパッケージ
におけろレジンポツティングの際のレジンのたれなどを
防止し当該パッケージを薄膜化できる技術に関する。
・わゆろ片面レジン筐りのフィルムキャリアパッケージ
におけろレジンポツティングの際のレジンのたれなどを
防止し当該パッケージを薄膜化できる技術に関する。
半導体素子の実装方式の一つにテープキャリア方式があ
る。この方式は別称フィルムキャリア方式とかT A
B (Tape Automated Bonding
)方式とか呼ばれており、一般に、長尺のスプロケッ
トホール付きフィルムテープに半導体素子を連続的に組
込んでいく方式で、当該ホールを利用してフィルム(テ
ープ)を送り、位置合せを行なう。
る。この方式は別称フィルムキャリア方式とかT A
B (Tape Automated Bonding
)方式とか呼ばれており、一般に、長尺のスプロケッ
トホール付きフィルムテープに半導体素子を連続的に組
込んでいく方式で、当該ホールを利用してフィルム(テ
ープ)を送り、位置合せを行なう。
この方式の一例は、適宜幅のテープに前記スプロケット
ホールと半導体素子の組込み用デバイスホールとを穿設
し、銅箔をラミネートし、ホトレジスト技術やエツチン
グ技術を用いて、所望のリードパターンを形成する。C
の方式では、前記デバイスホール内にフィンガ状のリー
ドを突出させるのが一つの特徴となっている。
ホールと半導体素子の組込み用デバイスホールとを穿設
し、銅箔をラミネートし、ホトレジスト技術やエツチン
グ技術を用いて、所望のリードパターンを形成する。C
の方式では、前記デバイスホール内にフィンガ状のリー
ドを突出させるのが一つの特徴となっている。
そして、このリードに半導体素子をフェイスアップで位
置合せしてボンディングする。
置合せしてボンディングする。
次いで、当該ボンディング後に、半導体素子や当該ポン
ディング部の封止のために、樹脂溶液をポッティングし
、熱硬化させ樹脂を塗布する。この塗布の方法として、
従来、半導体素子の表裏面に樹脂を塗布するいわゆる両
面レジン塗布方式があったが、これでは厚さが厚くなり
過ぎ、ICカードなどの薄物に組込みB’lいという難
点がある。
ディング部の封止のために、樹脂溶液をポッティングし
、熱硬化させ樹脂を塗布する。この塗布の方法として、
従来、半導体素子の表裏面に樹脂を塗布するいわゆる両
面レジン塗布方式があったが、これでは厚さが厚くなり
過ぎ、ICカードなどの薄物に組込みB’lいという難
点がある。
そこで、半導体素子の片面のみに樹脂溶液をポッティン
グし、樹脂を塗布するという片面レジン塗布方式が提案
されている。
グし、樹脂を塗布するという片面レジン塗布方式が提案
されている。
なお、フィルムキャリアについて述べた文献の例として
、(株)工業調査会1980年1月15日発行rIC化
実装技術j p107〜113およびp175並びにp
143〜146があげられる。
、(株)工業調査会1980年1月15日発行rIC化
実装技術j p107〜113およびp175並びにp
143〜146があげられる。
しかしながら、上記片面レジン塗りの場合、そのポツテ
ィングの際に樹脂溶液が半導体素子の底面下部にまで6
たれ”てきたり、あるいはその底面にまで周り込んでき
γこりし、その熱硬化したものがTAB素子全体の厚さ
を増大し、結局TAB素子の薄膜化の要請に答えろこと
ができないし、また、ポツティング不良により歩留を悪
化させることになっていた。
ィングの際に樹脂溶液が半導体素子の底面下部にまで6
たれ”てきたり、あるいはその底面にまで周り込んでき
γこりし、その熱硬化したものがTAB素子全体の厚さ
を増大し、結局TAB素子の薄膜化の要請に答えろこと
ができないし、また、ポツティング不良により歩留を悪
化させることになっていた。
本発明はかかる従来技術の有する欠点を解消し、レジン
のたれ平底面への周り込みを防止し片面塗りを良好に行
なうことができ、ポツティングの作業性を向上させその
歩留を向上させ、かつ、TAB素子の薄膜化に寄与する
ことのできる技術を提供することを目的とする。
のたれ平底面への周り込みを防止し片面塗りを良好に行
なうことができ、ポツティングの作業性を向上させその
歩留を向上させ、かつ、TAB素子の薄膜化に寄与する
ことのできる技術を提供することを目的とする。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明丁れは、下記のとおりである。
を簡単に説明丁れは、下記のとおりである。
丁なわち、本発明では半導体素子(チップ)の側面を段
付とし、当該側面(垂直面)に対し略直角の水平面を設
けた。
付とし、当該側面(垂直面)に対し略直角の水平面を設
けた。
これにより、当該水平面でレジンの流れが止まり、した
がって、チップの底面にレジンが周り込んだり、当該底
面の下部にたれ下ることを防止することができた。
がって、チップの底面にレジンが周り込んだり、当該底
面の下部にたれ下ることを防止することができた。
当該レジンの周り込みやたれ下りが防止できたので、フ
ィルムキャリアパッケージの薄膜化を達成することかで
き、また、ポッティングの作業性も良くなりその歩留も
向上した。
ィルムキャリアパッケージの薄膜化を達成することかで
き、また、ポッティングの作業性も良くなりその歩留も
向上した。
次に、本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。
第2図は本発明に使用されるチップの一例斜視図を示す
が、同図に示すようにチップ1の周側面に段を付設し、
当該チップを段付チップとする。
が、同図に示すようにチップ1の周側面に段を付設し、
当該チップを段付チップとする。
チップ1の側面(垂直面)2.3に対し直角方向に水平
面4を設ける。
面4を設ける。
第3図はフィルムキャリアの一例平面図を示す。
樹脂フィルムテープ5の両端部にはスプロケットホール
(バーフォレーンヨンホール)6が適宜間隔をおいて複
数穿設されている。
(バーフォレーンヨンホール)6が適宜間隔をおいて複
数穿設されている。
当該ホール6の内側のテスト用バッド7からリード8が
伸び、デバイスホール9の内側に突出している。この突
出したチップボンディング用フィンガーリード10の下
面にはチップ1がそのバンプ(突起を極)11により取
着されている。このチップ1は第2図に示すような段付
チップに構成されている。
伸び、デバイスホール9の内側に突出している。この突
出したチップボンディング用フィンガーリード10の下
面にはチップ1がそのバンプ(突起を極)11により取
着されている。このチップ1は第2図に示すような段付
チップに構成されている。
このチップ1の表蘭(上面)側から、デバイスホール9
内に、樹脂溶液をポッティングする。樹脂を熱硬化させ
た後切断線12に沿い当該フィルムキャリアを切断する
。
内に、樹脂溶液をポッティングする。樹脂を熱硬化させ
た後切断線12に沿い当該フィルムキャリアを切断する
。
第1図は、当該切断後の本発明の実施例を示すフィルム
キャリアパッケージの要部断面図である。
キャリアパッケージの要部断面図である。
第1図に示すように、熱硬化後のポツティング液13は
、チップ1の側面の前記水平面(段部)4にてとどまり
チップ1の底面に周わり込んだり、チップ1の底面下部
にたれ下ったりすることが防止されている。
、チップ1の側面の前記水平面(段部)4にてとどまり
チップ1の底面に周わり込んだり、チップ1の底面下部
にたれ下ったりすることが防止されている。
当該ポッティング液13は、例えばエポキシ樹脂を溶剤
に溶解せしめてなる樹脂溶液により構成される。硬化剤
などの必要な添加剤を含んでいてもよい。
に溶解せしめてなる樹脂溶液により構成される。硬化剤
などの必要な添加剤を含んでいてもよい。
不発明におけるバンプの形成などは公知の当該フィルム
キャリアパッケージの形成技術を用いろことができる。
キャリアパッケージの形成技術を用いろことができる。
半導体素子(チップ)1は、例えばシリコン単結晶?!
5版から成り、周知の技術罠よってこのチップ内には多
数の回路素子が形成され、1つの回路機能が与えられて
いる。回路素子の具体例は、例えばN10Sトランジス
タから成り、これらの回路素子によって、例えば論理回
路およびメモリの回路機能が形成されている。
5版から成り、周知の技術罠よってこのチップ内には多
数の回路素子が形成され、1つの回路機能が与えられて
いる。回路素子の具体例は、例えばN10Sトランジス
タから成り、これらの回路素子によって、例えば論理回
路およびメモリの回路機能が形成されている。
段付チップ1の形成は、例えば次のようにして行なうこ
とができろ。
とができろ。
第4図は、ウェハの斜視図であり、このウェハ14をス
クライブ線15に沼いスクライブ(ダイシング)すると
チップを得ることができろが、当該ダイシング工程にお
いて、第5図に示すように大きさの異なるカッター16
.17により順次スクライブ線15をつけていき、ウェ
ハ14を切断すると第2図に示すようなチップ側面切断
面に段部4を有するチップ1を得るCとができろ。
クライブ線15に沼いスクライブ(ダイシング)すると
チップを得ることができろが、当該ダイシング工程にお
いて、第5図に示すように大きさの異なるカッター16
.17により順次スクライブ線15をつけていき、ウェ
ハ14を切断すると第2図に示すようなチップ側面切断
面に段部4を有するチップ1を得るCとができろ。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明し1こが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
具体的に説明し1こが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
例えば、上記実施例では段部(水平面)を−カ所設けろ
例を示したが、二刀所以上設げてもよい。
例を示したが、二刀所以上設げてもよい。
本発明のフィルムキャリアパッケージは片面塗りでそれ
もレジンのたれなどが防止されているので、極めて薄(
構成することができ、ICカードとか電卓とか1チツプ
マイコンとか薄膜化が要求されるものに好適に組込みす
ることができる。
もレジンのたれなどが防止されているので、極めて薄(
構成することができ、ICカードとか電卓とか1チツプ
マイコンとか薄膜化が要求されるものに好適に組込みす
ることができる。
本願において開示されろ発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明子れば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明子れば、下記のとおりであ
る。
本発明によれば、片面塗布方式のフィルムキャリアパッ
ケージにおいて、レジンのだれや底面への周り込みを防
止してポッティングの作業性を向上させ、その歩留を向
上しフィルムキャリアパッケージにおいて片面塗りと薄
膜化を実現することに成功した点工業上非常:て有意義
なものがある。
ケージにおいて、レジンのだれや底面への周り込みを防
止してポッティングの作業性を向上させ、その歩留を向
上しフィルムキャリアパッケージにおいて片面塗りと薄
膜化を実現することに成功した点工業上非常:て有意義
なものがある。
第1図は本発明の実施例を示す要部断面図、第2図は本
発明の実施例を示すチップの斜視図、第3図はフィルム
キャリアの一例平面図、第4図はウェハの一例斜視図、 第5図は本発明の実施例を示す工程説明図である。 トチツブ、2,3・・・側面、4・・・水平面(段部)
、5・・・樹脂フィルムテープ、6・・・スプロケット
ホール、7・・・テスト用パッド、8・・リード、9・
・・デバイスホール、10・・・チップボンディング用
フィンガーリード、11・・・バンプ、12・・・切断
線、13・・・樹脂溶液、14・・・ウニ・・、15・
・・スクライブ線、16・・カッター、17・・・カッ
ター。 代理人 升埋士 少 川 勝 男 ノ、−゛チノ 第 1 図 1′7 第 2 図
発明の実施例を示すチップの斜視図、第3図はフィルム
キャリアの一例平面図、第4図はウェハの一例斜視図、 第5図は本発明の実施例を示す工程説明図である。 トチツブ、2,3・・・側面、4・・・水平面(段部)
、5・・・樹脂フィルムテープ、6・・・スプロケット
ホール、7・・・テスト用パッド、8・・リード、9・
・・デバイスホール、10・・・チップボンディング用
フィンガーリード、11・・・バンプ、12・・・切断
線、13・・・樹脂溶液、14・・・ウニ・・、15・
・・スクライブ線、16・・カッター、17・・・カッ
ター。 代理人 升埋士 少 川 勝 男 ノ、−゛チノ 第 1 図 1′7 第 2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、立体形状に構成された半導体チップの周側面に段を
付設し、該チップの上面において該チップとリードとを
接続し、当該チップの上部から封止用樹脂溶液をポッテ
ィングして成ることを特徴とするフィルムキャリアパッ
ケージ。 2、段付チップの段付が、ウェハのダイシング工程で行
われて成る、特許請求の範囲第1項記載のフィルムキャ
リアパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61171570A JPS6329532A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | フイルムキヤリアパツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61171570A JPS6329532A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | フイルムキヤリアパツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329532A true JPS6329532A (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=15925594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61171570A Pending JPS6329532A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | フイルムキヤリアパツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329532A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09237807A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Nec Corp | 放熱性樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2006073843A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US10350166B2 (en) | 2009-07-29 | 2019-07-16 | Foamix Pharmaceuticals Ltd. | Non surface active agent non polymeric agent hydro-alcoholic foamable compositions, breakable foams and their uses |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP61171570A patent/JPS6329532A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09237807A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Nec Corp | 放熱性樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2006073843A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US10350166B2 (en) | 2009-07-29 | 2019-07-16 | Foamix Pharmaceuticals Ltd. | Non surface active agent non polymeric agent hydro-alcoholic foamable compositions, breakable foams and their uses |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2642359B2 (ja) | 半導体装置 | |
| TWI249772B (en) | Semiconductor device for accommodating large chip, fabrication method thereof, and carrier used in the semiconductor device | |
| US7173336B2 (en) | Hybrid integrated circuit device | |
| US5684328A (en) | Semiconductor chip package using improved tape mounting | |
| JPS63249345A (ja) | フレキシブル搭載基板 | |
| US6408510B1 (en) | Method for making chip scale packages | |
| US6558981B2 (en) | Method for making an encapsulated semiconductor chip module | |
| US6555898B2 (en) | Dam structure for center-bonded chip package | |
| JPS6329532A (ja) | フイルムキヤリアパツケ−ジ | |
| JP2000040676A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10135254A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JP2507564B2 (ja) | マルチチップ半導体装置とその製造方法 | |
| JPS6352431A (ja) | フイルムキヤリアパツケ−ジ | |
| JPS634632A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0521703A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2006237375A (ja) | ダイシング方法 | |
| JPS6329527A (ja) | テ−プキヤリアパツケ−ジレジンポツテイング方法 | |
| KR940010298A (ko) | 반도체 패키지 및 그의 제조방법 | |
| JP2509950B2 (ja) | テ―プキャリア | |
| JP4115560B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JPH01155632A (ja) | テープキャリア式半導体装置 | |
| TW557485B (en) | Semiconductor device and method of IC-mounting for semiconductor device | |
| JPS62249435A (ja) | 半導体装置 | |
| KR980006137A (ko) | 웨이퍼 쏘잉 방법 | |
| JPS61164293A (ja) | 混成集積回路の製造方法 |