JPS63249366A - 光センサの製造方法 - Google Patents
光センサの製造方法Info
- Publication number
- JPS63249366A JPS63249366A JP62083231A JP8323187A JPS63249366A JP S63249366 A JPS63249366 A JP S63249366A JP 62083231 A JP62083231 A JP 62083231A JP 8323187 A JP8323187 A JP 8323187A JP S63249366 A JPS63249366 A JP S63249366A
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- Japan
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- light
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミリ装置や光ディスクなどのＯＡ機器
の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関する
ものである。
の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関する
ものである。
従来の技術
近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ機器の画像情報入力
部の小型化や画像ひずみの改善を自相して原稿と同一寸
法の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像
読取装置が使用され始めており、さらに現在では階調面
での画像品質の改善やカラー化が強く望まれている。
部の小型化や画像ひずみの改善を自相して原稿と同一寸
法の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像
読取装置が使用され始めており、さらに現在では階調面
での画像品質の改善やカラー化が強く望まれている。
さて、ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはこれらの固溶体Ｃｄ５
−Ｃｄ５・を主体として成る光センサは光電流が大きい
のが特徴で、このためとのセンサを用いた密着型ライン
センサでは周辺回路の設計が容易となる。一方、この光
センサは光電流Ｊｐの照射光強度（すなわも原稿からの
反射光強度）Ｌに対する比例性に劣る欠点がある。すな
わち後者ではＴ ＰＯＣＬｒとしたときのγ値が、通常
の使用時のセンサ面照度５Ｏ−１００１ｕｘで０．６〜
０．７５と小さい。
−Ｃｄ５・を主体として成る光センサは光電流が大きい
のが特徴で、このためとのセンサを用いた密着型ライン
センサでは周辺回路の設計が容易となる。一方、この光
センサは光電流Ｊｐの照射光強度（すなわも原稿からの
反射光強度）Ｌに対する比例性に劣る欠点がある。すな
わち後者ではＴ ＰＯＣＬｒとしたときのγ値が、通常
の使用時のセンサ面照度５Ｏ−１００１ｕｘで０．６〜
０．７５と小さい。
光強度りが２００，３００１ｕｘと強くなるに従ってγ
値はさらに小さくなるので、高光強度が得られるレンズ
レス方式の完全密着型ラインセンサでは特にこのγ値低
下が問題となる。
値はさらに小さくなるので、高光強度が得られるレンズ
レス方式の完全密着型ラインセンサでは特にこのγ値低
下が問題となる。
発明が解決しようとする問題点
この様にγ値が小さいと例えば図に見える様に、センサ
面での光強度に対して生じる光電流に比例した出力信号
値がγ＝１．０の場合は比例しているのにγ−０，６の
場合は出力信号値の比例性がひどく劣ることが分る。こ
のため階調すなわち中間調を必要とする場合には余分の
回路処理を必要とすることになる。
面での光強度に対して生じる光電流に比例した出力信号
値がγ＝１．０の場合は比例しているのにγ−０，６の
場合は出力信号値の比例性がひどく劣ることが分る。こ
のため階調すなわち中間調を必要とする場合には余分の
回路処理を必要とすることになる。
ＣｄＳ 、ＣｄＳｅあるいは固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅを
ＣｄＣｌ２蒸気中で活性化した光導電型のセンサの場合
、γ値を大きくする。すなわち１．０に近づける方法と
してはＪｐ を小さくすればよい。例えば■ 不純物で
あるＣｕ濃度を高くする、■ 活性化時の温度を高くす
るなどの方法によってＩＰな小さくすることが出来るた
めγ値向上が可能となる。ただ同時に光電流の立下り時
間τｄは小さくなるが立上り時間τ、が大きくなシ、全
体として光応答速度が遅くなってしまうという大きな欠
点がある。
ＣｄＣｌ２蒸気中で活性化した光導電型のセンサの場合
、γ値を大きくする。すなわち１．０に近づける方法と
してはＪｐ を小さくすればよい。例えば■ 不純物で
あるＣｕ濃度を高くする、■ 活性化時の温度を高くす
るなどの方法によってＩＰな小さくすることが出来るた
めγ値向上が可能となる。ただ同時に光電流の立下り時
間τｄは小さくなるが立上り時間τ、が大きくなシ、全
体として光応答速度が遅くなってしまうという大きな欠
点がある。
問題点を解決するための手段
本発明は光応答速度を遅くせずしてγ値を大きくする方
法を提供するものである。すなわち、絶縁性基板上に、
ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはこれらの固溶体Ｃｄ５−Ｃｄ
Ｓｅを主体として成る薄膜を形成し、該薄膜を高温でＣ
ｄＣｌ２の蒸気に暴露し光電的に活性化して後対向電極
を設け、さらに保護膜を形成する光センサの製造方法に
おいて該保護膜を形成後、高温で該光センサに、吸収端
波長λＥよりも長波長側のある限界波長をλＬとしてこ
のλＬより短波長の光を一定光量以上照射することによ
りγ値を大きくする方法である。
法を提供するものである。すなわち、絶縁性基板上に、
ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはこれらの固溶体Ｃｄ５−Ｃｄ
Ｓｅを主体として成る薄膜を形成し、該薄膜を高温でＣ
ｄＣｌ２の蒸気に暴露し光電的に活性化して後対向電極
を設け、さらに保護膜を形成する光センサの製造方法に
おいて該保護膜を形成後、高温で該光センサに、吸収端
波長λＥよりも長波長側のある限界波長をλＬとしてこ
のλＬより短波長の光を一定光量以上照射することによ
りγ値を大きくする方法である。
作 用
本発明の方法によれば、光導電型光センサの光電流値が
大きいという特長を損わずして、しかもその光電流の光
応答速度を遅くせずしてγ値を大きくすることができる
。
大きいという特長を損わずして、しかもその光電流の光
応答速度を遅くせずしてγ値を大きくすることができる
。
以下実施例により本方法とその効果の詳細について述べ
る。
る。
実施例
絶縁性基板（コーニング社、＃７０６９．２３０×２５
Ｘ１．２ｄ）上に０．０１モルチのＣｕを含んだ厚さ４
ｏｏＯ人のＣｄＳ Ｓｅ の蒸着膜を形０．
６ ０．４ 成し、フォトエツチングにより主走査方向に島状（５ｏ
ｘ３ｓｏμｉ ）に８ビット／−の割合で１７２８ピツ
ト配置する。この島状のＣｄ５０．６Ｓｅ０．４膜を６
ｏＯ℃でＣｄＣｌ２の飽和蒸気中で加熱処理して光電的
に活性化して光導電体膜にした後、島状の膜の各々に対
向電極（ＮｉＣｒ／Ａｕ）すなわち共通電極と個別電極
を形成する。対向電極のギャップは６０μｍである。そ
の後ポリイミドの絶縁膜を形３Ｘ１０−’ｗ〆−ｘｓｏ
ｘｅｏ ｓｅｅ ＝ｏ 、 ５４１ ／ｃｒｙ）単色光
を照射した。波長域は４００〜７００ ｎ ｍであシ、
Ｘｓランプの分光である。照射波長により特性変化が異
なる様子を第１表にまとめる。なおｃｄＳｏ、６Ｓｅ０
．４センサの光電流ＩＰのピーク波長λＰは５ Ｂ Ｏ
ｎｍであり、吸収端波長λＰは６００ ｎｍである。
Ｘ１．２ｄ）上に０．０１モルチのＣｕを含んだ厚さ４
ｏｏＯ人のＣｄＳ Ｓｅ の蒸着膜を形０．
６ ０．４ 成し、フォトエツチングにより主走査方向に島状（５ｏ
ｘ３ｓｏμｉ ）に８ビット／−の割合で１７２８ピツ
ト配置する。この島状のＣｄ５０．６Ｓｅ０．４膜を６
ｏＯ℃でＣｄＣｌ２の飽和蒸気中で加熱処理して光電的
に活性化して光導電体膜にした後、島状の膜の各々に対
向電極（ＮｉＣｒ／Ａｕ）すなわち共通電極と個別電極
を形成する。対向電極のギャップは６０μｍである。そ
の後ポリイミドの絶縁膜を形３Ｘ１０−’ｗ〆−ｘｓｏ
ｘｅｏ ｓｅｅ ＝ｏ 、 ５４１ ／ｃｒｙ）単色光
を照射した。波長域は４００〜７００ ｎ ｍであシ、
Ｘｓランプの分光である。照射波長により特性変化が異
なる様子を第１表にまとめる。なおｃｄＳｏ、６Ｓｅ０
．４センサの光電流ＩＰのピーク波長λＰは５ Ｂ Ｏ
ｎｍであり、吸収端波長λＰは６００ ｎｍである。
第 １ 表
［
［
［
［
「
［−
吸収端波長λＥよりも僅かに長波長の６１０ｎｍに効果
のピークがあり、それよりもさらに長波長′側の本来僅
かな吸収しかない６５０ ｎｍでもなおγ値増大の効果
が大きい。この効果の限界波長λＬ−，６５０ｎｍとす
ると、λＬ−λＨ＝５０ｎｍとなる。
のピークがあり、それよりもさらに長波長′側の本来僅
かな吸収しかない６５０ ｎｍでもなおγ値増大の効果
が大きい。この効果の限界波長λＬ−，６５０ｎｍとす
ると、λＬ−λＨ＝５０ｎｍとなる。
次に、同じく強度３００μＷ贋で波長６１０ｎｍの光を
照射する。時間と共に特性が変化する様子を第２表にま
とめる。
照射する。時間と共に特性が変化する様子を第２表にま
とめる。
第 ２ 表
時間、すなわち照射光量の増大と共ＫＴＰが減少し、Ｔ
が増大することが分る。γ値向上、高速化には０ 、１
５１７ａｄの照射光量でも充分な効果を有する。ただ過
度に照射するとＩＰが小さくなってしまうのでＩＰはδ
μ八へ上であることが好ましい。
が増大することが分る。γ値向上、高速化には０ 、１
５１７ａｄの照射光量でも充分な効果を有する。ただ過
度に照射するとＩＰが小さくなってしまうのでＩＰはδ
μ八へ上であることが好ましい。
一方、光照射時の温度を８０ないし３００℃と変えた場
合の結果を第３表にまとめである。８０℃以下では効果
がなく、３００℃以上では保護膜が損傷する。この時の
光は同じ（６１０ｎｍの光を用い３００μＷ／ｃｒＡで
３０分間処理したものである。
合の結果を第３表にまとめである。８０℃以下では効果
がなく、３００℃以上では保護膜が損傷する。この時の
光は同じ（６１０ｎｍの光を用い３００μＷ／ｃｒＡで
３０分間処理したものである。
第 ３ 表
この様にγ値を大きくすることができる。この光照射時
の雰囲気は空気中だけでなく、Ｎ２やＡｒなどの中性雰
囲気でも良い。
の雰囲気は空気中だけでなく、Ｎ２やＡｒなどの中性雰
囲気でも良い。
発明の効果
本発明はγ値を１．０に近づけることができることから
光電流値の大きい光導電型ＣｄＳ系光センサを用いたラ
インセンサで、階調すなわち中間調をとることが容易に
なり、カラー化に対しても有利であり、２値に対しても
画品質の向上という点で大きく寄与するものである。
光電流値の大きい光導電型ＣｄＳ系光センサを用いたラ
インセンサで、階調すなわち中間調をとることが容易に
なり、カラー化に対しても有利であり、２値に対しても
画品質の向上という点で大きく寄与するものである。
図は光センサにおける光電流と光強度の関係を示す図で
ある。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆ：
、六度 （仕起人攬）
ある。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆ：
、六度 （仕起人攬）
Claims (4)
- （１）絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはこれら
の固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体として成る薄膜を形成
し、前記薄膜を高温でＣｄＣｌ＿２蒸気に暴露し光電的
に活性化して後対向電極を設け、さらに保護膜を形成す
る光センサの製造方法において、前記保護膜を形成後、
高温で前記光センサに、吸収端波長λ＿Ｅよりも長波長
側の限界波長をλ＿Ｌとしてこのλ＿Ｌよりも短波長の
光を、一定光量以上照射することを特徴として成る光セ
ンサの製造方法。 - （２）光照射時の温度が８０〜３００℃であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光センサの製造方
法。 - （３）λ＿Ｌ−λ＿Ｅが５０ｎｍであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載の光センサの製
造方法。 - （４）一定光量が０．１５Ｊ／ｃｍ＾３であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれかに記
載の光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62083231A JPS63249366A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62083231A JPS63249366A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 光センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63249366A true JPS63249366A (ja) | 1988-10-17 |
Family
ID=13796547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62083231A Pending JPS63249366A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63249366A (ja) |
-
1987
- 1987-04-03 JP JP62083231A patent/JPS63249366A/ja active Pending
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