JPH01220478A - 光センサの製造方法 - Google Patents
光センサの製造方法Info
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- JPH01220478A JPH01220478A JP63046193A JP4619388A JPH01220478A JP H01220478 A JPH01220478 A JP H01220478A JP 63046193 A JP63046193 A JP 63046193A JP 4619388 A JP4619388 A JP 4619388A JP H01220478 A JPH01220478 A JP H01220478A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/12—Active materials
- H10F77/123—Active materials comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or HgCdTe
- H10F77/1233—Active materials comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or HgCdTe characterised by the dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ装置や光ディスクなどの０ム機
器の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関す
るものである。
器の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関す
るものである。
従来の技術
近年、ファクシミリ装置や各種Ｏム機器の画像情報入力
部の小型化や画像ひずみの改善を０指して原稿幅と同一
寸法の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画
像読取装置が使用され始めており、さらに現在では性能
面での向上すなわち高速化や画品質の向上が強く望まれ
ている。
部の小型化や画像ひずみの改善を０指して原稿幅と同一
寸法の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画
像読取装置が使用され始めており、さらに現在では性能
面での向上すなわち高速化や画品質の向上が強く望まれ
ている。
さて、Ｃｄｓ、ＣｄＳｅあるいは固溶体０６Ｂ−ＣｄＳ
ｅを主体として成る光センサは、光電流が大きいのが特
徴で、このためこのセンサを用いた密着型ラインセンサ
では周辺回路の設計が容易となる。−方、この光センサ
は光電流、ｉｐの光照射に対する応答速度が遅く、しか
も照射光強度、すなわち原稿からの反射光強度りに対す
る比例性に劣るという二つの欠点がある。すなわち、前
者ではＪｐの立上り時間τｒや立下り時間τｄが通常使
用時のセンサ面強度１００ＪｕＸで２〜３１１！ｌｅｅ
と長く、後者ではＪ ｐ ｏｅ Ｌ としたときのγ
値が、６０〜１ｏｏ６ｕｘで０．６〜０．７６と小さい
。
ｅを主体として成る光センサは、光電流が大きいのが特
徴で、このためこのセンサを用いた密着型ラインセンサ
では周辺回路の設計が容易となる。−方、この光センサ
は光電流、ｉｐの光照射に対する応答速度が遅く、しか
も照射光強度、すなわち原稿からの反射光強度りに対す
る比例性に劣るという二つの欠点がある。すなわち、前
者ではＪｐの立上り時間τｒや立下り時間τｄが通常使
用時のセンサ面強度１００ＪｕＸで２〜３１１！ｌｅｅ
と長く、後者ではＪ ｐ ｏｅ Ｌ としたときのγ
値が、６０〜１ｏｏ６ｕｘで０．６〜０．７６と小さい
。
発明が解決しようとする課題 ゛
この様に、センサの光電流の立上り時間や立下り時間が
長いと、このセンサを用いたラインセンサの読取り走査
速度が４〜ｓｍｓ／７１ｉｎｅ と制限されてしまう。
長いと、このセンサを用いたラインセンサの読取り走査
速度が４〜ｓｍｓ／７１ｉｎｅ と制限されてしまう。
またγ値が小さいと、センサ面での光強度に応じて生じ
る光電流すなわち出力信号値が図に見られる様にγ＝１
．０の場合は比例しているのにγ＝０．６の場合はひど
く比例性が劣ることが分かる。このため中間調の再現に
余分の回路処理を必要とする。
る光電流すなわち出力信号値が図に見られる様にγ＝１
．０の場合は比例しているのにγ＝０．６の場合はひど
く比例性が劣ることが分かる。このため中間調の再現に
余分の回路処理を必要とする。
ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは固溶体ＣｄＳ−ＣｄＳｅをＣ
ａＣｌ２蒸気中で活性化熱処理した光導電型センサの場
合、γ値を大きくすることは、例えば不純物であるＣｕ
濃度を高くするなどの方法によって実現される。ただ同
時に光電流の立下り時間τｄは小さくなるが、立上り時
間τｒが大きくなシ、全体としての光応答速度が遅くな
るとともに光電流Ｊｐも小さくなるという大きな欠点が
ある。
ａＣｌ２蒸気中で活性化熱処理した光導電型センサの場
合、γ値を大きくすることは、例えば不純物であるＣｕ
濃度を高くするなどの方法によって実現される。ただ同
時に光電流の立下り時間τｄは小さくなるが、立上り時
間τｒが大きくなシ、全体としての光応答速度が遅くな
るとともに光電流Ｊｐも小さくなるという大きな欠点が
ある。
本発明は、光電流Ｊｐを小さくせずに光応答速度を速く
し、しかもγ値を大きくする方法を提供するものである
。
し、しかもγ値を大きくする方法を提供するものである
。
課題を解決するだめの手段
絶縁性基板上にＣｄＳ５Ｇ（１８１５あるいは固溶体０
６５−ＣｄＳｅを主体とし、これに少量のＣｕあるいは
Ａｇを添加して成る半導体薄膜を形成し、前記薄膜を高
温でＣｄＣ７１２の蒸気に暴露し活性化熱処理した後、
対向電極を設け、さらに保護膜を形成する光センサの製
造方法において、前記活性化熱処理の後にさらに、少量
のＣｕあるいはＡｇを表面に付着させ前記半導体薄膜中
に拡散させることを特徴とする。
６５−ＣｄＳｅを主体とし、これに少量のＣｕあるいは
Ａｇを添加して成る半導体薄膜を形成し、前記薄膜を高
温でＣｄＣ７１２の蒸気に暴露し活性化熱処理した後、
対向電極を設け、さらに保護膜を形成する光センサの製
造方法において、前記活性化熱処理の後にさらに、少量
のＣｕあるいはＡｇを表面に付着させ前記半導体薄膜中
に拡散させることを特徴とする。
作用
本発明の方法によれば、ＣｄＳ系光導電型センサの光電
流値が大きいという特長を損わずに、しかもその光応答
速度を著しく速くし、さらにγ値を大きくすることがで
きる。しかも特性のバラツキは小さく、かつ安定性に優
れる。光電流は、その立下り時間τｄにほぼ比例するも
のであるが、この立下り時間が短かくなっても光電流が
小さくならないのは、本発明の方法によシ半導体薄膜中
の光キャリア（電子）の移動度が大きくなるためである
。
流値が大きいという特長を損わずに、しかもその光応答
速度を著しく速くし、さらにγ値を大きくすることがで
きる。しかも特性のバラツキは小さく、かつ安定性に優
れる。光電流は、その立下り時間τｄにほぼ比例するも
のであるが、この立下り時間が短かくなっても光電流が
小さくならないのは、本発明の方法によシ半導体薄膜中
の光キャリア（電子）の移動度が大きくなるためである
。
実施例
以下、本発明の詳細な説明する。
ガラスなどの絶縁性基板上に少量のＣｕあるいはＡｇを
含むＣｊａＳｌＣｄＳｅあるいは０ｄ８−ＣｄＳｅの半
導体薄膜を真空蒸着法などによって形成する。
含むＣｊａＳｌＣｄＳｅあるいは０ｄ８−ＣｄＳｅの半
導体薄膜を真空蒸着法などによって形成する。
この薄膜を高温にてＣｄＣｌ２の蒸気に暴露し、通常４
６０〜ｅｏｏ℃で活性化熱処理を施す。その後、ＮｉＣ
ｒ／ムＵの蒸着形成膜などで対向電極を形成する。この
電極形成の前か後で上記活性化半導体薄膜上さらに少量
のＣｕあるいはＡｇを付着拡散させる。Ｃ（ｉｓ系先光
センサ添加されたＣｕやＡｇなどを増感不純物と言う。
６０〜ｅｏｏ℃で活性化熱処理を施す。その後、ＮｉＣ
ｒ／ムＵの蒸着形成膜などで対向電極を形成する。この
電極形成の前か後で上記活性化半導体薄膜上さらに少量
のＣｕあるいはＡｇを付着拡散させる。Ｃ（ｉｓ系先光
センサ添加されたＣｕやＡｇなどを増感不純物と言う。
増感不純物としては増感効果、すなわち光電流を大きく
し、光電流と暗電流の比いわゆる明暗比を大きくするも
のなら何でも良いが、特にＣｕやＡｇがその効果が大き
い。この様な増感不純物の付着は活性比熱処理後電極形
成の前でも良く、あるいは電極形成後保護膜形成の前で
も良い。増感不純物の膜中への拡散は加熱によって起こ
すが、これは付着時の基板加熱や付着後の加熱によって
達成される。付着後の加熱は電極形成前であったり後で
あったりするが、場合によっては保護膜形成時の加熱を
利用しても良い。増感不純物の付着は真空蒸着法や化学
的付着法による。化学的付着とは、例えばＣｕを付着さ
せる場合、ｃｕｃ１２を水に溶かした液中に基板上のＣ
ａＳ系膜を浸漬し表面にＣｕを付着させる方法である。
し、光電流と暗電流の比いわゆる明暗比を大きくするも
のなら何でも良いが、特にＣｕやＡｇがその効果が大き
い。この様な増感不純物の付着は活性比熱処理後電極形
成の前でも良く、あるいは電極形成後保護膜形成の前で
も良い。増感不純物の膜中への拡散は加熱によって起こ
すが、これは付着時の基板加熱や付着後の加熱によって
達成される。付着後の加熱は電極形成前であったり後で
あったりするが、場合によっては保護膜形成時の加熱を
利用しても良い。増感不純物の付着は真空蒸着法や化学
的付着法による。化学的付着とは、例えばＣｕを付着さ
せる場合、ｃｕｃ１２を水に溶かした液中に基板上のＣ
ａＳ系膜を浸漬し表面にＣｕを付着させる方法である。
この化学的付着時には基板温度（すなわち液温）は室温
〜８０℃とする。８０℃を越えるとバラツキを生じやす
い。また真空蒸着時の基板温度は室温〜４００’Ｃとす
る。４００’Ｃを越えるとバラツキを生じ好ましくない
。
〜８０℃とする。８０℃を越えるとバラツキを生じやす
い。また真空蒸着時の基板温度は室温〜４００’Ｃとす
る。４００’Ｃを越えるとバラツキを生じ好ましくない
。
さらに、増感不純物の付着時の基板温度が低い場合や必
要特性を得るために、増感不純物付着後中性または少量
の酸素を含む雰囲気中において、１５０〜４００℃の加
熱処理を施すのがよい。その後シリコン樹脂やポリイミ
ドなどの保護膜を形成し光センサを完成する。保護膜の
乾燥、加熱などの処理をもって上記熱処理にかえても良
い。増感不純物付着中、あるいは付着後におけるこれら
の加熱過程によって拡散が達成される。
要特性を得るために、増感不純物付着後中性または少量
の酸素を含む雰囲気中において、１５０〜４００℃の加
熱処理を施すのがよい。その後シリコン樹脂やポリイミ
ドなどの保護膜を形成し光センサを完成する。保護膜の
乾燥、加熱などの処理をもって上記熱処理にかえても良
い。増感不純物付着中、あるいは付着後におけるこれら
の加熱過程によって拡散が達成される。
実施例１
ガラス基板（コーニング社、≠７０５９．２３０Ｘ２６
Ｘ１，２７）上に厚さ４０００人のＣｄ８ｏ、６８６０
，４ ： Ｃｕ （０，００５モルチ）の蒸着膜を形成
し、フォトエツチングによシ主走査方向に島状（９０Ｘ
３５０μ１ａ２）に８ビット／ｍｍの割合で１７２８ピ
ツト配置する。Ｃｕの分量は母体のｃａｓｏ６Ｓｅｏ、
４に対して０．００５〜０．０１５モル％が好ましい。
Ｘ１，２７）上に厚さ４０００人のＣｄ８ｏ、６８６０
，４ ： Ｃｕ （０，００５モルチ）の蒸着膜を形成
し、フォトエツチングによシ主走査方向に島状（９０Ｘ
３５０μ１ａ２）に８ビット／ｍｍの割合で１７２８ピ
ツト配置する。Ｃｕの分量は母体のｃａｓｏ６Ｓｅｏ、
４に対して０．００５〜０．０１５モル％が好ましい。
０．００５モル係以下では特性は優れるが均一性に劣る
ことがあり、０．０１５モルチ以上ではＪｐの立上り時
間τｒが大きくなる。この島状のＣｄＳｏ、６ ｓｅｏ
、４ ： Ｃｕ膜を５００’ＣでＣｄＣｊ！２の飽和蒸
気中で加熱処理して光電的に活性化して光導電体膜にし
た後、その島状の膜の各々に対向電極（ＮｉＣｒ／ムＵ
蒸着膜）すなわち共通電極と個別電極を形成する。対向
電極のギャップは６０μｍである。その後、母体である
ＣｄＳ（１，６ｇ６０．４膜に対して０．００５〜０．
１モルチのＣｕを蒸着拡散させる。Ｃｕ量が０．００５
モルチよシ少ないと立下シ特性を良くする効果が小さく
、０．１モルチ以上では立上シ特性が悪くなる。Ｃｕ蒸
着後中性または少量の酸素を含む雰囲気中、１６０〜４
００℃で加熱処理を施す。その後シリコン樹脂保ＭＭを
形成シラインセンサを完成する。これらラインセンサの
うちの１ビツトの特性を調べＣＵ蒸着時の基板温度が１
５０℃の場合の結果を第１表にまとめる。比較のため、
通常のＣ（ｉ５ｏ、６ Ｓ・Ｑ、４ ： Ｃｕ （ＱＯ
１〜０．１モル％）蒸着膜を上記同様活性比熱処理後電
極形成したセンサについても調べである。なお特性は印
加電圧ＤＣ１ｏＶ、光照射は緑色ＬＩＤ光（５７０ｎｍ
、 １００１ｕｘ ）を１Ｈｚ （０，５ｓｅａずつ
）で点滅して測定した。応答時間は光電流Ｊｐが０から
飽和値の５０％に上がるまでの時間を立上り時間τｒ％
Ｊｐが飽和値からその６０チに下がるまでの時間を立下
り時間τｄとした。またγは６０〜１００７１ｕｘ間で
の平均値である。
ことがあり、０．０１５モルチ以上ではＪｐの立上り時
間τｒが大きくなる。この島状のＣｄＳｏ、６ ｓｅｏ
、４ ： Ｃｕ膜を５００’ＣでＣｄＣｊ！２の飽和蒸
気中で加熱処理して光電的に活性化して光導電体膜にし
た後、その島状の膜の各々に対向電極（ＮｉＣｒ／ムＵ
蒸着膜）すなわち共通電極と個別電極を形成する。対向
電極のギャップは６０μｍである。その後、母体である
ＣｄＳ（１，６ｇ６０．４膜に対して０．００５〜０．
１モルチのＣｕを蒸着拡散させる。Ｃｕ量が０．００５
モルチよシ少ないと立下シ特性を良くする効果が小さく
、０．１モルチ以上では立上シ特性が悪くなる。Ｃｕ蒸
着後中性または少量の酸素を含む雰囲気中、１６０〜４
００℃で加熱処理を施す。その後シリコン樹脂保ＭＭを
形成シラインセンサを完成する。これらラインセンサの
うちの１ビツトの特性を調べＣＵ蒸着時の基板温度が１
５０℃の場合の結果を第１表にまとめる。比較のため、
通常のＣ（ｉ５ｏ、６ Ｓ・Ｑ、４ ： Ｃｕ （ＱＯ
１〜０．１モル％）蒸着膜を上記同様活性比熱処理後電
極形成したセンサについても調べである。なお特性は印
加電圧ＤＣ１ｏＶ、光照射は緑色ＬＩＤ光（５７０ｎｍ
、 １００１ｕｘ ）を１Ｈｚ （０，５ｓｅａずつ
）で点滅して測定した。応答時間は光電流Ｊｐが０から
飽和値の５０％に上がるまでの時間を立上り時間τｒ％
Ｊｐが飽和値からその６０チに下がるまでの時間を立下
り時間τｄとした。またγは６０〜１００７１ｕｘ間で
の平均値である。
（以 下 余 白）
この様に、光電流を数μ五以上と大きく保ったまま立下
り時間τｄをｏ、ｓ ｍｇｅｃ程度にまで小さく、γも
０．７０以上、多くは０．８０以上と大きくできる。一
方、光電流の立上り時間τｒは、通常センサの場合と違
ってτｄが小さくなっても大きくならず、実際にライン
センサとして用いる場合には原稿黒地でも存在する反射
光（少なくとも３％はある）がバイアス光となり、これ
が常時センサに照射されるため、実効的には著しく小さ
くなる。その効果を第２表にて示す。仁の程度のバイア
ス光照射による他の特性（、ｙｐ、τｄ、γ）の変化は
殆んどない。
り時間τｄをｏ、ｓ ｍｇｅｃ程度にまで小さく、γも
０．７０以上、多くは０．８０以上と大きくできる。一
方、光電流の立上り時間τｒは、通常センサの場合と違
ってτｄが小さくなっても大きくならず、実際にライン
センサとして用いる場合には原稿黒地でも存在する反射
光（少なくとも３％はある）がバイアス光となり、これ
が常時センサに照射されるため、実効的には著しく小さ
くなる。その効果を第２表にて示す。仁の程度のバイア
ス光照射による他の特性（、ｙｐ、τｄ、γ）の変化は
殆んどない。
（以下余白）
実施例２
実施例１と同じ製法で、ＣｕＯ代りにＡｇを用いた光セ
ンサを作製した。ＣｄＳ、）、６３ｅＯ，４：Ａｇ蒸着
膜中のＡｇの分量は母体ＣｄＳｏ６Ｓ００４に対して０
．００５〜０．０１５モルモル係極形成後蒸着拡散させ
るＡｇの分量は母体に対して０．００５〜０．１モル係
である。
ンサを作製した。ＣｄＳ、）、６３ｅＯ，４：Ａｇ蒸着
膜中のＡｇの分量は母体ＣｄＳｏ６Ｓ００４に対して０
．００５〜０．０１５モルモル係極形成後蒸着拡散させ
るＡｇの分量は母体に対して０．００５〜０．１モル係
である。
この様にして得た光センサの内、最初の蒸着膜中のＡｇ
の分量が０．００５モル係、後で蒸着拡散させるλｇの
分量がｏ、０１〜０．１モル係のラインセンサのうちそ
れぞれ１ビツトについての特性を第３表に、またそれら
のうち一部についてはバイアス光３悌を照射した場合の
特性を第４表にて示す。
の分量が０．００５モル係、後で蒸着拡散させるλｇの
分量がｏ、０１〜０．１モル係のラインセンサのうちそ
れぞれ１ビツトについての特性を第３表に、またそれら
のうち一部についてはバイアス光３悌を照射した場合の
特性を第４表にて示す。
（以 下 余 白）
ＣｕあるいはＡｇの付加的な付着拡散により優れた特性
が得られることが分かる。ＣｄＳ（１，６ｓｅＯ，４：
Ｃｕの上にＡｇを付着拡散しても、逆に”５ｏ６ｓ８
ｏ４：Ａｇの上にＣｕを付着拡散しても良い。ただ最初
に含まれるＣｕあるいはＡｇの分量は微量（０，００６
〜０．０１５モル係）であることを要する。
が得られることが分かる。ＣｄＳ（１，６ｓｅＯ，４：
Ｃｕの上にＡｇを付着拡散しても、逆に”５ｏ６ｓ８
ｏ４：Ａｇの上にＣｕを付着拡散しても良い。ただ最初
に含まれるＣｕあるいはＡｇの分量は微量（０，００６
〜０．０１５モル係）であることを要する。
上記実施例ではＣｄ ５ｏ６Ｓ ｅ Ｏ４を例にとった
が、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ や他の組成比の固溶体ＣｄＳ
−ＣｄＳｅでも同様の効果が得られる。
が、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ や他の組成比の固溶体ＣｄＳ
−ＣｄＳｅでも同様の効果が得られる。
発明の効果
本発明によれば、光電流値が大きいままで光応答速度が
著しく速く、しかもγ値の大なる光センサを実現するこ
とが可能となる。これよシ、中間調再現に優れた、高速
の画像読取装置ができる。
著しく速く、しかもγ値の大なる光センサを実現するこ
とが可能となる。これよシ、中間調再現に優れた、高速
の画像読取装置ができる。
図は光センサにおける光電流と光強度の関係を示す図で
ある。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名り亡
ｉ１強度 （仕５九尺、受ン
ある。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名り亡
ｉ１強度 （仕５九尺、受ン
Claims (1)
- （１）絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいは固溶体
ＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体とし、これに少量のＣｕあるい
はＡｇを添加して成る半導体薄膜を形成し、前記薄膜を
高温でＣｄＧｌ＿２の蒸気に暴露し活性化熱処理した後
対向電極を設け、さらに保護膜を形成する光センサの製
造方法において、前記活性化熱処理の後にさらに、少量
のＣｕあるいはＡｇを表面に付着させ前記半導体薄膜中
に拡散させることを特徴とする光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046193A JPH01220478A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046193A JPH01220478A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 光センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220478A true JPH01220478A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12740225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046193A Pending JPH01220478A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01220478A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804463A (en) * | 1995-06-05 | 1998-09-08 | Raytheon Ti Systems, Inc. | Noble metal diffusion doping of mercury cadmium telluride for use in infrared detectors |
| US5861321A (en) * | 1995-11-21 | 1999-01-19 | Texas Instruments Incorporated | Method for doping epitaxial layers using doped substrate material |
| US20130016266A1 (en) * | 1997-07-15 | 2013-01-17 | Kia Silverbrook | Handheld imaging device with vliw image processor |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046193A patent/JPH01220478A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804463A (en) * | 1995-06-05 | 1998-09-08 | Raytheon Ti Systems, Inc. | Noble metal diffusion doping of mercury cadmium telluride for use in infrared detectors |
| US5861321A (en) * | 1995-11-21 | 1999-01-19 | Texas Instruments Incorporated | Method for doping epitaxial layers using doped substrate material |
| US20130016266A1 (en) * | 1997-07-15 | 2013-01-17 | Kia Silverbrook | Handheld imaging device with vliw image processor |
| US9432529B2 (en) | 1997-07-15 | 2016-08-30 | Google Inc. | Portable handheld device with multi-core microcoded image processor |
| US9560221B2 (en) * | 1997-07-15 | 2017-01-31 | Google Inc. | Handheld imaging device with VLIW image processor |
| US9584681B2 (en) | 1997-07-15 | 2017-02-28 | Google Inc. | Handheld imaging device incorporating multi-core image processor |
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