JPH0612833B2 - 光センサの製造方法 - Google Patents
光センサの製造方法Info
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- JPH0612833B2 JPH0612833B2 JP1059925A JP5992589A JPH0612833B2 JP H0612833 B2 JPH0612833 B2 JP H0612833B2 JP 1059925 A JP1059925 A JP 1059925A JP 5992589 A JP5992589 A JP 5992589A JP H0612833 B2 JPH0612833 B2 JP H0612833B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000008774 maternal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はファクシミリ装置や光ディスクなどのＯＡ機器
の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関する
ものである。
の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関する
ものである。
従来の技術 近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ機器の画像入力部の
小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿幅と同一寸法
の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像読
取装置が広く使用される様になり、さらに現在では性能
面での向上すなはち高速化や画品質の向上が強く望まれ
ている。
小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿幅と同一寸法
の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画像読
取装置が広く使用される様になり、さらに現在では性能
面での向上すなはち高速化や画品質の向上が強く望まれ
ている。
さて、CdS、CdSeあるいは固溶体CdS−CdSeを主体として
成る光センサは光電流が大きいのが特長で、このためこ
のセンサを用いた密着型ラインセンサで周辺回路の設計
が容易となる。一方、この光センサは光電流Ｊpの光照
射に対する応答速度が遅く、しかも照射光強度（すなは
ち原稿からの反射光強度）Ｌに対する比例性に劣るとい
う二つの欠点がある。すなわち、前者ではＪpの立上が
り時間τrや立下がり時間τdが通常使用時のセンサ面強
度100luxで2〜3msecと長く後者ではＪpがＬのγ乗とし
たときのγ値が、50〜100luxで0.6〜0.75と小さい。
成る光センサは光電流が大きいのが特長で、このためこ
のセンサを用いた密着型ラインセンサで周辺回路の設計
が容易となる。一方、この光センサは光電流Ｊpの光照
射に対する応答速度が遅く、しかも照射光強度（すなは
ち原稿からの反射光強度）Ｌに対する比例性に劣るとい
う二つの欠点がある。すなわち、前者ではＪpの立上が
り時間τrや立下がり時間τdが通常使用時のセンサ面強
度100luxで2〜3msecと長く後者ではＪpがＬのγ乗とし
たときのγ値が、50〜100luxで0.6〜0.75と小さい。
発明が解決しようとする課題 この様に、センサの光電流の立上がり時間や立下がり時
間が長いとこのセンサを用いたラインセンサの読取り走
査速度が4〜5ms/lineと制限されてしまう。またγ値が
小さいと、センサ面での光強度に応じて生じる光電流す
なわち出力信号値がこれに比例しないという事態が生じ
る。このため中間調の再現に余分の回路処理を必要とす
る。
間が長いとこのセンサを用いたラインセンサの読取り走
査速度が4〜5ms/lineと制限されてしまう。またγ値が
小さいと、センサ面での光強度に応じて生じる光電流す
なわち出力信号値がこれに比例しないという事態が生じ
る。このため中間調の再現に余分の回路処理を必要とす
る。
CdS，CdSeあるいは固溶体CdS−CdSeを主体として成る半
導体薄膜をCdCl2蒸気中で活性化熱処理した光導電型セ
ンサの場合、γ値を大きくすることは、例えば増感不純
物であるＣu濃度を高くするなどの方法によって実現さ
れる。ただ同時に光電流の立下がり時間τdは小さくな
るが、立上がり時間τrが大きくなり、全体としての光
応答速度が遅くなるとともに光電流Ｊpも小さくなると
いう大きな欠点がある。この欠点をなくすため本願発明
者等は、半導体薄膜を活性化熱処理した後、増感不純物
としてのＣuあるいはＡgを表面に付着させ、ある程度高
温で加熱拡散せしめて後電極を形成し、高速でかつ高γ
値の光センサを実現した。増感不純物の付着拡散は電極
形成後でも良い。
導体薄膜をCdCl2蒸気中で活性化熱処理した光導電型セ
ンサの場合、γ値を大きくすることは、例えば増感不純
物であるＣu濃度を高くするなどの方法によって実現さ
れる。ただ同時に光電流の立下がり時間τdは小さくな
るが、立上がり時間τrが大きくなり、全体としての光
応答速度が遅くなるとともに光電流Ｊpも小さくなると
いう大きな欠点がある。この欠点をなくすため本願発明
者等は、半導体薄膜を活性化熱処理した後、増感不純物
としてのＣuあるいはＡgを表面に付着させ、ある程度高
温で加熱拡散せしめて後電極を形成し、高速でかつ高γ
値の光センサを実現した。増感不純物の付着拡散は電極
形成後でも良い。
ただ、この様にして得られたセンサでもτrがなおτdよ
り大きく、その高速性に不満があった。
り大きく、その高速性に不満があった。
本発明は、光電流Ｊpを小さくせずして光応答速度を速
くし、しかもγ値を大きくする方法を提供するものであ
る。
くし、しかもγ値を大きくする方法を提供するものであ
る。
課題を解決するための手段 絶縁性基板上に未ドープのCdS、CdSeあるいは固溶体CdS
−CdSeを主体として成る半導体薄膜を形成し、前記薄膜
を高温でCdCl2の蒸気に暴露し光電的に活性化熱処理し
た後、少量のＣuあるいはＡgを前記半導体薄膜に付着せ
しめ、高温で熱処理し薄膜中に拡散させて後対向電極を
設け、さらに保護膜を形成する光センサの製造方法にお
いて、前記絶縁性基板として、前記半導体薄膜と接する
面にＣuあるいはＡgの何れをも含有していない絶縁性薄
層を設けたものを用い、前記活性化熱処理時に前記絶縁
性薄層を通って前記基板中のＣuあるいはＡgが前記半導
体薄膜に移行拡散しないよう構成する。
−CdSeを主体として成る半導体薄膜を形成し、前記薄膜
を高温でCdCl2の蒸気に暴露し光電的に活性化熱処理し
た後、少量のＣuあるいはＡgを前記半導体薄膜に付着せ
しめ、高温で熱処理し薄膜中に拡散させて後対向電極を
設け、さらに保護膜を形成する光センサの製造方法にお
いて、前記絶縁性基板として、前記半導体薄膜と接する
面にＣuあるいはＡgの何れをも含有していない絶縁性薄
層を設けたものを用い、前記活性化熱処理時に前記絶縁
性薄層を通って前記基板中のＣuあるいはＡgが前記半導
体薄膜に移行拡散しないよう構成する。
なお未ドープとは、活性化熱処理前の半導体薄膜がＣu
あるいはＡgの様な増感不純物を含有していない状態を
意味する。
あるいはＡgの様な増感不純物を含有していない状態を
意味する。
また、対向電極を設けた後、少量のＣuあるいはＡgを前
記半導体薄膜に付着せしめ、高温で熱処理し薄膜中に拡
散させてもよい。
記半導体薄膜に付着せしめ、高温で熱処理し薄膜中に拡
散させてもよい。
作 用 本発明の方法によれば、CdS系光導電型センサの光電流
値が大きいという特徴を損なわずして、しかもその光応
答速度を著しく速くし、さらにγ値を大きくすることが
できる。ＣuあるいはＡgを含有する基板上にCdS系半導
体薄膜を形成し、CdCl2蒸気中で活性化熱処理すると、
基板中のＣuあるいはＡgがセンサ膜中に移行し、膜中に
数多くの電子トラップを誘起し、そのため光照射時の立
上がり時間τrが長くなり、センサの高速化が損なわれ
る。絶縁性基板の前記半導体薄膜と接する面にＣuある
いはＡgの何れをも含有していない絶縁性薄層を設けて
成り、活性化熱処理時に絶縁性薄層を通って基板中のＣ
uあるいはＡgが半導体薄膜に移行拡散しない基板上に活
性化したCdS系薄膜を形成し、その上にＣuあるいはＡg
を付着拡散したセンサはこの様な電子トラップが著しく
少なくなり、ＣuあるいはＡgを含有する基板上に形成し
たセンサに較べてはるかにτrが小さく、従って一段と
高速である。
値が大きいという特徴を損なわずして、しかもその光応
答速度を著しく速くし、さらにγ値を大きくすることが
できる。ＣuあるいはＡgを含有する基板上にCdS系半導
体薄膜を形成し、CdCl2蒸気中で活性化熱処理すると、
基板中のＣuあるいはＡgがセンサ膜中に移行し、膜中に
数多くの電子トラップを誘起し、そのため光照射時の立
上がり時間τrが長くなり、センサの高速化が損なわれ
る。絶縁性基板の前記半導体薄膜と接する面にＣuある
いはＡgの何れをも含有していない絶縁性薄層を設けて
成り、活性化熱処理時に絶縁性薄層を通って基板中のＣ
uあるいはＡgが半導体薄膜に移行拡散しない基板上に活
性化したCdS系薄膜を形成し、その上にＣuあるいはＡg
を付着拡散したセンサはこの様な電子トラップが著しく
少なくなり、ＣuあるいはＡgを含有する基板上に形成し
たセンサに較べてはるかにτrが小さく、従って一段と
高速である。
実施例 以下、本発明の実施例を説明する。
ガラスなどの絶縁性基板上に絶縁性薄層を形成し、その
上にCdS、CdSe、あるいはCdS−CdSeを主体として成る半
導体薄膜を真空蒸着法などの方法によって形成する。絶
縁性薄層は例えばSiO2、ガラスのスパッタ膜、あるいは
これらの多層形成膜などで成り、それ自身Ｃuあるいは
Ａgを含有してなくて、しかも後の活性化熱処理時に基
板中のＣuあるいはＡgの何れもがこの層を通って半導体
薄膜に移行拡散しないためのものである。この半導体薄
膜にもＣuあるいはＡgなどの増感不純物を添加しない未
ドープ膜とする。この薄膜を500℃程度の高温にてCdCl2
の蒸気に暴露し、活性化熱処理を施す。その後少量のＣ
ｕあるいはＡgを前記半導体薄膜に付着せしめ中性また
は少量の酸素を含む雰囲気中250〜550℃にて15min以上
熱処理し膜中に拡散させる。しかる後、NiCr／Ａuの蒸
着形成膜などで対向電極を形成し、さらにシリコン樹脂
やポリイミドなどの保護膜を形成し光センサを完成す
る。ＣuあるいはＡgの付着拡散を対向電極の形成後、保
護膜の形成前に行っても良い。
上にCdS、CdSe、あるいはCdS−CdSeを主体として成る半
導体薄膜を真空蒸着法などの方法によって形成する。絶
縁性薄層は例えばSiO2、ガラスのスパッタ膜、あるいは
これらの多層形成膜などで成り、それ自身Ｃuあるいは
Ａgを含有してなくて、しかも後の活性化熱処理時に基
板中のＣuあるいはＡgの何れもがこの層を通って半導体
薄膜に移行拡散しないためのものである。この半導体薄
膜にもＣuあるいはＡgなどの増感不純物を添加しない未
ドープ膜とする。この薄膜を500℃程度の高温にてCdCl2
の蒸気に暴露し、活性化熱処理を施す。その後少量のＣ
ｕあるいはＡgを前記半導体薄膜に付着せしめ中性また
は少量の酸素を含む雰囲気中250〜550℃にて15min以上
熱処理し膜中に拡散させる。しかる後、NiCr／Ａuの蒸
着形成膜などで対向電極を形成し、さらにシリコン樹脂
やポリイミドなどの保護膜を形成し光センサを完成す
る。ＣuあるいはＡgの付着拡散を対向電極の形成後、保
護膜の形成前に行っても良い。
ＣuあるいはＡgの付着は真空蒸着法や化学的付着法によ
る。化学的付着法とは例えばＣuイオンを含む水溶液に
半導体膜を浸漬し、半導体薄膜表面にＣuを付着させる
様な方法である。
る。化学的付着法とは例えばＣuイオンを含む水溶液に
半導体膜を浸漬し、半導体薄膜表面にＣuを付着させる
様な方法である。
さて、絶縁性基板として、Ｃu含有のガラス基板（例え
ばコーニング社、＃７０５９、Ｃu含有量0.0005重量
％）を用い、このガラス上に半導体薄膜を形成した場合
には、その形成時に、特にCdCl2の蒸気中で活性化熱処
理する際に基板中のＣuが半導体薄膜に移行する現象が
起こる。一種の抽出効果であり、ガラス基板中のＣu含
有量が僅か0.0005重量％であっても活性化熱処理後には
半導体薄膜中に0.005モル％も含有する様になる。この
活性化処理後に半導体薄膜上にＣuあるいはＡgを付着拡
散させて電極形成、さらに保護膜を形成するか、あるい
は活性化熱処理後に電極形成し、半導体薄膜上にＣuあ
るいはＡgを付着拡散させて、さらに保護膜を形成して
センサを完成するが、ガラス基板中にＣuを含有しない
場合、Ｊpの立上がり時間τrが非常に小さく、その立下
がり時間τdに近い値になるのに較べて、ガラス基板中
にＣuを含有している場合は、τrがτdよりずっと大き
くなる。ガラス基板中にＡgを含有していても同様の現
象が見られるのでＡgを含有していない基板を用いるこ
とによって上記と同様の効果が得られる。Ｃuあるいは
Ａgの何れをも含有していない薄層を設けた基板上に形
成した本発明のセンサは先願発明のセンサよりもずっと
τrが小さく高速性が一段と優れている。
ばコーニング社、＃７０５９、Ｃu含有量0.0005重量
％）を用い、このガラス上に半導体薄膜を形成した場合
には、その形成時に、特にCdCl2の蒸気中で活性化熱処
理する際に基板中のＣuが半導体薄膜に移行する現象が
起こる。一種の抽出効果であり、ガラス基板中のＣu含
有量が僅か0.0005重量％であっても活性化熱処理後には
半導体薄膜中に0.005モル％も含有する様になる。この
活性化処理後に半導体薄膜上にＣuあるいはＡgを付着拡
散させて電極形成、さらに保護膜を形成するか、あるい
は活性化熱処理後に電極形成し、半導体薄膜上にＣuあ
るいはＡgを付着拡散させて、さらに保護膜を形成して
センサを完成するが、ガラス基板中にＣuを含有しない
場合、Ｊpの立上がり時間τrが非常に小さく、その立下
がり時間τdに近い値になるのに較べて、ガラス基板中
にＣuを含有している場合は、τrがτdよりずっと大き
くなる。ガラス基板中にＡgを含有していても同様の現
象が見られるのでＡgを含有していない基板を用いるこ
とによって上記と同様の効果が得られる。Ｃuあるいは
Ａgの何れをも含有していない薄層を設けた基板上に形
成した本発明のセンサは先願発明のセンサよりもずっと
τrが小さく高速性が一段と優れている。
次ぎに具体例を説明する。
ガラス基板（コーニング社、＃７０５９、Ｃu含有量0.0
005重量％、230×25×1.2mm3）上に厚さ5000ＡのSiO2、
ガラス（SiO2 48.5重量％、BaO 25.3重量％、Ｂ２Ｏ３1
5.2重量％、Al2O3 11.0重量％、Ｃu、Ａgの含有なし）
の多層積層膜を形成した。ガラス／SiO2／ガラス／SiO2
／ガラスの５層より成るスパッタ形成膜である。この上
に厚さ4000Ａの未ドープのCdS0.6Se0.4の蒸着膜を形成
し、フォトエッチングにより主走査方向に島状（90×35
0μm2）に８ビット／mmの割合で1728ビット配置した。
この島状のCdS0.6Se0.4膜を５００℃でCdCl2の飽和蒸気
中で加熱処理して光電的に活性化して光導電体膜にした
後、母体であるCdS0.6Se0.4膜に対して0.005〜0.1モル
％のＣuあるいはＡgを蒸着拡散させた。ＣuあるいはＡg
の分量が0.005モル％より少ないと効果が小さく、0.1モ
ル％以上だと立上がり特性が悪くなった。Ｃuあるいは
Ａg蒸着後さらに中性または少量の酸素を含む雰囲気
中、250〜550℃で30minの加熱処理を施した。この加熱
温度が550℃を超えるとセンサは低抵抗となり光感度を
示さなくなった。
005重量％、230×25×1.2mm3）上に厚さ5000ＡのSiO2、
ガラス（SiO2 48.5重量％、BaO 25.3重量％、Ｂ２Ｏ３1
5.2重量％、Al2O3 11.0重量％、Ｃu、Ａgの含有なし）
の多層積層膜を形成した。ガラス／SiO2／ガラス／SiO2
／ガラスの５層より成るスパッタ形成膜である。この上
に厚さ4000Ａの未ドープのCdS0.6Se0.4の蒸着膜を形成
し、フォトエッチングにより主走査方向に島状（90×35
0μm2）に８ビット／mmの割合で1728ビット配置した。
この島状のCdS0.6Se0.4膜を５００℃でCdCl2の飽和蒸気
中で加熱処理して光電的に活性化して光導電体膜にした
後、母体であるCdS0.6Se0.4膜に対して0.005〜0.1モル
％のＣuあるいはＡgを蒸着拡散させた。ＣuあるいはＡg
の分量が0.005モル％より少ないと効果が小さく、0.1モ
ル％以上だと立上がり特性が悪くなった。Ｃuあるいは
Ａg蒸着後さらに中性または少量の酸素を含む雰囲気
中、250〜550℃で30minの加熱処理を施した。この加熱
温度が550℃を超えるとセンサは低抵抗となり光感度を
示さなくなった。
その後、その島状の膜の各々に対向電極（NiCr/Au蒸着
膜）すなわち共通電極と個別電極を形成した。対向電極
のギャップは６０μｍとした。その後シリコン樹脂やポ
リイミドなどの保護膜を形成しラインセンサを完成し
た。
膜）すなわち共通電極と個別電極を形成した。対向電極
のギャップは６０μｍとした。その後シリコン樹脂やポ
リイミドなどの保護膜を形成しラインセンサを完成し
た。
これらラインセンサのうち１ビットの特性を調べ、Ｃu
あるいはＡg蒸着時の基板温度が１５０℃ポリイミド保
護膜の場合の結果を第１表（Ｃu）と第２表（Ａg）に示
した。比較のため、通常のガラス基板（コーニング社，
＃７０５９、Ｃu含有量0.0005重量％）上に直接上記同
様に形成したセンサについても調べた。なお特性は印加
電圧ＤＣ１０Ｖ、光照射は緑色ＬＥＤ光（570nm,100lu
x）を１Hz（0.5secずつ）で点滅して測定した。応答時
間は光電流Ｊpが０から飽和値の５０％に上がるまでの
時間を立上がり時間τr、Ｊpが飽和値からその５０％に
下がるまでの時間を立下がり時間τdとした。またγ値
は５０〜１００lux間での平均値である。
あるいはＡg蒸着時の基板温度が１５０℃ポリイミド保
護膜の場合の結果を第１表（Ｃu）と第２表（Ａg）に示
した。比較のため、通常のガラス基板（コーニング社，
＃７０５９、Ｃu含有量0.0005重量％）上に直接上記同
様に形成したセンサについても調べた。なお特性は印加
電圧ＤＣ１０Ｖ、光照射は緑色ＬＥＤ光（570nm,100lu
x）を１Hz（0.5secずつ）で点滅して測定した。応答時
間は光電流Ｊpが０から飽和値の５０％に上がるまでの
時間を立上がり時間τr、Ｊpが飽和値からその５０％に
下がるまでの時間を立下がり時間τdとした。またγ値
は５０〜１００lux間での平均値である。
この様に、光電流を数μＡ以上と大きく保ったまま立下
がり時間τdを０．５msec程度にまで小さく、γ値も
０．７０以上、多くは０．８０以上と大きくできる。一
方光電流の立上がり時間τrは、通常基板上に形成した
センサの場合よりはるかに小さくできる。実際にライン
センサとして用いる場合には原稿黒字でも存在する反射
光（少なくとも３％はある）がバイアス光となり、これ
が常時センサに照射されるため、実効的立上がり時間τ
r ＊はさらに小さくなる。その効果を第３表に示す。
がり時間τdを０．５msec程度にまで小さく、γ値も
０．７０以上、多くは０．８０以上と大きくできる。一
方光電流の立上がり時間τrは、通常基板上に形成した
センサの場合よりはるかに小さくできる。実際にライン
センサとして用いる場合には原稿黒字でも存在する反射
光（少なくとも３％はある）がバイアス光となり、これ
が常時センサに照射されるため、実効的立上がり時間τ
r ＊はさらに小さくなる。その効果を第３表に示す。
この程度のバイアス光照射による他の特性（Ｊp、τd、
γ）の変化は殆どない。
γ）の変化は殆どない。
この様に未ドープのCdS0.6Se0.4蒸着膜のCdCl2蒸気中で
の活性化熱処理後ＣuあるいはＡgを付着拡散させる際Ｃ
uあるいはＡgの何れをも含有していない薄層を設けた基
板をもちいることにより優れた特性が得られる。
の活性化熱処理後ＣuあるいはＡgを付着拡散させる際Ｃ
uあるいはＡgの何れをも含有していない薄層を設けた基
板をもちいることにより優れた特性が得られる。
本実施例ではCdS0.6Se0.4を例にとったが、CdS、CdSeや
他の組成比の固溶体CdS-CdSeでも同様の効果が得られ
る。
他の組成比の固溶体CdS-CdSeでも同様の効果が得られ
る。
発明の効果 本発明によれば、光電流値が大きいままで光応答速度が
著しく速く、γ値が大なる光センサを実現することが可
能となる。これにより、中間調再現に優れた、高速の画
像読取装置ができる。
著しく速く、γ値が大なる光センサを実現することが可
能となる。これにより、中間調再現に優れた、高速の画
像読取装置ができる。
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁性基板上に未ドープのCdS、CdSeある
いは固溶体CdS−CdSeを主体として成る半導体薄膜を形
成し、前記薄膜を高温でCdCl2の蒸気に暴露し光電的に
活性化熱処理した後、少量のＣuあるいはＡgを前記半導
体薄膜に付着せしめ、高温で熱処理し薄膜中に拡散させ
て後対向電極を設け、さらに保護膜を形成する光センサ
の製造方法において、前記絶縁性基板として、前記半導
体薄膜と接する面にＣuあるいはＡgの何れをも含有して
いない絶縁性薄層を設けたものを用い、前記活性化熱処
理時に前記絶縁性薄層を通って前記基板中のＣuあるい
はＡgが前記半導体薄膜に移行拡散しないことを特徴と
する光センサの製造方法。 - 【請求項２】絶縁性基板上に未ドープのCdS、CdSeある
いは固溶体CdS−CdSeを主体として成る半導体薄膜を形
成し、前記薄膜を高温でCdCl2の蒸気に暴露し光電的に
活性化熱処理し、対向電極を設けた後、少量のＣuある
いはＡgを前記半導体薄膜に付着せしめ、高温で熱処理
し薄膜中に拡散させて後、さらに保護膜を形成する光セ
ンサの製造方法において、前記絶縁性基板として、前記
半導体薄膜と接する面にＣuあるいはＡgの何れをも含有
していない絶縁性薄層を設けたものを用い、前記活性化
熱処理時に前記絶縁薄膜層を通って前記基板中のＣuあ
るいはＡgが前記半導体薄膜に移行拡散しないことを特
徴とする光センサの製造方法。 - 【請求項３】付着ＣuあるいはＡgの分量が母体の半導体
に対して0.005〜0.1モル％であることを特徴とする請求
項１または２記載の光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1059925A JPH0612833B2 (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1059925A JPH0612833B2 (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 光センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02238675A JPH02238675A (ja) | 1990-09-20 |
| JPH0612833B2 true JPH0612833B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=13127190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1059925A Expired - Lifetime JPH0612833B2 (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612833B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804463A (en) * | 1995-06-05 | 1998-09-08 | Raytheon Ti Systems, Inc. | Noble metal diffusion doping of mercury cadmium telluride for use in infrared detectors |
-
1989
- 1989-03-13 JP JP1059925A patent/JPH0612833B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02238675A (ja) | 1990-09-20 |
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