JPS6330585A - 珪酸塩蛍光体 - Google Patents
珪酸塩蛍光体Info
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- JPS6330585A JPS6330585A JP61172881A JP17288186A JPS6330585A JP S6330585 A JPS6330585 A JP S6330585A JP 61172881 A JP61172881 A JP 61172881A JP 17288186 A JP17288186 A JP 17288186A JP S6330585 A JPS6330585 A JP S6330585A
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- trivalent
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- phosphor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマンガンを付活剤として含有する珪酸塩螢光体
に関し、さらに詳しくは特定の３価の元素と５価の元素
全特定の量比の範囲で含有させることによって、輝度や
残光の初期劣化を改善し念珪酸塩螢光体に関する。
に関し、さらに詳しくは特定の３価の元素と５価の元素
全特定の量比の範囲で含有させることによって、輝度や
残光の初期劣化を改善し念珪酸塩螢光体に関する。
近年、細密な文字や図形の表示が行なわれるコンビ、−
ターの端末表示装置、航空機管制システムの表示装置等
に高解像度の陰極線管の使用が望まれている。
ターの端末表示装置、航空機管制システムの表示装置等
に高解像度の陰極線管の使用が望まれている。
このような高解像度陰極線管の螢光膜は長残光性の螢光
体が用いられることが多い。
体が用いられることが多い。
一般にこのような螢光膜を構成する螢光体は、残光時間
（本明細書では励起停止後発光輝度が励起時の１０％ま
で低下するのに要する時間、すなわちｒｉｏｓ残光時間
」を意味するものとする）が普通の陰極線管の螢光膜全
構成する短残光性螢光体よりも、約十数倍〜数十倍以上
長いことが必要である。
（本明細書では励起停止後発光輝度が励起時の１０％ま
で低下するのに要する時間、すなわちｒｉｏｓ残光時間
」を意味するものとする）が普通の陰極線管の螢光膜全
構成する短残光性螢光体よりも、約十数倍〜数十倍以上
長いことが必要である。
しかして、このような長残光性の緑色発光珪酸亜鉛螢光
体としては、マンガンおよび砒素付活珪酸亜鉛螢光体（
Ｐ３９螢光体）やマンガン付活珪酸亜鉛螢光体（ｐｔ螢
光体）が知られておシ、とくにＰ３９螢光体は多量に実
用に供されている。
体としては、マンガンおよび砒素付活珪酸亜鉛螢光体（
Ｐ３９螢光体）やマンガン付活珪酸亜鉛螢光体（ｐｔ螢
光体）が知られておシ、とくにＰ３９螢光体は多量に実
用に供されている。
しかしながら、このように様々な用途に供されてくるに
つれ、輝度、残光、劣化、塗布特性等に多くの欠点が見
出され、これらの改良が強く望１れるようになっ几。九
とえは特公昭５７−４８５９４号、特開昭５８−１５１
３２２号、特開昭５９−１８４２８１号等の公報により
様々な組成が提案されている。
つれ、輝度、残光、劣化、塗布特性等に多くの欠点が見
出され、これらの改良が強く望１れるようになっ几。九
とえは特公昭５７−４８５９４号、特開昭５８−１５１
３２２号、特開昭５９−１８４２８１号等の公報により
様々な組成が提案されている。
しかし、一般にマンガンを付活剤として含有する珪酸塩
螢光体を用いて造られ之ディスプレー管は、製造後、管
面上に同一・９ターンを数〜数十時間表示しＩＪ ニア
リティーの調整等の初期調整が行なわれる。
螢光体を用いて造られ之ディスプレー管は、製造後、管
面上に同一・９ターンを数〜数十時間表示しＩＪ ニア
リティーの調整等の初期調整が行なわれる。
従来の珪酸塩螢光体を用いた螢光膜は、上記表示により
電子線照射を受は九部分が受けない部分に比べて残光が
短くなること（初期残光劣化）、および輝度が低下する
こと（初期輝度劣化）などの欠点があった。これが、デ
ィスプレー管の初期調整を複雑なものとし、数多くのブ
ラウン管を長時間ニーソングしなくてはならず、且つそ
の後の劣化も予測し難い。この工うなことから製品の各
回路の設定の困難さや初期調整時のパターンが輝度劣化
により画面に残ること、ま之部分的な残光劣化により核
部分のちらつきが発生することなど、様々な問題があっ
た。
電子線照射を受は九部分が受けない部分に比べて残光が
短くなること（初期残光劣化）、および輝度が低下する
こと（初期輝度劣化）などの欠点があった。これが、デ
ィスプレー管の初期調整を複雑なものとし、数多くのブ
ラウン管を長時間ニーソングしなくてはならず、且つそ
の後の劣化も予測し難い。この工うなことから製品の各
回路の設定の困難さや初期調整時のパターンが輝度劣化
により画面に残ること、ま之部分的な残光劣化により核
部分のちらつきが発生することなど、様々な問題があっ
た。
本発明の目的は、電子線等の励起下で初期残光劣化や初
期輝度劣化全大幅に改善し念、マンガンを付活剤として
含有する珪酸塩螢光体を提供することにある。
期輝度劣化全大幅に改善し念、マンガンを付活剤として
含有する珪酸塩螢光体を提供することにある。
本発明者らは上記目的を連取するため罠、珪酸塩螢光体
について種々の研究を行なった結果、マンガンを付活剤
として含有する珪酸塩螢光体において、特定の３価の元
素と特定の５価の元素を特定のモル比で含有させると、
上記劣化が大幅に改善されることを見出して本発明に至
った。
について種々の研究を行なった結果、マンガンを付活剤
として含有する珪酸塩螢光体において、特定の３価の元
素と特定の５価の元素を特定のモル比で含有させると、
上記劣化が大幅に改善されることを見出して本発明に至
った。
なお、舵記特公昭５７−４８５９４号公報には、上記３
価と５価の元素を等モル含有し７’ｈＰ３９螢光体が開
示されているが、本発明者らはこれと異なる量比の点で
上記問題が解決されることを見出したものである。
価と５価の元素を等モル含有し７’ｈＰ３９螢光体が開
示されているが、本発明者らはこれと異なる量比の点で
上記問題が解決されることを見出したものである。
本発明の珪酸塩螢光体は、マンガンを付活剤として含有
し３価と５価の元素を含有する珪酸塩螢光体において、
該３価の元素がインジウム又は硼素とインソウム該５価
の元素が砒素、アンチモン及びビスマスの少なくとも１
種であり、該３価の元素の含有量が１×１０〜２×１０
グラム原子１モル、３価の金属がインジウムだけの場
合は１×１０〜ｌ×１０ グラム原子１モル、該５価の
元素の含有量が３×１０ グラムぶ子１モル以下であり
、且つ上記３価と５価の元素の含有量のモル比（３価の
元素１５価の元素）が１．５以上であることを特徴とす
る。
し３価と５価の元素を含有する珪酸塩螢光体において、
該３価の元素がインジウム又は硼素とインソウム該５価
の元素が砒素、アンチモン及びビスマスの少なくとも１
種であり、該３価の元素の含有量が１×１０〜２×１０
グラム原子１モル、３価の金属がインジウムだけの場
合は１×１０〜ｌ×１０ グラム原子１モル、該５価の
元素の含有量が３×１０ グラムぶ子１モル以下であり
、且つ上記３価と５価の元素の含有量のモル比（３価の
元素１５価の元素）が１．５以上であることを特徴とす
る。
マンガンを付活剤として含有する珪酸塩螢光体としては
、最も代表的なものにマンガン付活珪酸亜鉛系螢光体が
あるが、これ以外にも、九とえはマンガン付活珪酸マグ
ネシウム系螢光体、マンガンおよび鉛付活珪酸カルシウ
ム系螢光体など２価の金属陽イオンの珪酸塩螢光体があ
る。
、最も代表的なものにマンガン付活珪酸亜鉛系螢光体が
あるが、これ以外にも、九とえはマンガン付活珪酸マグ
ネシウム系螢光体、マンガンおよび鉛付活珪酸カルシウ
ム系螢光体など２価の金属陽イオンの珪酸塩螢光体があ
る。
以下、本発明を最も代表的なマンガン付活珪酸亜鉛系螢
光体の製造方法に基づいて、詳しく説明する。
光体の製造方法に基づいて、詳しく説明する。
まず螢光体原料としては
１）酸化亜鉛（ＺｎＯ）もしくは炭酸塩、シーウ酸塩な
ど高温で容易にＺｏｏに変わシ得る亜鉛化合物 １１）二酸化珪素（ＳｉＯ□）もしくはエチルシリケー
ト、珪酸など高温で容易に８１０□に変わ夛得る珪素化
合物 ｒｉ）酸化マンガン（Ｍｎ０２）もしくは金属マンガン
、炭酸塩、ノ・ログン化物、硝酸塩、硫化物など高温で
マンガンの酸化物に変わカ得るマンガン化合物 ｉｖ）インジウム及び硼素の酸化物もしくは高温で容易
にインジウム及び硼素の酸化物に変わり得るインジウム
及び硼素化合物 Ｖ）砒ｉ、アンチモンおよびビスマスの酸化物もしくは
金属、へロｒン化物など高温で容易に砒素、アンチモン
およびビスマスの酸化物に変わり得る砒素、アンチモン
およびビスマスま念はそれらの化合物 が用いられる。
ど高温で容易にＺｏｏに変わシ得る亜鉛化合物 １１）二酸化珪素（ＳｉＯ□）もしくはエチルシリケー
ト、珪酸など高温で容易に８１０□に変わ夛得る珪素化
合物 ｒｉ）酸化マンガン（Ｍｎ０２）もしくは金属マンガン
、炭酸塩、ノ・ログン化物、硝酸塩、硫化物など高温で
マンガンの酸化物に変わカ得るマンガン化合物 ｉｖ）インジウム及び硼素の酸化物もしくは高温で容易
にインジウム及び硼素の酸化物に変わり得るインジウム
及び硼素化合物 Ｖ）砒ｉ、アンチモンおよびビスマスの酸化物もしくは
金属、へロｒン化物など高温で容易に砒素、アンチモン
およびビスマスの酸化物に変わり得る砒素、アンチモン
およびビスマスま念はそれらの化合物 が用いられる。
上記螢光体原料を秤取し、ついで充分に混合して螢光体
原料混合物を得る。混合はゲールミル、ミキサーミル、
乳鉢等を用いて乾式で行なってもよいし、水、アルコー
ル、弱酸等を媒体とし被−スト状態として湿式で行なっ
てもよい。得られる螢光体の発光輝度、粉体特性等全向
上させることを目的として、螢光体原料混合物にさらに
融剤を添加混合してもよい。
原料混合物を得る。混合はゲールミル、ミキサーミル、
乳鉢等を用いて乾式で行なってもよいし、水、アルコー
ル、弱酸等を媒体とし被−スト状態として湿式で行なっ
てもよい。得られる螢光体の発光輝度、粉体特性等全向
上させることを目的として、螢光体原料混合物にさらに
融剤を添加混合してもよい。
なお、上記原料中ｉ■）、■）は高温で焼成すると、そ
の一部は揮発する傾向があるので、焼成温度と時間等に
合わせて若干長目に添加される。
の一部は揮発する傾向があるので、焼成温度と時間等に
合わせて若干長目に添加される。
つぎに、上記螢光体原料混合物をアルミナルツボ、石英
ルツ？等の耐熱性容器に充填して焼成を行なう。焼成は
空気中（酸化性雰囲気中）、窒素ガス雰囲気、アルゴン
ガス雰囲気等の中性雰囲気中あるいは少量の水素ガスを
含有する窒素ガス雰囲気、炭素雰囲気等の還元性雰囲気
中で１０００℃〜１３５０℃、好ましくは１２００℃〜
１３００℃の温度で１回ないしは数回（３〜４回）行な
われる。
ルツ？等の耐熱性容器に充填して焼成を行なう。焼成は
空気中（酸化性雰囲気中）、窒素ガス雰囲気、アルゴン
ガス雰囲気等の中性雰囲気中あるいは少量の水素ガスを
含有する窒素ガス雰囲気、炭素雰囲気等の還元性雰囲気
中で１０００℃〜１３５０℃、好ましくは１２００℃〜
１３００℃の温度で１回ないしは数回（３〜４回）行な
われる。
なお、上記螢光体の母体原料を５００℃〜１３００℃で
仮焼成し、母体原料の粒度成長を行なうと、さらに良好
な結果が得られる。
仮焼成し、母体原料の粒度成長を行なうと、さらに良好
な結果が得られる。
焼成時間は耐熱性容器に充填される螢光体原料混合物の
童、採用される焼成温度等によって異なるが、一般に上
記焼成温度範囲では０．５〜６時間が適当であり、１〜
４時間が好ましい。焼成後、得られる焼成物を粉砕、洗
浄（水あるいは弱い鉱酸、弱アルカリまたは弱い有機酸
等で行なってもよい）、乾燥、篩分けなど螢光体製造分
野で一般に採用される各操作によって処理すれば、本発
明の螢光体を得ることができる。
童、採用される焼成温度等によって異なるが、一般に上
記焼成温度範囲では０．５〜６時間が適当であり、１〜
４時間が好ましい。焼成後、得られる焼成物を粉砕、洗
浄（水あるいは弱い鉱酸、弱アルカリまたは弱い有機酸
等で行なってもよい）、乾燥、篩分けなど螢光体製造分
野で一般に採用される各操作によって処理すれば、本発
明の螢光体を得ることができる。
このようにして得られ九本発明の螢光体と従来の珪酸亜
鉛螢光体（Ｐ３９）とを各々沈降塗布法によりガラス板
上に均一に塗布して螢光膜を形成し、管の製造方法に従
ってディスプレー管を製造し、各々のディスプレー管を
用いて螢光面の連続励起による発光強度劣化特性を測定
し几結果を、第１図に示す。
鉛螢光体（Ｐ３９）とを各々沈降塗布法によりガラス板
上に均一に塗布して螢光膜を形成し、管の製造方法に従
ってディスプレー管を製造し、各々のディスプレー管を
用いて螢光面の連続励起による発光強度劣化特性を測定
し几結果を、第１図に示す。
同図によれば本発明の珪酸亜鉛螢光体が従来品に比べて
大巾に発光強度劣化特性にすぐれることが明白である。
大巾に発光強度劣化特性にすぐれることが明白である。
次に表１は残光劣化特性を測定した結果を示すもので、
本発明の珪酸亜鉛螢光体が従来品に比べ残光劣化特性に
すぐれることが明らかである。
本発明の珪酸亜鉛螢光体が従来品に比べ残光劣化特性に
すぐれることが明らかである。
表１
第２図は初期残光劣化特性とインジウムの含有量との関
係を示すものである。第３図はインジウムとアンチモン
の含有量を一定にした場合及びインジウムと硼素とアン
チモンの含有ｉｔ−一定にし九場合の砒素の含有量と１
７１０残光時間および残光劣化特性との関係を示すもの
、第４図は３価の元素がインジウムのみの場合、インジ
ウムの含有量と相対輝度との関係を示すもので、これに
明らかなとおシ、インジウムを多量に添加すると、相対
輝度が著しく低下するので好ましくない。このため、イ
ンジウムの含有量は１×ｌＯ〜Ｉ Ｘｌ０−２グラム原
子１モルの範囲が適当であり、好ましくは２×１０〜５
Ｘ１０ グラム原子１モルの範囲が推奨される。
係を示すものである。第３図はインジウムとアンチモン
の含有量を一定にした場合及びインジウムと硼素とアン
チモンの含有ｉｔ−一定にし九場合の砒素の含有量と１
７１０残光時間および残光劣化特性との関係を示すもの
、第４図は３価の元素がインジウムのみの場合、インジ
ウムの含有量と相対輝度との関係を示すもので、これに
明らかなとおシ、インジウムを多量に添加すると、相対
輝度が著しく低下するので好ましくない。このため、イ
ンジウムの含有量は１×ｌＯ〜Ｉ Ｘｌ０−２グラム原
子１モルの範囲が適当であり、好ましくは２×１０〜５
Ｘ１０ グラム原子１モルの範囲が推奨される。
以上のグラフにより、３ｆｉｌｆｉの元素の含有量は１
×１０〜２×１０ グラム原子１モル、３価の元素がイ
ンジウムのみの場合は１×１０〜１×１０ グラム原子
１モル、５価の元素は３×１０ グラムぶ子１モル以下
、３価と５価の元素の含有量のモル比（３価の元素１５
価の元素）は１．５以上とするのが適当である。なお、
上記モル比の上限は５価の元素が砒素のみの場合５００
、また５価の元素がアンチモン、ビスマスのうち少なく
とも１種である場合５０とするのが適当である。
×１０〜２×１０ グラム原子１モル、３価の元素がイ
ンジウムのみの場合は１×１０〜１×１０ グラム原子
１モル、５価の元素は３×１０ グラムぶ子１モル以下
、３価と５価の元素の含有量のモル比（３価の元素１５
価の元素）は１．５以上とするのが適当である。なお、
上記モル比の上限は５価の元素が砒素のみの場合５００
、また５価の元素がアンチモン、ビスマスのうち少なく
とも１種である場合５０とするのが適当である。
以下、実施例の説明に入るが、そこで用ｂ７を試験法に
ついて先に述べる。
ついて先に述べる。
デマウンタブル装置による測定方法：
（イ） テストピースの作製
２．５Ｘ３ｃｍのテストピースに被検査螢光体を沈降法
で塗布し、螢光膜を作る。
で塗布し、螢光膜を作る。
（ロ）電子線照射
上記テストピースをデマウンタブル電子線刺激装置（当
社製）Ｋセットし、加速電圧２０ｋＶ、電流密度１μＡ
／帰２、ラスターサイズｌＸ１ｃｊｎで２０分間電子線
照射する。
社製）Ｋセットし、加速電圧２０ｋＶ、電流密度１μＡ
／帰２、ラスターサイズｌＸ１ｃｊｎで２０分間電子線
照射する。
（ハ）輝度測定
上記電子線照射の間、１分間隔で輝度計を用いて輝度測
定を行なう。
定を行なう。
に）残光測定
電子線照射の前後に下記条件で１／１０残光時間を測定
する。
する。
加速電圧１５ ｋＶ、 ｚ４ルス巾１０２．４ｍｓ、デ
ユーティ５０％の無偏向デフォーカスビームで励起する
。電流密度は０．５μＡ／ｃＩＲ。
ユーティ５０％の無偏向デフォーカスビームで励起する
。電流密度は０．５μＡ／ｃＩＲ。
実施例１
酸化亜鉛 ＺｎＯ３７０，９二酸化珪素
ｓｔｏ２ｔｓｏｇ炭酸−ｒンがンＭｎＣＯ５・０
．５ Ｂ２０ ２−５９三酸化インジウムＩｎ２Ｏ３
１，’１ 三酸化ヒ素 Ａｓ ２０ｓ ｏ−
ｏ ｓ Ｅ三酸化アンチモン ５ｂ２ｏ、
ｏ、ｓ、ｐ上記原料を乾式♂−ルミルで十分粉砕混
合し石英ルツボに充填し、１３００℃、４ ｈｒ空気中
で焼成したところ、組成式がＺｎ２３１０４： Ｍｕ
０．００ Ｂ 、 Ｉｎ０．００３・Ａ’Ｏ，０ＯＯ１
１ｓｂｏ、ｏｏｉの本発明の螢光体を得念。
ｓｔｏ２ｔｓｏｇ炭酸−ｒンがンＭｎＣＯ５・０
．５ Ｂ２０ ２−５９三酸化インジウムＩｎ２Ｏ３
１，’１ 三酸化ヒ素 Ａｓ ２０ｓ ｏ−
ｏ ｓ Ｅ三酸化アンチモン ５ｂ２ｏ、
ｏ、ｓ、ｐ上記原料を乾式♂−ルミルで十分粉砕混
合し石英ルツボに充填し、１３００℃、４ ｈｒ空気中
で焼成したところ、組成式がＺｎ２３１０４： Ｍｕ
０．００ Ｂ 、 Ｉｎ０．００３・Ａ’Ｏ，０ＯＯ１
１ｓｂｏ、ｏｏｉの本発明の螢光体を得念。
この螢光体の発光強度維持率は９９％で、残光劣化はな
かつ念。
かつ念。
従来の螢光体（Ｚｎ２８１０４： Ｍｎｏ、ｏ ｏ ｓ
、Ａｓ Ｏ，０００１）は発光強度維持率が９４１で
ありｆｔ。
、Ａｓ Ｏ，０００１）は発光強度維持率が９４１で
ありｆｔ。
実施例２
酸化亜鉛 Ｚｎ０ ３９０ｇ二酸化
珪素 ｓｉｏ□ １５０ｇ炭酸マンがン
ＭｎＣＯ３−０５Ｈ２０１，５，９三駿化イン
ジウム Ｉ！１２０３ ｏ−５Ｊｉ’三散
化ホウ素 Ｂ２０． ０．２５．！ｉ
’三酸化Ｅ素 Ａ ａ ２０ｓ Ｏ
−０５９三酸化アンチモン ５ｂ２０． １
ｇ上記原料を乾式ゴールミルで十分粉砕混合し、石英ル
ツボに充填し、１３００℃、４ ｈｒ空気中で焼成し念
ところ、組成式がＺｎ２ＳｉＯ４： ＭｎＯ，Ｏｏ５
。
珪素 ｓｉｏ□ １５０ｇ炭酸マンがン
ＭｎＣＯ３−０５Ｈ２０１，５，９三駿化イン
ジウム Ｉ！１２０３ ｏ−５Ｊｉ’三散
化ホウ素 Ｂ２０． ０．２５．！ｉ
’三酸化Ｅ素 Ａ ａ ２０ｓ Ｏ
−０５９三酸化アンチモン ５ｂ２０． １
ｇ上記原料を乾式ゴールミルで十分粉砕混合し、石英ル
ツボに充填し、１３００℃、４ ｈｒ空気中で焼成し念
ところ、組成式がＺｎ２ＳｉＯ４： ＭｎＯ，Ｏｏ５
。
ＩｎＯ，ＯＯｌ、Ｂｏ、００３＃ＡＩＯ，０Ｏ０１ｌ５
ｂＯ，００２の本発明の螢光体を得之。
ｂＯ，００２の本発明の螢光体を得之。
発光強度維持率は９９％で残光劣化はなかった。
従来の螢光体は発光強度維持率が９４％であった。
実施例３
酸化亜鉛 ＺｎＯ３９０ｇ
二ｅ化珪素 ８１０２１５０ｇ炭酸マンガン
ＭＩＩＣＯ３・０５Ｈ２０２，５，！ｉｌ三酸化
インジウム ”２０３ １．９９三酸化アン
チモｙ ５ｂ２ｏ３０．５．ｐ上記原料を乾式ゾー
ルミルで十分粉砕混合し、石英ルツボに充填し、１３０
０℃、４ｈｒ空気中で焼成し念ところ、組成式がＺｎ
２ Ｓ ｉ ０４ ： 凪Ｑ、００８− Ｉ”０．００
３．Ｓｂ０．００１の本発明の螢光体を得た。
ＭＩＩＣＯ３・０５Ｈ２０２，５，！ｉｌ三酸化
インジウム ”２０３ １．９９三酸化アン
チモｙ ５ｂ２ｏ３０．５．ｐ上記原料を乾式ゾー
ルミルで十分粉砕混合し、石英ルツボに充填し、１３０
０℃、４ｈｒ空気中で焼成し念ところ、組成式がＺｎ
２ Ｓ ｉ ０４ ： 凪Ｑ、００８− Ｉ”０．００
３．Ｓｂ０．００１の本発明の螢光体を得た。
その発光強度維持率は９９チで、残光劣化もなかった。
ちなみに従来の螢光体（ｚｎ２Ｓ１０４：Ｍｎｏ、ｏ
ｏ ｓ ）は発光強度維持率が９３チであっ念。
ｏ ｓ ）は発光強度維持率が９３チであっ念。
実施例４
酸化亜鉛 ＺｎＯ３７０，ｊｉ’二酸化珪素
５１０２１５０１！炭酸−ｒンがンＭｎＣＯ
３−０５Ｈ２０２，５Ｆ三酸化インジウム Ｉｎ２Ｏ
，０，６９ホウ砂 Ｎａ２Ｂ４Ｏ７’ ｌ０
Ｈ２０２，１ｊｉ三酸化Ｅ素 Ａ３□０３０．
０９９三酸化アンチモン ５ｂ２０３０．５ｇ上記原
料を乾式ゾールで十分粉砕混合し石英ルツぎに充填し、
１３００℃、４ｂｒ空気中で焼成し念ところ１組成式が
Ｚｈ２３１０４：Ｍｎ□、００Ｂ 、 ｔａＯ，００１
゜Ｂｏ、００６ＩＡｌ）、０００２雪Ｓｂ Ｏ，００１
の本発明の螢光体を得九。
５１０２１５０１！炭酸−ｒンがンＭｎＣＯ
３−０５Ｈ２０２，５Ｆ三酸化インジウム Ｉｎ２Ｏ
，０，６９ホウ砂 Ｎａ２Ｂ４Ｏ７’ ｌ０
Ｈ２０２，１ｊｉ三酸化Ｅ素 Ａ３□０３０．
０９９三酸化アンチモン ５ｂ２０３０．５ｇ上記原
料を乾式ゾールで十分粉砕混合し石英ルツぎに充填し、
１３００℃、４ｂｒ空気中で焼成し念ところ１組成式が
Ｚｈ２３１０４：Ｍｎ□、００Ｂ 、 ｔａＯ，００１
゜Ｂｏ、００６ＩＡｌ）、０００２雪Ｓｂ Ｏ，００１
の本発明の螢光体を得九。
その発光強度維持率は９９％で、残光劣化は々かった。
従来の螢光体は発光強度維持率が９４チであり念。
実施例５
醸化亜鉛 ＺｎＯ３９０，ｐ二酸化珪素
ｓｔｏ□ １５０ｇ炭酸マンガン
当ｃｏ３・ｏ、５Ｈ２ｏ ２．５Ｊ三酸化インジウ
ム ”２０ｓ ０．６ｊｉ三酸化ヒ素
”２０３ ０．０５．９上記原′ｐｒｔ
−乾式？−ルミルで十分粉砕混合し、石英ルツボに充填
し、１３００℃、４ｈｒ空気中で焼成し念ところ、組成
式がＺｎ２５ＩＯ４： Ｍｎ Ｏ，００Ｂ 、 ＩｎＯ
，００１、Ａｓ ｏ、ｏ ００１の本発明の螢光体を得
た。
ｓｔｏ□ １５０ｇ炭酸マンガン
当ｃｏ３・ｏ、５Ｈ２ｏ ２．５Ｊ三酸化インジウ
ム ”２０ｓ ０．６ｊｉ三酸化ヒ素
”２０３ ０．０５．９上記原′ｐｒｔ
−乾式？−ルミルで十分粉砕混合し、石英ルツボに充填
し、１３００℃、４ｈｒ空気中で焼成し念ところ、組成
式がＺｎ２５ＩＯ４： Ｍｎ Ｏ，００Ｂ 、 ＩｎＯ
，００１、Ａｓ ｏ、ｏ ００１の本発明の螢光体を得
た。
その発光強度維持率は９９チで残光劣化はなかった。ち
なみに組成式Ｚｎ２５ＩＯ４： ？Ｖ！ｎ Ｏ，００Ｂ
、 Ａｓ０．０００１の螢光体は発光強度維持率が９
４チであり之。
なみに組成式Ｚｎ２５ＩＯ４： ？Ｖ！ｎ Ｏ，００Ｂ
、 Ａｓ０．０００１の螢光体は発光強度維持率が９
４チであり之。
以上、本発明によればマンがンを付活剤として含有する
珪酸塩螢光体くおいて、特定の３価の元素と５価の元素
を特定の量比の範囲で含有させたので、輝度や残光の初
期劣化を著しく改善することができる。
珪酸塩螢光体くおいて、特定の３価の元素と５価の元素
を特定の量比の範囲で含有させたので、輝度や残光の初
期劣化を著しく改善することができる。
第１図は本発明の珪酸塩螢光体と従来のそれとを比較し
て示す発光強度劣化特性のグラフ、第２図は初期残光劣
化特性とインジウムの含有量との関係を示すグラフ、第
３図はインジウムとアンチモンの含有量を一定にし念場
合、およびインジウムと硼素とアンチモンの含有量を一
定にし念場合、砒素の含有量と１／１０残光時間および
残光劣化特性との関係を示すグラフ、第４図は３価の元
素がインジウムのみの場合、インジウムの含有量と相対
輝度との関係を示すグラフである。 手続補正書 昭和６１年１０月１５日 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 １、事件の表示 特願昭６１−１７２８８１号 ２、発明の名称 珪酸塩蛍光体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 化成オブトニクス株式会社４、代理人 住所 東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森
ビル６、補正の内容 （１）明細書の第１頁〜第３頁に記載された特許請求の
範囲を別紙のよう訂正する。 （２）同書第４頁第４行にＮＯ％残光時間」とあるのを
ｒ １／１０残光時間」に訂正する。 （３）同書第６頁第１６行に「インジウム該５価の」と
あるのを「インジウム、該５価の」に訂正する。 （４）同書第６頁第１９行に「３価の金属」とあるのを
「３価の元素」に訂正する。 （５）図面の第１図を別紙のように訂正する。 特許請求の範囲 （１）マンガンを付活剤として含有し３価の元素と５価
の元素を含有する珪酸塩蛍光体において。 該３価の元素がインジウム又はインジウムと硼素、該５
価の元素が砒素、アンチモン、およびビスマスの少なく
とも１種であり、該３価の元素の含有量がｌＸｌ０−４
〜Ｉ Ｘ １０−２グラム原子１モル、３価の元素がイ
ンジウムだけの場合はｌＸ１０−４〜ｌＸｌ０−２グラ
ム原子１モル、該５価の元素の含有量が３Ｘ１０−３グ
ラム原子１モル以下であり、且つ上記３価と５価の元素
の含有量のモル比（３価の元素１５価の元素）が１．５
以上であることを特徴とする珪酸塩蛍光体： （２）前記砒素の含有量がｌＸｌ０−３グラム原子１モ
ル以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の珪酸塩蛍光体： （３）前記３価の元素の含有量がインジウムと硼素の場
合ｌＸｌ０−３〜ｌＸｌ０−２グラム原子１モルの範囲
、インジウムだけの場合２Ｘ１０−４〜５ＸＩＯ−３グ
ラム原子１モルであってモル比（３価の元素１５価の元
素）が１．８以上であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の珪酸塩蛍光体： （４）前記含有量のモル比（３価の元素１５価の元素）
が１．８以上であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項のいづれかに記載の珪酸塩蛍光体： （５）前記５価の元素が砒素のみであって、且つ前記含
有量のモル比（３価の元素１５価の元素）が５以上であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項
のいづれかに記載の珪酸塩蛍光体： （８）前記砒素の含有量がｌＸｌ０−４〜８×１０−４
グラム原子１モルの範囲であることを特徴とする特許請
求の範囲第２項ないし第５項のいづれかに記載の珪酸塩
蛍光体： （７）前記マンガンの付活量がｌＸｌ０−３〜３ｘ１０
−２グラム原子１モルの範囲であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項ないし第６項のいづれかに記載の珪
酸塩蛍光体： （８）前記マンガンの付活量が２Ｘ１０−３〜ｌ×１０
−２グラム原子１モルの範囲であることを特徴とする特
許請求の範囲第７項記載の珪酸塩蛍光体：
て示す発光強度劣化特性のグラフ、第２図は初期残光劣
化特性とインジウムの含有量との関係を示すグラフ、第
３図はインジウムとアンチモンの含有量を一定にし念場
合、およびインジウムと硼素とアンチモンの含有量を一
定にし念場合、砒素の含有量と１／１０残光時間および
残光劣化特性との関係を示すグラフ、第４図は３価の元
素がインジウムのみの場合、インジウムの含有量と相対
輝度との関係を示すグラフである。 手続補正書 昭和６１年１０月１５日 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 １、事件の表示 特願昭６１−１７２８８１号 ２、発明の名称 珪酸塩蛍光体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 化成オブトニクス株式会社４、代理人 住所 東京都港区虎ノ門五丁目１３番１号虎ノ門４０森
ビル６、補正の内容 （１）明細書の第１頁〜第３頁に記載された特許請求の
範囲を別紙のよう訂正する。 （２）同書第４頁第４行にＮＯ％残光時間」とあるのを
ｒ １／１０残光時間」に訂正する。 （３）同書第６頁第１６行に「インジウム該５価の」と
あるのを「インジウム、該５価の」に訂正する。 （４）同書第６頁第１９行に「３価の金属」とあるのを
「３価の元素」に訂正する。 （５）図面の第１図を別紙のように訂正する。 特許請求の範囲 （１）マンガンを付活剤として含有し３価の元素と５価
の元素を含有する珪酸塩蛍光体において。 該３価の元素がインジウム又はインジウムと硼素、該５
価の元素が砒素、アンチモン、およびビスマスの少なく
とも１種であり、該３価の元素の含有量がｌＸｌ０−４
〜Ｉ Ｘ １０−２グラム原子１モル、３価の元素がイ
ンジウムだけの場合はｌＸ１０−４〜ｌＸｌ０−２グラ
ム原子１モル、該５価の元素の含有量が３Ｘ１０−３グ
ラム原子１モル以下であり、且つ上記３価と５価の元素
の含有量のモル比（３価の元素１５価の元素）が１．５
以上であることを特徴とする珪酸塩蛍光体： （２）前記砒素の含有量がｌＸｌ０−３グラム原子１モ
ル以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の珪酸塩蛍光体： （３）前記３価の元素の含有量がインジウムと硼素の場
合ｌＸｌ０−３〜ｌＸｌ０−２グラム原子１モルの範囲
、インジウムだけの場合２Ｘ１０−４〜５ＸＩＯ−３グ
ラム原子１モルであってモル比（３価の元素１５価の元
素）が１．８以上であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の珪酸塩蛍光体： （４）前記含有量のモル比（３価の元素１５価の元素）
が１．８以上であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項のいづれかに記載の珪酸塩蛍光体： （５）前記５価の元素が砒素のみであって、且つ前記含
有量のモル比（３価の元素１５価の元素）が５以上であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項
のいづれかに記載の珪酸塩蛍光体： （８）前記砒素の含有量がｌＸｌ０−４〜８×１０−４
グラム原子１モルの範囲であることを特徴とする特許請
求の範囲第２項ないし第５項のいづれかに記載の珪酸塩
蛍光体： （７）前記マンガンの付活量がｌＸｌ０−３〜３ｘ１０
−２グラム原子１モルの範囲であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項ないし第６項のいづれかに記載の珪
酸塩蛍光体： （８）前記マンガンの付活量が２Ｘ１０−３〜ｌ×１０
−２グラム原子１モルの範囲であることを特徴とする特
許請求の範囲第７項記載の珪酸塩蛍光体：
Claims (8)
- （１）マンガンを付活剤として含有し３価の元素と５
価の元素を含有する珪酸塩螢光体において、該３価の元
素がインジウム又はインジウムと硼素、該５価の元素が
砒素、アンチモン、およびビスマスの少なくとも１種で
あり、該３価の元素の含有量が１×１０＾−＾４〜２×
１０＾−＾２グラム原子／モル、３価の金属がインジウ
ムだけの場合は１×１０＾−＾４〜１×１０＾−＾２グ
ラム原子／モル、該５価の元素の含有量が３×１０＾−
＾３グラム原子／モル以下であり、且つ上記３価と５価
の元素の含有量のモル比（３価の元素／５価の元素）が
１．５以上であることを特徴とする珪酸塩螢光体： - （２）前記砒素の含有量が１×１０＾−＾３グラム原
子／モル以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の珪酸塩螢光体： - （３）前記３価の元素の含有量がインジウムと硼素の
場合１×１０＾−＾３〜１×１０＾−＾２グラム原子／
モルの範囲インジウムだけの場合２×１０＾−＾４〜５
×１０＾−＾３グラム原子／モルであってモル比（３価
の元素／５価の元素）が１．８以上であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の珪酸塩螢光
体： - （４）前記含有量のモル比（３価の元素／５価の元素
）が１．８以上であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項又は第２項のいづれかに記載の珪酸塩螢光体： - （５）前記５価の元素が砒素のみであって、且つ前記
含有量のモル比（３価の元素／５価の元素）が５以上で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４
項のいづれかに記載の珪酸塩螢光体： - （６）前記砒素の含有量が１×１０＾−＾４〜８×１
０＾−＾４グラム原子／モルの範囲であることを特徴と
する特許請求の範囲第２項ないし第５項のいづれかに記
載の珪酸塩螢光体： - （７）前記マンガンの付活量が１×１０＾−＾３〜３
×１０＾−＾２グラム原子／モルの範囲であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のいづれか
に記載の珪酸塩螢光体： - （８）前記マンガンの付活量が２×１０＾−＾３〜１
×１０＾−＾２グラム原子／モルの範囲であることを特
徴とする特許請求の範囲第７項記載の珪酸塩螢光体：
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172881A JPS6330585A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 珪酸塩蛍光体 |
| KR1019870006427A KR940006072B1 (ko) | 1986-06-26 | 1987-06-24 | 형광체 |
| EP87109136A EP0254066B1 (en) | 1986-06-26 | 1987-06-25 | Silicate phosphor |
| DE8787109136T DE3765200D1 (de) | 1986-06-26 | 1987-06-25 | Silikat-phosphor. |
| US07/066,495 US4795589A (en) | 1986-06-26 | 1987-06-26 | Silicate phosphor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172881A JPS6330585A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 珪酸塩蛍光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6330585A true JPS6330585A (ja) | 1988-02-09 |
| JPH0262598B2 JPH0262598B2 (ja) | 1990-12-26 |
Family
ID=15950044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61172881A Granted JPS6330585A (ja) | 1986-06-26 | 1986-07-24 | 珪酸塩蛍光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6330585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7828993B2 (en) | 2002-12-20 | 2010-11-09 | Tovoda Gosei Co.. Ltd. | Phosphor and optical device using same |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748594A (en) * | 1980-08-30 | 1982-03-19 | Keisuke Shimizu | Mechanism for gradually increasing winding speed of wire rope |
| JPS58151322A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-08 | Kasei Optonix Co Ltd | 珪酸亜鉛螢光体 |
| JPS59184281A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-19 | Kasei Optonix Co Ltd | 珪酸亜鉛螢光体 |
| JPS6121582A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-01-30 | Hitachi Ltd | 光学文字読取装置 |
| JPS6250384A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-05 | Toshiba Corp | 陰極線管用けい酸亜鉛蛍光体 |
-
1986
- 1986-07-24 JP JP61172881A patent/JPS6330585A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748594A (en) * | 1980-08-30 | 1982-03-19 | Keisuke Shimizu | Mechanism for gradually increasing winding speed of wire rope |
| JPS58151322A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-08 | Kasei Optonix Co Ltd | 珪酸亜鉛螢光体 |
| JPS59184281A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-19 | Kasei Optonix Co Ltd | 珪酸亜鉛螢光体 |
| JPS6121582A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-01-30 | Hitachi Ltd | 光学文字読取装置 |
| JPS6250384A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-05 | Toshiba Corp | 陰極線管用けい酸亜鉛蛍光体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7828993B2 (en) | 2002-12-20 | 2010-11-09 | Tovoda Gosei Co.. Ltd. | Phosphor and optical device using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0262598B2 (ja) | 1990-12-26 |
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