JPS63307724A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
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- JPS63307724A JPS63307724A JP14462687A JP14462687A JPS63307724A JP S63307724 A JPS63307724 A JP S63307724A JP 14462687 A JP14462687 A JP 14462687A JP 14462687 A JP14462687 A JP 14462687A JP S63307724 A JPS63307724 A JP S63307724A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- -1 boron ions Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 15
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- OKZIUSOJQLYFSE-UHFFFAOYSA-N difluoroboron Chemical compound F[B]F OKZIUSOJQLYFSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000004335 scaling law Methods 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000003826 tablet Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本会、明に半導体集積回路の製造方法に関し、特に浅い
Ｐ型拡散層を形成するだめのホウ素イオンの注入方法に
関する。
Ｐ型拡散層を形成するだめのホウ素イオンの注入方法に
関する。
半導体集積回路の集ｉＪ＃が向上し、また集積回路が０
ＭＯ８（相補型ＭＯ８）化されるにつれて。
ＭＯ８（相補型ＭＯ８）化されるにつれて。
微小Ｐチャネルトランジスタの要望が強まっている。
一般的にＰチャネルトランジスタのノース・ドレイン領
域の形成は、ホウ素イオン（Ｂ ）のイオン注入で行な
われているが、トランジスタの微小化の際スケーリング
則に従って拡散層の深さくＸｊ ）を浅くする必要があ
る。しかしＢ ｒｔＮ型不純物であるヒ素イオン（Ａ
ｓ）、リンイオン（Ｐ ）に比べて投影飛程（Ｒｐ）
が大きいため、Ａｓ、Ｐ等に比べて１／１０程度の注入
エネルギーにしなければ０．２μｍ程度Ｏｘｊを有する
Ｎ型拡散層と同程度の浅いＰ型拡散層を形成できない。
域の形成は、ホウ素イオン（Ｂ ）のイオン注入で行な
われているが、トランジスタの微小化の際スケーリング
則に従って拡散層の深さくＸｊ ）を浅くする必要があ
る。しかしＢ ｒｔＮ型不純物であるヒ素イオン（Ａ
ｓ）、リンイオン（Ｐ ）に比べて投影飛程（Ｒｐ）
が大きいため、Ａｓ、Ｐ等に比べて１／１０程度の注入
エネルギーにしなければ０．２μｍ程度Ｏｘｊを有する
Ｎ型拡散層と同程度の浅いＰ型拡散層を形成できない。
つ１リホウ素イオンのイオン注入法でｘｊが０．２μｍ
程度のＰ型拡散層を形成するには、１０ｋｅｖ程度の注
入エネルギーでイオン注入を行なう必要がある。
程度のＰ型拡散層を形成するには、１０ｋｅｖ程度の注
入エネルギーでイオン注入を行なう必要がある。
しかし、イオン注入機においてケ＊ １０ ｋ ｅ
ｙ程度の注入エネルギーにおけるイオンのビーム１１（
Ｍ。
ｙ程度の注入エネルギーにおけるイオンのビーム１１（
Ｍ。
値ｒｉ １ ｍ ｌｋ−以下と極めて小さく、そのため
ノース・ドレイン領域として必要なドーズ量である１０
１ｓ〜ＩＱ”／ｃｒｎ”程度のイオン注入を行なうため
には２時間以上の作業時間が必要であり、実用的ではな
かった。
ノース・ドレイン領域として必要なドーズ量である１０
１ｓ〜ＩＱ”／ｃｒｎ”程度のイオン注入を行なうため
には２時間以上の作業時間が必要であり、実用的ではな
かった。
そこで浅いＰ散拡散層を形成するイオン注入として、Ｂ
＋に替えてニフッ化ホウ素イオン（Ｂ Ｆｚ＋）を用い
る試みが行なわれている。ＢＦ２＋はシリコン基板表面
直下でホウ素とフッ素に分解し、基板中を進行する。こ
のホウ素のＲｐは、ＢＦ−の加速エネルギー＋７）１１
／４９ （ＢとＨＦｚとのＩｉ比）で加速したＢ＋のＲ
ｐに等しく、ＩＱｋｅｙで注入したＢ＋と同等のＲｐを
得るにげ約５０ｋｅｙでＢＦンのイオン注入を行なえば
良い。この注入エネルギーではイオン注入機のビーム電
流の低下は起きず、５ ｍ Ａ程度のビーム’ＭＥ流を
得ることが可能である。
＋に替えてニフッ化ホウ素イオン（Ｂ Ｆｚ＋）を用い
る試みが行なわれている。ＢＦ２＋はシリコン基板表面
直下でホウ素とフッ素に分解し、基板中を進行する。こ
のホウ素のＲｐは、ＢＦ−の加速エネルギー＋７）１１
／４９ （ＢとＨＦｚとのＩｉ比）で加速したＢ＋のＲ
ｐに等しく、ＩＱｋｅｙで注入したＢ＋と同等のＲｐを
得るにげ約５０ｋｅｙでＢＦンのイオン注入を行なえば
良い。この注入エネルギーではイオン注入機のビーム電
流の低下は起きず、５ ｍ Ａ程度のビーム’ＭＥ流を
得ることが可能である。
そのためＰ散拡散層のｘ ｊ ｒｓ ０．２μｍ程度と
浅くでき、しかもイオン注入時間は注入エネルギー１Ｑ
ｋｅｖ（ＤＢ＋のものに比べて１／１０〜ｔ１５程度と
なり、実用的なイオン注入法といえる。
浅くでき、しかもイオン注入時間は注入エネルギー１Ｑ
ｋｅｖ（ＤＢ＋のものに比べて１／１０〜ｔ１５程度と
なり、実用的なイオン注入法といえる。
しかしながら、上述したＢＦ、のイオン注入法を用いる
半導体集積回路では、第３図に示すように、必要なホウ
素以外に基板中にフッ素がホウ素１０２倍注入されるた
め、基板結晶中に転移等の結晶欠陥が高密度に発生する
。
半導体集積回路では、第３図に示すように、必要なホウ
素以外に基板中にフッ素がホウ素１０２倍注入されるた
め、基板結晶中に転移等の結晶欠陥が高密度に発生する
。
また、このフッ素ｒｔ果檀回路製造中の熱工程で容易に
拡散移動し、ＭＯＳ）ランジスタの閾値電圧（Ｖ？）を
変動させる要因となっている。この様にＢＦ２のイオン
注入ｒｉ、半導体デバイス特性を劣化させるフッ素を基
板中に大量に含むという１犬な欠点を有しでいた。
拡散移動し、ＭＯＳ）ランジスタの閾値電圧（Ｖ？）を
変動させる要因となっている。この様にＢＦ２のイオン
注入ｒｉ、半導体デバイス特性を劣化させるフッ素を基
板中に大量に含むという１犬な欠点を有しでいた。
本発明の目的に上記欠点を除去し、不要なイオンを伴な
わずにホウ素イオンを実用的昭間内でイオン注入］７．
浅いＰ散拡散層を形成することのできる半導体集積回路
の！！！遣方法を提供することにある。
わずにホウ素イオンを実用的昭間内でイオン注入］７．
浅いＰ散拡散層を形成することのできる半導体集積回路
の！！！遣方法を提供することにある。
本発明の半導体集積回路の製輩方法は、Ｎ型シリコン基
板中にＰ散拡散層を形成するためにホウ素イオンをイオ
ン注入する半導体集積回路の製造方法であって、前記ホ
ウ素イオンとしてジボランガス（Ｂ２Ｈ６）の気体放電
によって生起されたＢ。
板中にＰ散拡散層を形成するためにホウ素イオンをイオ
ン注入する半導体集積回路の製造方法であって、前記ホ
ウ素イオンとしてジボランガス（Ｂ２Ｈ６）の気体放電
によって生起されたＢ。
Ｈ１＋イオン（０≦ｎ≦５）を用いるものである。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例におけるシリコン基板中
のホウ素濃度力深さ方向のプロファイルである。
のホウ素濃度力深さ方向のプロファイルである。
壕ず、（１００）シリコン単結晶基板表面を熱酸化し、
厚さ２５０Ａの酸化膜を形成した後、前段加速部のみを
有するイオン注入機でＢ、Ｈ，をアーク放電させたイオ
ン注入機からＢ、を分離し。
厚さ２５０Ａの酸化膜を形成した後、前段加速部のみを
有するイオン注入機でＢ、Ｈ，をアーク放電させたイオ
ン注入機からＢ、を分離し。
２Ｑｋｅｖの注入エネルギー、ドーズ量１．５Ｘ１０１
５／ｃｍ ’の条件でイオン注入した。この時のビーム
電流ｒｉ２．７ ｍ Ａと十分大きく、またイオン注入
時間１ｄ１３分であった。次で表面の酸化膜をバッフ、
アードフヴ酸で除去した後シリコン基板中の Ｂ濃
度を２次イオン質量分析法で測定した。
５／ｃｍ ’の条件でイオン注入した。この時のビーム
電流ｒｉ２．７ ｍ Ａと十分大きく、またイオン注入
時間１ｄ１３分であった。次で表面の酸化膜をバッフ、
アードフヴ酸で除去した後シリコン基板中の Ｂ濃
度を２次イオン質量分析法で測定した。
このイオン注入でＢ、ｄシリコン基板表面値下で２つの
ホウ素イオンに分解しシリコン基板中を進行する。その
ＲＩ） Ｉｉ”１１０ ｋ ｅ ｖで注入したＢ のＲ
ｐにほぼ等しいものであった。また、第１図に示したプ
ロファイルからＢ＃度がシリコン基板のＮ型不純物濃度
１０ ”ｌ／ ｃｒｒｔ”となるのｒｔｘｊが約０．２
μｍであることから、十分に浅いＰ散拡散層が形成され
ていることが判る。この第１０′実施例では注入のドー
ズは１．５ Ｘ ］、 Ｑ １５／ ｃｍ”としたが、
これはＢ、のドーズ量であって注入されたＢＬ：Ｄ量は
その２倍の３×１０シ（ｍ”である。
ホウ素イオンに分解しシリコン基板中を進行する。その
ＲＩ） Ｉｉ”１１０ ｋ ｅ ｖで注入したＢ のＲ
ｐにほぼ等しいものであった。また、第１図に示したプ
ロファイルからＢ＃度がシリコン基板のＮ型不純物濃度
１０ ”ｌ／ ｃｒｒｔ”となるのｒｔｘｊが約０．２
μｍであることから、十分に浅いＰ散拡散層が形成され
ていることが判る。この第１０′実施例では注入のドー
ズは１．５ Ｘ ］、 Ｑ １５／ ｃｍ”としたが、
これはＢ、のドーズ量であって注入されたＢＬ：Ｄ量は
その２倍の３×１０シ（ｍ”である。
また第１図中に、Ｂ を注入エネルギー２０ｋｅｖドー
ズ量３ Ｘ １０ ”７ｃｍ”の条件で本実施傍ｌと同
じ処理を行なったシリコン卑″板にイオン注入したプロ
ファイルを示したがｓＢ２の２Ｑｋｅｖに比へてｘｊｒ
ｔ深くなっており、Ｂ２を用いることによることによる
ｘｊの低域の効果が判る。
ズ量３ Ｘ １０ ”７ｃｍ”の条件で本実施傍ｌと同
じ処理を行なったシリコン卑″板にイオン注入したプロ
ファイルを示したがｓＢ２の２Ｑｋｅｖに比へてｘｊｒ
ｔ深くなっており、Ｂ２を用いることによることによる
ｘｊの低域の効果が判る。
第２図は本発明の第２の実施例におけるシリコン基板中
のホウ素濃度の深さ方向のプロファイルである。
のホウ素濃度の深さ方向のプロファイルである。
第１の実施例同様（１００） ＞ ’Ｊコン単結晶基板
を熱酸化し厚さ２５０Ａの酸化摸を形成した後、シリコ
ンイオン（Ｓｉ”）を注入エネルギー１５０ｋｅｙ、ド
ーズｔ ５ Ｘ １０ ”７ｃｍ” （Ｄ条件ティオン
注入する。これｒｔ Ｓ ｉをイオン注入することによ
りシリコン基板をアモルファス化し、チャネリング効果
を防ぐ目的で行なうものであり、比較的良く知られた千
ヤネリング防止法である。その後筒１の実施例と全く同
じ条件で８．をイオン注入する。
を熱酸化し厚さ２５０Ａの酸化摸を形成した後、シリコ
ンイオン（Ｓｉ”）を注入エネルギー１５０ｋｅｙ、ド
ーズｔ ５ Ｘ １０ ”７ｃｍ” （Ｄ条件ティオン
注入する。これｒｔ Ｓ ｉをイオン注入することによ
りシリコン基板をアモルファス化し、チャネリング効果
を防ぐ目的で行なうものであり、比較的良く知られた千
ヤネリング防止法である。その後筒１の実施例と全く同
じ条件で８．をイオン注入する。
この第２の実施例においてはシリコン基板表面直下で８
２イオンが分離して生じたホウ素がチャネリングするこ
と無くシリコン基板中を進行する。
２イオンが分離して生じたホウ素がチャネリングするこ
と無くシリコン基板中を進行する。
第２図中実線で示したプロファイルが木簡２の実施例に
よるホウ素のプロファイルであるが、チャネリングが抑
制されているためそのプロファイルｒｉｔ、ｓｓ理論曲
線にかなり良く合った形となっている。またそのｘｊｒ
ｔ極めて浅くはぼ０．１μｍとなっていることが判る。
よるホウ素のプロファイルであるが、チャネリングが抑
制されているためそのプロファイルｒｉｔ、ｓｓ理論曲
線にかなり良く合った形となっている。またそのｘｊｒ
ｔ極めて浅くはぼ０．１μｍとなっていることが判る。
尚第２図中にσ第２の実施例と同様にシリコン基板をア
そルファス化したのちＢ＋を注入エネルギ−２Ｑｋｅｖ
、ドーズｆ１３ Ｘ １０ ”７ｃｍ” （Ｄ条件で
イオン注入したプロファイルも示した。しかしＢ＋の場
合ｒｔ、チャネリングを防止してもその注入深さｒｉ第
２の実施例のＢ２に比べて深くなっており、Ｂ！＋が実
効的に１０ｋ ｅｙ程度の低エネルギーで注入されてい
ることが判る。
そルファス化したのちＢ＋を注入エネルギ−２Ｑｋｅｖ
、ドーズｆ１３ Ｘ １０ ”７ｃｍ” （Ｄ条件で
イオン注入したプロファイルも示した。しかしＢ＋の場
合ｒｔ、チャネリングを防止してもその注入深さｒｉ第
２の実施例のＢ２に比べて深くなっており、Ｂ！＋が実
効的に１０ｋ ｅｙ程度の低エネルギーで注入されてい
ることが判る。
尚、上記実施例においてに、ホウ素イオンとしてＢ２を
用いた場合について欣、明したが、他のＢ２Ｈｎ”（ｎ
＝１〜５）を用いてもよいことは勿論である。
用いた場合について欣、明したが、他のＢ２Ｈｎ”（ｎ
＝１〜５）を用いてもよいことは勿論である。
以上説明したように本発明にＢ ２ Ｈ＠ガスの気体放
電で生じるＢ雪Ｈｎ を用いて、イオン注入機のビー
ム電流値を下けること無くホウ素の実効凶注入エネルキ
ーを低下させ浅いＰ型拡散層を形成できるため、微細な
Ｐチャネルトランジスタを容易に形成できる。従って高
集積度ＣＭＯ８集積回路が量産性良く製造できる。
電で生じるＢ雪Ｈｎ を用いて、イオン注入機のビー
ム電流値を下けること無くホウ素の実効凶注入エネルキ
ーを低下させ浅いＰ型拡散層を形成できるため、微細な
Ｐチャネルトランジスタを容易に形成できる。従って高
集積度ＣＭＯ８集積回路が量産性良く製造できる。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２０爽施例にお
けるシリコン基板中のホウ素濃度の深さ方向のプロファ
イルを従来法と比較して示した図。 第３図は従来の半導体集積回路の製造方法においてＨＦ
、イオンを注入した場合のホウ素とフッ素濃度の深さ方
向のプロファイル図である。 代理人 弁理士 内 原 晋 “ 。 Ｏｏ、７ ｏ、２ ｏ、３ンど１４．
でΣ こ２ノパーク９１・）Ｓ １ 図 ０ ０．７ ０．２ ０．３深 ご
こ／Ａ牝つ ）２ 図 ０ ０．２ ｏ、、＜５にさく胛り 第３図
けるシリコン基板中のホウ素濃度の深さ方向のプロファ
イルを従来法と比較して示した図。 第３図は従来の半導体集積回路の製造方法においてＨＦ
、イオンを注入した場合のホウ素とフッ素濃度の深さ方
向のプロファイル図である。 代理人 弁理士 内 原 晋 “ 。 Ｏｏ、７ ｏ、２ ｏ、３ンど１４．
でΣ こ２ノパーク９１・）Ｓ １ 図 ０ ０．７ ０．２ ０．３深 ご
こ／Ａ牝つ ）２ 図 ０ ０．２ ｏ、、＜５にさく胛り 第３図
Claims (1)
- Ｎ型シリコン基板中にＰ型拡散層を形成するためにホ
ウ素イオンをイオン注入する半導体集積回路の製造方法
において、ジボラン（Ｂ＿２Ｈ＿２）ガスの気体放電に
よって生起されたイオンのうちＢ＿２Ｈ＿ｎ＾＋（但し
０≦ｎ≦５）を分離してイオン注入することを特徴とす
る半導体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14462687A JPS63307724A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14462687A JPS63307724A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63307724A true JPS63307724A (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=15366412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14462687A Pending JPS63307724A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63307724A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01225117A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| KR19980053433A (ko) * | 1996-12-26 | 1998-09-25 | 김영환 | 반도체 소자 제조 공정에서의 이온 주입 방법 |
| JP2003069014A (ja) * | 2001-06-30 | 2003-03-07 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-06-09 JP JP14462687A patent/JPS63307724A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01225117A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| KR19980053433A (ko) * | 1996-12-26 | 1998-09-25 | 김영환 | 반도체 소자 제조 공정에서의 이온 주입 방법 |
| JP2003069014A (ja) * | 2001-06-30 | 2003-03-07 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
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