JPS63308973A - 光反射型センサ−の製造方法 - Google Patents

光反射型センサ−の製造方法

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JPS63308973A
JPS63308973A JP62146587A JP14658787A JPS63308973A JP S63308973 A JPS63308973 A JP S63308973A JP 62146587 A JP62146587 A JP 62146587A JP 14658787 A JP14658787 A JP 14658787A JP S63308973 A JPS63308973 A JP S63308973A
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JP
Japan
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light
receiving
resin
emitting
emitting element
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JP62146587A
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English (en)
Inventor
Osamu Iwashima
岩島 治
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光反射型センサーの製造方法に関する。
〔従来の技術〕
光反射型センサーとは、第7図に示す様に対象物64の
表面反射率が高い場合には発光素子6]から発せられた
光が対象物64で反射され、その反射光を受光素子62
で受けて信号が伝わるが、対象物64の表面反射率が低
い場合には発光素子61からの光が受光素子62に到達
せず信号が伝わらない装置である。
さらに具体的に説明すると、光反射型センサーは第8図
に示す様に、対象物74には表面反射率の高い明部75
と表面反射率の低い暗部76とがあり、かつ対象物が矢
印Aの向−きに動いた場合には、その動きに対応して、
第8図の下部に示す様な信号が伝わる装置である。第8
図のレベル■は信号が伝わるオン状態、レベル■は信号
が伝わらないオフ状態を示す。
このような光反射型センサーの従来のものとして、第7
図に示すように別々に樹脂成形されノご発光素子61と
受光素子62とを外装ケース63に組み込んだ構造のも
の、あるいは発光素子と受光素子ともさらにトランスフ
ァーモールドにより2重に樹脂成形した構造のもの等が
ある。すなわち、発光素子ペレットを樹脂成形パッケー
ジ内に有する発光素子61と受光素子ペレッ1へを樹脂
成形パッケージ内に有する受光素子62とを各々別に絹
み立て、さらに発光素子から発せられた光が対象物64
に反射後受光素子に到達する様に1組の発光素子と受光
素子と外装ケース63に組み込んで構成したもの、ある
いは発光素子と受光素子とをさらにトランスファーモー
ルドにより2重にモールドして所望の位置に固定したも
のである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の光反射型センサーは前述の様に別々に樹脂封入さ
れた発光素子と、受光素子とをケース等に組む込む構造
であったので、その製造にはまず発光素子ペレットと受
光素子ペレットとを別々にマウント、ワイヤボンディン
グしさらに樹脂封入して、全く別個の発光素子と受光素
子とを作り、次に、外装ケース等に発光素子と受光素子
とを組み込んで光反射型センサーを作らねばならながっ
た。従って、従来の構造の光反射型センサーはコストが
高くなるという欠点を有していた。すなわち、全く別々
に組み立てた発光素子と受光素子とを用いる為に発光素
子1個分のコスト及び受光受光素子1個分のコストを要
し、さらに画素子を発光素子からの光が対象物に反射後
受光素子に到達する様に配置する為に、ケース等に組み
込む費用を要していた。従来の光反射型センサーでは、
発光素子、受光素子と1組として用いるにもかかわらず
、発光素子、受光素子の組み立てを全く別々に行なうの
で製造コスト上には1組として用いる利点が全く反映さ
れない製造方法となっていた。
本発明の目的は、従来の欠点を除去し、製造コストの安
い光反射型センサーの製造方法を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、発光素子と受光素子とをリードフレーム」二
にマウントし、さらにワイヤボンディングを行なう工程
と、発光素子を含む発光部と受光素子を含む受光部とを
並設する如く結合する連結部を介して発光部と受光部と
を透明な樹脂で1体成形する工程と、成形された樹脂表
面を黒色等の光不透過膜で塗装する工程と、対象物に向
って光を放射する発光面と対象物によって反射された光
を受ける受光面との部分の光不透過膜を削り収る工程と
を有することを特徴とする。
〔実施例〕
次に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第]−図から第5図は、本発明による光反射型センサー
の製造工程を示す図である。まず、第1図に示す様にリ
ードフレーム11に発光素子ペレット12と受光素子ペ
レッ1−1.3とを各々1個おきにマウントする。最近
は]一台のマウンターで2種以上のペレットを同一フレ
ームにマウントできるので異種のペレットを同一フレー
ムにマウントすることで全く不具合は発生しない。次に
ボンディングワイヤ14のボンディングを行なうが、同
一フレーム上の異種のペレットに1台のボンダーでワイ
ヤボンディングを行なうことは容易に可能である。次に
第2図に示すように透明な樹脂によって発光部2]、受
光部22および連結部23を1体に樹脂成形する。次に
、第3図のように樹脂成形部の樹脂表面に黒色等の光不
透過膜31を塗装する。これは例えば液状の黒色樹脂に
樹脂成形部を浸漬して乾燥あるいは加熱して塗装する方
法または、液状樹脂をスプレ一式で樹脂形成部に噴霧す
る方法等を用いる。次に、第4図に示すように光不透過
膜31を発光面41及び受光面42に限って取り去る。
この作業は通常の紙やすり等で簡単に行なうことができ
る。第5図はこのようにして1体樹脂成形された光反射
型センサーの完成斜視図である。
以上は縦形の光反射型センサーで説明したが、第6図に
示す様な平形の光反射型センサーも本発明による製造方
法で作ることが可能である。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明は、対象物を経由しない光伝達
を防止する処置を行った上で1体樹脂成形する方法を取
るので光反射型センサーの大巾なコストダウンができる
。すなわち、従来は発光素子単体を組み立てる費用、受
光素子単体を組み立てる費用及び画素子を所望の位置に
固定する為にケース等に固定する費用等を要したが、本
発明によると発光部、受光部を1体樹脂成形するので、
材料費を別とすれば従来の素子単体を1個組み立る費用
とほぼ同額であるので大巾なコストダウンが見込めるの
である。
【図面の簡単な説明】
第1図から第4図は、本発明による製造方法の一実施例
を示す工程説明図、第5図は本発明の光反射型センサー
の完成斜視(I21、第6図は本発明の別の構造を示す
光反射型センサーの完成斜視図、第7図は従来の光反射
型センサーの概略構造を示す図、第8図は対象物が移動
した場合その明部と暗部に対応した信号が伝わることを
示す図である。 11・・・リードフレーム、12・・・発光素子ペレッ
ト、1.3・・・受光素子ベレッl〜、14・・・ボン
ディングワイヤ、15.16,56.57・・・リード
、21.51・・・発光部、22.52・・受光部、2
3゜53・・・連結部、31.58・・・光不透明膜、
4〕。 54・・・発光面、4.2.55・・受光面。 代理人 弁理士 内 原  苛(・ 第1図  77 ’l−1’几−ム 第z図 第5区 1−−14月帖 第7図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードに受光素子および発光素子を取付ける工程と、受
    光素子を含む受光部と発光素子を含む発光部とを連結部
    を介して1体樹脂成形する工程と、成形された樹脂表面
    の少なくとも1部に光不透過膜を塗装する工程と、該塗
    装した光不透過膜の表面のうち発光部の発光面と受光部
    の受光面との光不透過膜を取り去る工程とを含むことを
    特徴とする光反射型センサーの製造方法。
JP62146587A 1987-06-11 1987-06-11 光反射型センサ−の製造方法 Pending JPS63308973A (ja)

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010529434A (ja) * 2007-06-01 2010-08-26 フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション 光センサのクロストーク低減方法
GB2490386A (en) * 2011-04-30 2012-10-31 Avago Tech Ecbu Ip Sg Pte Ltd Optical proximity sensor with attenuating layers to reduce crosstalk
US8420999B2 (en) 2009-05-08 2013-04-16 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Metal shield and housing for optical proximity sensor with increased resistance to mechanical deformation
US8716665B2 (en) 2009-09-10 2014-05-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Compact optical proximity sensor with ball grid array and windowed substrate
US8779361B2 (en) 2009-06-30 2014-07-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical proximity sensor package with molded infrared light rejection barrier and infrared pass components
US8957380B2 (en) 2009-06-30 2015-02-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
US9525093B2 (en) 2009-06-30 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
US9733357B2 (en) 2009-11-23 2017-08-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared proximity sensor package with improved crosstalk isolation
DE102014109230B4 (de) * 2013-07-02 2019-10-31 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Optischer Nähesensor und Verfahren zur Herstellung eines optischen Nähesensors

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010529434A (ja) * 2007-06-01 2010-08-26 フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション 光センサのクロストーク低減方法
JP2013175773A (ja) * 2007-06-01 2013-09-05 Fairchild Semiconductor Corp 光センサ及び物体の光学的検出方法
US8420999B2 (en) 2009-05-08 2013-04-16 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Metal shield and housing for optical proximity sensor with increased resistance to mechanical deformation
US8779361B2 (en) 2009-06-30 2014-07-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical proximity sensor package with molded infrared light rejection barrier and infrared pass components
US8957380B2 (en) 2009-06-30 2015-02-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
US9525093B2 (en) 2009-06-30 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
US8716665B2 (en) 2009-09-10 2014-05-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Compact optical proximity sensor with ball grid array and windowed substrate
US9733357B2 (en) 2009-11-23 2017-08-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared proximity sensor package with improved crosstalk isolation
GB2490386A (en) * 2011-04-30 2012-10-31 Avago Tech Ecbu Ip Sg Pte Ltd Optical proximity sensor with attenuating layers to reduce crosstalk
DE102014109230B4 (de) * 2013-07-02 2019-10-31 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Optischer Nähesensor und Verfahren zur Herstellung eines optischen Nähesensors

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