JPH0243774A - 透明樹脂モールドの光電変換素子 - Google Patents
透明樹脂モールドの光電変換素子Info
- Publication number
- JPH0243774A JPH0243774A JP63194902A JP19490288A JPH0243774A JP H0243774 A JPH0243774 A JP H0243774A JP 63194902 A JP63194902 A JP 63194902A JP 19490288 A JP19490288 A JP 19490288A JP H0243774 A JPH0243774 A JP H0243774A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner leads
- transparent resin
- photoelectric conversion
- conversion element
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ホトトランジスタ等の光電変換素子とその
周辺回路とから構成された半導体集積回路素子を透明樹
脂でモールドしてパッケージとするものに関する。
周辺回路とから構成された半導体集積回路素子を透明樹
脂でモールドしてパッケージとするものに関する。
第3図は従来の技術例の断面図である。
図面において、マウント部1と外部リード2とインナリ
ード2aとからなるリードフレーム3のマウント部1に
は光電変換素子とその周辺回路とからなる半導体集積回
路素子4が装着されている。
ード2aとからなるリードフレーム3のマウント部1に
は光電変換素子とその周辺回路とからなる半導体集積回
路素子4が装着されている。
この半導体集積回路素子4は金属線5でインナリード2
aに接続され、全体が透明樹脂6でモールドされてパッ
ケージとなる。矢印は光線を示し、センサ部である光電
変換素子が正面から受光すべき本来の光のほかに様々な
方向からも受光する。
aに接続され、全体が透明樹脂6でモールドされてパッ
ケージとなる。矢印は光線を示し、センサ部である光電
変換素子が正面から受光すべき本来の光のほかに様々な
方向からも受光する。
前記の従来の技術において、透明樹脂6の内部領域には
、マウント部lとインナリード2aとの間に空間があっ
て、この空間を通過して透明樹脂6の裏面からも光が入
射することがある。この裏面からの光は透明樹脂内で乱
反射を繰り返して半導体集積回路素子4の光電変換素子
部分やその周辺回路部分に入射する。このような光は迷
光といわれ、光電変換特性の低下や誤動作の原因になる
。
、マウント部lとインナリード2aとの間に空間があっ
て、この空間を通過して透明樹脂6の裏面からも光が入
射することがある。この裏面からの光は透明樹脂内で乱
反射を繰り返して半導体集積回路素子4の光電変換素子
部分やその周辺回路部分に入射する。このような光は迷
光といわれ、光電変換特性の低下や誤動作の原因になる
。
特に用途上、裏面側に反射率の高い物がある時に著しい
。
。
この発明の目的は透明樹脂モールドの裏面からの迷光の
入射を確実に防止して、光電変換特性を向上させること
にある。
入射を確実に防止して、光電変換特性を向上させること
にある。
この発明は、リードフレームのマウント部に装着してリ
ードフレームのインナリードに接続を施した光電変換素
子を透明樹脂でモールドするものにおいて、この透明樹
脂の内部領域であって前記インナリード相互間及びこれ
らと前記マウント部との間の空間を覆う不透光薄板を前
記インナリードと前記マウント部の裏面に設けるもので
ある。
ードフレームのインナリードに接続を施した光電変換素
子を透明樹脂でモールドするものにおいて、この透明樹
脂の内部領域であって前記インナリード相互間及びこれ
らと前記マウント部との間の空間を覆う不透光薄板を前
記インナリードと前記マウント部の裏面に設けるもので
ある。
マウント部1とインナリード2aとの間を通過しようと
して透明樹脂6の裏面から入って来る光を不透光薄板1
0が遮断し、そのような光が迷光となって光電変換特性
を低下させたり、誤動作するのを防止する。
して透明樹脂6の裏面から入って来る光を不透光薄板1
0が遮断し、そのような光が迷光となって光電変換特性
を低下させたり、誤動作するのを防止する。
第1図は実施例の断面図、第2図は第1図の透視平面図
である。第3図と同一符号を付けたものはおよそ同一機
能を持つ。リードフレーム3には外部リード2とその延
長上のインナリード2aがあり、マウント部1は接続部
2Cによってリードフレーム3の連結部2bに接続され
ている。光電変換素子とその周辺回路とからなる半導体
集積回路素子4はマウント部lに接着により装着され、
金等の金属線5でインナリード2aに接続する。
である。第3図と同一符号を付けたものはおよそ同一機
能を持つ。リードフレーム3には外部リード2とその延
長上のインナリード2aがあり、マウント部1は接続部
2Cによってリードフレーム3の連結部2bに接続され
ている。光電変換素子とその周辺回路とからなる半導体
集積回路素子4はマウント部lに接着により装着され、
金等の金属線5でインナリード2aに接続する。
そして透明樹脂6でモールドし、外部リード2の端部と
接続部2Cとで連結部2bから図示の一点鎖線のように
切断して取り出される。すなわち従来例と同一の工程で
ある。
接続部2Cとで連結部2bから図示の一点鎖線のように
切断して取り出される。すなわち従来例と同一の工程で
ある。
ところでこの実施例では金属線5によるワイヤボンディ
ング後、インナリード2aの相互間及びこれらとマウン
ト部1との間の空間を覆うように黒又は他の色の不透光
薄板10をインナリード2aとマウント部lの裏面から
接着等により取付け、モールドする。この不透光薄板1
0は裏面からの迷光を遮断する。
ング後、インナリード2aの相互間及びこれらとマウン
ト部1との間の空間を覆うように黒又は他の色の不透光
薄板10をインナリード2aとマウント部lの裏面から
接着等により取付け、モールドする。この不透光薄板1
0は裏面からの迷光を遮断する。
C発明の効果〕
この発明は、リードフレームのマウント部に装着してリ
ードフレームのインナリードに接続を施した光電変換素
子を透明樹脂でモールドするものにおいて、この透明樹
脂の内部領域であって前記インナリード相互間及びこれ
らと前記マウント部との間の空間を覆う不透光薄板を前
記インナリードと前記マウント部の裏面に設けるように
したので、透明樹脂モールドの裏面からの迷光の入射が
確実に防止され、光電変換特性が向上するという効果が
ある。
ードフレームのインナリードに接続を施した光電変換素
子を透明樹脂でモールドするものにおいて、この透明樹
脂の内部領域であって前記インナリード相互間及びこれ
らと前記マウント部との間の空間を覆う不透光薄板を前
記インナリードと前記マウント部の裏面に設けるように
したので、透明樹脂モールドの裏面からの迷光の入射が
確実に防止され、光電変換特性が向上するという効果が
ある。
第1図は実施例の断面図、第2図は第1図の透視平面図
、第3図は従来の技術例の断面図である。 1・・・マウント部、2a・・・インナリード、3・・
・リードフレーム、4・・・半導体集積回路素子、6・
・・透明樹脂、10・・・不透光薄板。 第1図 第2図 第3図
、第3図は従来の技術例の断面図である。 1・・・マウント部、2a・・・インナリード、3・・
・リードフレーム、4・・・半導体集積回路素子、6・
・・透明樹脂、10・・・不透光薄板。 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 1)リードフレームのマウント部に装着してリードフレ
ームのインナリードに接続を施した光電変換素子を透明
樹脂でモールドするものにおいて、この透明樹脂の内部
領域であって前記インナリード相互間及びこれらと前記
マウント部との間の空間を覆う不透光薄板を前記インナ
リードと前記マウント部の裏面に設けることを特徴とす
る透明樹脂モールドの光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194902A JPH0243774A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 透明樹脂モールドの光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194902A JPH0243774A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 透明樹脂モールドの光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243774A true JPH0243774A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16332234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63194902A Pending JPH0243774A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 透明樹脂モールドの光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243774A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH041506U (en) * | 1990-04-18 | 1992-01-08 | Honda Motor Co Ltd | Optical link |
-
1988
- 1988-08-04 JP JP63194902A patent/JPH0243774A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH041506U (en) * | 1990-04-18 | 1992-01-08 | Honda Motor Co Ltd | Optical link |
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