JPH02260511A - 表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 - Google Patents
表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法Info
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- JPH02260511A JPH02260511A JP8177289A JP8177289A JPH02260511A JP H02260511 A JPH02260511 A JP H02260511A JP 8177289 A JP8177289 A JP 8177289A JP 8177289 A JP8177289 A JP 8177289A JP H02260511 A JPH02260511 A JP H02260511A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産〒１゜のｆり用分野〕
本発明は、表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方
法に関する。
法に関する。
表面再酸化型半導体磁器コンデンサは、−膜内には、次
の工程により製造される・。
の工程により製造される・。
■ 例えばｓ Ｂｓ７ｉ０３を主成分とする原材料を混
合した後、バインダー等を添加して混練し、シート状に
押し出し成形した後、得られたシート、を打ち抜いて円
板状の成形体を得る。
合した後、バインダー等を添加して混練し、シート状に
押し出し成形した後、得られたシート、を打ち抜いて円
板状の成形体を得る。
■ 上記成形体を複数枚重ねてサヤ詰めし、大気中で焼
成したのち、得られた焼結体を還元性雰囲気中で熱処理
して半導体磁器を得る。
成したのち、得られた焼結体を還元性雰囲気中で熱処理
して半導体磁器を得る。
■ 上記半導体磁器を、大気中で再び熱処理して表面を
再酸化し、表面再酸化型半導体磁器を得る。
再酸化し、表面再酸化型半導体磁器を得る。
■ 上記表面再酸化型半導体磁器の両主面の互いに対向
する位置に、それぞれＡｇ電極層を形成して表面再酸化
型半導体磁器コンデンサを得る。
する位置に、それぞれＡｇ電極層を形成して表面再酸化
型半導体磁器コンデンサを得る。
上記製造方法により製造される表面再酸化型半導体磁器
コンデンサにおいては、半導体磁器を再び大気中で熱処
理する際の該半導体磁器の表面への酸素供給の度合い及
び熱処理温度の条件等により、上記半導体磁器の表面層
部分での酸素拡散の度合が大きく異なり、これにより、
その静電容量Ｃ［ｎＦ］、誘電損失ｊｓｎＪ（％）、絶
縁抵抗ＩＲ［ＭΩ）等の特性が大きく変動する。
コンデンサにおいては、半導体磁器を再び大気中で熱処
理する際の該半導体磁器の表面への酸素供給の度合い及
び熱処理温度の条件等により、上記半導体磁器の表面層
部分での酸素拡散の度合が大きく異なり、これにより、
その静電容量Ｃ［ｎＦ］、誘電損失ｊｓｎＪ（％）、絶
縁抵抗ＩＲ［ＭΩ）等の特性が大きく変動する。
このような観点から従来は、酸素拡散の度合いが個々の
半導体磁器毎にばらつくことのないよう、アルミナ、あ
るいはジルコニア等の耐火物からなる焼成用サヤの上に
、直接あるいは上記耐火物からなるセッターを介して、
互いに重ならないように上記半導体磁器を平詰めしたの
ち、これらのサヤを複数段重ねて大気中で熱処理するの
が一般的であった。
半導体磁器毎にばらつくことのないよう、アルミナ、あ
るいはジルコニア等の耐火物からなる焼成用サヤの上に
、直接あるいは上記耐火物からなるセッターを介して、
互いに重ならないように上記半導体磁器を平詰めしたの
ち、これらのサヤを複数段重ねて大気中で熱処理するの
が一般的であった。
しかしながら、上記従来の製造方法では、耐火物製の焼
成用サヤあるいはセッターの上に、互いに重ならないよ
うに半導体磁器を平詰めして熱処理していたため、ひと
サヤ当たりに処理できる半導体磁器の数が少なく、熱効
率、処理効率ともに低かった。
成用サヤあるいはセッターの上に、互いに重ならないよ
うに半導体磁器を平詰めして熱処理していたため、ひと
サヤ当たりに処理できる半導体磁器の数が少なく、熱効
率、処理効率ともに低かった。
また、ひとサヤ当たりの処理量を増やすために、上記半
導体磁器毎複数枚重ねて熱処理することも検討されてい
るが、半導体磁器毎に特性が大きくばらつき、誘電損失
の増加や、絶縁抵抗の低下が否めなかった。
導体磁器毎複数枚重ねて熱処理することも検討されてい
るが、半導体磁器毎に特性が大きくばらつき、誘電損失
の増加や、絶縁抵抗の低下が否めなかった。
本発明の目的は、上記従来の問題点を解決して、特性バ
ラツキの増加や特性の悪化等を生ずることなく、表面再
酸化型半導体磁器コンデンサを効率良く得ることが可能
な製造方法を提供することにある。
ラツキの増加や特性の悪化等を生ずることなく、表面再
酸化型半導体磁器コンデンサを効率良く得ることが可能
な製造方法を提供することにある。
本発明は、原材料を混合したのち成形して得られた成形
体を大気中で焼成し、還元性雰囲気中で熱処理したのち
再び大気中で熱処理して表面を再酸化し、得られた表面
再酸化型半導体磁器の表面に一対の電５極層を形成して
なる表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法にお
いて、上記半導体磁器を再び大気中で熱処理する際に、
金属の酸化物、炭化物、窒化物のうち融点が、上記熱処
理温度よりも１００℃以上高いものの粉末を準備し、上
記半導体磁器同士の間に上記粉末が存在するように重ね
合せた状態で熱処理することを特徴とする表面再酸化型
半導体磁器コンデンサの製造方法である。
体を大気中で焼成し、還元性雰囲気中で熱処理したのち
再び大気中で熱処理して表面を再酸化し、得られた表面
再酸化型半導体磁器の表面に一対の電５極層を形成して
なる表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法にお
いて、上記半導体磁器を再び大気中で熱処理する際に、
金属の酸化物、炭化物、窒化物のうち融点が、上記熱処
理温度よりも１００℃以上高いものの粉末を準備し、上
記半導体磁器同士の間に上記粉末が存在するように重ね
合せた状態で熱処理することを特徴とする表面再酸化型
半導体磁器コンデンサの製造方法である。
上記粉末の具体的な材料としては、例えばアルミナ、ジ
ルコニア、マグネシア、あるいはこれらの混合組成物が
挙げられる。
ルコニア、マグネシア、あるいはこれらの混合組成物が
挙げられる。
本発明の表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法
においては、半導体磁器同士の間に上記粉末が存在する
ように重ねた状態で再酸化のための熱処理を行なうよう
にしたので、各半導体磁器への熱伝導および酸素拡散が
均一に行われる。
においては、半導体磁器同士の間に上記粉末が存在する
ように重ねた状態で再酸化のための熱処理を行なうよう
にしたので、各半導体磁器への熱伝導および酸素拡散が
均一に行われる。
次に、本発明の表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製
造方法の実施例を比較例と共に説明する。
造方法の実施例を比較例と共に説明する。
先ず、Ｂ＊ｒｉ（ｈ ９２ｉｏ１Ｎ、ＣｔＯｚ ５
ｍｏ１％ 、Ｔｉ０２３ｔｓｏ １％、の組成比からな
る半導体磁器の原料粉末を混合し、バインダーとしてメ
チルセルロース７ｖ１％と、可塑剤としてグリセリンの
１０ｗｊ％水溶液を添加し混練したのち、０．６ｍｌの
厚さのシート状に押し出し成形した。次いで、上記シー
トを１０ｍｍφの円板形状に打ち抜き、得られた成形体
をアルミナ磁器製の焼成用サヤに詰めた後、大気中ｔｓ
ｏｏ℃で焼成して焼結体を得た。次に、上記焼結体を再
び焼成用サヤに詰め、８２ １０マ０１％、ｔｈ ９
０ｙｏ１％の還元雰囲気中１０００ ”Ｃテ２ 時間熱
処理し、半導体磁器を得た。
ｍｏ１％ 、Ｔｉ０２３ｔｓｏ １％、の組成比からな
る半導体磁器の原料粉末を混合し、バインダーとしてメ
チルセルロース７ｖ１％と、可塑剤としてグリセリンの
１０ｗｊ％水溶液を添加し混練したのち、０．６ｍｌの
厚さのシート状に押し出し成形した。次いで、上記シー
トを１０ｍｍφの円板形状に打ち抜き、得られた成形体
をアルミナ磁器製の焼成用サヤに詰めた後、大気中ｔｓ
ｏｏ℃で焼成して焼結体を得た。次に、上記焼結体を再
び焼成用サヤに詰め、８２ １０マ０１％、ｔｈ ９
０ｙｏ１％の還元雰囲気中１０００ ”Ｃテ２ 時間熱
処理し、半導体磁器を得た。
更に平均粒径５０ｊｍのアルミナ粉末（融点：約２０１
５℃）および、平均粒径５０１のジルコニア粉末（融点
：約２６７７℃）を準備し、次のＢ−ｄの方法により上
記で得られた半導体磁器の表面に付着させた。
５℃）および、平均粒径５０１のジルコニア粉末（融点
：約２６７７℃）を準備し、次のＢ−ｄの方法により上
記で得られた半導体磁器の表面に付着させた。
ａ、上記粉末の入った容器中に上記の半導体磁器を入れ
、該容器を振動させて、半導体磁器の表面に上記粉末を
付着させた。
、該容器を振動させて、半導体磁器の表面に上記粉末を
付着させた。
ｂ、粉砕したクマロン樹脂粉末と上記粉末とが入った容
器中に上記の半導体磁器を入れて混合し、発生した静電
気により該半導体磁器の表面に上記粉末および上記クマ
ロン樹脂粉末を付着させた。
器中に上記の半導体磁器を入れて混合し、発生した静電
気により該半導体磁器の表面に上記粉末および上記クマ
ロン樹脂粉末を付着させた。
Ｃ０上記粉末と有機バインダーであるＰＶＡ水溶液とを
混合し、この中に上記の半導体磁器を浸したのち引上げ
て乾燥させ、上記半導体磁器の表面に上記粉末を付着さ
せた。
混合し、この中に上記の半導体磁器を浸したのち引上げ
て乾燥させ、上記半導体磁器の表面に上記粉末を付着さ
せた。
ｄ、上記粉末と有機バインダーであるＰＶＡ水溶液とを
混合した液を上記半導体磁器の表面に噴霧したのち乾燥
させ、上記半導体磁器の表面に上記粉末を付着させた。
混合した液を上記半導体磁器の表面に噴霧したのち乾燥
させ、上記半導体磁器の表面に上記粉末を付着させた。
上記で得られた半導体磁器を用いて、第１表に示す実施
例１〜４及び比較例１〜３の条件で再び大気中９００℃
で２時間熱処理して表面再酸化型半導体磁器を得た。尚
、第１表において、スペーサーとは、上記粉末によって
形成されるスペーサーを意味する。上記で得られた表面
再酸化型半導体磁器の両生面にそれぞれ６ｍ■φの円形
にＡｇ電極材料ペーストを塗布し１．８００℃で１０分
間焼き付は処理して表面再酸化型半導体磁器コンデンサ
試゛料を得た。
例１〜４及び比較例１〜３の条件で再び大気中９００℃
で２時間熱処理して表面再酸化型半導体磁器を得た。尚
、第１表において、スペーサーとは、上記粉末によって
形成されるスペーサーを意味する。上記で得られた表面
再酸化型半導体磁器の両生面にそれぞれ６ｍ■φの円形
にＡｇ電極材料ペーストを塗布し１．８００℃で１０分
間焼き付は処理して表面再酸化型半導体磁器コンデンサ
試゛料を得た。
このようにして得られたコンデンサ試料６５００個につ
いて、測定周波数１ｋＨＸ、測定電圧０．４ＶＣ’静電
容量Ｃ［ｎＦ］ 、ｇ［ｌｔ失１＊ｎδ（％） 、オよ
び直流５０Ｖの電圧を１５秒印加した後の絶縁抵抗ＩＲ
（ＭＱＩを測定し、平均値＝１バラツキ（３σ／マ）、
およびひとサヤ当たりの処理量の比すなわち処理能力比
を求めて、その結果を第２表に示した。
いて、測定周波数１ｋＨＸ、測定電圧０．４ＶＣ’静電
容量Ｃ［ｎＦ］ 、ｇ［ｌｔ失１＊ｎδ（％） 、オよ
び直流５０Ｖの電圧を１５秒印加した後の絶縁抵抗ＩＲ
（ＭＱＩを測定し、平均値＝１バラツキ（３σ／マ）、
およびひとサヤ当たりの処理量の比すなわち処理能力比
を求めて、その結果を第２表に示した。
第１表
第２表
第２表に示される通り、本発明の実施例１〜４で得られ
た試料はいずれも、静電容量、誘電損失、絶縁抵抗とと
もに比較例１に示す従来の平詰め方法による試料と同等
の特性を有し、また静電容量および誘電損失では、比較
例２〜３で得られた試料よりもバラツキが小さかった。
た試料はいずれも、静電容量、誘電損失、絶縁抵抗とと
もに比較例１に示す従来の平詰め方法による試料と同等
の特性を有し、また静電容量および誘電損失では、比較
例２〜３で得られた試料よりもバラツキが小さかった。
また、ひとサヤ当たりの処理量の点では、従来の平詰め
方法に比べて７倍以上の処理量であった。
方法に比べて７倍以上の処理量であった。
上記実施例では、粉末としてアルミナあるいはジルコニ
アを用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく
、金属あるいは金属の酸化物、炭化物、窒化物のうち、
融点が、該熱処理温度よりも １００℃以上高いものの
粉末の中から種々選択して用いることが可能である。
アを用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく
、金属あるいは金属の酸化物、炭化物、窒化物のうち、
融点が、該熱処理温度よりも １００℃以上高いものの
粉末の中から種々選択して用いることが可能である。
本発明によれば、上記実施例の結果に示される通り、特
性バラツキの増加や特性の悪化等を生ずることなく、表
面再酸化型半導体磁器コンデンサを効率良く製造するこ
とができる。
性バラツキの増加や特性の悪化等を生ずることなく、表
面再酸化型半導体磁器コンデンサを効率良く製造するこ
とができる。
Claims (1)
- 半導体磁器の原材料を混合したのち成形し、得られた
成形体を大気中で焼成し、還元性雰囲気中で熱処理した
のち再び大気中で熱処理して表面を再酸化し、得られた
表面再酸化型半導体磁器の表面に一対の電極層を形成し
てなる表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法に
おいて、前記半導体磁器を再び大気中で熱処理する際に
、金属あるいは金属の酸化物、炭化物、窒化物のうち、
融点が、前記熱処理温度よりも１００℃以上高いものの
粉末を準備し、前記半導体磁器同士の間に前記粉末が存
在するように重ね合せた状態で熱処理することを特徴と
する表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8177289A JPH02260511A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8177289A JPH02260511A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260511A true JPH02260511A (ja) | 1990-10-23 |
| JPH0524649B2 JPH0524649B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=13755766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8177289A Granted JPH02260511A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260511A (ja) |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8177289A patent/JPH02260511A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0524649B2 (ja) | 1993-04-08 |
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