JPH0279407A - 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 - Google Patents
粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH0279407A JPH0279407A JP23134588A JP23134588A JPH0279407A JP H0279407 A JPH0279407 A JP H0279407A JP 23134588 A JP23134588 A JP 23134588A JP 23134588 A JP23134588 A JP 23134588A JP H0279407 A JPH0279407 A JP H0279407A
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- Japan
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- semiconductor porcelain
- glass
- oxide powder
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法
に関するものである。
に関するものである。
〈従来の技術とその課題〉
粒界を絶縁化した半導体磁器表面にガラスフリットを塗
布して焼付けたのち、磁器素体に無電解メッキ電極を形
成した粒界絶縁型半導体磁器コンデンサとしては特開昭
５７−３１１２４号が提案されている。
布して焼付けたのち、磁器素体に無電解メッキ電極を形
成した粒界絶縁型半導体磁器コンデンサとしては特開昭
５７−３１１２４号が提案されている。
しかしながら上記の方法ではガラスフリットを塗布する
工程が必要であるためコスト増加がまず問題である。
工程が必要であるためコスト増加がまず問題である。
また、ガラスフリットの塗布量のバラツキや熱処理時の
熱分布差によるガラス拡散エネルギーの差、およびガラ
スフリットの塗布部分と塗布していない部分との差など
により、ガラスの拡散度合いが変り、容量のバラ、ツキ
が生じ、ガラスの不均一拡散により抗折強度が低いなど
の問題がある。
熱分布差によるガラス拡散エネルギーの差、およびガラ
スフリットの塗布部分と塗布していない部分との差など
により、ガラスの拡散度合いが変り、容量のバラ、ツキ
が生じ、ガラスの不均一拡散により抗折強度が低いなど
の問題がある。
〈発明の目的〉
この発明は上記に鑑みて（１）粒界絶縁型半導体コンデ
ンサの電極として従来の銀電極と同等の電気特性と信頼
性を持ち、かつ安価でマイグレーションの少ない無電解
メッキ電極を形成するための粒界絶縁型半導体磁器を得
ること。（２）ガラス生成酸化物を均一に表面に形成す
ることにより、その上に均一にメッキ電極を形成できる
こと。（３）ガラス生成酸化物屡が均一に形成できるの
で高抗折強度を持ち、メッキ工程での割れ、欠は不良の
少ない粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを得ること。の
できる粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法を提
供することを目的とするものである。
ンサの電極として従来の銀電極と同等の電気特性と信頼
性を持ち、かつ安価でマイグレーションの少ない無電解
メッキ電極を形成するための粒界絶縁型半導体磁器を得
ること。（２）ガラス生成酸化物を均一に表面に形成す
ることにより、その上に均一にメッキ電極を形成できる
こと。（３）ガラス生成酸化物屡が均一に形成できるの
で高抗折強度を持ち、メッキ工程での割れ、欠は不良の
少ない粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを得ること。の
できる粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法を提
供することを目的とするものである。
〈課題を解決するための手段〉
即ち、この発明は予め、Ｂｉ、 Ｃｕ、 Ｐｂ、 Ｂな
どからなる粒界絶縁化剤を熱拡散して得られた粒界絶縁
化した半導体磁器素体とガラス生成酸化物粉末とを撹拌
混合しながら炉内で熱処理して半導体磁器素体にガラス
生成酸化物粉末を拡散させたのち、無電解メッキ電極を
形成した粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法で
ある。
どからなる粒界絶縁化剤を熱拡散して得られた粒界絶縁
化した半導体磁器素体とガラス生成酸化物粉末とを撹拌
混合しながら炉内で熱処理して半導体磁器素体にガラス
生成酸化物粉末を拡散させたのち、無電解メッキ電極を
形成した粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法で
ある。
前記粒界絶縁化した半導体磁器素体とガラス生成酸化物
粉末の撹拌混合は、例えば両者を同一容器に入れ、該容
器を回転または前後左右に移動させることにより実施さ
れる。
粉末の撹拌混合は、例えば両者を同一容器に入れ、該容
器を回転または前後左右に移動させることにより実施さ
れる。
く作用〉
この発明で半導体磁器素体としては、例えば（Ｓｒ、
Ｃａ） Ｔｉｅｓのような５ｒＴｉＯｓ系、（Ｂａ、
５ｒ）ＴｉｅｓのようなりａＴｉＯｓ系素体が用いられ
、粒界絶縁型半導体磁器はこれら素体の結晶粒界をＢｉ
、 Ｃｕ、Ｐｂ、 Ｂなどの酸化物で絶縁体化したもの
である。
Ｃａ） Ｔｉｅｓのような５ｒＴｉＯｓ系、（Ｂａ、
５ｒ）ＴｉｅｓのようなりａＴｉＯｓ系素体が用いられ
、粒界絶縁型半導体磁器はこれら素体の結晶粒界をＢｉ
、 Ｃｕ、Ｐｂ、 Ｂなどの酸化物で絶縁体化したもの
である。
ガラス生成酸化物粉末としては、鉛ビスマス硼酸系、亜
鉛系ガラス、鉛硅酸系、硼硅酸系が用いられる。
鉛系ガラス、鉛硅酸系、硼硅酸系が用いられる。
粒界絶縁体化した半導体磁器素体とガラス生成酸化物粉
末との炉内での熱処理は７００−１０００”ｃが好まし
い。これは７００℃未満ではガラス生成酸化物が溶けず
に拡散が悪く、また１０００℃を越えると、得られた磁
器コンデンサの静電容量が小さくなるためである。
末との炉内での熱処理は７００−１０００”ｃが好まし
い。これは７００℃未満ではガラス生成酸化物が溶けず
に拡散が悪く、また１０００℃を越えると、得られた磁
器コンデンサの静電容量が小さくなるためである。
〈実施例〉
以下、実施例によりこの発明の詳細な説明する。
ＳｒＴｉ０ｍ ９９．３ｍｏ１％、ＹｚＯｓ ０．７ｍ
ｏ１％からなる混合物を１１５０℃で２時間仮焼し、次
いでバインダーを加えて造粒し、直径１ＯＩＩｌｆｆｌ
、厚み０．４ｍｍの円板に成形した。次にこの成形物を
１１５０℃で２時間予備焼成を行ない、さらに窒素９８
％、水素２％からなる還元性雰囲気中で１４３０℃にて
３時間焼成して半導体磁器を得た。そして１１５０℃で
Ｂｉ、 Ｐｂ、 Ｃｕ、 Ｂからなる公知の粒界絶縁物
を熱拡散し、粒界絶縁体化した半導体磁器（以下、酸化
済み磁器という）を得た。
ｏ１％からなる混合物を１１５０℃で２時間仮焼し、次
いでバインダーを加えて造粒し、直径１ＯＩＩｌｆｆｌ
、厚み０．４ｍｍの円板に成形した。次にこの成形物を
１１５０℃で２時間予備焼成を行ない、さらに窒素９８
％、水素２％からなる還元性雰囲気中で１４３０℃にて
３時間焼成して半導体磁器を得た。そして１１５０℃で
Ｂｉ、 Ｐｂ、 Ｃｕ、 Ｂからなる公知の粒界絶縁物
を熱拡散し、粒界絶縁体化した半導体磁器（以下、酸化
済み磁器という）を得た。
次いでＰｂＯ−Ｂｉａｓｓ −ＣｕＯ−Ｂ２Ｏ５からな
るガラス粉末を酸化済み磁器に対して１重量％になるよ
うに秤量し、酸化済み磁器１０００個とともに円筒形匣
に入れ、この匣を炉内で１．５ ｒｐｍで回転させ、匣
内で酸化済み磁器とガラス粉末を混合しながら酸化性雰
囲気中９００℃で１時間熱処理を行なってガラス拡散磁
器を得た。
るガラス粉末を酸化済み磁器に対して１重量％になるよ
うに秤量し、酸化済み磁器１０００個とともに円筒形匣
に入れ、この匣を炉内で１．５ ｒｐｍで回転させ、匣
内で酸化済み磁器とガラス粉末を混合しながら酸化性雰
囲気中９００℃で１時間熱処理を行なってガラス拡散磁
器を得た。
次に比較例として特開昭５７−３１１２４号公報で提案
されている下記の方法でガラス拡散磁器を得た。
されている下記の方法でガラス拡散磁器を得た。
即ち、ＰｂＯ−ＢｉＪｓ −ＣｕＯ−Ｂｔｕｓからなる
ガラス粉末をジオクチルフタレート、ブチルカルピトー
ル、エチルセルロースからなるビヒクルに４０重量％添
加混合して得られたガラスフリットを酸化済み磁器に酸
化済み磁器に対して２．５重量％塗布し、焼付けした。
ガラス粉末をジオクチルフタレート、ブチルカルピトー
ル、エチルセルロースからなるビヒクルに４０重量％添
加混合して得られたガラスフリットを酸化済み磁器に酸
化済み磁器に対して２．５重量％塗布し、焼付けした。
上記の実施例および比較例で得たガラス拡散磁器を用い
、まず脱脂し、洗浄した。さらにエツチング処理したの
ち、感受性化、活性化し、次いで無電解メッキを施した
。
、まず脱脂し、洗浄した。さらにエツチング処理したの
ち、感受性化、活性化し、次いで無電解メッキを施した
。
その方法は端面にメッキレジストを塗布した後、通常の
無電解メッキにより磁器の両面にニッケルメッキ電極を
形成した。
無電解メッキにより磁器の両面にニッケルメッキ電極を
形成した。
か（して得られた粒界絶縁型半導体磁器コンデンサにつ
いてガラス拡散後の磁器融着率、抗折強度、メッキ後の
静電容量の平均および標準偏差、メッキ時の割れ、欠は
不良率を調べたところ、第１表の結果を得た。
いてガラス拡散後の磁器融着率、抗折強度、メッキ後の
静電容量の平均および標準偏差、メッキ時の割れ、欠は
不良率を調べたところ、第１表の結果を得た。
第 １ 表
〈発明の効果〉
上表の結果から、この発明によれば粒界を絶縁化した半
導体磁器コンデンサの表面にガラス粉末（ガラス生成酸
化物）を熱拡散し、無電解メッキ電極を形成したことに
よって良品率が高（、コストが低減され、静電容量のバ
ラツキが少ない粒界絶縁型半導体磁器コンデンサが得ら
れることが認められた。
導体磁器コンデンサの表面にガラス粉末（ガラス生成酸
化物）を熱拡散し、無電解メッキ電極を形成したことに
よって良品率が高（、コストが低減され、静電容量のバ
ラツキが少ない粒界絶縁型半導体磁器コンデンサが得ら
れることが認められた。
Claims (1)
- 無電解メッキ電極を形成した粒界絶縁型半導体磁器コン
デンサにおいて、予めＢｉ，Ｃｕ，Ｐｂ，Ｂなどからな
る粒界絶縁化剤を熱拡散して得られた粒界絶縁化した半
導体磁器素体とガラス生成酸化物粉末とを撹拌混合しな
がら炉内で熱処理して半導体磁器素体にガラス生成酸化
物粉末を拡散させたのち、無電解メッキ電極を形成した
ことを特徴とする粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23134588A JPH0648664B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23134588A JPH0648664B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0279407A true JPH0279407A (ja) | 1990-03-20 |
| JPH0648664B2 JPH0648664B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=16922175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23134588A Expired - Fee Related JPH0648664B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648664B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05129150A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Taiyo Yuden Co Ltd | 粒界絶縁型半導体磁器の製造方法 |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP23134588A patent/JPH0648664B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05129150A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Taiyo Yuden Co Ltd | 粒界絶縁型半導体磁器の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0648664B2 (ja) | 1994-06-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |