JPS6331720A - ガリウム砒素単結晶のスライシング方法 - Google Patents
ガリウム砒素単結晶のスライシング方法Info
- Publication number
- JPS6331720A JPS6331720A JP17557686A JP17557686A JPS6331720A JP S6331720 A JPS6331720 A JP S6331720A JP 17557686 A JP17557686 A JP 17557686A JP 17557686 A JP17557686 A JP 17557686A JP S6331720 A JPS6331720 A JP S6331720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ingot
- slicing
- single crystal
- gallium arsenide
- arsenide single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）単結晶のスライシ
ング方法に関する。
ング方法に関する。
（従来の技術）
一般に、 ＧａＡｓ単結晶インゴットからウェハ（厚さ
３００〜９００μｍ〕を切り出すスライシングには、内
周形切断砥石が用いられている。この内周形切断砥石は
、厚さ０．１〜０．２態のドーナッツ状のステンレス鋼
板の内周部にダイヤモンド砥粒を電着したものである。
３００〜９００μｍ〕を切り出すスライシングには、内
周形切断砥石が用いられている。この内周形切断砥石は
、厚さ０．１〜０．２態のドーナッツ状のステンレス鋼
板の内周部にダイヤモンド砥粒を電着したものである。
ところで、インゴットを内周形切断砥石を用いて切断す
る場合、ブレード自体の弯曲、ウェハの表裏の切断加工
ひずみ等に基因して１反りが発生する。
る場合、ブレード自体の弯曲、ウェハの表裏の切断加工
ひずみ等に基因して１反りが発生する。
ところで、ウェハの反りが大きくなると、第４図に示す
ようにウェハ（Ａ）の先端部と切断砥石（Ｂ）の地金部
（Ｃ）が接触する。このような接触が長時間にわたって
発生すると、地金部（Ｃ）は、摩擦疲労現象により塑性
変形する。その結果、スライシングが不可能つまり砥石
寿命になってしまう。
ようにウェハ（Ａ）の先端部と切断砥石（Ｂ）の地金部
（Ｃ）が接触する。このような接触が長時間にわたって
発生すると、地金部（Ｃ）は、摩擦疲労現象により塑性
変形する。その結果、スライシングが不可能つまり砥石
寿命になってしまう。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上述したように、 ＧａＡｓ単結晶インゴッ
トのスライシングにおいて反りの発生により砥石寿命が
著しく制約を受けているという事情を参酌してなされた
もので、内周形切断砥石の寿命の向上に役立つガリウム
砒素単結晶のスライシング方法を提供することを目的と
する。
トのスライシングにおいて反りの発生により砥石寿命が
著しく制約を受けているという事情を参酌してなされた
もので、内周形切断砥石の寿命の向上に役立つガリウム
砒素単結晶のスライシング方法を提供することを目的と
する。
（間顕点を解決するための手段と作用）ＧａＡｓ単結晶
インゴットを保持体により保持させる第１工程と、この
第１工程後に円環状の薄板部及びこの薄板部の内周に形
成された砥石部からなる切断砥石の径方向をインゴット
の結晶方位に一致させるとともに、切断砥石をその径方
向に上記インゴットに対して相対的に切込ませ１反り景
及び反り方向を制御するものである。
インゴットを保持体により保持させる第１工程と、この
第１工程後に円環状の薄板部及びこの薄板部の内周に形
成された砥石部からなる切断砥石の径方向をインゴット
の結晶方位に一致させるとともに、切断砥石をその径方
向に上記インゴットに対して相対的に切込ませ１反り景
及び反り方向を制御するものである。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
この実施例のスライシング方法は、第１図に示すようｌ
ｃ 、 ＧａＡｓ単結にインゴット（１〕を接着保持す
る柱状のセラミックス製接着基板（２）の長手方向に対
してインゴット（１）の結晶方位［１１０）が直交する
ようにインゴット（１〕を接着基板（２〕に接着する第
１工程と、この第１工程後に接着基板（２〕に保持され
たインゴット（１〕を例えば周速１．０００ｍ／ｍｉｎ
で回転している内周形切断砥石（３）の径方向（矢印（
４）方向〕に送りインゴット（１〕を切込むとともに切
込み終了後に一定量ずつ軸方向（５〕にインゴット（１
〕を動かしウェハ（６〕を得る第２工程とからなってい
る。しかして、第２工程においては、結晶方位（１１０
）が矢印（４）方向となるように設定する。なお、イン
ゴット（１）は、結晶方位（１１０１が、その軸線方向
に直交するように結晶成長させておく。また、第１工程
において、接着基板（２）は、インゴット（１）の−側
部をその軸方向に沿って、インゴットけ）とほぼ同じ曲
率の凹部（力により接着剤（例えばワックス〕を介して
強固に保持するものであって、その一部をインゴット（
１）とともに切断されるようＫなっている。また、切断
砥石（３）は１例えば外径５９７１１！、 内径２２
２Ｂかつ厚さ０．１〜０．２罵真のステンレス鋼製地金
部（８）と、この地金部（８）の内層部Ｋ［着されたダ
イヤモンド砥石部（９）とからなっている。そうして。
ｃ 、 ＧａＡｓ単結にインゴット（１〕を接着保持す
る柱状のセラミックス製接着基板（２）の長手方向に対
してインゴット（１）の結晶方位［１１０）が直交する
ようにインゴット（１〕を接着基板（２〕に接着する第
１工程と、この第１工程後に接着基板（２〕に保持され
たインゴット（１〕を例えば周速１．０００ｍ／ｍｉｎ
で回転している内周形切断砥石（３）の径方向（矢印（
４）方向〕に送りインゴット（１〕を切込むとともに切
込み終了後に一定量ずつ軸方向（５〕にインゴット（１
〕を動かしウェハ（６〕を得る第２工程とからなってい
る。しかして、第２工程においては、結晶方位（１１０
）が矢印（４）方向となるように設定する。なお、イン
ゴット（１）は、結晶方位（１１０１が、その軸線方向
に直交するように結晶成長させておく。また、第１工程
において、接着基板（２）は、インゴット（１）の−側
部をその軸方向に沿って、インゴットけ）とほぼ同じ曲
率の凹部（力により接着剤（例えばワックス〕を介して
強固に保持するものであって、その一部をインゴット（
１）とともに切断されるようＫなっている。また、切断
砥石（３）は１例えば外径５９７１１！、 内径２２
２Ｂかつ厚さ０．１〜０．２罵真のステンレス鋼製地金
部（８）と、この地金部（８）の内層部Ｋ［着されたダ
イヤモンド砥石部（９）とからなっている。そうして。
切断砥石（３〕には、地金部（８）の外周部に油圧又は
ねじ締めにより直径方向の張力が付加されて張り上げら
れており、剛性が高くなっている。
ねじ締めにより直径方向の張力が付加されて張り上げら
れており、剛性が高くなっている。
しかして、 ＧａＡｓ単結晶インゴット（１）のスライ
シングを行うと、３ｇ２図に示すように、接着基板（２
〕に一端が接着された状態のウェハ（６）・・・を得る
。これらウェハ（６）・・・は、例えば切断加工ひずみ
などに基因して１反りが生じている。この反りは、スラ
イシング中の切断砥石（３〕に対して反対方向に反るよ
うな形状となっている。したがって、スライシング中に
ウェハ（６）の他端が地金部（８〕に接触することがな
くなる。よって、ウェハ（６）の地金部（８）への接触
に基因する摩擦疲労による塑性変形を防止することがで
きる。このように、インゴット（１〕を。
シングを行うと、３ｇ２図に示すように、接着基板（２
〕に一端が接着された状態のウェハ（６）・・・を得る
。これらウェハ（６）・・・は、例えば切断加工ひずみ
などに基因して１反りが生じている。この反りは、スラ
イシング中の切断砥石（３〕に対して反対方向に反るよ
うな形状となっている。したがって、スライシング中に
ウェハ（６）の他端が地金部（８〕に接触することがな
くなる。よって、ウェハ（６）の地金部（８）への接触
に基因する摩擦疲労による塑性変形を防止することがで
きる。このように、インゴット（１〕を。
その結晶方位Ｃｌｌ０：］が切断砥石（３）の径方向つ
まり送り方向となるように設定すると、ウェハ（６）・
・・の反りによる悪影響を回避できるのは、第３図に示
すように、結晶方位（１１０〕を切断方向とすると。
まり送り方向となるように設定すると、ウェハ（６）・
・・の反りによる悪影響を回避できるのは、第３図に示
すように、結晶方位（１１０〕を切断方向とすると。
例えば結晶方位（Ｔｌｏ）等、他の結晶方位を切断方向
とする場合に比べ１反り量が著しく少ないことによる。
とする場合に比べ１反り量が著しく少ないことによる。
以上のように、この実施例のガリウム砒素単結晶のスラ
イシング方法は、スライシング中にウェハ（６）と切断
砥石（３）とが接触することがないので。
イシング方法は、スライシング中にウェハ（６）と切断
砥石（３）とが接触することがないので。
ダイヤモンド砥石部（９）が消失するまで使用でさる。
よって、砥石寿命が大幅に向上する。
なお、上記実施例においては、接着基板（２）の長手方
向とインゴット（１）の結晶方位〔１１０〕を直交させ
ているが、結晶方位（１１０〕を切断方向とするもので
あれば、これに拘泥することなくどのようなインゴット
（１）保持方法を採用してもよい。さらに。
向とインゴット（１）の結晶方位〔１１０〕を直交させ
ているが、結晶方位（１１０〕を切断方向とするもので
あれば、これに拘泥することなくどのようなインゴット
（１）保持方法を採用してもよい。さらに。
インゴット（１）側を固定し、切断砥石（３〕を、その
半径方向を結晶方位［：１１０〕に一致させて、インゴ
ット（１〕に対して動かすことによりスライシングを行
ってもよい。
半径方向を結晶方位［：１１０〕に一致させて、インゴ
ット（１〕に対して動かすことによりスライシングを行
ってもよい。
本発明のガリウム砒素単結晶のスライシング方法は、ス
ライシング中に反りが生じて、ウェハと切断砥石とが接
触することがない。したがって。
ライシング中に反りが生じて、ウェハと切断砥石とが接
触することがない。したがって。
砥石寿命を最大限にまで延ばすことが可能となり。
生産性の向上、コスト低減等に寄与することができる。
第１図は本発明の一実施例の説明図、第２図は同シくイ
ンゴットのスライシングを示す要部拡大図、第３図はＧ
ａＡｓ単結晶の反り量の結晶方位による影響を示す図、
第４図は従来技術の説明図である。 （１） Ｓ Ｏｓ八へインゴット。 （２）：接着基板（保持体）。 （３）：内周形切断砥石。 （８）：地金部（薄板部）。 （９）：ダイヤモンド砥石部。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 ［００１１ ［＋＋Ｏ］ 第 ３１ｉ！！１
ンゴットのスライシングを示す要部拡大図、第３図はＧ
ａＡｓ単結晶の反り量の結晶方位による影響を示す図、
第４図は従来技術の説明図である。 （１） Ｓ Ｏｓ八へインゴット。 （２）：接着基板（保持体）。 （３）：内周形切断砥石。 （８）：地金部（薄板部）。 （９）：ダイヤモンド砥石部。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 ［００１１ ［＋＋Ｏ］ 第 ３１ｉ！！１
Claims (2)
- （１）ガリウム砒素単結晶インゴットを保持体により保
持させる第１工程と、この第１工程後に円環状の薄板部
及びこの薄板部の内周に形成された砥石部からなる切断
砥石の径方向を上記インゴットの結晶方位〔１１０〕に
一致させ上記インゴットを上記切断砥石の径方向に相対
的に切込むことにより上記インゴットからウェハを得る
第２工程とからなることを特徴とするガリウム砒素単結
晶のスライシング方法。 - （２）ガリウム砒素単結晶インゴットの結晶方位〔１１
０〕を上記柱状をなす保持体の長手方向に直交させて、
上記インゴットを上記保持体に接着することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のガリウム砒素単結晶のス
ライシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17557686A JPS6331720A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | ガリウム砒素単結晶のスライシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17557686A JPS6331720A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | ガリウム砒素単結晶のスライシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331720A true JPS6331720A (ja) | 1988-02-10 |
Family
ID=15998497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17557686A Pending JPS6331720A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | ガリウム砒素単結晶のスライシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6331720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH031536A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Naoetsu Denshi Kogyo Kk | シリコン半導体ウエハの切断回収方法 |
-
1986
- 1986-07-28 JP JP17557686A patent/JPS6331720A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH031536A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Naoetsu Denshi Kogyo Kk | シリコン半導体ウエハの切断回収方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11781244B2 (en) | Seed crystal for single crystal 4H—SiC growth and method for processing the same | |
| JP6167984B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| WO2013161849A1 (ja) | ダイシングブレード | |
| WO2003077297A1 (fr) | Procede de meulage de la surface arriere d'une plaquette semi-conductrice | |
| JP3472390B2 (ja) | フランジ端面修正治具 | |
| US12304109B2 (en) | Method of separating wafer | |
| JPH0310810A (ja) | リン化ガリウム単結晶のスライシング方法 | |
| JPH1158232A (ja) | ドレッシング工具及びその製造方法 | |
| JPH01188265A (ja) | ラツプ加工装置 | |
| JPH097149A (ja) | 磁気ヘッドスライダの加工方法 | |
| JP2019123058A (ja) | 形状修正治具の製造方法 | |
| JPS5972139A (ja) | 薄板材の加工方法 | |
| JPH11869A (ja) | 薄刃砥石治具の製造方法および薄刃砥石治具 | |
| JPH0671568A (ja) | 研削砥石 | |
| JP2001334444A (ja) | 薄板の曲面加工方法 | |
| JP2554424Y2 (ja) | 内周刃砥石 | |
| JPH0443734B2 (ja) | ||
| JPH1116115A (ja) | 磁気ヘッドの製法 | |
| JP3126164B2 (ja) | 磁気ヘッドスライダの加工方法 | |
| CN110267767B (zh) | 轮毂式刀片及轮毂式刀片制造方法 | |
| JPH0332212B2 (ja) | ||
| JPH05285841A (ja) | 研削工具 | |
| JPH0671710B2 (ja) | 研削砥石 | |
| JPH0236072A (ja) | 半導体ウエハの研磨方法およびそれに用いる研磨プレート | |
| JPH0479794B2 (ja) |