JPS6331939B2 - - Google Patents
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- JPS6331939B2 JPS6331939B2 JP59028518A JP2851884A JPS6331939B2 JP S6331939 B2 JPS6331939 B2 JP S6331939B2 JP 59028518 A JP59028518 A JP 59028518A JP 2851884 A JP2851884 A JP 2851884A JP S6331939 B2 JPS6331939 B2 JP S6331939B2
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- polyamic acid
- formula
- wiring structure
- acid composition
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Description
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体集積回路または混成集積回路の
配線構造体、とくに配線構造が２層以上に及ぶ多
層配線構造体に関するものである。 〔発明の背景〕 半導体集積回路または混成集積回路におけるポ
リイミド樹脂を用いた多層配線構造体は従来、第
１図に示す方法で製造されている。すなわち、必
要な素子が形成された基板１上に所定のパターン
の下部導体層２を周知のフオトエツチング技術に
より形成する。しかる後、ポリアミド酸（ポリイ
ミド前駆体）ワニスを塗布、硬化してポリイミド
樹脂層３とする（第１図ａ）。次いでポリイミド
樹脂層３上にフオトレジスト４を塗布、乾燥する
（第１図ｂ）。フオトレジスト４は所定のフオトマ
スクを用いて露光、現像、乾燥し、所定のパター
ンを得る（第１図ｃ）。ポリイミド樹脂層３はエ
ツチングにより所定の部分を選択的に除去して、
貫通孔５とし、この部分の下部導体層２を露出さ
せる（第１図ｄ）。さらに不要となつたフオトレ
ジスト４を除去することでポリイミド樹脂層３の
パターンが形成される（第１図ｅ）。上部導体層
６は真空蒸着法などの手段で基板全面に堆積さ
れ、フオトエツチング技術によつて下部導体層２
とポリイミド樹脂層３の貫通孔５の部分で電気的
に接続された所定のパターンに形成される（第１
図ｆ）。かかる従来技術においては、ポリイミド
樹脂層はフオトレジストを用いて間接的にパター
ン化を行わねばならず、上記の如く工数が多いた
めコストが高くなるという問題がある。また、上
記問題点を解決すべく種々検討が行われ、例えば
特開昭54−149754に示される耐熱性感光材料が提
案された。しかしながら、この材料は感度が数千
ｍｊ／cm3と低いうえに、現像すると膜が割れやす
く、多層配線構造体を製造するには実用的でなか
つた。一方、感度を改良したポリアミド酸組成物
が感光性耐熱重合体組成物として出願されている
（特願昭54−99421）。しかし、この組成物は現像
時に露光部のパターンが溶出され易く、特に微細
パターンが形成されないという別の問題が生じ、
実用に供するには不十分であつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記した従来技術の種々の問
題点を解決するとともに耐湿信頼性の高い多層配
線構造体を提供するにある。 〔発明の概要〕 上記目的は層間絶縁層を高感度で現像時に変質
しない光もしくは放射線感応性ポリアミド酸組成
物とすることで達成される。 そして、上記の多層配線構造体は、基板上の少
なくとも一部に所定のパターンを有する下部導体
層を形成する第１工程と、該下部導体層上に光ま
たは放射線で反応するポリアミド酸組成物〔Ａ〕
の溶液を塗布し、室温以上120℃以下の温度で乾
燥する第２工程と、該ポリアミド酸組成物を所定
のマスクを用いて露光、次いで現像し、少なくと
も所定の場所に貫通孔を有するポリアミド酸組成
物層を形成する第３工程と、該ポリアミド酸組成
物層を150℃以上500℃以下の温度で加熱硬化して
ポリイミド樹脂層に転化する第４工程と、該ポリ
イミド樹脂層の貫通孔の部分で該下部導体層と電
気的に接続され、かつ該ポリイミド樹脂層上の少
なくともその一部が延在する所定のパターンの上
部導体層を形成する第５工程と、必要に応じて上
記第２工程から第５工程に至る工程を繰り返して
複数層の配線導体層を形成することで多層配線構
造体が製造される。 〔A〕(1) 一般式 （但し、式中R1は３価または４価の有機基、
R2は２価の有機基、Ｍは水素またはアンモ
ニウムイオン、ｎは１または２を表わす。）
で示される繰り返し単位を有するポリマと、 (2) 一般式 N3−R3−N3 〔〕 （但し、式中R3は２価または３価の有機基
を表わす。）で示されるビスアジド化合物と、 (3) 分子内に３級炭素に結合した水素を有する
基または２級炭素に結合した水素を有する基
または不飽和結合を有するアミン化合物
〔〕と、 (4) 必要に応じて加える増感剤とから成るポリ
アミド酸組成物。 なお、上記のビスアジド化合物〔〕は前記
〔〕で示される繰り返し単位を有するポリマ100
重量部に対して0.1重量部以上100重量部以下、前
記アミン化合物〔〕は前記〔〕で示される繰
り返し単位を有するポリマ100重量部に対して１
重量部以上400重量部以下の割合で配合されたも
のが好ましい。 本発明の多層配線構造体の製造方法を第２図を
用いて述べる。 必要な素子が作り込まれた基板７上に、導体金
属を真空蒸着法などにより堆積し、周知のフオト
エツチング技術により所定のパターンの下部導体
層８を形成する。次に前記ポリアミド酸組成物
〔Ａ〕の溶液を塗布し、室温以上100℃以下で溶媒
を蒸発させて、ポリアミド酸組成物層９を形成す
る（第２図ａ）。次に、所定のフオトマスクを用
いて露光、次いで現像し、貫通孔１０を形成す
る。しかる後、ポリアミド酸組成物層９を150℃
以上500℃以下の範囲の温度でポリイミド樹脂層
１１に転化する（第２図ｂ）。上部導体層１２は
真空蒸着法などの手段で基板全面に堆積され、フ
オトエツチング技術によつて下部導体層８とポリ
イミド樹脂層１１の貫通孔１０の部分で電気的に
接続された所定のパターンに形成される（第２図
ｃ）。 前記組成物〔Ａ〕はポリアミド酸〔〕のカル
ボキシル基とアミン化合物〔〕のアミノ基をイ
オン結合によつて反応させ、これにビスアジド化
合物〔〕を配合したもので、光または放射線照
射時にビスアジドから生じたビスナイトレンが不
飽和結合等と反応することによりポリマを架橋さ
せ、溶媒に不溶化せしめんとするものである。し
たがつて〔Ａ〕はネガ型の画像を与える。 本発明に用いる基板はシリコンウエハ、ガラ
ス、セラミツクなどであり、目的に応じてSiO2、
Ta2O5、In2O3などの金属酸化膜を設けることが
できる。 下部導体層および上部導体層は真空蒸着、スパ
ツタリング等の手段で堆積される。導体金属とし
ては主としてAlが用いられるが、Cu、Au、Pt、
Cr、Ti、Mo、Ｗ、Ta、Mnなどの金属あるいは
これらの２種以上の合金膜または多重膜であつて
もよい。 本発明に用いるポリアミド酸は繰り返し単位
〔〕のみからなるものであつても良いし、他の
繰り返し単位との共重合体であつてもよい。〔〕
式中、R1、R2はポリイミドとしたときの耐熱性
の面から含芳香族有機基、含複素環有機基が望ま
しいがこれに限定はされない。R1としては
配線構造体、とくに配線構造が２層以上に及ぶ多
層配線構造体に関するものである。 〔発明の背景〕 半導体集積回路または混成集積回路におけるポ
リイミド樹脂を用いた多層配線構造体は従来、第
１図に示す方法で製造されている。すなわち、必
要な素子が形成された基板１上に所定のパターン
の下部導体層２を周知のフオトエツチング技術に
より形成する。しかる後、ポリアミド酸（ポリイ
ミド前駆体）ワニスを塗布、硬化してポリイミド
樹脂層３とする（第１図ａ）。次いでポリイミド
樹脂層３上にフオトレジスト４を塗布、乾燥する
（第１図ｂ）。フオトレジスト４は所定のフオトマ
スクを用いて露光、現像、乾燥し、所定のパター
ンを得る（第１図ｃ）。ポリイミド樹脂層３はエ
ツチングにより所定の部分を選択的に除去して、
貫通孔５とし、この部分の下部導体層２を露出さ
せる（第１図ｄ）。さらに不要となつたフオトレ
ジスト４を除去することでポリイミド樹脂層３の
パターンが形成される（第１図ｅ）。上部導体層
６は真空蒸着法などの手段で基板全面に堆積さ
れ、フオトエツチング技術によつて下部導体層２
とポリイミド樹脂層３の貫通孔５の部分で電気的
に接続された所定のパターンに形成される（第１
図ｆ）。かかる従来技術においては、ポリイミド
樹脂層はフオトレジストを用いて間接的にパター
ン化を行わねばならず、上記の如く工数が多いた
めコストが高くなるという問題がある。また、上
記問題点を解決すべく種々検討が行われ、例えば
特開昭54−149754に示される耐熱性感光材料が提
案された。しかしながら、この材料は感度が数千
ｍｊ／cm3と低いうえに、現像すると膜が割れやす
く、多層配線構造体を製造するには実用的でなか
つた。一方、感度を改良したポリアミド酸組成物
が感光性耐熱重合体組成物として出願されている
（特願昭54−99421）。しかし、この組成物は現像
時に露光部のパターンが溶出され易く、特に微細
パターンが形成されないという別の問題が生じ、
実用に供するには不十分であつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記した従来技術の種々の問
題点を解決するとともに耐湿信頼性の高い多層配
線構造体を提供するにある。 〔発明の概要〕 上記目的は層間絶縁層を高感度で現像時に変質
しない光もしくは放射線感応性ポリアミド酸組成
物とすることで達成される。 そして、上記の多層配線構造体は、基板上の少
なくとも一部に所定のパターンを有する下部導体
層を形成する第１工程と、該下部導体層上に光ま
たは放射線で反応するポリアミド酸組成物〔Ａ〕
の溶液を塗布し、室温以上120℃以下の温度で乾
燥する第２工程と、該ポリアミド酸組成物を所定
のマスクを用いて露光、次いで現像し、少なくと
も所定の場所に貫通孔を有するポリアミド酸組成
物層を形成する第３工程と、該ポリアミド酸組成
物層を150℃以上500℃以下の温度で加熱硬化して
ポリイミド樹脂層に転化する第４工程と、該ポリ
イミド樹脂層の貫通孔の部分で該下部導体層と電
気的に接続され、かつ該ポリイミド樹脂層上の少
なくともその一部が延在する所定のパターンの上
部導体層を形成する第５工程と、必要に応じて上
記第２工程から第５工程に至る工程を繰り返して
複数層の配線導体層を形成することで多層配線構
造体が製造される。 〔A〕(1) 一般式 （但し、式中R1は３価または４価の有機基、
R2は２価の有機基、Ｍは水素またはアンモ
ニウムイオン、ｎは１または２を表わす。）
で示される繰り返し単位を有するポリマと、 (2) 一般式 N3−R3−N3 〔〕 （但し、式中R3は２価または３価の有機基
を表わす。）で示されるビスアジド化合物と、 (3) 分子内に３級炭素に結合した水素を有する
基または２級炭素に結合した水素を有する基
または不飽和結合を有するアミン化合物
〔〕と、 (4) 必要に応じて加える増感剤とから成るポリ
アミド酸組成物。 なお、上記のビスアジド化合物〔〕は前記
〔〕で示される繰り返し単位を有するポリマ100
重量部に対して0.1重量部以上100重量部以下、前
記アミン化合物〔〕は前記〔〕で示される繰
り返し単位を有するポリマ100重量部に対して１
重量部以上400重量部以下の割合で配合されたも
のが好ましい。 本発明の多層配線構造体の製造方法を第２図を
用いて述べる。 必要な素子が作り込まれた基板７上に、導体金
属を真空蒸着法などにより堆積し、周知のフオト
エツチング技術により所定のパターンの下部導体
層８を形成する。次に前記ポリアミド酸組成物
〔Ａ〕の溶液を塗布し、室温以上100℃以下で溶媒
を蒸発させて、ポリアミド酸組成物層９を形成す
る（第２図ａ）。次に、所定のフオトマスクを用
いて露光、次いで現像し、貫通孔１０を形成す
る。しかる後、ポリアミド酸組成物層９を150℃
以上500℃以下の範囲の温度でポリイミド樹脂層
１１に転化する（第２図ｂ）。上部導体層１２は
真空蒸着法などの手段で基板全面に堆積され、フ
オトエツチング技術によつて下部導体層８とポリ
イミド樹脂層１１の貫通孔１０の部分で電気的に
接続された所定のパターンに形成される（第２図
ｃ）。 前記組成物〔Ａ〕はポリアミド酸〔〕のカル
ボキシル基とアミン化合物〔〕のアミノ基をイ
オン結合によつて反応させ、これにビスアジド化
合物〔〕を配合したもので、光または放射線照
射時にビスアジドから生じたビスナイトレンが不
飽和結合等と反応することによりポリマを架橋さ
せ、溶媒に不溶化せしめんとするものである。し
たがつて〔Ａ〕はネガ型の画像を与える。 本発明に用いる基板はシリコンウエハ、ガラ
ス、セラミツクなどであり、目的に応じてSiO2、
Ta2O5、In2O3などの金属酸化膜を設けることが
できる。 下部導体層および上部導体層は真空蒸着、スパ
ツタリング等の手段で堆積される。導体金属とし
ては主としてAlが用いられるが、Cu、Au、Pt、
Cr、Ti、Mo、Ｗ、Ta、Mnなどの金属あるいは
これらの２種以上の合金膜または多重膜であつて
もよい。 本発明に用いるポリアミド酸は繰り返し単位
〔〕のみからなるものであつても良いし、他の
繰り返し単位との共重合体であつてもよい。〔〕
式中、R1、R2はポリイミドとしたときの耐熱性
の面から含芳香族有機基、含複素環有機基が望ま
しいがこれに限定はされない。R1としては
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
（式中、結合手はポリマ主鎖のカルボニル基との
結合を表わし、カルボキシル基は結合手に対して
オルト位に位置する。）が好ましいが、これらに
限定されない。R2の例としては、
結合を表わし、カルボキシル基は結合手に対して
オルト位に位置する。）が好ましいが、これらに
限定されない。R2の例としては、
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
【式】
以下本発明を実施例により説明する。あらかじ
め下記の如くして第１表No.１、No.２に示すポリア
ミド酸組成物の溶液を得た。 窒素気流下に４，4′−ジアミノジフエニルエー
テル100ｇ（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリ
ドン1791ｇに溶解した。次にこの溶液を氷冷によ
つて約15℃の温度に保ちながら撹拌下にピロメリ
ツト酸二無水物109ｇ（0.5モル）を加えた。加え
終えてからさらに約15℃で３時間反応させて、粘
度60ポイズ（30℃）のポリアミド酸の溶液〔Ｂ〕
を得た。 溶液〔Ｂ〕20ｇに２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノ）エチルメタクリレート1.57ｇ、２，６−ジ
（4′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサ
ノン0.37ｇと溶解し、次いで5μｍ孔のフイルタを
用いて加圧過しポリアミド酸組成物第１表のNo.
１の溶液を得た。 同様にして、窒素気流下、ジアミノジフエニル
エーテル90ｇ（0.45モル）、４，4′−ジアミノジ
フエニルエーテル−３−アルボンアミド11.4ｇ
（0.05モル）をＮ−メチル−２−ピロリドンとＮ，
Ｎ−ジメチルアセトアミドの同容量比の混合溶媒
1764ｇに溶解し、この溶液を氷冷によつて約15℃
の温度に保ちながら、撹拌下にピロメリツト酸二
無水物54.5ｇ（0.25モル）、３，3′，４，4′−ベン
ゾフエノンテトラカルボン酸二無水物80.5ｇ
（0.25モル）を加えた。加え終えてから、さらに
約15℃で３時間反応させて粘度55ポイズ（30℃）
ホリアミド酸
め下記の如くして第１表No.１、No.２に示すポリア
ミド酸組成物の溶液を得た。 窒素気流下に４，4′−ジアミノジフエニルエー
テル100ｇ（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリ
ドン1791ｇに溶解した。次にこの溶液を氷冷によ
つて約15℃の温度に保ちながら撹拌下にピロメリ
ツト酸二無水物109ｇ（0.5モル）を加えた。加え
終えてからさらに約15℃で３時間反応させて、粘
度60ポイズ（30℃）のポリアミド酸の溶液〔Ｂ〕
を得た。 溶液〔Ｂ〕20ｇに２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノ）エチルメタクリレート1.57ｇ、２，６−ジ
（4′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサ
ノン0.37ｇと溶解し、次いで5μｍ孔のフイルタを
用いて加圧過しポリアミド酸組成物第１表のNo.
１の溶液を得た。 同様にして、窒素気流下、ジアミノジフエニル
エーテル90ｇ（0.45モル）、４，4′−ジアミノジ
フエニルエーテル−３−アルボンアミド11.4ｇ
（0.05モル）をＮ−メチル−２−ピロリドンとＮ，
Ｎ−ジメチルアセトアミドの同容量比の混合溶媒
1764ｇに溶解し、この溶液を氷冷によつて約15℃
の温度に保ちながら、撹拌下にピロメリツト酸二
無水物54.5ｇ（0.25モル）、３，3′，４，4′−ベン
ゾフエノンテトラカルボン酸二無水物80.5ｇ
（0.25モル）を加えた。加え終えてから、さらに
約15℃で３時間反応させて粘度55ポイズ（30℃）
ホリアミド酸
【式】
（但し、R4は
【式】と
【式】が１：１、R5は
【式】と
【式】が９：１）の溶
液〔Ｃ〕を得た。
溶液〔Ｃ〕20ｇに２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノ）エチルメタクリレート1.57ｇ、２，６−ジ
（4′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサ
ノン0.74ｇを溶解し、次いで5μｍ孔のフイルタを
用いて加圧過しポリアミド酸組成物第１表No.２
の溶液を得た。 以下同様にして第１表No.３〜No.９に示すポリア
ミド酸組成物の溶液を得た。 実施例 １ 第３図に本発明により製造した感熱記録ヘツド
の断面図を示す。グレーズドアルミナ基板１３上
にエツチングバリアとして約1000ÅのTa2O5層１
４を設け、スパツタリングにより順次約1000Åの
Cr−Si層１５、約1000ÅのCr層１６、約2μｍの
Al層１７を堆積し、OMR−83（東京応化製ネガ
型レジスト）を用いてレジストパターンを得た。
次いでリン酸、硫酸、酢酸、水からなるエツチン
グ液でAl層１７を、硝酸第２セリウムアンモニ
ウム水溶液でCr層１６を、沸酸、硝酸の混酸で
Cr−Si層１５を順次選択エツチングした。しか
る後Ｓ−502（東京応化製）でレジストを除去し、
配線幅90μｍ、配線間隔35μｍの第１層配線導体
層を形成する。次に別のマスクを用い上記と同様
にAl、Crをエツチングして一辺が90μｍもう一辺
が250μｍの矩形のCr−Siのの抵抗体パターンを
得た。抵抗体上にマスクスパツタで順次2μｍの
SiO2、3μｍのTa2O5を設けて抵抗体保護層１８
とする。 ポリイミド層と下地との接着強度を増すため１
％のアルミニウムモノエチルアセトアセテートジ
イソプロピレートの溶液を塗布し、酸素雰囲気中
350℃で熱処理してAlの酸化皮膜を得た。 ポリイミド層１９は以下の如くにして形成し
た。第１表No.１の組成物溶液を回転塗布し、80℃
で30分間乾燥した4μｍ厚の塗膜として、所定の
乳剤マスクを用いて紫外線露光した。次いでＮ−
メチル−２−ピロリドン４容、エタノール１容か
らなる混液で現像し、エタノールでリンスして直
径50μｍの円形の貫通孔２０を得た。なお感度は
118ｍｊ／cm2でありパターンエツジは鮮明で
ノ）エチルメタクリレート1.57ｇ、２，６−ジ
（4′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサ
ノン0.74ｇを溶解し、次いで5μｍ孔のフイルタを
用いて加圧過しポリアミド酸組成物第１表No.２
の溶液を得た。 以下同様にして第１表No.３〜No.９に示すポリア
ミド酸組成物の溶液を得た。 実施例 １ 第３図に本発明により製造した感熱記録ヘツド
の断面図を示す。グレーズドアルミナ基板１３上
にエツチングバリアとして約1000ÅのTa2O5層１
４を設け、スパツタリングにより順次約1000Åの
Cr−Si層１５、約1000ÅのCr層１６、約2μｍの
Al層１７を堆積し、OMR−83（東京応化製ネガ
型レジスト）を用いてレジストパターンを得た。
次いでリン酸、硫酸、酢酸、水からなるエツチン
グ液でAl層１７を、硝酸第２セリウムアンモニ
ウム水溶液でCr層１６を、沸酸、硝酸の混酸で
Cr−Si層１５を順次選択エツチングした。しか
る後Ｓ−502（東京応化製）でレジストを除去し、
配線幅90μｍ、配線間隔35μｍの第１層配線導体
層を形成する。次に別のマスクを用い上記と同様
にAl、Crをエツチングして一辺が90μｍもう一辺
が250μｍの矩形のCr−Siのの抵抗体パターンを
得た。抵抗体上にマスクスパツタで順次2μｍの
SiO2、3μｍのTa2O5を設けて抵抗体保護層１８
とする。 ポリイミド層と下地との接着強度を増すため１
％のアルミニウムモノエチルアセトアセテートジ
イソプロピレートの溶液を塗布し、酸素雰囲気中
350℃で熱処理してAlの酸化皮膜を得た。 ポリイミド層１９は以下の如くにして形成し
た。第１表No.１の組成物溶液を回転塗布し、80℃
で30分間乾燥した4μｍ厚の塗膜として、所定の
乳剤マスクを用いて紫外線露光した。次いでＮ−
メチル−２−ピロリドン４容、エタノール１容か
らなる混液で現像し、エタノールでリンスして直
径50μｍの円形の貫通孔２０を得た。なお感度は
118ｍｊ／cm2でありパターンエツジは鮮明で
【表】
【表】
あつた。次に窒素雰囲気中、350℃で30分間加熱
処理して約2μｍのポリイミド層１９を形成した。
パターンエツジは熱処理前と同等であつた。次に
再度、塗布、乾燥、露光、現像、加熱処理を繰り
返し合計約4μｍ層のポリイミド層１９を得た。 第２層配線導体は次の如くして形成した。ポリ
イミド層を形成した上記基板を酸素プラズマで処
理し、約500ÅのCr21、約1.2μｍのCu22を順次ス
パツタリングで堆積し、フオトレジストの画像を
形成する。しかる後電気メツキによりCu22を約
6μｍ、Pbを2μｍ、Snを3μｍ形成する。次にレジ
ストを除去、Cu、Crを順次エツチングで選択除
去した。メツキされたPbとSnは380℃の熱処理に
より溶融してはんだ２３となり第２層配線は完成
する。 得られた多層配線構造体を120℃、２気圧、85
％RHの雰囲気中に放置し耐湿試験を行なつたと
ころ、Al配線は25時間経過後に50％腐食した。 実施例 ２〜９ 第１表のNo.２〜No.９のポリアミド酸組成物を用
いて実施例１と同様に感熱記録ヘツドの多層配線
構造体を製造した。いずれの実施例においてもポ
リアミド酸の感度およびパターン精度は優れてお
り、容易に感熱記録ヘツドの２層配線構造体を製
造できた。 得られた多層配線構造体の耐湿試験を実施例１
と同様にして行なつた所、実施例１と同様の結果
を得た。 実施例 10 第４図は本発明により製造した半導体集積回路
の断面図を示す。シリコンウエハ２４に作り込ま
れたエミツタ２５、コレクタ２６、ベース２７の
各領域から取り出すため、SiO2２８に開孔部を
設ける。第１層配線導体は約2μｍのAl２９を真
空蒸着により堆積し、フオトエツチング技術によ
り所定のパターンを得る。ポリイミド層と下地と
の接着強度を上げるためアルミニウムモノエチル
アセトアセテートジイソプロピレートの薄膜を形
成し、酸素中350℃で熱処理する。ポリイミド層
３０は第１表No.１のポリアミド酸組成物を用い実
施例１と同様にしてパターン化し、貫通孔３１を
得、窒素雰囲気中400℃の熱処理をして形成した。
ポリアミド酸の感度は100ｍｊ／cm2であり、パタ
ーン精度は良好であつた。なおポリイミド層３０
の膜厚は約4μｍであり、貫通孔２９は１辺が10μ
ｍの正方形である。ポリイミド層と第２層配線構
造体との接着強度を上げるため、ポリイミド層を
酸素プラズマで処理する。次に約3μｍのAl３２
を真空蒸着法で堆積し、フオトエツチング技術に
よりパターン化して第２層配線導体とする。 得られた多層配線構造体の耐湿試験を実施例１
と同様にして行なつた所、実施例１と同様の結果
を得た。 実施例 11〜14 実施例10と同様にして第１表のNo.２、No.６、No.
８、No.９のポリアミド酸組成物を用いて半導体集
積回路を製造した。いずれの場合もポリアミド酸
組成物の感度およびパターン精度は優れており、
容易に２層配線構造体を製造できた。 得られた多層配線構造体の耐湿試験を実施例１
と同様にして行なつた所、実施例１と同様の結果
を得た。 比較例 １ 前述した特開昭54−145794による実験結果を比
較例として示す。 実施例で調製した溶液〔Ｂ〕20ｇに２−（Ｎ，
Ｎ−ジメチルアミノ）エチルメタクリレート1.57
ｇを溶解し、5μｍ孔のフイルタを用いて加圧
過した。この組成物（膜厚4μｍ）用いて実施例
１と同様にして感熱記録ヘツドの２層配線構造体
の製造を試みたが、感度が3200ｍｊ／cm2と第１表
No.１〜No.９のいずれのポリアミド酸組成物より低
く、かつ現像して得られたパターンは貫通孔の開
孔部の端からクラツクが入り、多層配線構造体は
製造できなかつた。 比較例 ２ 熱硬化型ポリアミド酸を用いて感熱記録ヘツド
の２層配線構造体を製造した。この多層配線構造
体を実施例１と同様の耐湿試験を行なつた。この
結果アルミ配線は、15時間で50％腐食した。 以上詳述した如く本発明の多層配線構造体は、
耐湿性が従来品より優れていた。
処理して約2μｍのポリイミド層１９を形成した。
パターンエツジは熱処理前と同等であつた。次に
再度、塗布、乾燥、露光、現像、加熱処理を繰り
返し合計約4μｍ層のポリイミド層１９を得た。 第２層配線導体は次の如くして形成した。ポリ
イミド層を形成した上記基板を酸素プラズマで処
理し、約500ÅのCr21、約1.2μｍのCu22を順次ス
パツタリングで堆積し、フオトレジストの画像を
形成する。しかる後電気メツキによりCu22を約
6μｍ、Pbを2μｍ、Snを3μｍ形成する。次にレジ
ストを除去、Cu、Crを順次エツチングで選択除
去した。メツキされたPbとSnは380℃の熱処理に
より溶融してはんだ２３となり第２層配線は完成
する。 得られた多層配線構造体を120℃、２気圧、85
％RHの雰囲気中に放置し耐湿試験を行なつたと
ころ、Al配線は25時間経過後に50％腐食した。 実施例 ２〜９ 第１表のNo.２〜No.９のポリアミド酸組成物を用
いて実施例１と同様に感熱記録ヘツドの多層配線
構造体を製造した。いずれの実施例においてもポ
リアミド酸の感度およびパターン精度は優れてお
り、容易に感熱記録ヘツドの２層配線構造体を製
造できた。 得られた多層配線構造体の耐湿試験を実施例１
と同様にして行なつた所、実施例１と同様の結果
を得た。 実施例 10 第４図は本発明により製造した半導体集積回路
の断面図を示す。シリコンウエハ２４に作り込ま
れたエミツタ２５、コレクタ２６、ベース２７の
各領域から取り出すため、SiO2２８に開孔部を
設ける。第１層配線導体は約2μｍのAl２９を真
空蒸着により堆積し、フオトエツチング技術によ
り所定のパターンを得る。ポリイミド層と下地と
の接着強度を上げるためアルミニウムモノエチル
アセトアセテートジイソプロピレートの薄膜を形
成し、酸素中350℃で熱処理する。ポリイミド層
３０は第１表No.１のポリアミド酸組成物を用い実
施例１と同様にしてパターン化し、貫通孔３１を
得、窒素雰囲気中400℃の熱処理をして形成した。
ポリアミド酸の感度は100ｍｊ／cm2であり、パタ
ーン精度は良好であつた。なおポリイミド層３０
の膜厚は約4μｍであり、貫通孔２９は１辺が10μ
ｍの正方形である。ポリイミド層と第２層配線構
造体との接着強度を上げるため、ポリイミド層を
酸素プラズマで処理する。次に約3μｍのAl３２
を真空蒸着法で堆積し、フオトエツチング技術に
よりパターン化して第２層配線導体とする。 得られた多層配線構造体の耐湿試験を実施例１
と同様にして行なつた所、実施例１と同様の結果
を得た。 実施例 11〜14 実施例10と同様にして第１表のNo.２、No.６、No.
８、No.９のポリアミド酸組成物を用いて半導体集
積回路を製造した。いずれの場合もポリアミド酸
組成物の感度およびパターン精度は優れており、
容易に２層配線構造体を製造できた。 得られた多層配線構造体の耐湿試験を実施例１
と同様にして行なつた所、実施例１と同様の結果
を得た。 比較例 １ 前述した特開昭54−145794による実験結果を比
較例として示す。 実施例で調製した溶液〔Ｂ〕20ｇに２−（Ｎ，
Ｎ−ジメチルアミノ）エチルメタクリレート1.57
ｇを溶解し、5μｍ孔のフイルタを用いて加圧
過した。この組成物（膜厚4μｍ）用いて実施例
１と同様にして感熱記録ヘツドの２層配線構造体
の製造を試みたが、感度が3200ｍｊ／cm2と第１表
No.１〜No.９のいずれのポリアミド酸組成物より低
く、かつ現像して得られたパターンは貫通孔の開
孔部の端からクラツクが入り、多層配線構造体は
製造できなかつた。 比較例 ２ 熱硬化型ポリアミド酸を用いて感熱記録ヘツド
の２層配線構造体を製造した。この多層配線構造
体を実施例１と同様の耐湿試験を行なつた。この
結果アルミ配線は、15時間で50％腐食した。 以上詳述した如く本発明の多層配線構造体は、
耐湿性が従来品より優れていた。
第１図は従来技術による多層配線構造体の製造
方法を示す図、第２図は本発明による多層配線構
造体の製造方法を示す図、第３図は本発明による
多層配線構造体の実施例１〜９を示す断面図、第
４図は本発明による多層配線構造体の実施例10〜
14を示す断面図である。 ７：基板、８：下部導体層、９：ポリアミド酸
組成物層、１０：貫通孔、１１：ポリイミド樹脂
層、１２：上部導体層。
方法を示す図、第２図は本発明による多層配線構
造体の製造方法を示す図、第３図は本発明による
多層配線構造体の実施例１〜９を示す断面図、第
４図は本発明による多層配線構造体の実施例10〜
14を示す断面図である。 ７：基板、８：下部導体層、９：ポリアミド酸
組成物層、１０：貫通孔、１１：ポリイミド樹脂
層、１２：上部導体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 層間絶縁層が、下記〔Ａ〕で示される光もし
くは放射線感応性ポリアミド酸組成物の硬化物か
ら成つていることを特徴とする多層配線構造体。 〔A〕(1) 一般式 （但し、式中R1は３価または４価の有機基、
R2は２価の有機基、Ｍは水素またはアンモ
ニウムイオン、ｎは１または２を表わす。）
で示される繰り返し単位を有するポリマと、 (2) 一般式 N3−R3−N3 〔〕 （但し、式中R3は２価または３価の有機基
を表わす。）で示されるビスアジド化合物と、 (3) 分子内に３級炭素に結合した水素を有する
基または２級炭素に結合した水素を有する基
または不飽和結合を有するアミン化合物
〔）と、 (4) 必要に応じて加える増感剤とから成るポリ
アミド酸組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2851884A JPS60121740A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 多層配線構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2851884A JPS60121740A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 多層配線構造体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56092335A Division JPS57208158A (en) | 1981-06-17 | 1981-06-17 | Manufacture of multilayer wiring structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121740A JPS60121740A (ja) | 1985-06-29 |
| JPS6331939B2 true JPS6331939B2 (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=12250901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2851884A Granted JPS60121740A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | 多層配線構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60121740A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2550700B (en) * | 2014-11-26 | 2022-06-08 | Esea As | A method and device for discharging particulate material |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393697A (en) * | 1994-05-06 | 1995-02-28 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump structure and methods of fabrication |
| JP4273356B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| TWI767436B (zh) * | 2016-02-26 | 2022-06-11 | 日商富士軟片股份有限公司 | 積層體的製造方法、半導體元件的製造方法及再配線層的製造方法 |
| TWI810158B (zh) * | 2016-08-01 | 2023-08-01 | 日商富士軟片股份有限公司 | 感光性樹脂組成物、硬化膜、積層體、硬化膜的製造方法、 積層體的製造方法及半導體元件 |
| KR102212731B1 (ko) * | 2016-08-25 | 2021-02-08 | 후지필름 가부시키가이샤 | 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559538A (en) * | 1978-07-07 | 1980-01-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Heat resistant photoresist composition |
-
1984
- 1984-02-20 JP JP2851884A patent/JPS60121740A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2550700B (en) * | 2014-11-26 | 2022-06-08 | Esea As | A method and device for discharging particulate material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60121740A (ja) | 1985-06-29 |
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