JPS633200Y2 - - Google Patents

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JPS633200Y2
JPS633200Y2 JP1981053948U JP5394881U JPS633200Y2 JP S633200 Y2 JPS633200 Y2 JP S633200Y2 JP 1981053948 U JP1981053948 U JP 1981053948U JP 5394881 U JP5394881 U JP 5394881U JP S633200 Y2 JPS633200 Y2 JP S633200Y2
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JP
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tube
cooled
container
insulating
cooling liquid
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JP1981053948U
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JPS57166398U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、荷電粒子加速装置のイオン源、電磁
石など高電圧部位に設置される機器を冷却するた
めの冷却装置に関する。
荷電粒子加速装置のイオン源、電磁石などの機
器は、例えば100KV〜1000KV(DC)もの高電圧
部位に設置されるが、この種加速装置を効率よく
運転するには、これらイオン源等を冷却する必要
がある。このため従来は低電圧部位からの冷却液
を配管などを介してイオン源等冷却されるべき機
器(以下、被冷却体という)に循還供給するよう
にしている。この場合、高電圧部位近傍の流路と
しては、絶縁性のチユーブが用いられるが、冷却
液を含め直流高電圧に耐えうるものでなければな
らない。また、リーク電流も極小(例えば、数
μA〜数百μA以下)でなければならない。一例を
あげると、冷却液として純水を用いる場合、
300KV(DC)の高電圧で使用できるようにする
ためには、チユーブ口径が20φmmのものを用いる
とその長さは15m必要となる。
さて、従来のこの種装置は、第1図に示すよう
に、被冷却体1を収納した高電圧ケージ2を搭載
した絶縁支持物、例えば支持碍子3に、絶縁性の
チユーブ4を所定の長さだけ巻回し、このチユー
ブ4を介して冷却液体源5からの冷却液6を被冷
却体1に供給するようにしている。なお、図にお
いて、7は直流高電圧電源、8は高電圧ケーブ
ル、9はベース、10はポンプ、11は熱交換
器、12は液体配管である。
而して、荷電粒子加速装置は、一般に空調され
た建屋内に設置されるが、近年、この種装置は大
型化される傾向にあり、従つて建屋の内容積も大
となり、必然的に空調スペースも増大する。この
結果、費用的な面などより必らずしも完全な空調
が行なえず、従つて建屋内の湿度を十分下げ得な
いことが生ずる。
このため、加速装置周辺の空気中の水分が冷え
た冷却液6の通るチユーブ4の外側面で凝集して
水滴となり、高電圧の印加されたチユーブ4の外
側面において沿面放電が生じたり、大気に触れて
いるから当然ほこりが付着する。そして、水滴が
流れると、チユーブ外側面ではチユーブの長手方
向に沿つて同電位の部分が生ずるが、内側面は、
ほぼ均等に分圧されるのでチユーブ内、外面は異
る電位となり、チユーブ4の肉厚方向に異常電圧
が加わり、貫通放電を起すなどしてチユーブ4に
穴があいたり、これらに起因して被冷却体を損傷
することがあつた。
本考案者は、高電圧が印加されているチユーブ
が空気中に露出しており、しかも、前述の異常電
圧がチユーブの肉厚方向にじかに印加されている
ところに上述の放電の原因があることに着目し、
絶縁ガスを充填した容器内にチユーブの大半を収
納するとともに、該チユーブの両端部にそれぞれ
継手金具を設け、かつ同じ電圧部位側にある前記
継手金具と前記容器のフタとをそれぞれ電気的に
同電位となるように接続して、上述の問題点を解
決するようにしたものである。
以下、本考案を図面に示す一実施例に基づいて
説明する。第2図において、13はチユーブ4を
収納する容器で、例えば高圧ケージ2の下部に設
けられる。第3図は、前記容器13及びその周辺
の構成を示すもので、胴体14は樹脂などの絶縁
材で形成されてあり、その上下に金属製の板より
なるフタ15,16を備えている。そして容器1
3の内部には例えば巻枠17を設け、これに絶縁
油、フレオン液又は純水などの冷却液6を通す絶
縁性のチユーブ4が巻回されて収納されるととも
に、チユーブ4の両端部4a,4bがそれぞれフ
タ15、フタ16を貫挿して容器13外に引き出
される。なお、18は押え金具である。そして、
容器13の内部は、バルブ19を介して一旦真空
引きし、改めてSF6ガス、N2ガス、CO2ガス等の
絶縁ガス20を所定の圧力で封入する。21は継
手金具、22は冷却液体源側の液体配管、23は
被冷却体側の液体配管である。24は同じ電圧部
位にある前記継手金具21,21とフタ15,1
6とをそれぞれ電気的に同電位となるように接続
する接続線である。
以上の構成によれば、冷却液6の通る絶縁性の
チユーブ4の大半を、絶縁ガス20が充填された
容器13内に収納しているので、被冷却体1が設
置されている室内が多湿状態となつても、前記チ
ユーブ4の外側面に水滴が付着することがなくな
る外、ほこりが付着しなくなる。したがつて、チ
ユーブ4外側面の汚損湿潤にともなう沿面放電や
これに基因するチユーブ4内外面の分圧電圧の相
違が生じなくなり、チユーブ4の厚み方向に異常
電圧が加わることがなくなる。更に、チユーブ4
の両端部4a,4bは、それぞれ容器13の金属
製のフタ15,16を貫挿しているが、同じ電位
側にある継手金具21,21とフタ15,16と
がそれぞれ電気的に同電位となるように接続線2
4で接続されているので、チユーブ4のフタ1
5,16貫挿部分および容器13外に露出してい
る部分のチユーブ4の内外面の電位差は極めて小
さく、チユーブ4の厚み方向に印加される電圧は
実質的に0となる。
第4図はこの考案の他の実施例で、下側のフタ
16におけるチユーブ4の引出し部分の詳細を示
す。低電圧部位側の継手金具21の一端にはチユ
ーブ4の端部4aが挿入され、コネクタ25で締
め付けを行なうとともに、他端には液体配管22
が挿入され、コネクタ25によつて同様に締めつ
けられている。液体配管22の他端は接続金具2
6、ターミナル27を介して冷却液体源に接続さ
れている。前記継手金具21は接続線24と、電
流計28と抵抗29とを並列接続したものを介し
て接地電位の下側のフタ16に電気的に接続し、
リーク電流の測定を行なえるようにしている。な
お、前記抵抗29は、電流計28の断線時を考慮
して、その10〜20倍程度の抵抗値に設定すること
が好ましい。また、30は0リングである。
以上の構成によつても、チユーブ4内のX点
と、下側のフタ16のX点との電位差は極めて小
さくすることができるが、第5図に示すように、
チユーブ4内にインサート金具31を挿入し、こ
れを継手金具21と電気的に接続し、該部におけ
るチユーブ4内外面の電位差をなくしてチユーブ
4の厚み方向に電圧が印加されないように構成し
てもよいのは勿論である。
なお、図示は省略するが、上側のフタ15にお
いても同様の構成にすることは勿論である。
以上詳述したように、本考案によれば、極めて
簡単な構成により、冷却液の通るチユーブに基因
する沿面放電や貫通放電が防止できる。この結
果、冷却装置の損傷がなくなり、被冷却体の損傷
を防止できる。
さらに、この考案によれば、従来と同様被冷却
体は、空気に触れた状態で設置すればよく、特別
な配慮を必要としないとともに、従来のこの種装
置に比して、保守点検作業などが簡略化されると
いう実用的効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来装置を示す側面図、第2図は本考
案の概略を示す側面図、第3図は本考案の要部を
示す一部断面側面図、第4図は下側のフタ付近の
一実施例を示す拡大断面図、第5図は下側のフタ
付近の他の実施例を示す拡大断面図である。 1……被冷却体、4……チユーブ、5……冷却
液体源、13……容器、15,16……フタ、2
1……継手金具、22,23……液体配管。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 高電圧部位に設置された被冷却体に低電圧部位
    に設けられた冷却液体源からの冷却用液体を絶縁
    性のチユーブを介して供給するものにおいて、前
    記被冷却体を空気に触れた状態でベース上に絶縁
    支持物により支持するとともに、絶縁材で形成さ
    れた胴体の上下に金属性のフタを備え、その内部
    に絶縁ガスを充填した容器を設け、この容器内に
    前記チユーブの大半を収納し、このチユーブの両
    端部をそれぞれ前記フタを貫挿するようにして容
    器外に引き出し、その一方の端部を継手金具を介
    して冷却液体源側の液体配管に、又他方の端部を
    継手金具を介して前記被冷却体側の液体配管にそ
    れぞれ接続し、かつ同じ電圧部位側にある前記継
    手金具とフタとをそれぞれ電気的に同電位となる
    ように接続したことを特徴とする高電圧装置用冷
    却装置。
JP1981053948U 1981-04-14 1981-04-14 Expired JPS633200Y2 (ja)

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JP1981053948U JPS633200Y2 (ja) 1981-04-14 1981-04-14

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JP1981053948U JPS633200Y2 (ja) 1981-04-14 1981-04-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57166398U JPS57166398U (ja) 1982-10-20
JPS633200Y2 true JPS633200Y2 (ja) 1988-01-26

Family

ID=29850561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1981053948U Expired JPS633200Y2 (ja) 1981-04-14 1981-04-14

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JP (1) JPS633200Y2 (ja)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5434513B2 (ja) * 1972-11-27 1979-10-27
JPS5434676A (en) * 1977-08-23 1979-03-14 Fujitsu Ltd Vapor growth method and apparatus for high-purity semiconductor layer

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57166398U (ja) 1982-10-20

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