JPS6086545A - マスク保護膜 - Google Patents

マスク保護膜

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JPS6086545A
JPS6086545A JP58194579A JP19457983A JPS6086545A JP S6086545 A JPS6086545 A JP S6086545A JP 58194579 A JP58194579 A JP 58194579A JP 19457983 A JP19457983 A JP 19457983A JP S6086545 A JPS6086545 A JP S6086545A
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JP
Japan
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protective film
photomask
pattern
film
mask
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JP58194579A
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English (en)
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JPS633302B2 (ja
Inventor
Setsuo Nagashima
長島　節夫
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6086545A publication Critical patent/JPS6086545A/ja
Publication of JPS633302B2 publication Critical patent/JPS633302B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/48—Protective coatings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 妹）発明の技術分野 本発明はマスク表面を保護するためのマスク保護膜の改
良に関する。
（至）従来技術と問題点 半導体集積回路（ＩＣ）などの製造分野において、機能
領域、電極コンタクト窓、配線などのパターンの形成は
、フォト１０セヌ工程において、半導体基板上の感光性
樹脂（レジメト）膜に、フォトマスクを用いて紫外線な
どを照射し、該フォトマフ’）（Ｄパターンヲ転写して
、該パターンをマスクにしてフォトエツチングにより形
成される。
このフォトプロセス工程において使用するフォトマスク
は通常ガラス又は石英などの透明体基板上にたとえばク
ロムなどの金属薄膜でパターンを形成させたものが用い
られている。
又フォトマスクは一般に使用する迄の保管中に透明体基
板に形成されたクロームパターンの損傷や、フォトマス
ク表面に塵、埃などの付着汚染を防止するため第１図に
示すようにパターンが形成された面にビニ−１し系樹脂
膜よりなる表面を保護するためのマスク保護膜が被覆さ
れ、更にビニール袋などに収納された状態で使用直前ま
で保管されている。同図においてｌはガラス又は石英な
どよりなる透明体基板、２は該基板上に形成されたクロ
ム薄膜よりなるパターン、３はビニール系樹脂膜よりな
るマスク保護膜を示す。
所でフォトプロセス工程において、上記のように構成さ
れたフォトマスクを使用する際しこは第２図の斜視図に
示すように基板ｌ上のマスク保護膜３をはがして清浄な
マスク而を表出して使用する。
尚第２図においては前回と同一符号を付している。
しかしながら此のマスク保護膜３を剥離する際に、該マ
スク保護膜３と透明体基板ｌとの門に静電気による放電
によって、基板ｌ上のクロムパターン２の一部、特にエ
ツジ部を破壊損傷する現象があった。
特に最近の半導体素子の高集積化が進む中で、パターン
の寸法は増々微細化され、此のパターンの一部欠陥は製
造歩留の低下をもたらす要因となり、又最近のマスク自
動検査装置の検査精度向上によっても上記微細欠陥の検
査が確寮に行なわれフォトマスクの歩留低下となる問題
があった。
（Ｃ）発明の目的 本発明の目的はかかる問題点に濫みなされたもので、マ
スク保護膜の静電気の帯’ｉ’１ｌｔ−防止し、該保護
膜の剥離時に生ずるパターンの静電気破壊を防止するこ
とが可能なマスク保護膜の提供にある。
（７）発明の構成 その目的を達成するため、本発明はマスク保護膜中に導
電性微粉末を含有してなることを特徴とする。
（６１）　発明の実施例 以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第８図に本発明の一実施例を説明するための要部断面図
を示す。
同図において、たとえば厚さ約２．３１１１のガラス基
板ｌｌ上に真空蒸着或はスパッタ蒸着などによって厚さ
約１００ＯＡの金属クロム薄膜を蒸着し、該クロム薄膜
をＶシスト膜をマスクにして四塩化炭素（ＣＣ！１４　
）などのガスを用いてプラズマエツチング処理によって
所望のクロムパターン１２を形成しフォトマスクが完成
する。
次に酢酸ビニール樹脂溶液に約ｌＯ％の導電性微粉末、
たとえば酸化鉄、或はカーボンの粒度約０．１μｍ程度
の導電性微粉末を前記酢酸ビニール樹脂溶液中に混合分
散させる。
上記導電性微粉末が混合分散された酢酸ビニ−Ｉし樹脂
溶液を前記フォトマスク上に滴下し、ローラーなどによ
る自動機械によって該酢酸ビニール樹脂溶液を前記フォ
トマスク上に伸ばし、厚さ約１００μｎ＋程度の導電性
のマスク保護膜１８が被覆され、排気中のドラフト内に
おいて常温乾燥する。
上述したマスク保護膜１８を有するフォトマスクは、使
用時の該保護膜１８をはがす際に、含有された導電性微
粉末によって該保護１１ｋ１１３の電気抵抗が下がって
導電性のため、ガラス基板１１と保護膜１３との間の静
電気の放電によるパターン１２の破壊損傷を防止するこ
とがβＪ能となる。
従って欠陥のない正常なパターン形状を有するフォトマ
スクの維持及び使用が可（ｍとなる。
（０発明の詳細 な説明したごとく本発明によれば、導電性微粉末を含有
してなるマスク保護膜によって、静電気の帯電を防止す
ることにより、該保護膜の剥離時におけるパターンの静
電破壊を防止することが可能となり、製品の歩留向上１
品質向上に効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を説明するための要部断面図、第２図は
マスク保護膜をはがす状態を示す斜視図、第８図は本発
明の一実施例を説明するための要部断面図である。 図において１１はガラス基板、１２はクロム薄膜よりな
るパターン、１８は導電性微粉末を含有してなるマスク
保護膜を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 導電性微粉末を含有してなることを特徴とするマスク保
    護膜。
JP58194579A 1983-10-17 1983-10-17 マスク保護膜 Granted JPS6086545A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58194579A JPS6086545A (ja) 1983-10-17 1983-10-17 マスク保護膜

Applications Claiming Priority (1)

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JP58194579A JPS6086545A (ja) 1983-10-17 1983-10-17 マスク保護膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6086545A true JPS6086545A (ja) 1985-05-16
JPS633302B2 JPS633302B2 (ja) 1988-01-22

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ID=16326886

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JP58194579A Granted JPS6086545A (ja) 1983-10-17 1983-10-17 マスク保護膜

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JPS633302B2 (ja) 1988-01-22

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