JPS633458A - 等倍光センサ - Google Patents
等倍光センサInfo
- Publication number
- JPS633458A JPS633458A JP61146179A JP14617986A JPS633458A JP S633458 A JPS633458 A JP S633458A JP 61146179 A JP61146179 A JP 61146179A JP 14617986 A JP14617986 A JP 14617986A JP S633458 A JPS633458 A JP S633458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wiring
- optical sensor
- insulating layer
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Image Input (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、画像読取装置等における等倍光センサに関す
るものである。
るものである。
（従来技術）
アモルファスシリコン（以下ａ−３ｉと略記する）、Ｃ
ｄＳ等の半導体薄膜を用いて光センサを構成し、画像面
に略密着して読取を行なう等倍光センサでは、引出電極
数を減らすために多層配線を用いることが提案されてい
る。この多層配線を用いるものは、受光部と多層配線部
とを同一基板上に形成した場合、基板の大きさは、通常
、長辺方向の長さが読取幅以上（例えばＡ４サイズ用で
２１０ ｎｕ以上）、短辺方向で１５〜３０ｍ程度であ
る。しかしこのうち受光部が占める部分は短辺方向で、
わずか５０〜５００μｍ程度である。
ｄＳ等の半導体薄膜を用いて光センサを構成し、画像面
に略密着して読取を行なう等倍光センサでは、引出電極
数を減らすために多層配線を用いることが提案されてい
る。この多層配線を用いるものは、受光部と多層配線部
とを同一基板上に形成した場合、基板の大きさは、通常
、長辺方向の長さが読取幅以上（例えばＡ４サイズ用で
２１０ ｎｕ以上）、短辺方向で１５〜３０ｍ程度であ
る。しかしこのうち受光部が占める部分は短辺方向で、
わずか５０〜５００μｍ程度である。
一方、受光部を構成する半導体膜の成膜には、ＣＶＤ、
ＰＶＤ等の真空成膜装置が使用される。
ＰＶＤ等の真空成膜装置が使用される。
従って、等倍光センサの製造において、この半導体成膜
工程が最も時間がかかり、これによって全体の生産性が
制限されることになる。この欠点を解消するには、−回
の製造工程で同時に、多数の受光部を形成するようにす
ればよいが、前記のように、大部分の面積を多層配線部
で占める基板を真空装置内にセットすることから生産性
が上がらない。そこで、受光部と配線部の基板を分離し
、受光部のみを多数同時生産することが提案されている
。
工程が最も時間がかかり、これによって全体の生産性が
制限されることになる。この欠点を解消するには、−回
の製造工程で同時に、多数の受光部を形成するようにす
ればよいが、前記のように、大部分の面積を多層配線部
で占める基板を真空装置内にセットすることから生産性
が上がらない。そこで、受光部と配線部の基板を分離し
、受光部のみを多数同時生産することが提案されている
。
しかしながら、このように受光部と配線部を別々に製造
することになれば、後でそれらを電気的に接続する必要
がでてくる。センサ素子は、通常１１ＩＩｍ当り４〜１
６ドツトの密度で配置されるから、例えばＡ４サイズ（
２１０ｍｍ ）のもので、８４０〜３３６０箇所の接続
が必要となる。その場合、受光部の基板と配線部の基板
との突合せ部で段差や隙間等が生じ、それが配線切れの
大きな原因となる。
することになれば、後でそれらを電気的に接続する必要
がでてくる。センサ素子は、通常１１ＩＩｍ当り４〜１
６ドツトの密度で配置されるから、例えばＡ４サイズ（
２１０ｍｍ ）のもので、８４０〜３３６０箇所の接続
が必要となる。その場合、受光部の基板と配線部の基板
との突合せ部で段差や隙間等が生じ、それが配線切れの
大きな原因となる。
第３図は、受光部の基板と配線部の基板との接合部を模
式的に示した図であり、１は受光部を形成した基板で、
多数のセンサ素子２を一列に配設し、その各−端から個
別電極３がそれぞれ引き出されている。４は多層配線部
を形成した基板で、個別電極３にそれぞれ対応して接続
すべき配線端５が延びている。そこで、それら個別電極
３と配線端５の接続部が問題となる。
式的に示した図であり、１は受光部を形成した基板で、
多数のセンサ素子２を一列に配設し、その各−端から個
別電極３がそれぞれ引き出されている。４は多層配線部
を形成した基板で、個別電極３にそれぞれ対応して接続
すべき配線端５が延びている。そこで、それら個別電極
３と配線端５の接続部が問題となる。
（１）左右のずれ：
例えば配線端の線幅をａ、線間隔をｂとすると、開基板
間の左右のずれがｂ以上になると、隣接の個別電極に接
触することになる。
間の左右のずれがｂ以上になると、隣接の個別電極に接
触することになる。
（２）接合面での段差：
第３図（ｂ）のように、開基板間で配線端の膜厚以上の
大きな段差があると、電気的に接続されない状態が発生
する。
大きな段差があると、電気的に接続されない状態が発生
する。
このような配線切れに対する有効な手段は、これまで何
ら提案されていない。
ら提案されていない。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解決するもので、受光部と配線
部の接続を確実に達成するようにした等倍光センサを提
供するものである。
部の接続を確実に達成するようにした等倍光センサを提
供するものである。
（発明の構成）
多数の半導体受光素子が形成された第１の基板と、受光
素子の配線部が形成された第２の基板とを、素子形成面
と配線部形成面とが略同一面になるように互いに突き合
わせて固定し、これら両基板にまたがって層間絶縁層を
形成し、その層間絶縁層上を通って受光素子と配線部と
を接続する配線部を設けたものである。
素子の配線部が形成された第２の基板とを、素子形成面
と配線部形成面とが略同一面になるように互いに突き合
わせて固定し、これら両基板にまたがって層間絶縁層を
形成し、その層間絶縁層上を通って受光素子と配線部と
を接続する配線部を設けたものである。
以下、図面を参照して実施例を詳細に説明する。
（実施例）
第１図は、本発明の一実施例を示したもので、基本的な
製造プロセスに従って説明すると、まず、第１図（ａ）
に示したように、基板ｌｌ上にセンサ素子を構成する半
導休店１２を形成し、これをパターン化する。（なおパ
ターン化の必要のない場合もある。）この基板１１は、
センサ素子群が形成されるに必要最小限の面積まで小形
化することができる。−方、多層配線部を構成する基板
１３上には下部配線１４が形成される。
製造プロセスに従って説明すると、まず、第１図（ａ）
に示したように、基板ｌｌ上にセンサ素子を構成する半
導休店１２を形成し、これをパターン化する。（なおパ
ターン化の必要のない場合もある。）この基板１１は、
センサ素子群が形成されるに必要最小限の面積まで小形
化することができる。−方、多層配線部を構成する基板
１３上には下部配線１４が形成される。
次に、第１図（ｂ）に示したように、両基板１１および
１３を、素子形成面と配線形成面とが略同一面になるよ
うに互いに突き合わせ、保持基板１５上に接着、固定す
る。（なおこの工程は必ずしも必要ではない。）その後
、層間絶縁層１６を形成する。
１３を、素子形成面と配線形成面とが略同一面になるよ
うに互いに突き合わせ、保持基板１５上に接着、固定す
る。（なおこの工程は必ずしも必要ではない。）その後
、層間絶縁層１６を形成する。
眉間絶縁層１６としては、５ｉｎ２．Ｓｉ３Ｎ４等に代
表される無機絶縁膜、ポリイミド樹脂に代表される有機
絶縁膜がある。このうち５ｉ０２．Ｓｉ、Ｎ４は、プラ
ズマＣＶＤ、熱分解ＣＶＤ等の真空成膜装置で形成され
るため、本発明の目的の一つである、基板サイズを小さ
くし、生産性の向上を図ることに反するので、本発明の
効果を一層高めるためには、ポリイミド等の有機絶縁膜
を用いることが好ましい。以下、ポリイミド樹脂を例に
とって説明する。
表される無機絶縁膜、ポリイミド樹脂に代表される有機
絶縁膜がある。このうち５ｉ０２．Ｓｉ、Ｎ４は、プラ
ズマＣＶＤ、熱分解ＣＶＤ等の真空成膜装置で形成され
るため、本発明の目的の一つである、基板サイズを小さ
くし、生産性の向上を図ることに反するので、本発明の
効果を一層高めるためには、ポリイミド等の有機絶縁膜
を用いることが好ましい。以下、ポリイミド樹脂を例に
とって説明する。
ポリイミド樹脂は、スピンナー、ロールコータ等を用い
て塗布、成膜することができる。また、この材料の特徴
は、前述の無機絶縁膜に比へて基板の凹凸を平坦化する
ことができ、さらに膜厚を厚くすることが容易である。
て塗布、成膜することができる。また、この材料の特徴
は、前述の無機絶縁膜に比へて基板の凹凸を平坦化する
ことができ、さらに膜厚を厚くすることが容易である。
これは本発明にとって極めて重要な事項である。これを
第２図で説明する。
第２図で説明する。
第２図は、側基板の接合部を拡大して示したもので、通
常基板がガラスである場合、加工精度から、例えば板厚
１ｍのもので１〜５０μｍの公差を含む。従って接合部
では必ずこの段差を生ずることになる。また、−枚の基
板を切断し、−方に受光部、他方に配線部をそれぞれ形
成した後、切断面を突き合わせた場合は、前述の段差は
生じなくても、切断時に必ず端部の欠は等が生じ、やは
り接合面に不連続が生ずることになる。第２図は、接合
面での段差を示したものであるが、本発明では、この段
差を層間絶縁層１６で埋め、さらにその表面を滑らかな
面にすることができる。
常基板がガラスである場合、加工精度から、例えば板厚
１ｍのもので１〜５０μｍの公差を含む。従って接合部
では必ずこの段差を生ずることになる。また、−枚の基
板を切断し、−方に受光部、他方に配線部をそれぞれ形
成した後、切断面を突き合わせた場合は、前述の段差は
生じなくても、切断時に必ず端部の欠は等が生じ、やは
り接合面に不連続が生ずることになる。第２図は、接合
面での段差を示したものであるが、本発明では、この段
差を層間絶縁層１６で埋め、さらにその表面を滑らかな
面にすることができる。
ポリイミド樹脂は、そのワニスの粘度を調節することに
より、１００μｍ程度までは十分に膜厚を厚くすること
ができる。また、感光性を付与することも公知であり、
塗布、前乾燥を行なった後、所望の形状に露光し、不必
要な部分を除去することができる。さらに接着剤として
の機能も有するため、側基板の隙間に入り込んで両者を
接着することができる。
より、１００μｍ程度までは十分に膜厚を厚くすること
ができる。また、感光性を付与することも公知であり、
塗布、前乾燥を行なった後、所望の形状に露光し、不必
要な部分を除去することができる。さらに接着剤として
の機能も有するため、側基板の隙間に入り込んで両者を
接着することができる。
最後に、第１図（ｃ）に示したように、表面の滑らかな
層間絶縁層１６上に、−端がセンサ素子の個別電極とな
り、他方でスルホールを介して下部配線１４と接続され
る上部配線１７と、センサ素子の共通電極１８とを形成
し、周基板間が確実に電気的に接続された等倍センサが
完成する。
層間絶縁層１６上に、−端がセンサ素子の個別電極とな
り、他方でスルホールを介して下部配線１４と接続され
る上部配線１７と、センサ素子の共通電極１８とを形成
し、周基板間が確実に電気的に接続された等倍センサが
完成する。
次に、上記実施例の具体例を説明する。
厚さ１ 、 Ｏｎｍ （公差２５．ｕｍ）、長さ２４０
Ｉ、幅７ｎｎのガラスの基板１１上にプラズマＣＶＤ法
によりａ−３ｉからなる半導体層１２を厚さ１μｍに形
成した後、この半導体層１２を、一つが１００μｍ角に
なるようにパターニングした。−方、同一仕様で、幅の
みが２０ｍと異なるガラスの基板１３上に、下部配線１
４をＡＱで厚さ１μｍに形成した。その後、保持基板１
５上に前記の基板１１および１３を互いに突き合わせて
接着、固定し、側基板１１．１３間の段差を測定したと
ころ、最大４０μｍであった。
Ｉ、幅７ｎｎのガラスの基板１１上にプラズマＣＶＤ法
によりａ−３ｉからなる半導体層１２を厚さ１μｍに形
成した後、この半導体層１２を、一つが１００μｍ角に
なるようにパターニングした。−方、同一仕様で、幅の
みが２０ｍと異なるガラスの基板１３上に、下部配線１
４をＡＱで厚さ１μｍに形成した。その後、保持基板１
５上に前記の基板１１および１３を互いに突き合わせて
接着、固定し、側基板１１．１３間の段差を測定したと
ころ、最大４０μｍであった。
この側基板１１．１３の表面に感光性ポリイミド松脂を
ロールコータで塗布、乾燥し、半導体層１２上部および
スルホール部のポリイミド樹脂が除去されるように露光
、現像を行ない、３００℃で硬化させ、層間絶縁層１６
を形成した。その膜厚を明室したところ４３μｍであっ
た。
ロールコータで塗布、乾燥し、半導体層１２上部および
スルホール部のポリイミド樹脂が除去されるように露光
、現像を行ない、３００℃で硬化させ、層間絶縁層１６
を形成した。その膜厚を明室したところ４３μｍであっ
た。
次に、この上に、１．５μｍの厚さでＡ９を全面に蒸着
した後、所要の形状にパターニングして等倍センサを炸
裂した。
した後、所要の形状にパターニングして等倍センサを炸
裂した。
基板１１と１３との接合部における１７２８箇所の配線
接続部での断線は全く無く、信頼性の極めて高い電気的
接続を得ることができた。
接続部での断線は全く無く、信頼性の極めて高い電気的
接続を得ることができた。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、受光部と配線部
をそれぞれ別個の基板に形成しても、周基板間の電気的
接続を確実に行なうことができ、その結果、受光部を構
成する基板を必要最小限の面積として、生産性を大幅に
向上することができる。
をそれぞれ別個の基板に形成しても、周基板間の電気的
接続を確実に行なうことができ、その結果、受光部を構
成する基板を必要最小限の面積として、生産性を大幅に
向上することができる。
第１図は、本発明の一実施例の構成を製造方法とともに
示す図、第２図は、基板接合部の拡大断面図、第３図は
、従来例の基板接合部を示す図で、第３図（ｂ）は第３
図（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。 １１．１３・・・基板、 １２・・・半導体層、 １４
・・・下部配線、 １５・・・保持基板、 １６・・層
間絶縁層、 １７・・・上部配線、 １８ ・・共通
電極。 特許出願人 株式会社 リ コー 第１図 第３図 （ａ） Ｘプ （ｂ）
示す図、第２図は、基板接合部の拡大断面図、第３図は
、従来例の基板接合部を示す図で、第３図（ｂ）は第３
図（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。 １１．１３・・・基板、 １２・・・半導体層、 １４
・・・下部配線、 １５・・・保持基板、 １６・・層
間絶縁層、 １７・・・上部配線、 １８ ・・共通
電極。 特許出願人 株式会社 リ コー 第１図 第３図 （ａ） Ｘプ （ｂ）
Claims (4)
- （１）多数の半導体受光素子が形成された第１の基板と
、前記受光素子の配線部が形成され、その配線部形成面
が前記第１の基板の素子形成面と略同一面になるように
前記第１の基板に結合された第２の基板と、前記第１及
び第２の基板にまたがって形成された層間絶縁層と、そ
の層間絶縁層上を通って前記受光素子と配線部とを接続
する配線部とからなることを特徴とする等倍光センサ。 - （２）前記第１及び第２の基板にまたがって形成された
層間絶縁層は、前記第１及び第２の基板の接合部におけ
る接着剤も兼ねていることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の等倍光センサ。 - （３）前記層間絶縁層は、ポリイミド又はポリアミド樹
脂からなることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載の等倍光センサ。 - （４）前記層間絶縁層は、その膜厚が１μｍ以上である
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の等倍
光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146179A JPS633458A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 等倍光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146179A JPS633458A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 等倍光センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633458A true JPS633458A (ja) | 1988-01-08 |
Family
ID=15401922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61146179A Pending JPS633458A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 等倍光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS633458A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02103968A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 光電変換素子 |
| JPH0543565U (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-11 | 三洋電機株式会社 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP61146179A patent/JPS633458A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02103968A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 光電変換素子 |
| JPH0543565U (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-11 | 三洋電機株式会社 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
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