JPH0543565U

JPH0543565U - マルチビーム半導体レーザ装置

Info

Publication number: JPH0543565U
Application number: JP9288191U
Authority: JP
Inventors: 博土屋; 光晴松本
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1991-11-13
Filing date: 1991-11-13
Publication date: 1993-06-11

Abstract

(57)【要約】【目的】本考案はレーザビームの光軸間隔を狭くでき
るマルチビーム半導体レーザ装置を提供することを目的
とする。【構成】レーザチップ１を構成する複数の半導体レー
ザ素子部３、３、３、３上にそれぞれ形成された電極
４、４、４、４と電気的に接続したボンディング用の引
き出し電極９、９、９、９を絶縁層７を介して形成し、
この電極９、９、９、９にワイヤ線６、６、６、６をボ
ンディングする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は複数の半導体レーザ素子部が隣接して配列されたマルチビーム半導体レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

マルチビーム半導体レーザ装置は、光磁気ディスク装置や光ディスク装置の光ヘッド等に利用されている。斯るマルチビーム半導体レーザ装置は例えば SANYO TECHNICAL REVIEW VOL.23 NO.1 (1991)に記載されている。

【０００３】ところで、マルチビーム半導体レーザ装置は、該レーザ装置に含まれる各レーザ素子部に電流を印加するために、各レーザ素子部の電極にワイヤー線が接続されている。

【０００４】図４と図５はそれぞれ従来のマルチビーム半導体レーザ装置の要部概略を示す断面図と上面図である。

【０００５】図中、１はレーザチップである。このチップ１の上面は素子分断溝２、２、２２が作成されており、それぞれレーザ光を出力するレーザ素子部３、３、３、３が形成されている。これらレーザ素子部３、３、３、３の上面にはそれぞれ分割電極４、４、４、４が形成され、またレーザチップ１の下面にはほぼ全域に全面電極５が形成されている。

【０００６】前記分割電極４、４、４、４には、それぞれワイヤー線６、６、６、６がボンディングされている。

【０００７】

【考案が解決しようとする課題】

ところで、上述のディスク装置は記録密度の高密度化が要求されており、これに対応するために、マルチビーム半導体レーザ装置における各レーザ素子部が出力するレーザビームの光軸間隔を狭くすることが必要である。

【０００８】しかしながら、従来のマルチビーム半導体レーザ装置は、レーザチップ１に含まれる各レーザ素子部３、３、３、３の上部に形成された分割電極４、４、４、４にワイヤ線６、６、６、６をボンディングするために、分割電極４、４、４、４の幅を４０μｍ程度としてボンディング領域を確保しなければならず、各レーザ素子部の幅を狭くしてレーザビームの光軸間隔を従来の５０μｍ程度より狭くすることが困難であった。

【０００９】本考案はレーザビームの光軸間隔を狭くできるマルチビーム半導体レーザ装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】

本考案のマルチビーム半導体レーザ装置は、複数の半導体レーザ素子部が隣接して配列されたレーザチップからなるマルチビーム半導体レーザ装置において、各素子部上にそれぞれ形成された各第１電極と、該第１電極上に形成された絶縁層と、前記各第１電極上の絶縁層にそれぞれ設けられた接続窓を通して各第１電極とそれぞれ電気的に接続される各第２電極とを有することを特徴とする。特に、前記第２電極はレーザ素子部が形成されていないレーザチップ上にまで形成されていることを特徴とする。

【００１１】

【作用】

上述のように、各素子部上に形成された各第１電極に電気的に接続された各第２電極を絶縁層を介して形成すると、第２電極においてワイヤ線をボンディングを行えるので、第１電極の幅、即ち素子部の幅を狭くすることができ、レーザビームの光軸間隔を狭くできる。

【００１２】また、第２電極がレーザ素子部の形成されていないレーザチップ上にまで形成されると、素子部が形成されていないレーザチップ上の第２電極でワイヤ線をボンディングでき、素子部に損傷を与えない。

【００１３】

【実施例】

本考案の一実施例として４ビーム半導体レーザ装置について説明する。図１と図２はそれぞれ本実施例のマルチビーム半導体レーザ装置の概要を示す断面図と上面図である。

【００１４】図中、１はレーザチップであり、該レーザチップ１の上面には、例えば幅２〜５μｍ、深さ５〜１０μｍの素子分断溝２、２、２が形成され、それぞれレーザ光を出力する例えば幅１０〜１５μｍのレーザ素子部３、３、３、３が隣接して配列されている。このレーザ素子部は例えばＧａＡｓ基板上に所定の活性層、クラッド層、ブロック層等が液相エピタキシー法、エッチング等により形成されており、このブロック層により活性層に平行方向の光の閉じ込めを行うように構成されている。

【００１５】前記半導体レーザ素子部３、３、３、３の上面には、例えばＡｕ／Ｓｎからなる幅５〜１５μｍ程度、厚み０．５μｍ程度の分断電極（第１電極）４、４、４、４がそれぞれ各レーザ素子部３、３、３、３と電気的に連なって形成されている。この分断電極４、４、４、４を含めて半導体レーザ素子部３、３、３、３の上面には、ポリイミド膜からなる２．５μｍ厚程度の絶縁層７が形成され、該絶縁層７には各分断電極４、４、４、４上の一部に絶縁層が形成されていない例えば幅５〜１５μｍ程度、長さ５０μｍ程度の接続窓８、８、８、８が化学エッチング等により作成されている。

【００１６】９、９、９、９は例えば蒸着、パターンニングして形成される例えば１〜１．５μｍ厚の引き出し用電極（第２電極）である。この引き出し用電極９、９、９、９はそれぞれ前記各接続窓８、８、８、８で各分断電極４、４、４、４と接続し、前記絶縁層７を介した状態で分断電極４、４、４、４、即ち光出力を行うレーザ素子部３、３、３、３が形成されていないレーザチップ１の端部まで形成されている。この引き出し用電極９、９、９、９はワイヤ線がボンディング可能な幅、例えば幅６０μｍを有しており、その各端部において金等からなるワイヤ線６、６、６、６がボンディングされている。また、レーザチップ１の下面の略全域には、金等からなる全面電極５が作成されている。

【００１７】斯る半導体レーザ装置の電極構造は、各分断電極と接続してなるそれぞれの引き出し用電極が絶縁層を介した状態でレーザ素子部が形成されていないレーザチップの端部まで形成され、このレーザチップの端部上の引き出し用電極にワイヤ線がボンディングされる構成となっており、且つ分断電極と引き出し用電極の接続部は小さくてもよいので、各レーザ素子部の幅を狭くしてレーザビームの光軸間隔を１０μｍ程度まで狭くできる。またワイヤ線をボンディングするレーザチップの端部に、レーザ素子部が形成されておらず、ボンディングにより少なくとも光出力を行う部分の光活性層等の損傷が起こらない。

【００１８】上記引き出し用電極の配置場所は上記実施例に限定されず、４つの引き出し用電極の全てがレーザチップの一方の端部に形成されていてもよく適宜変更可能である。又、引き出し用電極はワイヤ線をボンディングする部分のみをボンディング領域の大きさを有するように幅広にしてもよい。尚、引き出し用電極にワイヤ線等の導電線をボンディング以外の方法で接続してもよい。

【００１９】また、図３に示すように引き出し用電極９、９、９、９をレーザ素子部３、３、３、３上にのみに形成してもよい。但し、この場合はレーザチップの幅を狭くできるが、上記実施例のように引き出し用電極をレーザ素子部が形成されないレーザチップの端部まで形成し、この端部にワイヤ線をボンディングする構成とする方が望ましく、更にレーザチップの端部にレーザ素子部から続く活性層、クラッド層等がない方が好ましい。

【００２０】また、本発明は上記実施例に限定されず、例えば半導体レーザ素子は上記実施例以外の構造、材料等からなるものでもよい。また、電極の材料はレーザ素子の材料によって適宜変更する必要がある。更に、絶縁層は上記ポリイミドに限らず、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃等の種々の絶縁材料も使用できる。

【００２１】

【考案の効果】

本考案のマルチビーム半導体レーザ装置は、各素子部上に形成された各第１電極に電気的に接続された各第２電極を絶縁層を介して形成し、第２電極においてワイヤ線をボンディングを行えるので、素子部の幅、即ち第１電極の幅を狭くすることができ、レーザビームの光軸間隔を狭くできる。

【００２２】また、第２電極は素子部が形成されていないレーザチップ上にまで形成されると、素子部が形成されていないレーザチップ上の第２電極でワイヤ線をボンディングでき、素子部に損傷を与えない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例に係るマルチビーム半導体レ
ーザ装置の要部概略を示す断面図である。

【図２】上記実施例のマルチビーム半導体レーザ装置の
上面図である。

【図３】本考案の他の実施例に係るマルチビーム半導体
レーザ装置の要部概略を示す上面図である。

【図４】従来例のマルチビーム半導体レーザ装置の要部
概略を示す断面図である。

【図５】上記従来例のマルチビーム半導体レーザ装置の
上面図である。

【符号の説明】

１レーザチップ３半導体レーザ素子部４第１電極６ワイヤ線７絶縁層９第２電極

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】複数の半導体レーザ素子部が隣接して配
列されたレーザチップからなるマルチビーム半導体レー
ザ装置において、各素子部上にそれぞれ形成された各第
１電極と、該第１電極上に形成された絶縁層と、前記各
第１電極上の絶縁層にそれぞれ設けられた接続窓を通し
て各第１電極とそれぞれ電気的に接続される各第２電極
とを有することを特徴とするマルチビーム半導体レーザ
装置。
【請求項２】上記第２電極はレーザ素子部が形成され
ていないレーザチップ上にまで形成されていることを特
徴とする請求項１記載のマルチビーム半導体レーザ装
置。