JPS6335478A - ガラス状炭素被覆材およびその製造法 - Google Patents
ガラス状炭素被覆材およびその製造法Info
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- JPS6335478A JPS6335478A JP17675886A JP17675886A JPS6335478A JP S6335478 A JPS6335478 A JP S6335478A JP 17675886 A JP17675886 A JP 17675886A JP 17675886 A JP17675886 A JP 17675886A JP S6335478 A JPS6335478 A JP S6335478A
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- Japan
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- glassy carbon
- coating material
- carbon coating
- coating
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明に、シリコンウェハーなどのエピタキシャル気
相成長、その他各種絶碌膜或＾は多結晶膜の気相成長な
どの工程におけるサセプター又はルツ♂など半導体処理
治具の構成材料く用いられるガラス状炭素被覆材および
その製造法に関する。
相成長、その他各種絶碌膜或＾は多結晶膜の気相成長な
どの工程におけるサセプター又はルツ♂など半導体処理
治具の構成材料く用いられるガラス状炭素被覆材および
その製造法に関する。
半導体処理治具は高純度のシリコン基板等の製品に接触
するためその製品を汚染しないことが要求される。
するためその製品を汚染しないことが要求される。
又、高祖に於ける塩化水素雰囲気での耐エツチング性、
概略１２００℃までの、操返し使用に耐える耐熱価基性
も要求される。
概略１２００℃までの、操返し使用に耐える耐熱価基性
も要求される。
この要求にこたえるものとして従来から炭素成形品の上
に化学気相５Ｎｒ（ＣＶＤ ’）法による炭化硅素を被
覆した炭化硅素被覆材が使用されている（参考文献同二
％開昭５６−１０９２１号公報）。
に化学気相５Ｎｒ（ＣＶＤ ’）法による炭化硅素を被
覆した炭化硅素被覆材が使用されている（参考文献同二
％開昭５６−１０９２１号公報）。
しかし、炭化硅素被覆材は炭化硅素皮膜と炭素成形品と
の熱膨張係数が異なっているため繰返し使用による熱サ
イクルにより、皮膜にクラックが発生し、そのクラック
を通して炭素成形品から不純物が浸み出し製品を汚染す
ると云う欠点を有してい九〇いっぽう、炭素又はセラミ
ック材料にがうス状炭素を被覆する提案がある（特公昭
５２−６９６８４号公報）。
の熱膨張係数が異なっているため繰返し使用による熱サ
イクルにより、皮膜にクラックが発生し、そのクラック
を通して炭素成形品から不純物が浸み出し製品を汚染す
ると云う欠点を有してい九〇いっぽう、炭素又はセラミ
ック材料にがうス状炭素を被覆する提案がある（特公昭
５２−６９６８４号公報）。
この方法で得られるガラス状炭素被覆材は上記炭化硅素
被覆材と比較して被膜の均一性が優れておシ、炭素成形
品からの不純物の汚染を減少できると云う利点を有して
いる。
被覆材と比較して被膜の均一性が優れておシ、炭素成形
品からの不純物の汚染を減少できると云う利点を有して
いる。
しかしながら、上記のガラス状炭素被覆材は加熱サイク
ルを数回繰り返したときに急に微細なりラックが入るこ
とがあるという問題があった。
ルを数回繰り返したときに急に微細なりラックが入るこ
とがあるという問題があった。
この発明は第１に表面状態が良好で、加熱サイクルによ
りクラックが入るおそれのなめガラス状ホ素被覆材を提
供することを目的とし、第２にこのような優れたガラス
状炭素被覆材の製造法ｔ−提供することを目的とする。
りクラックが入るおそれのなめガラス状ホ素被覆材を提
供することを目的とし、第２にこのような優れたガラス
状炭素被覆材の製造法ｔ−提供することを目的とする。
発明者らは櫨々の条件でガラス状炭素被覆材を製造し、
それらの物性と加熱サイクル耐性との相関性について調
べた◎その結果、ガラス状炭素被覆材のヘリウムガス透
過量が加熱ナイクル耐性ト相関性を有し、ヘリウムガス
透過ｔカ１ ｘ １０−１３ｃｃ ／ ｃＩＬ２・ｓｅ
ａ ％上であれば加熱サイクルによりクラックが入るこ
とがないことを見出した。ここにおいて、ヘリウムガス
透過量とは試験片で２つに仕切られ九チャンバーの両側
を１０−’ ｔｏｒｒ以下の真空にし九のち、片側に１
気圧のヘリウムガスを流し、反対側の圧力上昇からヘリ
ウムの通過量を測定したものである０さらに、がラス状
炭素被覆材の表面状態とヘリウムガス透過量との関係に
ついて実験２行なった結果、ヘリウムガス透ａｉがＩ
Ｘ １０１１印／ ｃｍ”・ｓｅｃ以下であれば表面状
態が良好であってピンホールがなく、基材からの不純物
の浸出のおそれがないことがわかった。
それらの物性と加熱サイクル耐性との相関性について調
べた◎その結果、ガラス状炭素被覆材のヘリウムガス透
過量が加熱ナイクル耐性ト相関性を有し、ヘリウムガス
透過ｔカ１ ｘ １０−１３ｃｃ ／ ｃＩＬ２・ｓｅ
ａ ％上であれば加熱サイクルによりクラックが入るこ
とがないことを見出した。ここにおいて、ヘリウムガス
透過量とは試験片で２つに仕切られ九チャンバーの両側
を１０−’ ｔｏｒｒ以下の真空にし九のち、片側に１
気圧のヘリウムガスを流し、反対側の圧力上昇からヘリ
ウムの通過量を測定したものである０さらに、がラス状
炭素被覆材の表面状態とヘリウムガス透過量との関係に
ついて実験２行なった結果、ヘリウムガス透ａｉがＩ
Ｘ １０１１印／ ｃｍ”・ｓｅｃ以下であれば表面状
態が良好であってピンホールがなく、基材からの不純物
の浸出のおそれがないことがわかった。
すなわち、この発明の第１は黒鉛またはセラミックスｆ
ｔガラス状炭素で被覆し、ヘリウムがス透過ｌ１１’ｆ
ｒ： １ ｘ １０−１３〜ｌ Ｘ Ｉ Ｑ−” ｃｃ
／ ｘ２・ｓｅｃとしたがラス状炭素被覆材である。
ｔガラス状炭素で被覆し、ヘリウムがス透過ｌ１１’ｆ
ｒ： １ ｘ １０−１３〜ｌ Ｘ Ｉ Ｑ−” ｃｃ
／ ｘ２・ｓｅｃとしたがラス状炭素被覆材である。
つ＾で発明者らはガラス状炭素被覆材を製造する方法に
ついて種々検討を行なった結果、黒鉛またはセラミック
スに有機重合体の熱分解生成物を被覆し焼成したのち、
被覆表面の研摩を行ない、ついでくり返し被覆および焼
成を行なうことによって上記ヘリウムガス透過量のガラ
ス状炭素被覆材が収率よく得られることを見出した。
ついて種々検討を行なった結果、黒鉛またはセラミック
スに有機重合体の熱分解生成物を被覆し焼成したのち、
被覆表面の研摩を行ない、ついでくり返し被覆および焼
成を行なうことによって上記ヘリウムガス透過量のガラ
ス状炭素被覆材が収率よく得られることを見出した。
すなわち、この発明の第２は有機重合体の不完全熱分解
生成物ｔＳ剤と混合してスラリーとし、そのスラリーで
黒鉛またはセラミックスを被覆したのち、不活性ガス中
で焼成してガラス状炭素被覆材を製造する方法において
、前記焼成ののちガラス状炭素彼鏝表面の研摩を行な＾
、つ＾でくり返しスラリー被覆および焼成を行なうこと
を特徴とするヘリウムガス透過量がＩ Ｘ １０−１３
〜１×１Ｑ−１１ｃｃ ７口２・ｓｅｃのガラス状炭素
被覆材の製造法である。
生成物ｔＳ剤と混合してスラリーとし、そのスラリーで
黒鉛またはセラミックスを被覆したのち、不活性ガス中
で焼成してガラス状炭素被覆材を製造する方法において
、前記焼成ののちガラス状炭素彼鏝表面の研摩を行な＾
、つ＾でくり返しスラリー被覆および焼成を行なうこと
を特徴とするヘリウムガス透過量がＩ Ｘ １０−１３
〜１×１Ｑ−１１ｃｃ ７口２・ｓｅｃのガラス状炭素
被覆材の製造法である。
以下、この発明について詳しく説明する。
この発明で用いる有機重合体は、塩化ビニル樹脂、ポリ
ビニルアルコール、油溶性フェノール樹脂、アルキルフ
ェノール市脂、＠素化パラフィン、塩素化ポリプロピレ
ン、ｅ：１ビニル哨脂ま九はポリカーざネート膚指が好
適である。不純物の面から上記のうち塩化ビニル市脂が
とりわけ好まし＾。
ビニルアルコール、油溶性フェノール樹脂、アルキルフ
ェノール市脂、＠素化パラフィン、塩素化ポリプロピレ
ン、ｅ：１ビニル哨脂ま九はポリカーざネート膚指が好
適である。不純物の面から上記のうち塩化ビニル市脂が
とりわけ好まし＾。
これら有機重合体の熱分解はその種類と問わず粒状品又
は粉末を、不活性ガス例えばアルゴンガス中で２００〜
５００℃で３０分以上加熱して行う。この加熱の望まし
い温度・時間は加懇装置および有機重合体の種類によっ
て異なるが、分解生成物の炭素原子と水素原子のＭ量比
（Ｃ／Ｈ比）が結果的に１０〜２５：１の範囲に入るよ
う実験によシ定めればよ＾。
は粉末を、不活性ガス例えばアルゴンガス中で２００〜
５００℃で３０分以上加熱して行う。この加熱の望まし
い温度・時間は加懇装置および有機重合体の種類によっ
て異なるが、分解生成物の炭素原子と水素原子のＭ量比
（Ｃ／Ｈ比）が結果的に１０〜２５：１の範囲に入るよ
う実験によシ定めればよ＾。
このようにして得られるピッチ状物質（以下、ｐｃ物質
という）に溶剤を加えて溶かし、濃度２００〜５００ｇ
＃の溶液を作る。浴剤は溶解性の点から脂肪挨ｔＸ素系
の躊剤が好ましい。不溶解物が残ればろ過して不躊解物
を暇除く。
という）に溶剤を加えて溶かし、濃度２００〜５００ｇ
＃の溶液を作る。浴剤は溶解性の点から脂肪挨ｔＸ素系
の躊剤が好ましい。不溶解物が残ればろ過して不躊解物
を暇除く。
ガラス状炭素被覆材の強度を特に高めたい場合にはこの
溶液に炭素系の骨材を配合してもよ−。
溶液に炭素系の骨材を配合してもよ−。
骨材は前記ｐｃ物質の原料として弔い乏有機１合体の炭
化物が好まし＾。ここで炭化物とは完全に炭化したもの
とは限らず、むしろ水素原子が一部残っている方が前記
密層性の点で好まし＾。
化物が好まし＾。ここで炭化物とは完全に炭化したもの
とは限らず、むしろ水素原子が一部残っている方が前記
密層性の点で好まし＾。
骨材を得るための熱分解の方法は前記ＰＣ物質と得る方
法と同じでよいが、加熱の温度は６００℃以上、好まし
くは８００〜１０００℃である。
法と同じでよいが、加熱の温度は６００℃以上、好まし
くは８００〜１０００℃である。
加熱の時間は１〜２時間でよい。
このようにして得られ念固形物を粉砕等の方法で粒径を
整える。その形態は直径が５０μｍ以下の球形またな不
定形でよく、また、長径５００μｍ以下の棒状ま友は愼
維状でもよめ。その平均粒径は２０μｍ以下になるよう
出来るだけ細かく粉砕したほうが塗布層の表面状態の点
で好ましい。
整える。その形態は直径が５０μｍ以下の球形またな不
定形でよく、また、長径５００μｍ以下の棒状ま友は愼
維状でもよめ。その平均粒径は２０μｍ以下になるよう
出来るだけ細かく粉砕したほうが塗布層の表面状態の点
で好ましい。
骨材の配合量は塗布１ｉ１の厚さとの関連で、塗布層を
厚くする必要があれば配合量もより多くするとよいが、
用匹るｐｃ動物質２倍（重量比）を越えると不浸透性の
点や、均一に塗布することが困逮になるなどの点で問題
が生じてくる。
厚くする必要があれば配合量もより多くするとよいが、
用匹るｐｃ動物質２倍（重量比）を越えると不浸透性の
点や、均一に塗布することが困逮になるなどの点で問題
が生じてくる。
前記骨材を配合したスラリーを塗布する対象となる物品
は黒鉛、セラミックス、など耐熱性の材料であジ、これ
全使用目的に応じた形状に加工し、その表面を研摩した
ものである。
は黒鉛、セラミックス、など耐熱性の材料であジ、これ
全使用目的に応じた形状に加工し、その表面を研摩した
ものである。
塗布Ｑ方法は超音波含浸、はけ塗シ、スプレー、浸漬な
どである。塗布した後に焼成と行なう前に比較的低＠（
５０〜１００℃て＾ど）で乾燥することが好ましい。
どである。塗布した後に焼成と行なう前に比較的低＠（
５０〜１００℃て＾ど）で乾燥することが好ましい。
焼成に常温から６００℃までは５℃／分、６００℃から
６００℃までは１℃／分、６００℃から最終加熱温度ま
では１０℃／分ていどの昇温速度で昇温し、最１％％ｍ
熱１度で２〜６時間床持してのち室温まで放冷すること
か望ましい。昇畠速度は製造する成形品の厚さに関係あ
り、厚さが厚いほど昇温速度を小さくする必要がある。
６００℃までは１℃／分、６００℃から最終加熱温度ま
では１０℃／分ていどの昇温速度で昇温し、最１％％ｍ
熱１度で２〜６時間床持してのち室温まで放冷すること
か望ましい。昇畠速度は製造する成形品の厚さに関係あ
り、厚さが厚いほど昇温速度を小さくする必要がある。
最終昇畠速度は１０００〜１２００℃が適当である。こ
の様に焼成されたガラス状炭素被覆材の表面を（ｉ７１
Ｆ！ｆしてがラス状炭素層の厚みを均一なものにする。
の様に焼成されたガラス状炭素被覆材の表面を（ｉ７１
Ｆ！ｆしてがラス状炭素層の厚みを均一なものにする。
研摩ははじめ工業用パッドなどの荒＾研摩材を用いて表
面の凹凸を無くする。次に徐々に細かめ研摩材？使＾表
Ｏｉをきれいにする。最後に布または紙を用いて削り扮
などをふき落す。この時に超音波洗浄などを行って削シ
扮を除去することが好ましＶｈ６洗浄を行つ九際は充分
乾燥させることが必要である。目ｕり粉が残存している
と次のスラリーを塗布した際に不均一な層が出来ること
がある。
面の凹凸を無くする。次に徐々に細かめ研摩材？使＾表
Ｏｉをきれいにする。最後に布または紙を用いて削り扮
などをふき落す。この時に超音波洗浄などを行って削シ
扮を除去することが好ましＶｈ６洗浄を行つ九際は充分
乾燥させることが必要である。目ｕり粉が残存している
と次のスラリーを塗布した際に不均一な層が出来ること
がある。
この一連の操作（塗布、乾燥、焼成、研摩）を２〜５回
繰り返すことによシ、ヘリウムガス透過量がＩ Ｘ Ｉ
Ｑ” 〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ−１１ｃｃ／ ｃｍ”−５ｅ
ｃのがラス状炭素被覆材が得られる。
繰り返すことによシ、ヘリウムガス透過量がＩ Ｘ Ｉ
Ｑ” 〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ−１１ｃｃ／ ｃｍ”−５ｅ
ｃのがラス状炭素被覆材が得られる。
実施例１〜４
塩化ビニル樹脂（電気化学工業（株）ｇｓｓ−１１０タ
イプ）を加熱炉に入れ、アルゴンがス雰囲気下、３９０
°Ｃで９０分加熱した。生成しｔＰＣ物質？２分割し、
その一方をアルゴンがス雰囲ｆｉ下、１０００℃で３０
分焼成し、ついでメールミルで平均粒径５μｍに粉砕し
たものを骨材とした。
イプ）を加熱炉に入れ、アルゴンがス雰囲気下、３９０
°Ｃで９０分加熱した。生成しｔＰＣ物質？２分割し、
その一方をアルゴンがス雰囲ｆｉ下、１０００℃で３０
分焼成し、ついでメールミルで平均粒径５μｍに粉砕し
たものを骨材とした。
前記２分割したｐ（’物質の他方５００ｇをトリクレン
に５００ｇ／Ｊの濃度で溶解し、その溶液に骨材を２０
０ｇまで礒加混合し、それぞれを塗布母液とした。この
母液を表面を研摩し友物品（直径３０＋ｍ、厚さ１０＋
ｏｔの黒鉛板）に超音波含浸により塗布し友。塗布後は
物品のＮ量変化よシ算出し九〇この１１Ｉｉ［は表に示
す通シである。塗布後、６０℃で乾燥した。焼成は不活
性雰囲気中で３００℃までは５°Ｑ／ｍｉｎ、、３００
’Ｃかも６００℃までは１℃／ｍｉｎ・、６００℃か
ら１０００℃までに１０℃／ｍｉｎ、、１０００℃で２
時間保つことにより行った。その後、常温に放冷し表面
を研摩した。
に５００ｇ／Ｊの濃度で溶解し、その溶液に骨材を２０
０ｇまで礒加混合し、それぞれを塗布母液とした。この
母液を表面を研摩し友物品（直径３０＋ｍ、厚さ１０＋
ｏｔの黒鉛板）に超音波含浸により塗布し友。塗布後は
物品のＮ量変化よシ算出し九〇この１１Ｉｉ［は表に示
す通シである。塗布後、６０℃で乾燥した。焼成は不活
性雰囲気中で３００℃までは５°Ｑ／ｍｉｎ、、３００
’Ｃかも６００℃までは１℃／ｍｉｎ・、６００℃か
ら１０００℃までに１０℃／ｍｉｎ、、１０００℃で２
時間保つことにより行った。その後、常温に放冷し表面
を研摩した。
表に示す通シ、塗布、乾燥、研摩を２〜５回繰り返し行
なつ之。
なつ之。
焼成品につ＾て加熱サイクル試験（常禍と１６００℃、
昇温速度５０°Ｑ／ｍｉｎ、４サイクル）ト行’ｆｚｒ
、その前と後で光学顕微鏡（ｔｆ率１００ｆり及びＳＥ
Ｍ（倍率最高５０００倍）でくわしく観察して、クラッ
ク及びピンホールの有無を調べた。また、ヘリウムによ
るガス透過量も（１１定した。これらの観察、測定デー
タは表に示す通り、研ノー？翔したものは加熱サイクル
前後で表面状態は良好であり、ヘリウムガス透ａｔも変
化がなく １ Ｘ １０−１３〜Ｉ Ｘ １Ｑ−” ｃ
ｔ−／ ａｎ２ｓｅｃの範囲に入”） テＶｓ ｆＣｏ
ここでガス透過量の測定法について図面によシ説明する
。まず、カップ伏のチャンバー１ａ、１ｂの間に試験片
２ｔ−挾む。チャンバーに接続された真空部ンデ３ｆｔ
作動させ、チャンバー１ａ、１ｂｌそれぞれ１０−７ｔ
ｏｒｒ以下のＪＥ空にする。ついで、ヘリウムガス人口
４よりチャンバー１ａ内にヘリウムガスに−４人し、チ
ャンバー１ａ内の圧力を大気圧にする。チャンバー１ｂ
内の圧力を監視し、その圧力の上昇速度から通気ｉｔ求
める。
昇温速度５０°Ｑ／ｍｉｎ、４サイクル）ト行’ｆｚｒ
、その前と後で光学顕微鏡（ｔｆ率１００ｆり及びＳＥ
Ｍ（倍率最高５０００倍）でくわしく観察して、クラッ
ク及びピンホールの有無を調べた。また、ヘリウムによ
るガス透過量も（１１定した。これらの観察、測定デー
タは表に示す通り、研ノー？翔したものは加熱サイクル
前後で表面状態は良好であり、ヘリウムガス透ａｔも変
化がなく １ Ｘ １０−１３〜Ｉ Ｘ １Ｑ−” ｃ
ｔ−／ ａｎ２ｓｅｃの範囲に入”） テＶｓ ｆＣｏ
ここでガス透過量の測定法について図面によシ説明する
。まず、カップ伏のチャンバー１ａ、１ｂの間に試験片
２ｔ−挾む。チャンバーに接続された真空部ンデ３ｆｔ
作動させ、チャンバー１ａ、１ｂｌそれぞれ１０−７ｔ
ｏｒｒ以下のＪＥ空にする。ついで、ヘリウムガス人口
４よりチャンバー１ａ内にヘリウムガスに−４人し、チ
ャンバー１ａ内の圧力を大気圧にする。チャンバー１ｂ
内の圧力を監視し、その圧力の上昇速度から通気ｉｔ求
める。
比較列１〜４
焼成後に１１７Ｆ摩と行なわない外に、実施列と同一方
法、同一条件で行１つ之。その結果は表に示す通り被覆
の表面Ｖこピンホールが見られ、ガス透過量も実施列に
比べて大きな値となり次。
法、同一条件で行１つ之。その結果は表に示す通り被覆
の表面Ｖこピンホールが見られ、ガス透過量も実施列に
比べて大きな値となり次。
比較例５
実施列１〜４と同じく表面研摩を行ない、塗布をくジ返
し行なつｔ０ヘリウムガス透過社が１×１０−ｉ３ｃｃ
／ ｃ７ｎ２・ｓｅｃ以下となり、加熱サイクル試験
麦にクランクが発生した。
し行なつｔ０ヘリウムガス透過社が１×１０−ｉ３ｃｃ
／ ｃ７ｎ２・ｓｅｃ以下となり、加熱サイクル試験
麦にクランクが発生した。
実施列及び比較例の結果から明らかなよう罠、塗布、乾
燥、焼成、研１ｔり返し行な５ことによジ、ガス透ａｌ
ｔが１ｘ １０−”〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ−”ｌｅｅ／ｃｒ
ｎ２・ｓｅｃのガラス状炭素被覆材が得られる。この被
覆材ぼ表面状帳が良好でピンホールがないことに加えて
、加熱サイクル１耐性が大きく、使用中にクラックが入
ることがない。
燥、焼成、研１ｔり返し行な５ことによジ、ガス透ａｌ
ｔが１ｘ １０−”〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ−”ｌｅｅ／ｃｒ
ｎ２・ｓｅｃのガラス状炭素被覆材が得られる。この被
覆材ぼ表面状帳が良好でピンホールがないことに加えて
、加熱サイクル１耐性が大きく、使用中にクラックが入
ることがない。
図面は本発明の１！ｍ例で用い九ヘリウムガス透過瞳測
定装置の説明図である。 符号 １ａ、１ｂ・・・チャンバー、２・・・試験片、
３・・・真空ボンデ、４・・・ヘリウムがス人口、５・
・・圧力センサ、６ａ、５ｂ、５ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆ
−Ｏリング、７ａ＋７ｂ＋７ｃ・−・コック、８ａ、８
ｂ・・・チャンバー押えボルト、９・・・チャンバー保
持箱 将許出願人 ′１気化学工業株式会社１ｄ、１ｂ−一
−ナヤン／マー ２ −一一試７＃片 ３ −−一具空ボ／グ ４ −一−ヘリウムが１ス入ロ ５ −一一斥力仁ンプ
定装置の説明図である。 符号 １ａ、１ｂ・・・チャンバー、２・・・試験片、
３・・・真空ボンデ、４・・・ヘリウムがス人口、５・
・・圧力センサ、６ａ、５ｂ、５ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆ
−Ｏリング、７ａ＋７ｂ＋７ｃ・−・コック、８ａ、８
ｂ・・・チャンバー押えボルト、９・・・チャンバー保
持箱 将許出願人 ′１気化学工業株式会社１ｄ、１ｂ−一
−ナヤン／マー ２ −一一試７＃片 ３ −−一具空ボ／グ ４ −一−ヘリウムが１ス入ロ ５ −一一斥力仁ンプ
Claims (2)
- （１）黒鉛またはセラミックスをガラス状炭素で被覆し
、ヘリウムガス透過量を１×１０＾−＾１＾３〜１×１
０＾−＾１＾１ｃｃ／ｃｍ＾２・ｓｅｃとしたガラス状
炭素被覆材。 - （２）有機重合体の不完全熱分解生成物を溶剤と混合し
てスラリーとし、そのスラリーで黒鉛またはセラミック
スを被覆したのち、不活性ガス中で焼成してガラス状炭
素被覆材を製造する方法において、前記焼成ののちガラ
ス状炭素被覆表面の研摩を行ない、ついでくり返しスラ
リー被覆および焼成を行なうことを特徴とするヘリウム
ガス透過量が１×１０＾−＾１＾３〜１×１０＾−＾１
＾１ｃｃ／ｃｍ＾２・ｓｅｃのガラス状炭素被覆材の製
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17675886A JPS6335478A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | ガラス状炭素被覆材およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17675886A JPS6335478A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | ガラス状炭素被覆材およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6335478A true JPS6335478A (ja) | 1988-02-16 |
Family
ID=16019298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17675886A Pending JPS6335478A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | ガラス状炭素被覆材およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6335478A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03271183A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-12-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 表面導電性セラミックスの製造方法 |
-
1986
- 1986-07-29 JP JP17675886A patent/JPS6335478A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03271183A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-12-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 表面導電性セラミックスの製造方法 |
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