JPS6335780A - 貴金属メツキ方法 - Google Patents
貴金属メツキ方法Info
- Publication number
- JPS6335780A JPS6335780A JP17761086A JP17761086A JPS6335780A JP S6335780 A JPS6335780 A JP S6335780A JP 17761086 A JP17761086 A JP 17761086A JP 17761086 A JP17761086 A JP 17761086A JP S6335780 A JPS6335780 A JP S6335780A
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- JP
- Japan
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- metal
- plating
- noble metal
- salt
- plating method
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/06—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/08—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、メッキ浴を用いない簡便な貴金属メッキ方法
に関するものである。
に関するものである。
プリント回路基板の端子部や電子部品の端子部などには
腐食防止のため金メッキが施されている。
腐食防止のため金メッキが施されている。
従来、このような電子回路部材の導体（１１１常は消ま
たは銅合金）に金メッキを施す場合には、被メッキ部分
を金メッキ浴に’ｔ４ ？ｉすることにより行っている
。
たは銅合金）に金メッキを施す場合には、被メッキ部分
を金メッキ浴に’ｔ４ ？ｉすることにより行っている
。
しかし上記のようにメッキ浴を使用する方法では、メッ
キ浴の成分がメッキ回数に応じて変化していくため、メ
ッキ浴の管理が面倒であると共に、−回の浸漬では充分
なメッキが得られないため工程が多くなる等の問題があ
る。
キ浴の成分がメッキ回数に応じて変化していくため、メ
ッキ浴の管理が面倒であると共に、−回の浸漬では充分
なメッキが得られないため工程が多くなる等の問題があ
る。
本発明は、上記のような従来技術の問題点に迄み、メッ
キ浴を用いずに簡単に行える貴金属メッキ方法を提供す
るもので、その方法は、７ビエチン酸の貴金属塩を含む
粘８！］溶液を、上記塩に含まれる貴金属よりイオン化
傾向の大きい被メッキ金属の表面に塗布した後、加熱し
て、上記塩から貴金属イオンを分離し、上記被メッキ金
属の表面に貴金属を析出させることを特徴とするもので
ある。
キ浴を用いずに簡単に行える貴金属メッキ方法を提供す
るもので、その方法は、７ビエチン酸の貴金属塩を含む
粘８！］溶液を、上記塩に含まれる貴金属よりイオン化
傾向の大きい被メッキ金属の表面に塗布した後、加熱し
て、上記塩から貴金属イオンを分離し、上記被メッキ金
属の表面に貴金属を析出させることを特徴とするもので
ある。
アビエチン酸は松脂の主成分であり、次のような構造を
有している。
有している。
このアビエチン酸のカルボキシル基のＨを金属で置換し
た塩を、その金属よりイオン傾向の大きい金属基材の表
面に塗布して、高温に加熱すると、上記塩から金属イオ
ンが分離して、イオン化傾向の差により、その金属イオ
ンが上記金属基村上に金属として析出する現象が見られ
る。
た塩を、その金属よりイオン傾向の大きい金属基材の表
面に塗布して、高温に加熱すると、上記塩から金属イオ
ンが分離して、イオン化傾向の差により、その金属イオ
ンが上記金属基村上に金属として析出する現象が見られ
る。
本発明は、このような現象を利用したものである。
アビエチン酸と金の金属塩を有機溶剤に溶かして粘稠溶
液を得た。プリント回路基板の回路導体（銅）の端子部
に、Ｎｉ メッキを施した後、その表面に、上記粘稠溶
液を塗布した。次にそれを約２００℃で１時間加熱した
後、残滓を洗浄により取り除いた。その結果、Ｎｉメブ
キ面上に金が析出し、均一な金メッキを得ることができ
た。
液を得た。プリント回路基板の回路導体（銅）の端子部
に、Ｎｉ メッキを施した後、その表面に、上記粘稠溶
液を塗布した。次にそれを約２００℃で１時間加熱した
後、残滓を洗浄により取り除いた。その結果、Ｎｉメブ
キ面上に金が析出し、均一な金メッキを得ることができ
た。
金メッキ層の厚さは、粘稠溶液内の金属塩の濃度と、加
熱温度および時間によりコントロール可能である。
熱温度および時間によりコントロール可能である。
なおＮｉ メッキを施したのは、析出した金中へ銅が拡
散するのを防止するためである。
散するのを防止するためである。
上記実施例ではプリント回路基板の端子部に金メッキを
施す場合を説明したが、各種電子部品の端子部、コネク
タのコンタクトなどへの金メッキも可能である。また本
発明は、金メッキだけでなく、恨メンキや白金メッキに
も適用できる。
施す場合を説明したが、各種電子部品の端子部、コネク
タのコンタクトなどへの金メッキも可能である。また本
発明は、金メッキだけでなく、恨メンキや白金メッキに
も適用できる。
以上説明したように本発明によれば、アビエチン酸の貴
金属塩を含む粘稠溶液を塗布して加熱するだけで簡単に
貴金属メッキを施すことができ、またメッキ条件の管理
も極めて簡単である。さらにメッキ箇所に粘稠溶液を塗
布する方式であるから、部分メッキも極めて簡単に行え
る。
金属塩を含む粘稠溶液を塗布して加熱するだけで簡単に
貴金属メッキを施すことができ、またメッキ条件の管理
も極めて簡単である。さらにメッキ箇所に粘稠溶液を塗
布する方式であるから、部分メッキも極めて簡単に行え
る。
・二＼
出願人代理人 弁理士 若林広志・’、、ソ：ｒ、 、
？嶌＼−＼− −」
？嶌＼−＼− −」
Claims (1)
- アビエチン酸の貴金属塩を含む粘稠溶液を、上記塩に
含まれる貴金属よりイオン化傾向の大きい被メッキ金属
の表面に塗布した後、加熱して、上記塩から貴金属イオ
ンを分離し、上記被メッキ金属の表面に貴金属を析出さ
せることを特徴とする貴金属メッキ方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17761086A JPS6335780A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 貴金属メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17761086A JPS6335780A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 貴金属メツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6335780A true JPS6335780A (ja) | 1988-02-16 |
| JPH0564235B2 JPH0564235B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=16034015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17761086A Granted JPS6335780A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 貴金属メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6335780A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379100A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光透過ペーストおよびそれを用いた金属銅析出方法 |
| EP0513821A3 (ja) * | 1991-05-18 | 1994-03-16 | Horiba Ltd | |
| US5695571A (en) * | 1993-06-01 | 1997-12-09 | Fujitsu Limited | Cleaning method using a defluxing agent |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP17761086A patent/JPS6335780A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379100A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光透過ペーストおよびそれを用いた金属銅析出方法 |
| EP0513821A3 (ja) * | 1991-05-18 | 1994-03-16 | Horiba Ltd | |
| US5695571A (en) * | 1993-06-01 | 1997-12-09 | Fujitsu Limited | Cleaning method using a defluxing agent |
| US6050479A (en) * | 1993-06-01 | 2000-04-18 | Fujitsu, Ltd. | Defluxing agent cleaning method and cleaning apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564235B2 (ja) | 1993-09-14 |
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